JPH0238442Y2 - - Google Patents
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- JPH0238442Y2 JPH0238442Y2 JP14240284U JP14240284U JPH0238442Y2 JP H0238442 Y2 JPH0238442 Y2 JP H0238442Y2 JP 14240284 U JP14240284 U JP 14240284U JP 14240284 U JP14240284 U JP 14240284U JP H0238442 Y2 JPH0238442 Y2 JP H0238442Y2
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- Expired
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案は分子線エピタキシヤル（MBE）成長
装置に関する。
装置に関する。
(ロ) 従来の技術
現在、分子線エピタキシヤル（MBE）法は結
晶性の良好性、不純物濃度の制御の容易性、膜厚
制御の容易性等からGaAs（ガリウム砒素）をは
じめとする−化合物半導体の成長、および従
来の気相、液相等の成長方法では成長が困難であ
つたZnSe（ジンクセレン）等の−化合物半導
体の成長に用いられている。
晶性の良好性、不純物濃度の制御の容易性、膜厚
制御の容易性等からGaAs（ガリウム砒素）をは
じめとする−化合物半導体の成長、および従
来の気相、液相等の成長方法では成長が困難であ
つたZnSe（ジンクセレン）等の−化合物半導
体の成長に用いられている。
第１図は特願昭57−225732号に記載された
MBE装置を原理的に示したものである。バツク
グランド真空度10-10Torr以下に排気した真空容
器内に、基板部１と第１〜第３セル２ａ〜２ｃと
が対向配置されこれらの間に主シヤツタ３と個別
シヤツタ４ａ〜４ｃが介在されている。
MBE装置を原理的に示したものである。バツク
グランド真空度10-10Torr以下に排気した真空容
器内に、基板部１と第１〜第３セル２ａ〜２ｃと
が対向配置されこれらの間に主シヤツタ３と個別
シヤツタ４ａ〜４ｃが介在されている。
基板部１はヒータ機構を備えた基板ホルダ５
と、その上にIn（インジウム）メタル６により貼
着された例えばGaAs基板７とからなる。第１〜
第３セル２ａ〜２ｃは、例えば夫々るつぼ８ａ〜
８ｃ内にZn、Se、Gaを個別に収納しており、そ
の周囲にるつぼ加熱用ヒータ９を有し、又各るつ
ぼ温度検出用熱電対１０を備えている。
と、その上にIn（インジウム）メタル６により貼
着された例えばGaAs基板７とからなる。第１〜
第３セル２ａ〜２ｃは、例えば夫々るつぼ８ａ〜
８ｃ内にZn、Se、Gaを個別に収納しており、そ
の周囲にるつぼ加熱用ヒータ９を有し、又各るつ
ぼ温度検出用熱電対１０を備えている。
上記MBE装置自体では、基板７や各セルの温
度を制御すると共に、各シヤツタ４ａ〜４ｃを適
宜開閉することにより、GaAs基板７上にZnSe単
結晶薄膜が成長する。
度を制御すると共に、各シヤツタ４ａ〜４ｃを適
宜開閉することにより、GaAs基板７上にZnSe単
結晶薄膜が成長する。
(ハ) 考案が解決しようとする問題点
このような装置では基板７と基板ホルダ５とを
In６等で貼着しているため、基板７を基板ホルダ
５から分離するには基板７及び基板ホルダ５全体
をInの融点以上に昇温して基板７と基板ホルダ５
との間に例えばカミソリ等の薄い金属板を挿入す
る等の方法で行なつていた。然るに斯る方法では
挿入された金属板の端部が基板７に当接し損傷を
与えたり、不所望に上記金属板が基板７表面に接
触して斯る基板７を汚染するという問題があつ
た。
In６等で貼着しているため、基板７を基板ホルダ
５から分離するには基板７及び基板ホルダ５全体
をInの融点以上に昇温して基板７と基板ホルダ５
との間に例えばカミソリ等の薄い金属板を挿入す
る等の方法で行なつていた。然るに斯る方法では
挿入された金属板の端部が基板７に当接し損傷を
与えたり、不所望に上記金属板が基板７表面に接
触して斯る基板７を汚染するという問題があつ
た。
(ニ) 問題点を解決するための手段
本考案は斯る点に鑑みてなされたもので、その
構成的特徴は基板ホルダの基板を固着する一主面
に溝を形成すると共に該溝内に着脱自在に金属線
を挿入したことにある。
構成的特徴は基板ホルダの基板を固着する一主面
に溝を形成すると共に該溝内に着脱自在に金属線
を挿入したことにある。
(ホ) 作用
この構成の基板ホルダから基板を分離させるに
はIn等の固着材を溶融させた状態で金属線の一端
を上方へ持ち上げることにより基板全体に力が加
わることになり、基板ホルダから基板を分離でき
る。
はIn等の固着材を溶融させた状態で金属線の一端
を上方へ持ち上げることにより基板全体に力が加
わることになり、基板ホルダから基板を分離でき
る。
(ヘ) 実施例
第２図ａ及びｂは本考案の一実施例における基
板ホルダ１１を示す平面図及びａの−線断面
図であり、第３図は本考案の一実施例における金
属線１２の平面図である。
板ホルダ１１を示す平面図及びａの−線断面
