JPH042152A - 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置及びその製造方法

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JPH042152A
JPH042152A JP2101701A JP10170190A JPH042152A JP H042152 A JPH042152 A JP H042152A JP 2101701 A JP2101701 A JP 2101701A JP 10170190 A JP10170190 A JP 10170190A JP H042152 A JPH042152 A JP H042152A
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resin
semiconductor element
semiconductor device
sealing
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Ryuichiro Mori
隆一郎 森
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    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
    • B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、樹脂封止型半導体装置及びその製造方法に
関するものである。
［従来の技術〕 第６図は従来の樹脂封止型半導体装置に使用される半導
体素子を示す平面図であり、図において、半導体素子（
１）には、外気にさらされて大気圧、光量等をセンシン
グするセンシング部（１ａ）が設けられている。このセ
ンシング部（１ａ）を囲んで、補償回路、Ａ／Ｄコンバ
ータ、マイクロプロセッサ等の周辺回路（１ｂ）や電極
（１ｃ）が設けられている。
第７図は、上記半導体素子（１）を組み立てた従来の缶
タイプのパッケージ構造をもつ半導体装置を示す断面図
であり、第８図はその斜視図である。
これらの図において、半導体素子（１）はグイボンディ
ング材（２）によりベース（３）に載置、固着されてお
り、電極（１ｃ）とリード（４）とはワイヤ（５）によ
り電気的に接続されている。リード（４）は絶縁材（６
）によりベース（３）に保持されている。半導体素子（
１）、ワイヤ（５）、リード（４）等は、上部に開口部
（７）が設けられたキャップ（８）に覆われてその内部
に収容されている。なお、キャップ（８）は接合材（９
）によってベース（３）に固定されている。
従来の樹脂封止型半導体装置は上述したように構成され
、半導体素子（１）のセンシング部（１ａ）は、開口部
（７）を介して外気と接している。
［発明が解決しようとする課題］ 上述したような樹脂封止型半導体装置では、センシング
部（１ａ）以外の周辺回路（ｌｂ）や電極（ＩＣ）だけ
でなく、ワイヤ（５）やリード（４）等の部材まで外気
にさらされるため、周辺回路（１ｂ）等が腐食し、半導
体装置の信頼性が低下するという問題点があった。また
、従来の装置ではキャップ（８）、ベース（３）等が金
属製で高価であるといったコスト上の問題や、組み立て
工程が多く装置が複雑となり生産性が悪いという問題点
があった。
この発明は、このような問題点を解決するためになされ
たもので、外気にさらされるセンシング部を持つ半導体
素子の信頼性が高く安価なパッケージ構造の樹脂封止型
半導体装置及びその製造方法を得ることを目的とする。
［課題を解決するための手段］ この発明に係る半導体装置は、半導体素子上に設けられ
たセンシング部が外気にさらされるように、センシング
部表面の封止樹脂に凹部が設けられたものである。
また、この発明の別の発明に係る半導体装置の製造方法
は、半導体素子上の表面を外気にさらす必要のあるセン
シング部を、封止樹脂に侵されにくくかつ後の工程で溶
剤によって除去できる樹脂でコーティングし、半導体素
子をリードフレームに載置してワイヤで接続した後、コ
ーティング部に接触する部分を持った金型を用いてトラ
ンスファー樹脂成形した後、コーティング部を溶剤で除
去したもので、センシング部のみ外気にさらされる凹部
を有するものである。
［作　用］ この発明においては、トランスファー成形樹脂を用いる
ので、外気にさらす必要のあるセンシング部以外の回路
は、封止樹脂で覆われているので、腐食を防ぎ、半導体
装置の信頼性を高めることができると共に、半導体装置
を安価にかつ簡単な工程で製造することができる。
