JPH055174B2 - - Google Patents
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- JPH055174B2 JPH055174B2 JP59097643A JP9764384A JPH055174B2 JP H055174 B2 JPH055174 B2 JP H055174B2 JP 59097643 A JP59097643 A JP 59097643A JP 9764384 A JP9764384 A JP 9764384A JP H055174 B2 JPH055174 B2 JP H055174B2
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- photoresist
- mask
- photoresist layer
- substrate
- exposed
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
- H10W10/10—Isolation regions comprising dielectric materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P76/00—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography
- H10P76/20—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising organic materials
- H10P76/204—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising organic materials of organic photoresist masks
- H10P76/2041—Photolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
- H10W10/01—Manufacture or treatment
- H10W10/011—Manufacture or treatment of isolation regions comprising dielectric materials
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Element Separation (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基板上に非常に細い線幅のパタ
ーンを形成する方法に係り、更に具体的に云うと
本発明は半導体基板上に埋設酸化物分離領域を形
成する方法に係る。
ーンを形成する方法に係り、更に具体的に云うと
本発明は半導体基板上に埋設酸化物分離領域を形
成する方法に係る。
半導体ウエハまたはチツプ上に集積部品を作製
するに当たり、デバイス部品とデバイス部品の間
に電気的分離のための細い領域を設ける。記憶お
よび論理チツプ等の半導体チツプで、チツプ上に
設けたデバイスおよび領域を電気的に分離するた
め、埋設酸化物分離（以下ROX分離という）を
用いることが多い。
するに当たり、デバイス部品とデバイス部品の間
に電気的分離のための細い領域を設ける。記憶お
よび論理チツプ等の半導体チツプで、チツプ上に
設けたデバイスおよび領域を電気的に分離するた
め、埋設酸化物分離（以下ROX分離という）を
用いることが多い。
幅の細い分離領域を作成するため、フオトリソ
グラフイが用いられている。しかし、従来の近紫
外線投影フオトリソグラフイにより、分離可能な
ライン幅は最低２ないし３ミクロンのオーダーで
あり、これは集積回路中で必要とする電気的分離
領域の幅よりも広い場合が多い。さらに、半導体
基板の露出部分が酸化されると、酸化物の面積が
横に広がり、すなわち成長する傾向があり、フオ
トリソグラフイ工程中に現像される表面積より大
きい半導体基板の部分を包含する。これはまた、
必要以上に大きいROX分離領域の生成に寄与す
る。
グラフイが用いられている。しかし、従来の近紫
外線投影フオトリソグラフイにより、分離可能な
ライン幅は最低２ないし３ミクロンのオーダーで
あり、これは集積回路中で必要とする電気的分離
領域の幅よりも広い場合が多い。さらに、半導体
基板の露出部分が酸化されると、酸化物の面積が
横に広がり、すなわち成長する傾向があり、フオ
トリソグラフイ工程中に現像される表面積より大
きい半導体基板の部分を包含する。これはまた、
必要以上に大きいROX分離領域の生成に寄与す
る。
ROX分離領域が他のチツプ電気部品のものよ
り小さければ、部品の大きさを小さくすることが
