JPH023972A - 画像読取り装置 - Google Patents
画像読取り装置Info
- Publication number
- JPH023972A JPH023972A JP63152143A JP15214388A JPH023972A JP H023972 A JPH023972 A JP H023972A JP 63152143 A JP63152143 A JP 63152143A JP 15214388 A JP15214388 A JP 15214388A JP H023972 A JPH023972 A JP H023972A
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- Japan
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- light
- conversion element
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はファクシミリあるいはデジタル複写機などの画
像読取り装置に関するものである。
像読取り装置に関するものである。
原稿と同一の幅を持ち、多数のフォトダイオードからな
る光電変換素子を一次元的に配列して形成される等倍セ
ンサーにおいては、第２図の動作図に示すように、フォ
トダイオード２の一方の電極（上部電極）２−８は素子
毎に歯子選択のスイッチＥ／Ｓに接続される。このスイ
ッチＥ／Ｓは一般的にはシフトレジスター Ｓ／Ｒなど
により一素子毎に順次閉じられる。
る光電変換素子を一次元的に配列して形成される等倍セ
ンサーにおいては、第２図の動作図に示すように、フォ
トダイオード２の一方の電極（上部電極）２−８は素子
毎に歯子選択のスイッチＥ／Ｓに接続される。このスイ
ッチＥ／Ｓは一般的にはシフトレジスター Ｓ／Ｒなど
により一素子毎に順次閉じられる。
他方の電極（下部電極）２−３は原理的にはただ一本に
まとめられるが、実際上は、−本だと浮遊容量が大きい
ため、良好な出方が得られないので数個のブロックに分
けられる。これらはアンプに接続され、ブロック選択ス
イッチを介して出力となる。またノイズの低減を目的と
してブロック間で差動アンプＤ／Ａによって作動増幅さ
れる場合もある。
まとめられるが、実際上は、−本だと浮遊容量が大きい
ため、良好な出方が得られないので数個のブロックに分
けられる。これらはアンプに接続され、ブロック選択ス
イッチを介して出力となる。またノイズの低減を目的と
してブロック間で差動アンプＤ／Ａによって作動増幅さ
れる場合もある。
ところで、近年、画像読取り装置の超小型化、低コスト
化、及び読取り品質の向上を目的として等倍結像素子を
用いないいわゆる完全密着型の読取り装置が注目されて
いる。この原理を第１図に示す。この装置では透明基板
の裏側に設けられた光源６からの光を基板１を介して原
稿４に照射し、その反射光を光電変換素子２で受け、光
信号を電気信号に変換するものである。この場合、原稿
４はプラテンローラ５によって押付けられ、センサーに
直接接触するので、ガラスなどの保護層３がセンサー表
面に設けられる。
化、及び読取り品質の向上を目的として等倍結像素子を
用いないいわゆる完全密着型の読取り装置が注目されて
いる。この原理を第１図に示す。この装置では透明基板
の裏側に設けられた光源６からの光を基板１を介して原
稿４に照射し、その反射光を光電変換素子２で受け、光
信号を電気信号に変換するものである。この場合、原稿
４はプラテンローラ５によって押付けられ、センサーに
直接接触するので、ガラスなどの保護層３がセンサー表
面に設けられる。
この完全密着型の読取り装置に用いられるセンサーにお
いては、センサーは常に基板側から光の照射を受ける。
いては、センサーは常に基板側から光の照射を受ける。
この為、光電変換素子の下部は光を導く部分を除いて十
分に遮光されねばならない、光電変換素子の下部電極が
共通′？４極側である場合は、その下部電極を遮光に用
いることができる。ところが、前述のように共通電極も
センサー全体にわたって全く分断しないわけにはいかな
い。即ち、複数のブロックが必要なため、どうしても分
断境界が生じ、その境界部分から不必要な迷光（光源の
光が原稿に関わりなく、センサーを照射し、センサー出
力に影響を及ぼす不必要な光）が入射する。これがある
と、その近傍の境界部分に隣接する光電変換素子の出力
が原稿に関係なく増大し、結果として読取り信号が不正
確となる。
分に遮光されねばならない、光電変換素子の下部電極が
共通′？４極側である場合は、その下部電極を遮光に用
いることができる。ところが、前述のように共通電極も
センサー全体にわたって全く分断しないわけにはいかな
い。即ち、複数のブロックが必要なため、どうしても分
断境界が生じ、その境界部分から不必要な迷光（光源の
光が原稿に関わりなく、センサーを照射し、センサー出
力に影響を及ぼす不必要な光）が入射する。これがある
