JPH0237678B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0237678B2 JPH0237678B2 JP58038013A JP3801383A JPH0237678B2 JP H0237678 B2 JPH0237678 B2 JP H0237678B2 JP 58038013 A JP58038013 A JP 58038013A JP 3801383 A JP3801383 A JP 3801383A JP H0237678 B2 JPH0237678 B2 JP H0237678B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma generation
- ray
- capacitor
- generation chamber
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Public Health (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、高温高密度プラズマを用いて高出力
の軟Ｘ線を発生させ、かつ、動作安定性の良好な
軟Ｘ線発生装置に関するものである。
の軟Ｘ線を発生させ、かつ、動作安定性の良好な
軟Ｘ線発生装置に関するものである。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
従来この種の装置はコンデンサとプラズマ生成
室の電力伝送回路にケーブルを用いており、回路
のインダクダンスを小さくするため多数のケーブ
ルを並列に用い、ケーブル、ケーブル接続用フラ
ンジ、ケーブル支持台、等により構成されていた
ので、装置が大型化し、かつ、ケーブル端の絶縁
耐力をあげるため、プラズマ生成室が大容量とな
つた。また、従来、この種の装置は、Ｘ線を水平
方向に取り出すように構成されていたので、Ｘ線
露光用軟Ｘ線源として使用する場合、Ｘ線露光用
マスクおよびマスクパターン転写されるウエハを
それぞれ支持、また位置を制御する装置が複雑と
なり、大形となつた。
室の電力伝送回路にケーブルを用いており、回路
のインダクダンスを小さくするため多数のケーブ
ルを並列に用い、ケーブル、ケーブル接続用フラ
ンジ、ケーブル支持台、等により構成されていた
ので、装置が大型化し、かつ、ケーブル端の絶縁
耐力をあげるため、プラズマ生成室が大容量とな
つた。また、従来、この種の装置は、Ｘ線を水平
方向に取り出すように構成されていたので、Ｘ線
露光用軟Ｘ線源として使用する場合、Ｘ線露光用
マスクおよびマスクパターン転写されるウエハを
それぞれ支持、また位置を制御する装置が複雑と
なり、大形となつた。
本発明はこれらの欠点を解決するため、コンデ
ンサに充電された電圧をプラズマ生成室のプラズ
マ生成用放電電極に印加する電力伝送ラインを、
板状の伝送導電板で形成し、かつこの伝送導電板
の一部にプラズマ生成用放電電極を形成するもの
で、以下図面について詳細に説明する。
ンサに充電された電圧をプラズマ生成室のプラズ
マ生成用放電電極に印加する電力伝送ラインを、
板状の伝送導電板で形成し、かつこの伝送導電板
の一部にプラズマ生成用放電電極を形成するもの
で、以下図面について詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例の回路図であり、１
は充電用電源、２はコンデンサ、３はスイツチ、
４はプラズマ生成室、５は抵抗、９は電力伝送ラ
インを示す。
は充電用電源、２はコンデンサ、３はスイツチ、
４はプラズマ生成室、５は抵抗、９は電力伝送ラ
インを示す。
これを動作するには、充電用電源１により、コ
ンデンサ２を充電した後、スイツチ３を閉じてプ
ラズマ生成室４のプラズマ生成用放電電極の両端
にコンデンサ２から電力伝送ライン９を通して電
圧を印加し放電し、プラズマを生成してＸ線を放
出させるものである。抵抗５はプラズマ生成室４
で、何らかの理由で放電しなかつた場合、コンデ
ンサ２の電流を流すためにある。ここで、プラズ
マ生成室４に効率よく大電流を流すには、電力伝
送ライン９のインダクタンスを極力、小さくする
必要がある。
ンデンサ２を充電した後、スイツチ３を閉じてプ
ラズマ生成室４のプラズマ生成用放電電極の両端
にコンデンサ２から電力伝送ライン９を通して電
圧を印加し放電し、プラズマを生成してＸ線を放
出させるものである。抵抗５はプラズマ生成室４
で、何らかの理由で放電しなかつた場合、コンデ
ンサ２の電流を流すためにある。ここで、プラズ
マ生成室４に効率よく大電流を流すには、電力伝
送ライン９のインダクタンスを極力、小さくする
必要がある。
第２図は、第１図の回路図から実際に装置とし
て構成した実施例であつて、１は充電用電源、２
はコンデンサ、３はスイツチ、４はプラズマ生成
室、５は放電電極１１，１２間に接続された抵
抗、６は板状の高電圧側伝送導電板、７は板状の
接地側伝送導電板、８は高電圧側伝送導電板６と
接地側伝送導電板７の伝送板用絶縁体、９は高電
圧側伝送導電板６、接地側伝送導電板７、伝送板
