JPH0237757A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0237757A JPH0237757A JP63188814A JP18881488A JPH0237757A JP H0237757 A JPH0237757 A JP H0237757A JP 63188814 A JP63188814 A JP 63188814A JP 18881488 A JP18881488 A JP 18881488A JP H0237757 A JPH0237757 A JP H0237757A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor pattern
- soldering
- solder
- electrode
- electrode terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は外部接続用電極が半導体チップと接続された導
体パターン上に半田付けされてなる半導体装置に関する
ものである。
体パターン上に半田付けされてなる半導体装置に関する
ものである。
従来のこの種の半導体装置は第６図に示すように構成さ
れている。
れている。
第６図は従来のトランジスタモジュールを示す断面図、
第７図は電極端子の半田付は部を拡大して示す断面図で
、これらの図においてｌは外囲ケースを示し、この外囲
ケース１は銅等の熱伝導性の良好な材料によって形成さ
れた放熱板１ａと、この放熱板１ａ上に接着された枠部
１ｂとから構成されている。２は絶縁基板で、この絶縁
基板２はセラミックスによって形成されており、前記放
熱板１上に半田等のろう材によって接合されている。３
は導体パターンで、銅等の電気伝導性、熱伝導性の良好
な材料で形成されており、前記絶縁基板２上に形成され
ている。４は半導体チップで、この半導体装ツブ４は前
記導体パターン３上に半田等のろう材によって接合され
ており、前記導体パターン３を介して後述する電極端子
５に接続されている。５は前記半導体チップ４と外部回
路（図示せず）とを接続するための電極端子で、第７図
に示すように半田６によって導体パターン３上に半田付
けされている。なお、半導体チップ４の表面電極（図示
せず）は絶縁基板２上に形成された他の導体パターン（
図示せず）にアルミ線図示せず）を介して接続され、第
二、第三の電極端子（図示せず）によって外部回路に接
続されている。
第７図は電極端子の半田付は部を拡大して示す断面図で
、これらの図においてｌは外囲ケースを示し、この外囲
ケース１は銅等の熱伝導性の良好な材料によって形成さ
れた放熱板１ａと、この放熱板１ａ上に接着された枠部
１ｂとから構成されている。２は絶縁基板で、この絶縁
基板２はセラミックスによって形成されており、前記放
熱板１上に半田等のろう材によって接合されている。３
は導体パターンで、銅等の電気伝導性、熱伝導性の良好
な材料で形成されており、前記絶縁基板２上に形成され
ている。４は半導体チップで、この半導体装ツブ４は前
記導体パターン３上に半田等のろう材によって接合され
ており、前記導体パターン３を介して後述する電極端子
５に接続されている。５は前記半導体チップ４と外部回
路（図示せず）とを接続するための電極端子で、第７図
に示すように半田６によって導体パターン３上に半田付
けされている。なお、半導体チップ４の表面電極（図示
せず）は絶縁基板２上に形成された他の導体パターン（
図示せず）にアルミ線図示せず）を介して接続され、第
二、第三の電極端子（図示せず）によって外部回路に接
続されている。
７は熱緩衝材としてのシリコンゲル、８は前記半導体チ
ップ４およびアルミ線等を外部雰囲気から保護するため
のエポキシ樹脂で、これらシリコンゲル７、エポキシ樹
脂８は前記外囲ケース１の開口部ＩＣ内に順次注入され
硬化されている。
ップ４およびアルミ線等を外部雰囲気から保護するため
のエポキシ樹脂で、これらシリコンゲル７、エポキシ樹
脂８は前記外囲ケース１の開口部ＩＣ内に順次注入され
硬化されている。
しかるに、このように構成されたトランジスタモジュー
ルにおいては、電極端子５の半田付けは電極端子５を導
体パターン３に押し付けて行われるため、第８図に示す
ように半田６が導体パターン３上で電極端子５の半田付
は部５ａの直下から周辺部に延在される場合がある。こ
のような場合には半田付けが不完全になり、このような
半田付は状態では温度サイクル試験や断続通電試験等の