でき、単一のウエハ等の上に、より多数の部品を
設ける余地ができる。これらはすべて、集積回路
の総原価を下げ、集積回路素子の最小応答時間を
短縮するという利点がある。
り小さければ、部品の大きさを小さくすることが
でき、単一のウエハ等の上に、より多数の部品を
設ける余地ができる。これらはすべて、集積回路
の総原価を下げ、集積回路素子の最小応答時間を
短縮するという利点がある。
米国特許第4318759号明細書には、半導体チツ
プ上に細いラインを設けるための複雑なレトロエ
ツチ法が記載されている。この方法では、第１お
よび第２のマスキング層を必要とし、第２のマス
キング層の下の第１のマスキング層を部分的にレ
トロエツチングすることにより、レトロエツチ領
域を生成する。
プ上に細いラインを設けるための複雑なレトロエ
ツチ法が記載されている。この方法では、第１お
よび第２のマスキング層を必要とし、第２のマス
キング層の下の第１のマスキング層を部分的にレ
トロエツチングすることにより、レトロエツチ領
域を生成する。
米国特許第4022932号明細書では、所要形状の
レジストマスク中の最小開口寸法を減少させる方
法が開示されている。レシストマスクを、マスク
により吸収されるレジスト溶剤蒸気を含むチエン
バ内に置くと、レジストが再流動し、レジスト開
口部の寸法が減少する。
レジストマスク中の最小開口寸法を減少させる方
法が開示されている。レシストマスクを、マスク
により吸収されるレジスト溶剤蒸気を含むチエン
バ内に置くと、レジストが再流動し、レジスト開
口部の寸法が減少する。
米国特許第4231811号明細書には、１個の半導
体チツプ中に厚さの異なる位置合せをした領域を
作成する方法が開示されている。この方法は、間
隔をあけた複数の所定の幅のラインからなる領域
を有するフオトレジスト・マスクを用いるもの
で、この幅は、使用する投影手段によつて、ライ
ンの像が分解されない程度のものである。感光材
料は、マスキング部材の透明部分および不透明部
分に伴う光の中間の強度の光を受ける。現像する
と、厚さは異なる領域が生成する。
体チツプ中に厚さの異なる位置合せをした領域を
作成する方法が開示されている。この方法は、間
隔をあけた複数の所定の幅のラインからなる領域
を有するフオトレジスト・マスクを用いるもの
で、この幅は、使用する投影手段によつて、ライ
ンの像が分解されない程度のものである。感光材
料は、マスキング部材の透明部分および不透明部
分に伴う光の中間の強度の光を受ける。現像する
と、厚さは異なる領域が生成する。
Moritzらの米国特許第4104070号明細書には、
１−ヒドロキシエチル２−アルキルイミダゾリン
を含む陽画用のフオトレジスト材料を用いて、フ
オトレジストの陰画を作成する方法を開示してい
る。該米国特許の詳細については、本明細書の実
施例の項で述べる。IBM Technical Disclosure
Bulletin Volume 24，No.10 March 1982，およ
びVolume 23，No.５，October 1980に、必要に
応じて基板上に陰画像を作成するため、改良され
た陽画用フオトレジストについて記載している。
Moritzら、およびIBM TDBの方法は、他の陰
画用フオトレジストを使用する場合より解像力が
すぐれ、不良品が少なくなる。
１−ヒドロキシエチル２−アルキルイミダゾリン
を含む陽画用のフオトレジスト材料を用いて、フ
オトレジストの陰画を作成する方法を開示してい
る。該米国特許の詳細については、本明細書の実
施例の項で述べる。IBM Technical Disclosure
Bulletin Volume 24，No.10 March 1982，およ
びVolume 23，No.５，October 1980に、必要に
応じて基板上に陰画像を作成するため、改良され
た陽画用フオトレジストについて記載している。
Moritzら、およびIBM TDBの方法は、他の陰
画用フオトレジストを使用する場合より解像力が
すぐれ、不良品が少なくなる。
本発明の目的は、半導体基板上の部品を電気的
に分離する方法を提供することにある。
に分離する方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、半導体基板上の分離帯の
幅を、従来のフオトリソグラフイを用いる場合よ
りせまくする方法を提供することにある。
幅を、従来のフオトリソグラフイを用いる場合よ
りせまくする方法を提供することにある。
さらに本発明は、従来のフオトリソグラフイを
用いて、半導体基板上に約1.0ないし2.0ミクロン
台の解像可能なライン幅を生成するフオトリソグ
ラフイ法を提供することを目的とする。
用いて、半導体基板上に約1.0ないし2.0ミクロン
台の解像可能なライン幅を生成するフオトリソグ
ラフイ法を提供することを目的とする。