用絶縁体８から成る電力伝送ライン、１０は高電
圧側伝送導体板６とプラズマ生成室４との絶縁を
保つ絶縁体、１１は高電圧側放電電極、１２は接
地側放電電極で、下方へＸ線が取り出せるよう
に、中心に孔を有している。この放電電極１１，
１２はそれぞれ対応した伝送導電板６，７の一部
に形成される。このように構成することにより、
電力伝送回路のインダクタンスを小さくすること
ができ、効率よく大電流を流すことができる。１
３はＸ線取り出し窓、１４はＸ線マスク、１５は
レジストを塗布したウエハ、１６は放電により生
成されるプラズマ、１７はプラズマから放出され
るＸ線を示す。１８はＸ線マスク１４およびウエ
ハ１５の位置を制御する位置合せ装置を示す。
て構成した実施例であつて、１は充電用電源、２
はコンデンサ、３はスイツチ、４はプラズマ生成
室、５は放電電極１１，１２間に接続された抵
抗、６は板状の高電圧側伝送導電板、７は板状の
接地側伝送導電板、８は高電圧側伝送導電板６と
接地側伝送導電板７の伝送板用絶縁体、９は高電
圧側伝送導電板６、接地側伝送導電板７、伝送板
用絶縁体８から成る電力伝送ライン、１０は高電
圧側伝送導体板６とプラズマ生成室４との絶縁を
保つ絶縁体、１１は高電圧側放電電極、１２は接
地側放電電極で、下方へＸ線が取り出せるよう
に、中心に孔を有している。この放電電極１１，
１２はそれぞれ対応した伝送導電板６，７の一部
に形成される。このように構成することにより、
電力伝送回路のインダクタンスを小さくすること
ができ、効率よく大電流を流すことができる。１
３はＸ線取り出し窓、１４はＸ線マスク、１５は
レジストを塗布したウエハ、１６は放電により生
成されるプラズマ、１７はプラズマから放出され
るＸ線を示す。１８はＸ線マスク１４およびウエ
ハ１５の位置を制御する位置合せ装置を示す。
これを動作するには電源１でコンデンサを充電
した後、位置合せ装置１８で、ウエハ１５の露光
領域にＸ線が照射され、また所定の位置にパター
ンが転写されるように、Ｘ線マスク１４とウエハ
１５の位置を合せ、スイツチ３を駆動することに
より、電極１１と電極１２の間に高電圧を印加し
放電させてプラズマ１６を形成し、プラズマ１６
から放出されるＸ線１７をＸ線取り出し窓１３と
Ｘ線マスク１４を通してウエハ１５に照射し露光
する。
した後、位置合せ装置１８で、ウエハ１５の露光
領域にＸ線が照射され、また所定の位置にパター
ンが転写されるように、Ｘ線マスク１４とウエハ
１５の位置を合せ、スイツチ３を駆動することに
より、電極１１と電極１２の間に高電圧を印加し
放電させてプラズマ１６を形成し、プラズマ１６
から放出されるＸ線１７をＸ線取り出し窓１３と
Ｘ線マスク１４を通してウエハ１５に照射し露光
する。
コンデンサ２、スイツチ３、電力伝送ライン
９、放電電極１１および１２は、板状の伝送導電
板６と７を用いることによつて機械的に一体化す
ることが可能であり、小形化が容易である。さら
に伝送ライン９を広くすることも容易で、コンデ
ンサ２およびスイツチ３を複数個接続することが
可能であり、回路のインダクタンスも低減化が容
易である。第３図ａ，ｂは複数個のコンデンサ２
およびスイツチ３を有する実施例を示している。
第３図ａ，ｂ中、第２図と同一部分は同一符号を
付してその説明を省略する。
９、放電電極１１および１２は、板状の伝送導電
板６と７を用いることによつて機械的に一体化す
ることが可能であり、小形化が容易である。さら
に伝送ライン９を広くすることも容易で、コンデ
ンサ２およびスイツチ３を複数個接続することが
可能であり、回路のインダクタンスも低減化が容
易である。第３図ａ，ｂは複数個のコンデンサ２
およびスイツチ３を有する実施例を示している。
第３図ａ，ｂ中、第２図と同一部分は同一符号を
付してその説明を省略する。
また、コンデンサ２の横にプラズマ生成室４を
配置し、放電電極１１および１２を上下に配置す
ることが容易であるため、下方の電極１２の孔か
ら下方にＸ線を取り出すことが可能となる。Ｘ線
を下方に照射することによりＸ線マスク１４およ
びウエハ１５を保持する機構は従来の光露光装置
等と同様となり、位置合せ装置１８は簡単化さ
れ、小形化が容易になる。
配置し、放電電極１１および１２を上下に配置す
ることが容易であるため、下方の電極１２の孔か
ら下方にＸ線を取り出すことが可能となる。Ｘ線
を下方に照射することによりＸ線マスク１４およ
びウエハ１５を保持する機構は従来の光露光装置
等と同様となり、位置合せ装置１８は簡単化さ
れ、小形化が容易になる。
また、本発明ではプラズマ生成室４を接地する
ことにより、プラズマから放出するイオンや電子
等の帯電により電位が上昇することがなく、放電
によつて生ずる電気的ノイズも低減化される。こ
れから、プラズマ生成室４の近傍に設置される位
置合せ装置１８との結合が容易となり、操作する
上で危険性が少なくなる。
ことにより、プラズマから放出するイオンや電子
等の帯電により電位が上昇することがなく、放電
によつて生ずる電気的ノイズも低減化される。こ
れから、プラズマ生成室４の近傍に設置される位