と、その近傍の境界部分に隣接する光電変換素子の出力
が原稿に関係なく増大し、結果として読取り信号が不正
確となる。
従来はこのような分断境界からの不必要な迷光の入射を
防止する方法として、第３図（ａ）（平面図）、第３図
（ｂ）（Ａ−Ａの線に沿った断面図）及び第３図（ｃ
） （Ｂ−８の腺に沿った断面図）に示したように光
′正変換層２−５と基板１との間に光導入部分（採光窓
）２−９を有する遮光層２−１を設ける方法があった。
防止する方法として、第３図（ａ）（平面図）、第３図
（ｂ）（Ａ−Ａの線に沿った断面図）及び第３図（ｃ
） （Ｂ−８の腺に沿った断面図）に示したように光
′正変換層２−５と基板１との間に光導入部分（採光窓
）２−９を有する遮光層２−１を設ける方法があった。
しかし、ながら、良好な遮光層２−１は一般的には金属
であり、下部電極２−３の電気的リークを防止するため
に遮光層２−１と下部電極２−３との間に電気的絶ｇＭ
ｚ−ｚを設ける必要がある。なお、第３図において、２
−４は下部電極の絶縁膜であり、２−６は透明電極、２
−７は上部絶縁膜、２−８は上部電極である。このよう
な第３図に示した従来の読取り装置では全体の層の数が
増大し、歩留まりの低下を含め、生産コストが高くなる
。
であり、下部電極２−３の電気的リークを防止するため
に遮光層２−１と下部電極２−３との間に電気的絶ｇＭ
ｚ−ｚを設ける必要がある。なお、第３図において、２
−４は下部電極の絶縁膜であり、２−６は透明電極、２
−７は上部絶縁膜、２−８は上部電極である。このよう
な第３図に示した従来の読取り装置では全体の層の数が
増大し、歩留まりの低下を含め、生産コストが高くなる
。
また、別の方法としては、第４図（ａ）（平面図）、第
４図（ｂ ） （Ａ−Ａの線に沿った断面図）及び第
４図（ｅ ） ＣＢ−Ｈの線に沿った断面図）に示し
たように、光電変換部２−５のＲ囲にわたって導光部２
−９を設け、ブロック間の分断境界からの迷光の影響が
極端に出ないようにする方法も提案されているが、これ
は全体的に迷光を均一にしただけとも考えられ、充分と
は言い難い。なお、第４図中の符号は第３図における符
号と同一のものを示す。
４図（ｂ ） （Ａ−Ａの線に沿った断面図）及び第
４図（ｅ ） ＣＢ−Ｈの線に沿った断面図）に示し
たように、光電変換部２−５のＲ囲にわたって導光部２
−９を設け、ブロック間の分断境界からの迷光の影響が
極端に出ないようにする方法も提案されているが、これ
は全体的に迷光を均一にしただけとも考えられ、充分と
は言い難い。なお、第４図中の符号は第３図における符
号と同一のものを示す。
さらにまた、別の方法としては、第５図（ａ）（平面図
）、第５図（ｂ ） （Ａ−Ａの線に沿った断面図）
及び第５図（ｃ ） （Ｂ−８の線に沿った断面図）
に示したように、遮光膜２−１０を分断されたブロック
間のみにセンサーの上部に設ける方法も提案されている
が、これは上部電極の形成と同時に形成することも可能
であり、生産工程数についてのメリットもあるが、セン
サーの上部透明電極２−６との間のショートの危険性が
高い。第５図（ｂ）においては、透明電極２−６と遮光
膜２−１０とは絶縁層２−７を介して充分に絶縁されて
いるように見えるが、実際上は光電変換層２−５の段差
はｌμｆｆ１８度である。従って、絶縁層２−７は光電
変換層２−５の肩の部分ではかなり薄くしか形成されず
、ショートの危険性が高い。
）、第５図（ｂ ） （Ａ−Ａの線に沿った断面図）
及び第５図（ｃ ） （Ｂ−８の線に沿った断面図）
に示したように、遮光膜２−１０を分断されたブロック
間のみにセンサーの上部に設ける方法も提案されている
が、これは上部電極の形成と同時に形成することも可能
であり、生産工程数についてのメリットもあるが、セン
サーの上部透明電極２−６との間のショートの危険性が
高い。第５図（ｂ）においては、透明電極２−６と遮光
膜２−１０とは絶縁層２−７を介して充分に絶縁されて
いるように見えるが、実際上は光電変換層２−５の段差
はｌμｆｆ１８度である。従って、絶縁層２−７は光電
変換層２−５の肩の部分ではかなり薄くしか形成されず
、ショートの危険性が高い。
本発明は、完全密着型センサーにおいて迷光を簡便な方
法で低減して従来の欠点を克服した、特に、多数個の光
電変換素子を複数のブロックに分割して駆動するセンサ
ーにおけるブロック間の迷光を低減した画像読取り装置
を提供することを目的とする。
法で低減して従来の欠点を克服した、特に、多数個の光
電変換素子を複数のブロックに分割して駆動するセンサ
ーにおけるブロック間の迷光を低減した画像読取り装置
を提供することを目的とする。
〔構 成〕
本発明者は前記目的を達成するために鋭意研究した結果
、少なくとも一部が可視光領域において透明な基板上に
光電変換素子を多数個配列してなるイメージセンサ−を
用い、光電変換素子を担持する側とは反対側の基板面か
ら基板を介して光源光を導入し、光電変換素子の近傍の
原稿からの反射光を前記イメージセンサ−に導き、画像
信号を得るようにした画像読取り装置において、前記光