寿命試験によって半田付は部が簡単に外れてしまい、信
頼性が低下されるという問題があった。
ルにおいては、電極端子５の半田付けは電極端子５を導
体パターン３に押し付けて行われるため、第８図に示す
ように半田６が導体パターン３上で電極端子５の半田付
は部５ａの直下から周辺部に延在される場合がある。こ
のような場合には半田付けが不完全になり、このような
半田付は状態では温度サイクル試験や断続通電試験等の
寿命試験によって半田付は部が簡単に外れてしまい、信
頼性が低下されるという問題があった。
〔課題を解決するための手段〕
本発明に係る半導体装置は、外部接続用電極の半田付は
部に下方に突出する突起を設けたものである。
部に下方に突出する突起を設けたものである。
外部接続用電極における半田付は部の主部と導体パター
ンとの間に突起により半田保持用の間隙が形成され、半
田がこの間隙内に表面張力によって保持されることにな
る。
ンとの間に突起により半田保持用の間隙が形成され、半
田がこの間隙内に表面張力によって保持されることにな
る。
第１図は本発明に係るトランジスタモジュールの電極端
子を示す斜視図、第２図は半田付けされた状態を示す断
面図である。これらの図において前記第６図および第７
図で説明したものと同一もしくは同等部材については同
一符号を付し、ここにおいて詳細な説明は省略する。こ
れらの図において、１１は突起を形成するための溝状凹
部で、この溝状凹部１１は、電極端子５の半田付は部５
ａを一部が下方に突出するよう加圧成形することによっ
て形成されており、断面略半円状に形成されている。す
なわち、この溝状凹部１１が形成された電極端子５を半
田付けするために導体パターン３上に載置させると、溝
状凹部１１の下端部が導体パターン３に当接されるため
、半田付は部５ａの主部５ｂと導体パターン３との間に
半田溜り部１２が形成されることになる。したがって、
第２図に示すように、半田６が周囲に延在されるような
ことなく前記半田溜り部１２内に表面張力によって保持
されることになり、電極端子５は確実に半田付けされる
ことになる。
子を示す斜視図、第２図は半田付けされた状態を示す断
面図である。これらの図において前記第６図および第７
図で説明したものと同一もしくは同等部材については同
一符号を付し、ここにおいて詳細な説明は省略する。こ
れらの図において、１１は突起を形成するための溝状凹
部で、この溝状凹部１１は、電極端子５の半田付は部５
ａを一部が下方に突出するよう加圧成形することによっ
て形成されており、断面略半円状に形成されている。す
なわち、この溝状凹部１１が形成された電極端子５を半
田付けするために導体パターン３上に載置させると、溝
状凹部１１の下端部が導体パターン３に当接されるため
、半田付は部５ａの主部５ｂと導体パターン３との間に
半田溜り部１２が形成されることになる。したがって、
第２図に示すように、半田６が周囲に延在されるような
ことなく前記半田溜り部１２内に表面張力によって保持
されることになり、電極端子５は確実に半田付けされる
ことになる。
なお、前記実施例では電極端子５の半田付は部５ａに溝
状凹部１１を形成した例を示したが、本発明はこのよう
な限定にとられれることなく、例えば、第３図ないし第
５図に示すように形成することもできる。第３図は電極
端子５の半田付は部５ａに下方に突出する略半球状の凸
部１３を形成した例を示し、このようにしても半田溜り
部工２が形成されるため前記実施例と同様な効果が得ら
れる。第４図は前記第１図で示した溝状凹部１１の側部
に切欠きｌｌａを設けた例を示し、また、第５図は同じ
（溝状凹部１１に貫通孔１１ｂを穿設した例を−示す。
状凹部１１を形成した例を示したが、本発明はこのよう
な限定にとられれることなく、例えば、第３図ないし第
５図に示すように形成することもできる。第３図は電極
端子５の半田付は部５ａに下方に突出する略半球状の凸
部１３を形成した例を示し、このようにしても半田溜り
部工２が形成されるため前記実施例と同様な効果が得ら
れる。第４図は前記第１図で示した溝状凹部１１の側部
に切欠きｌｌａを設けた例を示し、また、第５図は同じ
（溝状凹部１１に貫通孔１１ｂを穿設した例を−示す。
この第４図および第５図で示したように形成すると、半
田が溝状凹部１１の上面側にも流れ込むため、電極端子
５はさらに強固に半田付けされることになる。
田が溝状凹部１１の上面側にも流れ込むため、電極端子
５はさらに強固に半田付けされることになる。
以上説明したように本発明によれば、外部接続用電極の