置合せ装置１８との結合が容易となり、操作する
上で危険性が少なくなる。
以上説明したように、プラズマ生成室とコンデ
ンサ、スイツチ間の電力伝送ラインを板状の伝送
導電板を使用し、かつこの伝送導電板の一部にプ
ラズマ生成用放電電極を形成することにより、プ
ラズマ生成室、コンデンサ、スイツチ等を一体化
することが容易となることから、装置の小形化が
可能となり、また、伝送ラインのインダクタンス
が低減化される利点がある。
ンサ、スイツチ間の電力伝送ラインを板状の伝送
導電板を使用し、かつこの伝送導電板の一部にプ
ラズマ生成用放電電極を形成することにより、プ
ラズマ生成室、コンデンサ、スイツチ等を一体化
することが容易となることから、装置の小形化が
可能となり、また、伝送ラインのインダクタンス
が低減化される利点がある。
さらに、プラズマ生成室よりＸ線を下方に取り
出すことにより、Ｘ線マスクやウエハの位置合せ
装置の機構が簡単化され、小形化が容易となる。
また、プラズマ生成室が接地されることにより、
位置合せ装置との結合が容易になるばかりでな
く、危険性なく操作でき、電気的ノイズが低減す
るような実用的な利点がある。
出すことにより、Ｘ線マスクやウエハの位置合せ
装置の機構が簡単化され、小形化が容易となる。
また、プラズマ生成室が接地されることにより、
位置合せ装置との結合が容易になるばかりでな
く、危険性なく操作でき、電気的ノイズが低減す
るような実用的な利点がある。
また、本発明を用いることにより、Ｘ線回折等
の分析用Ｘ線源としてプラズマＸ線源を使用する
ことができる。
の分析用Ｘ線源としてプラズマＸ線源を使用する
ことができる。
第１図は本発明の一実施例を示す回路図、第２
図は本発明の一実施例の一部切欠側面図、第３図
ａ，ｂは本発明の他の実施例を示す上面図及び側
面図である。 １……充電用電源、２……コンデンサ、３……
スイツチ、４……プラズマ生成室、５……抵抗、
６……高電圧側伝送導電板、７……接地側伝送導
電板、８……伝送板用絶縁体、９……電力伝送ラ
イン、１０……絶縁体、１１……高電圧側放電電
極、１２……接地側放電電極、１３……Ｘ線取り
出し窓、１４……Ｘ線マスク、１５……ウエハ、
１６……生成プラズマ、１７……Ｘ線、１８……
位置合せ装置。
図は本発明の一実施例の一部切欠側面図、第３図
ａ，ｂは本発明の他の実施例を示す上面図及び側
面図である。 １……充電用電源、２……コンデンサ、３……
スイツチ、４……プラズマ生成室、５……抵抗、
６……高電圧側伝送導電板、７……接地側伝送導
電板、８……伝送板用絶縁体、９……電力伝送ラ
イン、１０……絶縁体、１１……高電圧側放電電
極、１２……接地側放電電極、１３……Ｘ線取り
出し窓、１４……Ｘ線マスク、１５……ウエハ、
１６……生成プラズマ、１７……Ｘ線、１８……
位置合せ装置。
Claims (1)
- １ コンデンサに充電された電圧を電力伝送ライ
ンを通してプラズマ生成室のプラズマ生成用放電
電極に印加して、このプラズマ生成用放電電極間
で放電させ、プラズマを生成してＸ線を放出させ
るＸ線発生装置において、前記コンデンサの横に
前記プラズマ生成室を配置し、前記電力伝送ライ
ンを板状の伝送導電板で形成し、かつこの伝送導
電板の一部に前記プラズマ生成用放電電極を上下
に配置して形成し、下方の放電電極の孔から下方
にＸ線を取り出すことを特徴とするＸ線発生装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58038013A JPS59163740A (ja) | 1983-03-08 | 1983-03-08 | Ｘ線発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58038013A JPS59163740A (ja) | 1983-03-08 | 1983-03-08 | Ｘ線発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59163740A JPS59163740A (ja) | 1984-09-14 |
| JPH0237678B2 true JPH0237678B2 (ja) | 1990-08-27 |
Family
ID=12513689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58038013A Granted JPS59163740A (ja) | 1983-03-08 | 1983-03-08 | Ｘ線発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59163740A (ja) |
-
1983
- 1983-03-08 JP JP58038013A patent/JPS59163740A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59163740A (ja) | 1984-09-14 |
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