さらに、本発明の他の目的は、記憶および論理
チツプ中のデバイスおよび領域を分離するため
の、幅のせまいROX分離領域を提供することに
ある。
チツプ中のデバイスおよび領域を分離するため
の、幅のせまいROX分離領域を提供することに
ある。
本発明によれば、半導体基板の表面上に、極め
て細い、解像可能なライン幅を生成することがで
きる。この方法は、フオトレジストの陰画像を作
成するために、陽画用フオトレジストを使用する
こと、ならびに、このフオトレジストを、マスク
を通じて、マスクの透明部分のみ露光するだけで
なく、マスクの不透明部分に相当するフオトレジ
ストの外周に沿つたフオトレジストの部分も露光
するために、フオトレジストに初期の過度の露光
を行なうことを組合せたものである。このように
して、次に現像処理を行えば、通常はマスクの不
透明な部分に相当するが、上記の不透明部分より
もせまいフオトレジストの部分が除去され、半導
体基板、または基板上の層の上に、極めて細い露
光幅が生成される。露出過度の方法を用いれば、
他の陰画レジスト法では一般に得られない像の許
容誤差および制御を改善することができる。
て細い、解像可能なライン幅を生成することがで
きる。この方法は、フオトレジストの陰画像を作
成するために、陽画用フオトレジストを使用する
こと、ならびに、このフオトレジストを、マスク
を通じて、マスクの透明部分のみ露光するだけで
なく、マスクの不透明部分に相当するフオトレジ
ストの外周に沿つたフオトレジストの部分も露光
するために、フオトレジストに初期の過度の露光
を行なうことを組合せたものである。このように
して、次に現像処理を行えば、通常はマスクの不
透明な部分に相当するが、上記の不透明部分より
もせまいフオトレジストの部分が除去され、半導
体基板、または基板上の層の上に、極めて細い露
光幅が生成される。露出過度の方法を用いれば、
他の陰画レジスト法では一般に得られない像の許
容誤差および制御を改善することができる。
さらに詳しく述べれば、本発明によれば、陽画
用フオトレジスト、好ましくは、ナフトキノン
（１，２）ジアジド・スルホン酸エステル系感光
剤、および１−ヒドロキシエチル２−アルキルイ
ミダゾリン等のフオトレジスト層を基板上に設
け、上記のフオトレジスト層を、透明領域と不透
明領域を有するマスクを通じて、十分な強度の化
学作用を有する光線に十分な時間露出して、画像
の露光を行うとともに、マスクの不透明部分に相
当するフオトレジストの外周部分にも露光し、露
光した層を十分な時間、十分な温度に加熱して、
露光部分を現像液に不溶性とし、次にフオトレジ
スト層全体を化学作用を有する光線にブランケツ
ト露出した後、露光しない部分を除去することに
より、上記の基板上に、上記のマスクの不透明部
分より表面積の小さい、細い領域が生成する。
用フオトレジスト、好ましくは、ナフトキノン
（１，２）ジアジド・スルホン酸エステル系感光
剤、および１−ヒドロキシエチル２−アルキルイ
ミダゾリン等のフオトレジスト層を基板上に設
け、上記のフオトレジスト層を、透明領域と不透
明領域を有するマスクを通じて、十分な強度の化
学作用を有する光線に十分な時間露出して、画像
の露光を行うとともに、マスクの不透明部分に相
当するフオトレジストの外周部分にも露光し、露
光した層を十分な時間、十分な温度に加熱して、
露光部分を現像液に不溶性とし、次にフオトレジ
スト層全体を化学作用を有する光線にブランケツ
ト露出した後、露光しない部分を除去することに
より、上記の基板上に、上記のマスクの不透明部
分より表面積の小さい、細い領域が生成する。
本発明の好ましい実施例によれば、半導体基板
の表面に絶縁層を生成し、ROX分離領域に相当
する不透明領域を有する陽画用フオトレジストを
用いて陰画像を生成するため「過度の露出」を行
い、上記マスクの除去された部分の下の絶縁層を
エツチングして、半導体基板上の相当する部分を
露出させ、上記の半導体基板の露出した部分を酸
化させることにより、半導体基板上にROX分離
領域を生成することができる。
の表面に絶縁層を生成し、ROX分離領域に相当
する不透明領域を有する陽画用フオトレジストを
用いて陰画像を生成するため「過度の露出」を行
い、上記マスクの除去された部分の下の絶縁層を
エツチングして、半導体基板上の相当する部分を
露出させ、上記の半導体基板の露出した部分を酸
化させることにより、半導体基板上にROX分離
領域を生成することができる。
他の実施例、および本発明の変型については、
下記の実施例の説明により明らかである。
下記の実施例の説明により明らかである。
本発明を、半導体基板上にROX分離領域を作
成することに関して詳細に説明するが、本発明は
最小寸法の接点孔、多結晶シリコンまたは金属皮
膜のエツチングによる分離等、他の目的のために
チツプまたはウエハ上に、せまい間隙を生成する