［実施例コ 第１図及び第２図はこの発明の一実施例による樹脂封止
型半導体装置を示す断面図及び斜視図であり、第３Ａ図
及び第３Ｂ図は上記半導体装置に用いる半導体素子の平
面図及び概略側面図である。
これらの図において、（１ａ）、（１ｂ）、（ＩＣ）、
（２）及び（５）は従来の半導体装置におけるものと同
一である。半導体素子（ＩＡ）はボンディング材（２）
によりリードフレーム（１０）のダイパッド（１１）に
固着されており、半導体素子（ＩＡ）とリード（１２）
とはワイヤ（５）により電気的に接続されている。
上述したように構成された半導体装置の製造方法は、ま
ず、半導体素子（ＩＡ）のセンシング部（１ａ）の表面
に、封止樹脂（１３）を侵すことなく後の工程で除去す
ることができるコーティング樹脂（１４）例えばビニル
系樹脂、アクリル系樹脂をコーティングする。次いで、
半導体素子（ＩＡ）をダイパッド（１１）上にダイボン
ド材（２）で載置、固着し、リード（１２〉と半導体素
子（１ａ）とをワイヤ（５）により電気的に接続する。
次に、第４図に示すように、コーティング樹脂（１４）
に接触する凸部（１５）を有する封止金型（１６）を用
いて、注入口（１７）から封止樹脂（１３）を封入する
ことにより、トランスファー成形する。第５図に成形さ
れた半導体装置の断面図を示す６次いで、アセトン等の
溶剤を用いてコーティング樹脂（１４）を除去すると、
第１図に示した半導体装置が得られる。この半導体装置
には、第２図に示すように、センシング部（１ａ）が外
気にさらされるように封止樹脂（１３）が成形されてい
ない凹部が設けられている。
［発明の効果］ この発明は、以上説明したとおり、半導体素子の表面の
一部にコーディング樹脂を施し、この半導体素子をダイ
パッドに載置し、上記半導体素子とリードとをワイヤで
電気的に接続し、上記コーティング樹脂に接触する部分
を設けた金型を用いて上記半導体素子、ダイパッド、リ
ード及びワイヤを封止樹脂で封止し、次いで上記コーテ
ィング樹脂を溶剤で除去するので、センシング部のみ外
気にさらされる凹部を設けた樹脂封止型半導体装置が得
られ、信頼性の高い装置が安価にかつ簡単な工程で製造
することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図はこの発明の一実施例による樹脂封止
型半導体装置を示す断面図及び斜視図、第３Ａ図及び第
３Ｂ図はこの発明の半導体装置に用いる半導体素子の平
面図及び概略側面図、第４図は封止金型を用いて半導体
装置をトランスファー成形した状態を示す断面図、第５
図は成形された半導体装置を示す断面図、第６図は従来
の樹脂封止型半導体装置に使用される半導体素子を示す
平面図、第７図及び第８図は従来の缶タイプの半導体装
置を示す断面図及び斜視図である。 図において、（ＩＡ）は半導体素子、（１ａ）はセンシ
ング部、（１ｂ）は周辺回路、（ｌｃ）は１ａ極、（２
）はグイボンディング材、（３）はベース、（４）はリ
ード、（５）はワイヤ、（６）は絶縁材、（１０）はリ
ードフレーム、（１１）はダイパッド、（１２）はリー
ド、（１３）は封止樹脂、（１４）はコーティング樹脂
、（１５）は凸部、（１６）は封止金型、（１７）は注
入口である。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）表面が外気にさらされるセンシング部が設けられ
    た半導体素子と、この半導体素子を載置するダイパッド
    と、このダイパッドのほぼ同一平面上の周囲に配置され
    たリードと、上記半導体素子と上記リードとを電気的に
    接続するワイヤと、これら半導体素子、ダイパッド、リ
    ード及びワイヤを封止する封止樹脂とを備えた半導体装
    置であって、上記センシング部が外気にさらされるよう
    にセンシング部表面の封止樹脂に凹部が設けられたこと
    を特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  2. （２）半導体素子の表面の一部にコーティング樹脂を施
    し、この半導体素子をダイパッドに載置し、上記半導体
    素子とリードとをワイヤで電気的に接続し、上記コーテ
    ィング樹脂に接触する部分を設けた金型を用いて上記半
    導体素子、ダイパッド、リード及びワイヤを封止樹脂で
    封止し、次いで上記コーティング樹脂を溶剤で除去する
    ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
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