図であり、第３図は本考案の一実施例における金
属線１２の平面図である。
具体的には上記基板ホルダ１１は例えばモリブ
デンからなり第２図ａに示す如くその基板固着面
には略王字状に溝１３が形成され、その一端は幅
広部１４となつている。また、上記金属線１２は
上記ホルダと同様にモリブデンからなり、その形
状は上記溝１３の形状と同一の王字状をなす。
デンからなり第２図ａに示す如くその基板固着面
には略王字状に溝１３が形成され、その一端は幅
広部１４となつている。また、上記金属線１２は
上記ホルダと同様にモリブデンからなり、その形
状は上記溝１３の形状と同一の王字状をなす。
更に上記金属線１２は上記溝１３に着脱自在に
挿入されかつ第４図に示す如く、その挿入状態に
おいてその表面が溝１３上部に突出しないように
する必要があり、従つて例えば金属線１２の直径
が１mmであるとき上記溝１３の巾及び深さは１mm
以上としまた上記幅広部１４の幅は例えばピンセ
ツト等で上記挿入された金属線１２をつまめる程
度の広さとする。
挿入されかつ第４図に示す如く、その挿入状態に
おいてその表面が溝１３上部に突出しないように
する必要があり、従つて例えば金属線１２の直径
が１mmであるとき上記溝１３の巾及び深さは１mm
以上としまた上記幅広部１４の幅は例えばピンセ
ツト等で上記挿入された金属線１２をつまめる程
度の広さとする。
斯る基板ホルダ１１及び金属線１２を用いた装
置を用いた際の基板の固着は上記金属線１２を上
記基板ホルダ１１の溝１３内に挿入した状態で少
なくとも上記幅広部１４が露出した状態で基板を
基板ホルダ１１の固着面にIn等で固着する。ま
た、基板を基板ホルダ１１より分離する際には第
５図に示す如く上記幅広部１４に位置する金属線
１２を力点として図中矢印方向に持ち上げること
により、基板１５は一端を支えとして上方へ浮き
上がることとなり分離できる。
置を用いた際の基板の固着は上記金属線１２を上
記基板ホルダ１１の溝１３内に挿入した状態で少
なくとも上記幅広部１４が露出した状態で基板を
基板ホルダ１１の固着面にIn等で固着する。ま
た、基板を基板ホルダ１１より分離する際には第
５図に示す如く上記幅広部１４に位置する金属線
１２を力点として図中矢印方向に持ち上げること
により、基板１５は一端を支えとして上方へ浮き
上がることとなり分離できる。
尚、本実施例では上記溝１３の形状を王字状と
したが、本考案はこれに限定されるものではな
く、らせん状や網目状であつても良い。
したが、本考案はこれに限定されるものではな
く、らせん状や網目状であつても良い。
(ト) 考案の効果
本考案の分子線エピタキシヤル装置では基板を
基板ホルダから分離するに際して、予め基板直下
に配された金属線を上方に持ち上げるだけで良い
ので、基板に損傷や汚染を与えることなく簡単に
分離が行える。
基板ホルダから分離するに際して、予め基板直下
に配された金属線を上方に持ち上げるだけで良い
ので、基板に損傷や汚染を与えることなく簡単に
分離が行える。
第１図は従来例を示す模式図、第２図乃至第５
図は本考案の一実施例を示し、第２図ａ及び第３
図は平面図、第２図ｂは断面図、第４図は要部拡
大断面図、第５図は斜視図である。 １１……基板ホルダ、１２……金属線、１３…
…溝、１５……基板。
図は本考案の一実施例を示し、第２図ａ及び第３
図は平面図、第２図ｂは断面図、第４図は要部拡
大断面図、第５図は斜視図である。 １１……基板ホルダ、１２……金属線、１３…
…溝、１５……基板。
Claims (1)
- 基板ホルダに基板を固定し該基板上に分子線を
用いて結晶を成長せしめるための装置であつて、
上記基板ホルダの上記基板を固着する一主面には
溝が形成されると共に該溝内には着脱自在に金属
線が挿入されていることを特徴とする分子線エピ
タキシヤル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14240284U JPH0238442Y2 (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14240284U JPH0238442Y2 (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6157515U JPS6157515U (ja) | 1986-04-17 |
| JPH0238442Y2 true JPH0238442Y2 (ja) | 1990-10-17 |
Family
ID=30700724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14240284U Expired JPH0238442Y2 (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0238442Y2 (ja) |
-
1984
- 1984-09-20 JP JP14240284U patent/JPH0238442Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6157515U (ja) | 1986-04-17 |
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