ためにも用いられることは明らかである。
成することに関して詳細に説明するが、本発明は
最小寸法の接点孔、多結晶シリコンまたは金属皮
膜のエツチングによる分離等、他の目的のために
チツプまたはウエハ上に、せまい間隙を生成する
ためにも用いられることは明らかである。
図を参照すると、絶縁層１５、例えばSi3N4を
設けた半導体基板１０に、フオトレジスト１１を
コーテイングする。このフオトレジストは、米国
特許第4104070号明細書に開示されているように、
フオトレジストの陰画像を作成するための、陽画
用のフオトレジストである。マスク１４は、透明
部分１６と不透明部分１２とからなり、フオトレ
ジスト上に置かれる。不透明部分なライン１２
は、従来の近紫外線投影フオトグラフイーにより
生成することのできる実質的に最も細い幅のもの
で、例えば約2.0ないし3.0ミクロンのものであ
る。ROX分離領域は、半導体基板上に、マスク
の不透明部分１２に相当し、しかもこれより認め
られるほど広くない部分に作成するものとする。
フオトレジスト１１を、マスク１４を通して化学
作用を有する光線に露出すると、透明部分１６に
相当するフオトレジストの部分が露光する。フオ
トレジスト１１は陽画用のフオトレジストである
ため、マスクの透明部分に相当する部分は液体の
現像剤により除去されるはずである。しかし、
Moritzらの米国特許第4104070号明細書に開示さ
れた画像反転法によれば、現像処理を行う前に露
光したフオトレジストを加熱して、露光部分１１
９を液体現像剤に不溶性とする。その後、フオト
レジストの未露光部分１１６（マスクの不透明部
分にほほ相当する）を、例えばマスク１４を除去
してフオトレジスト１１全体をブラケツト露出す
るなどの方法により露光する。次に液体現像剤で
処理すると、フオトレジストは１１９の部分を残
して１１６の部分が除去される。間隙１２１は不
透明部分１２よりせまくなる。工程の残りの部分
は、従来と同様で、例えば標準のエツチング技法
により、絶縁層１５のフオトレジストで保護され
ない部分を除去する。これにより、半導体基板の
７の部分が露出する。最後に基板の７の部分を酸
化して、半導体基板上にROX分離領域１酸を生
成する。
設けた半導体基板１０に、フオトレジスト１１を
コーテイングする。このフオトレジストは、米国
特許第4104070号明細書に開示されているように、
フオトレジストの陰画像を作成するための、陽画
用のフオトレジストである。マスク１４は、透明
部分１６と不透明部分１２とからなり、フオトレ
ジスト上に置かれる。不透明部分なライン１２
は、従来の近紫外線投影フオトグラフイーにより
生成することのできる実質的に最も細い幅のもの
で、例えば約2.0ないし3.0ミクロンのものであ
る。ROX分離領域は、半導体基板上に、マスク
の不透明部分１２に相当し、しかもこれより認め
られるほど広くない部分に作成するものとする。
フオトレジスト１１を、マスク１４を通して化学
作用を有する光線に露出すると、透明部分１６に
相当するフオトレジストの部分が露光する。フオ
トレジスト１１は陽画用のフオトレジストである
ため、マスクの透明部分に相当する部分は液体の
現像剤により除去されるはずである。しかし、
Moritzらの米国特許第4104070号明細書に開示さ
れた画像反転法によれば、現像処理を行う前に露
光したフオトレジストを加熱して、露光部分１１
９を液体現像剤に不溶性とする。その後、フオト
レジストの未露光部分１１６（マスクの不透明部
分にほほ相当する）を、例えばマスク１４を除去
してフオトレジスト１１全体をブラケツト露出す
るなどの方法により露光する。次に液体現像剤で
処理すると、フオトレジストは１１９の部分を残
して１１６の部分が除去される。間隙１２１は不
透明部分１２よりせまくなる。工程の残りの部分
は、従来と同様で、例えば標準のエツチング技法
により、絶縁層１５のフオトレジストで保護され
ない部分を除去する。これにより、半導体基板の
７の部分が露出する。最後に基板の７の部分を酸
化して、半導体基板上にROX分離領域１酸を生
成する。
本発明では、マスク１４を通してのフオトレジ
スト１１の第１の露光は、フオトレジストの１１
９の部分が十分露出過度になるような露出条件で
行う。例えば、露出時間を変えずに、化学作用を
有する光の照射の強度を1.5ないし2.0倍とする
か、またはエネルギ源の強度を変えずに、露出時
間を長くするかによつて行うことができる。「露
出過度」の程度は、マスクの不透明部分１２の周
辺に相当するフオトレジストの周辺部分１１が化
学作用を有する光に露光するように選択する。こ
れは、露光するフオトレジストの部分１１が、透
明部分１６の幅よりわずかに広いことを意味す
る。逆に、これは後に露光するフオトレジストの
部分１１６は、マスクの不透明部分１２よりせま
いことを意味する。像の寸法の収縮度は露度の過