半田付は部に下方に突出する突起を設けたため、外部接
続用電極における半田付は部の主部と導体パターンとの
間に突起により半田保持用の間隙が形成され、半田がこ
の間隙内に表面張力によって保持されることになる。し
たがって、外部接続用電極が導体パターン上に確実に半
田付けされることになるから、信頼性の高い半導体装置
を得ることができる。
半田付は部に下方に突出する突起を設けたため、外部接
続用電極における半田付は部の主部と導体パターンとの
間に突起により半田保持用の間隙が形成され、半田がこ
の間隙内に表面張力によって保持されることになる。し
たがって、外部接続用電極が導体パターン上に確実に半
田付けされることになるから、信頼性の高い半導体装置
を得ることができる。
第１図は本発明に係るトランジスタモジュールの電極端
子を示す斜視図、第２図は半田付けされた状態を示す断
面図、第３図は他の実施例を示す電極端子の正面図、第
４図は同じく他の実施例を示す電極端子の斜視図、第５
図は同じく他の実施例を示す電極端子の斜視図、第６図
は従来のトランジスタモジュールを示す断面図、第７図
は電極端子の半田付は部を拡大して示す断面図、第８図
は電極端子の半田付は不良状態を示す断面図である。 ３・・・導体パターン、４・・・半導体チップ、５・・
・電極端子、５ａ・・・半田付は部、６・・・半田、１
１・・・溝状凹部。
子を示す斜視図、第２図は半田付けされた状態を示す断
面図、第３図は他の実施例を示す電極端子の正面図、第
４図は同じく他の実施例を示す電極端子の斜視図、第５
図は同じく他の実施例を示す電極端子の斜視図、第６図
は従来のトランジスタモジュールを示す断面図、第７図
は電極端子の半田付は部を拡大して示す断面図、第８図
は電極端子の半田付は不良状態を示す断面図である。 ３・・・導体パターン、４・・・半導体チップ、５・・
・電極端子、５ａ・・・半田付は部、６・・・半田、１
１・・・溝状凹部。
Claims (1)
- 半導体チップと接続された導体パターン上に外部接続用
電極が半田付けされてなる半導体装置において、前記外
部接続用電極の半田付け部に下方に突出する突起を設け
たことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63188814A JPH0237757A (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63188814A JPH0237757A (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0237757A true JPH0237757A (ja) | 1990-02-07 |
Family
ID=16230281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63188814A Pending JPH0237757A (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0237757A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115621237A (zh) * | 2021-07-12 | 2023-01-17 | 新电元工业株式会社 | 端子部件以及半导体装置 |
-
1988
- 1988-07-27 JP JP63188814A patent/JPH0237757A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115621237A (zh) * | 2021-07-12 | 2023-01-17 | 新电元工业株式会社 | 端子部件以及半导体装置 |
| JP2023011371A (ja) * | 2021-07-12 | 2023-01-24 | 新電元工業株式会社 | 端子部材及び半導体装置 |
| US12494415B2 (en) | 2021-07-12 | 2025-12-09 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Tip connection portion of terminal member and associated semiconductor device |
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