JPH0237352A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
- Publication number
- JPH0237352A JPH0237352A JP63188809A JP18880988A JPH0237352A JP H0237352 A JPH0237352 A JP H0237352A JP 63188809 A JP63188809 A JP 63188809A JP 18880988 A JP18880988 A JP 18880988A JP H0237352 A JPH0237352 A JP H0237352A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- substrate
- resist
- nitrogen
- content
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の製造プロセスにおいてフォト
リソグラフィを用いて行われるパターン形成方法に関す
るものである。
リソグラフィを用いて行われるパターン形成方法に関す
るものである。
第４図はフォトリソグラフィを用いて行われる従来のパ
ターン形成方法の工程を示す断面図である。基板１上に
はポジ型フォトレジスト２が形成されている。
ターン形成方法の工程を示す断面図である。基板１上に
はポジ型フォトレジスト２が形成されている。
第４図（ａ）に示すように、基板１上のフォトレジスト
２に露光光（例えば紫外光）３を照射すると、一般にフ
ォトレジスト２中には窒素原子（Ｎ）が含まれており、
この窒素原子が露光光３と化学反応をおこすことにより
フォトレジスト２内に窒素（Ｎ２）４が発生する。この
ようにして過剰に発生した窒素４は、同図（ｂ）に示す
ように、基板′１と７オトレジスト２との界面に蓄積さ
れ、その圧力によりフォトレジスト２が押し上げられて
フォトレジスト２の一部が隆起領域５となる。更に、同
図（Ｃ）に示すように、その押し上げ圧力がフォトレジ
スト２の膜自体の凝集力を越えると、フォトレジスト２
に剪断６が発生する。
２に露光光（例えば紫外光）３を照射すると、一般にフ
ォトレジスト２中には窒素原子（Ｎ）が含まれており、
この窒素原子が露光光３と化学反応をおこすことにより
フォトレジスト２内に窒素（Ｎ２）４が発生する。この
ようにして過剰に発生した窒素４は、同図（ｂ）に示す
ように、基板′１と７オトレジスト２との界面に蓄積さ
れ、その圧力によりフォトレジスト２が押し上げられて
フォトレジスト２の一部が隆起領域５となる。更に、同
図（Ｃ）に示すように、その押し上げ圧力がフォトレジ
スト２の膜自体の凝集力を越えると、フォトレジスト２
に剪断６が発生する。
従来のパターン形成方法は、以上のような工程で行われ
ており、露光時に基板１とフォトレジスト２の界面に蓄
積される窒素４によりフォトレジスト２に剪断６が生け
、たとえ現像してもこの剪断６により第４図（Ｃ）に示
すようなパターン欠陥（正常なパターンは点線部）が生
じ、所望のレジストパターンが得られないという問題点
があった。
ており、露光時に基板１とフォトレジスト２の界面に蓄
積される窒素４によりフォトレジスト２に剪断６が生け
、たとえ現像してもこの剪断６により第４図（Ｃ）に示
すようなパターン欠陥（正常なパターンは点線部）が生
じ、所望のレジストパターンが得られないという問題点
があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、露光時に基板とレジストの界面に過剰な窒素
が蓄積しないパターン形成方法を得ることを目的とする
。
たもので、露光時に基板とレジストの界面に過剰な窒素
が蓄積しないパターン形成方法を得ることを目的とする
。
この発明に係るパターン形成方法は、下地上に、前記下
地との界面付近の感光剤含有量が最も少なくなるように
フォトレジストを形成する工程と、前記フォトレジスト
を露光し、現像して、前記フォトレジストを所望のパタ
ーンに形成する工程とを備えた構成としている。
地との界面付近の感光剤含有量が最も少なくなるように
フォトレジストを形成する工程と、前記フォトレジスト
を露光し、現像して、前記フォトレジストを所望のパタ
ーンに形成する工程とを備えた構成としている。
この発明においては、フォトレジストの感光剤含有量を
下地とフォトレジストの界面付近で最も少なくしている
ので、露光時、下地とフォトレジストの界面付近では窒
素が過剰発生せず、そのため下地とフォトレジストの界
面に窒素が過剰に蓄積されることはない。
下地とフォトレジストの界面付近で最も少なくしている
ので、露光時、下地とフォトレジストの界面付近では窒
素が過剰発生せず、そのため下地とフォトレジストの界
面に窒素が過剰に蓄積されることはない。
第１図はこの発明によるパターン形成方法の工程を示す
断面図である。第４図に示した従来例との相違点は、基
板１とフォトレジスト２０間に感光剤含有量の少ないポ
ジ型フォトレジストアを設けたことである。
断面図である。第４図に示した従来例との相違点は、基
板１とフォトレジスト２０間に感光剤含有量の少ないポ
ジ型フォトレジストアを設けたことである。
基板１上にスピンコードによりフォトレジスト・７を形
成する（第１図（ａ））。その後フォトレジストア上に
感光剤含有量の多いフォトレジスト２を形成し、２層構
造とする（第１図（ｂ））、ここでフォトレジスト２．
７の両方の感光材含有量を少なくせず、フォトレジスト
７のみの感光剤含有量を少なくしたのは、露光感度を低
下させないためである。
成する（第１図（ａ））。その後フォトレジストア上に
感光剤含有量の多いフォトレジスト２を形成し、２層構
造とする（第１図（ｂ））、ここでフォトレジスト２．
７の両方の感光材含有量を少なくせず、フォトレジスト
７のみの感光剤含有量を少なくしたのは、露光感度を低
下させないためである。
第２図はこのようにして形成されたフォトレジストに対
しパターンを形成するために露光光３を照射した場合の
窒素４の分布を示したものである。
しパターンを形成するために露光光３を照射した場合の
窒素４の分布を示したものである。
第２図から、フォトレジストアでの窒素４の発生機が７
オトレジスト２−のそれより少ないことがわかる。これ
は、一般にフォトレジストの感光剤含有量と７オトレジ
ストに露光光３を照射したときに発生する窒素４の量と
は比例関係にあり、フォトレジスト７の感光剤含有量が
７オトレジスト２のそれより少ないことに基づく。上記
のようにフォトレジストアでの窒素４の発生借が少ない
ことから基板１とフォトレジストアの界面に従来のよう