度の程度により調節することができる。例えば、
不透明部分の幅が２ミクロンであつても、本発明
によれば、レジストの開口部の幅は1.5ミクロン
にすることができることがわかつている。これに
よつて、ROX分離領域の幅を例えは3.1ミクロン
から2.6ミクロンにすることができる。
スト１１の第１の露光は、フオトレジストの１１
９の部分が十分露出過度になるような露出条件で
行う。例えば、露出時間を変えずに、化学作用を
有する光の照射の強度を1.5ないし2.0倍とする
か、またはエネルギ源の強度を変えずに、露出時
間を長くするかによつて行うことができる。「露
出過度」の程度は、マスクの不透明部分１２の周
辺に相当するフオトレジストの周辺部分１１が化
学作用を有する光に露光するように選択する。こ
れは、露光するフオトレジストの部分１１が、透
明部分１６の幅よりわずかに広いことを意味す
る。逆に、これは後に露光するフオトレジストの
部分１１６は、マスクの不透明部分１２よりせま
いことを意味する。像の寸法の収縮度は露度の過
度の程度により調節することができる。例えば、
不透明部分の幅が２ミクロンであつても、本発明
によれば、レジストの開口部の幅は1.5ミクロン
にすることができることがわかつている。これに
よつて、ROX分離領域の幅を例えは3.1ミクロン
から2.6ミクロンにすることができる。
Perkin−Elmer社の“micralign”装置例えば
PMA100シリーズを用いると、ウエハの露出時間
は、本発明を実施するためには約２倍にすること
ができる。フオトレジストの露光部分の幅が、相
当するマスクの透明部分より、好ましくは約0.5
ないし1.0ミクロン広い場合、十分な「露出過度」
が起る。本発明では使用されるフオトレジスト
は、処理中に陰画用に変換するような、陽画用の
フオトレジストである。Moritzらの米国特許第
4104070号明細書では、ナフタキノン （１，２）
ジアジド・スルホン酸エステル系感光剤（例えは
Shipley Co.，Inc.，Newton，Mass.のAZ−
1350Hフオトレジスト）を含むフエノール樹脂
に、通常１−ヒドロキシエチル２−アルキル
（C7−C17）イミダゾリンである。Monozoline Ｃ
（Mona Ind.，Inc.，Patterson，New
Jersey）１重量パーセントを添加したものを使用
している。リン酸水素ナトリウム、メタケイ酸ナ
トリウム、水酸化ナトリウム等を主剤とするアル
カリ性現像剤、例えはShipley Co.，Inc.のAZ−
Developer等を使用することができる。
PMA100シリーズを用いると、ウエハの露出時間
は、本発明を実施するためには約２倍にすること
ができる。フオトレジストの露光部分の幅が、相
当するマスクの透明部分より、好ましくは約0.5
ないし1.0ミクロン広い場合、十分な「露出過度」
が起る。本発明では使用されるフオトレジスト
は、処理中に陰画用に変換するような、陽画用の
フオトレジストである。Moritzらの米国特許第
4104070号明細書では、ナフタキノン （１，２）
ジアジド・スルホン酸エステル系感光剤（例えは
Shipley Co.，Inc.，Newton，Mass.のAZ−
1350Hフオトレジスト）を含むフエノール樹脂
に、通常１−ヒドロキシエチル２−アルキル
（C7−C17）イミダゾリンである。Monozoline Ｃ
（Mona Ind.，Inc.，Patterson，New
Jersey）１重量パーセントを添加したものを使用
している。リン酸水素ナトリウム、メタケイ酸ナ
トリウム、水酸化ナトリウム等を主剤とするアル
カリ性現像剤、例えはShipley Co.，Inc.のAZ−
Developer等を使用することができる。
本発明の変形が可能であることは明かである。
例えば、Shipley AZ−1350J陽画用フオトレジス
トは、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸
化テトラメチルアンモニウム等、強塩基性または
弱塩基性化合物を添加して、上記の処理の可能な
変性フオトレジストを作成することができる。ま
た、Shipley AZ−1350J等の変性しない陽画用フ
オトレジストを用いて、陽画用マスクを通して露
光した後、アンモニアガス等のアンモニア蒸気
に、加熱しながら露出し、または後に加熱するこ
とにより、露出した部分を最初に露出しなかつた
部分より、塩基性現像剤に液解しにくくすること
もできる。その後、ブランケツト露出を行つた後
塩基性現像剤により現像を行う。
例えば、Shipley AZ−1350J陽画用フオトレジス
トは、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸
化テトラメチルアンモニウム等、強塩基性または