に窒素４が過剰に蓄積されず、隆起領域５（第４図（ｂ
）参照）は生じない。従って、従来のように剪断が生じ
ることがなく、現像すると所望のパターンが得られる。
オトレジスト２−のそれより少ないことがわかる。これ
は、一般にフォトレジストの感光剤含有量と７オトレジ
ストに露光光３を照射したときに発生する窒素４の量と
は比例関係にあり、フォトレジスト７の感光剤含有量が
７オトレジスト２のそれより少ないことに基づく。上記
のようにフォトレジストアでの窒素４の発生借が少ない
ことから基板１とフォトレジストアの界面に従来のよう
に窒素４が過剰に蓄積されず、隆起領域５（第４図（ｂ
）参照）は生じない。従って、従来のように剪断が生じ
ることがなく、現像すると所望のパターンが得られる。
第３図は、この発明の他の実施例を示す図である。この
実施例では、上記実施例と異なり、第３図（ａ）に示す
ように基板１上に一層のみの７オトレジスト８を設けて
いる。そして基板１を基準にフォトレジスト８の厚さを
計った場合、フォトレジスト８の厚さとその感光剤含有
量が第３図（ｂ）に示すように比例の関係になるように
している。
実施例では、上記実施例と異なり、第３図（ａ）に示す
ように基板１上に一層のみの７オトレジスト８を設けて
いる。そして基板１を基準にフォトレジスト８の厚さを
計った場合、フォトレジスト８の厚さとその感光剤含有
量が第３図（ｂ）に示すように比例の関係になるように
している。
具体的には基板１上に感光剤を含まないレジストを形成
し、その後感光剤を表面から拡散させフォトレジスト８
を形成する。このように構成しても、上述したように感
光剤含有量と発生する窒素４の伍とは比例関係にあるの
で、露光時、基板１とフォトレジスト８の界面付近では
窒素４が過剰発生せず、上記実施例と同様の効果が得ら
れる。なお、フォトレジスト８の感光剤含有量は、基板
１とフォトレジスト８の界面付近で最も少なければよく
、上述したようにフォトレジスト８の厚さと必ずしも比
Ｗ４関係にある必要はない。
し、その後感光剤を表面から拡散させフォトレジスト８
を形成する。このように構成しても、上述したように感
光剤含有量と発生する窒素４の伍とは比例関係にあるの
で、露光時、基板１とフォトレジスト８の界面付近では
窒素４が過剰発生せず、上記実施例と同様の効果が得ら
れる。なお、フォトレジスト８の感光剤含有量は、基板
１とフォトレジスト８の界面付近で最も少なければよく
、上述したようにフォトレジスト８の厚さと必ずしも比
Ｗ４関係にある必要はない。
なお、上記実施例ではフォトレジストがポジ型の場合に
ついて説明したが、ネガ型の場合にも同様の効果が得ら
れる。つまり、パターンとして残るべきフォトレジスト
が現像前に剥離することが防止できる。
ついて説明したが、ネガ型の場合にも同様の効果が得ら
れる。つまり、パターンとして残るべきフォトレジスト
が現像前に剥離することが防止できる。
（発明の効果）
以上のように、この発明によれば、下地上に、下地との
界面付近の感光剤含有量が最も少なくなるようにフォト
レジストを形成したので、露光時、下地とフォトレジス
トの界面付近に窒素が過剰発生ぜず、下地とフォト−レ
ジストの界面に窒素が過剰に蓄積されることがない。そ
の結果従来のように７オトレジストが隆起せず、剪断が
生じることがないので、現像することにより所望のパタ
ーンを形成することができるという効果がある。
界面付近の感光剤含有量が最も少なくなるようにフォト
レジストを形成したので、露光時、下地とフォトレジス
トの界面付近に窒素が過剰発生ぜず、下地とフォト−レ
ジストの界面に窒素が過剰に蓄積されることがない。そ
の結果従来のように７オトレジストが隆起せず、剪断が
生じることがないので、現像することにより所望のパタ
ーンを形成することができるという効果がある。
第１図はこの発明に係る一実施例を示す図、第２図は露
光時の窒素の発生状態を説明するための図、第３図はこ
の発明の他の実施例を示す図、第４図は従来のパターン
形成方法の工程を示す図である。 図において、１は基板、２及び７はポジ型フォトレジス
ト、３は露光光である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
光時の窒素の発生状態を説明するための図、第３図はこ
の発明の他の実施例を示す図、第４図は従来のパターン
形成方法の工程を示す図である。 図において、１は基板、２及び７はポジ型フォトレジス
ト、３は露光光である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）下地上に、前記下地との界面付近の感光剤含有量
が最も少なくなるようにフォトレジストを形成する工程
と、 前記フォトレジストを露光し、現像して、前記フォトレ
ジストを所望のパターンに形成する工程とを備えたパタ
ーン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63188809A JPH0237352A (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63188809A JPH0237352A (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0237352A true JPH0237352A (ja) | 1990-02-07 |
Family
ID=16230188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63188809A Pending JPH0237352A (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0237352A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0287146A (ja) * | 1988-09-26 | 1990-03-28 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-07-27 JP JP63188809A patent/JPH0237352A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0287146A (ja) * | 1988-09-26 | 1990-03-28 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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