弱塩基性化合物を添加して、上記の処理の可能な
変性フオトレジストを作成することができる。ま
た、Shipley AZ−1350J等の変性しない陽画用フ
オトレジストを用いて、陽画用マスクを通して露
光した後、アンモニアガス等のアンモニア蒸気
に、加熱しながら露出し、または後に加熱するこ
とにより、露出した部分を最初に露出しなかつた
部分より、塩基性現像剤に液解しにくくすること
もできる。その後、ブランケツト露出を行つた後
塩基性現像剤により現像を行う。
以上の説明に於て示した本発明の方法によつ
て、半導体基板上に例えば分離領域のための極め
て細い領域を形成することができる。
て、半導体基板上に例えば分離領域のための極め
て細い領域を形成することができる。
第１図はフオトレジストおよびマスクを含む基
板の断面図である。第２図は、第１図の基板を過
度に露出した後の断面図である。第３図は、第２
図の基板を現像した後の断面図である。第４図
は、第３図の基板を、酸化物を成長させ、次いで
フオトレジスト層を除去した後の断面図である。 １０……半導体基板、１１……フオトレジス
ト、１２……不透明部分、１４……マスク、１５
……絶縁層、１６……透明部分。
板の断面図である。第２図は、第１図の基板を過
度に露出した後の断面図である。第３図は、第２
図の基板を現像した後の断面図である。第４図
は、第３図の基板を、酸化物を成長させ、次いで
フオトレジスト層を除去した後の断面図である。 １０……半導体基板、１１……フオトレジス
ト、１２……不透明部分、１４……マスク、１５
……絶縁層、１６……透明部分。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ (a) 半導体基板の表面上に絶縁層を形成する
工程と、 (b) 陰画像を与えるように変性しうる陽画用フオ
トレジスト層で上記絶縁層を被覆する工程と、 (c) 透明部分と不透明部分を有するマスクを、該
不透明部分が上記基板上の埋設酸化物分離領域
に対応し、該透明部分が上記基板上の埋設酸化
物分離領域以外の領域に対応するように上記フ
オトレジスト層上に配置する工程と、 (d) 上記マスクを介して、上記マスクの上記透明
部分に対応する上記フオトレジスト層を露光す
るのに充分な露光時間または露光エネルギ1.5
倍乃至2.0倍の露光時間または露光エネルギで
過度の露光を行ない、以て上記マスクの上記透
明部分に対応する上記フオトレジスト層のみな
らず上記マスクの上記不透明部分に対応する上
記フオトレジスト層の領域の周辺をも露光する
工程と、 (e) 上記フオトレジスト層の露光領域を現像剤に
対して不溶性にするように処理する工程と、 (f) 上記フオトレジスト層をブランケツト露光す
る工程と、 (g) 上記工程(d)で露光されなかつた上記フオトレ
ジスト層の領域を現像することにより、上記工
程(d)で露光されなかつた上記フオトレジスト層
の領域を除去する工程と、 (h) 上記工程(g)で除去された上記フオトレジスト
層の領域に対応する上記絶縁層の領域をエツチ
ングして該対応領域の上記基板を露光させる工
程と、 (i) 上記露出した上記基板の領域を酸化して埋設
酸化物分離領域を形成する工程を有する、 細線パターンの形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/536,100 US4546066A (en) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | Method for forming narrow images on semiconductor substrates |
| US536100 | 1983-09-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6077440A JPS6077440A (ja) | 1985-05-02 |
| JPH055174B2 true JPH055174B2 (ja) | 1993-01-21 |
Family
ID=24137145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59097643A Granted JPS6077440A (ja) | 1983-09-27 | 1984-05-17 | 細線パタ−ンの形成方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4546066A (ja) |
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| JP (1) | JPS6077440A (ja) |
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