電変換素子の下部電極が光源光の導入部分を制限する層
を兼ねており、前記下部電極層の分断されている部分に
隣接する光電変換素子はその他に位置する光電変換素子
とは形状が異なっていることを特徴とする画像読取り装
置を提供することによって前記目的が達成できることを
見出した。
、少なくとも一部が可視光領域において透明な基板上に
光電変換素子を多数個配列してなるイメージセンサ−を
用い、光電変換素子を担持する側とは反対側の基板面か
ら基板を介して光源光を導入し、光電変換素子の近傍の
原稿からの反射光を前記イメージセンサ−に導き、画像
信号を得るようにした画像読取り装置において、前記光
電変換素子の下部電極が光源光の導入部分を制限する層
を兼ねており、前記下部電極層の分断されている部分に
隣接する光電変換素子はその他に位置する光電変換素子
とは形状が異なっていることを特徴とする画像読取り装
置を提供することによって前記目的が達成できることを
見出した。
本発明の画像読取り装置の好ましい実施態様は、前述の
画像読取り装置において、前記下部電極層の分断されて
いる部分に隣接する光電変換素子の光電変換素子列の配
列方向の寸法がその他に位置する光電変換素子の配列方
向の寸法より小さいことを特徴とする。
画像読取り装置において、前記下部電極層の分断されて
いる部分に隣接する光電変換素子の光電変換素子列の配
列方向の寸法がその他に位置する光電変換素子の配列方
向の寸法より小さいことを特徴とする。
以下、本発明の実施例を第６図（ａ）（平面図）、第６
図（ｂ ） （Ａ−Ａの線に沿った断面図）、及び第
７図に従って説明する。
図（ｂ ） （Ａ−Ａの線に沿った断面図）、及び第
７図に従って説明する。
第６図に示した実施例では共通電極のブロックの分断部
に隣接する最近傍の光電変換素子の配列方向の寸法をそ
の他に位置する光電変換素子の配列方向の寸法より小さ
くしている。このようにすることによって、受光部面積
が減少し、結果として光出力の低下を招くが、ブロック
の分断部を拡大することによってその分断部分に導光部
の機能をもたせるようにしている。このように設計する
ことによって他の位置の光電変換素子とほぼ同一の光出
力が得られるようになる。
に隣接する最近傍の光電変換素子の配列方向の寸法をそ
の他に位置する光電変換素子の配列方向の寸法より小さ
くしている。このようにすることによって、受光部面積
が減少し、結果として光出力の低下を招くが、ブロック
の分断部を拡大することによってその分断部分に導光部
の機能をもたせるようにしている。このように設計する
ことによって他の位置の光電変換素子とほぼ同一の光出
力が得られるようになる。
また、第７図に示した実施例では、第６図に示した実施
例を修正したもので、配線抵抗が小さくならないように
、受光素子の寸法を小さくする領域を最小限にしたもの
である。
例を修正したもので、配線抵抗が小さくならないように
、受光素子の寸法を小さくする領域を最小限にしたもの
である。
これにより、配線抵抗の上昇による出力の低下も防止で
きる。
きる。
以下、本発明のイメージセンサ−は従来のイメージセン
サ−より生産工程数が少なく簡便に製造できるにもかか
わらず、その性能は従来のものに比較して遜色がないこ
とを立証するために下記の実験を行った。
サ−より生産工程数が少なく簡便に製造できるにもかか
わらず、その性能は従来のものに比較して遜色がないこ
とを立証するために下記の実験を行った。
本発明のイメージセンサ−としては第６図に示したもの
を使用し、従来のイメージセンサ〜とじては第３図及び
第４図に示したものを使用した。センサーの出力は第１
図に示した状態で測定し、主走査方向ｌｌｌｌ１ｍ当り
８個の素子を有するセンサーを使用した。光源は黄緑色
ＬＥＤを使用して基板の下側に配置し、印加電圧は５ｖ
であった。白出力は反射率８５石の白色紙を配置して測
定し、思出力は原稿なしの状１ｉｌ（第１図のロール５
もない状態）で測定した。得られた結果を第８図に示す
。
を使用し、従来のイメージセンサ〜とじては第３図及び
第４図に示したものを使用した。センサーの出力は第１
図に示した状態で測定し、主走査方向ｌｌｌｌ１ｍ当り
８個の素子を有するセンサーを使用した。光源は黄緑色
ＬＥＤを使用して基板の下側に配置し、印加電圧は５ｖ
であった。白出力は反射率８５石の白色紙を配置して測
定し、思出力は原稿なしの状１ｉｌ（第１図のロール５
もない状態）で測定した。得られた結果を第８図に示す
。
第８図に示した結果から明らかなように、本発明のセン
サーは、白出力の値と思出力の値とでは充分な差があり
（解像力に優れ）、ブロック中央とブロック端との間で
は出力の値にさほどの変動がなく、第３図及び第４図に
示した従来のセンサーに比較して優るとも劣らなかった
。
サーは、白出力の値と思出力の値とでは充分な差があり
（解像力に優れ）、ブロック中央とブロック端との間で
は出力の値にさほどの変動がなく、第３図及び第４図に
示した従来のセンサーに比較して優るとも劣らなかった
。
以上述べたように、本発明のように下部電極層の分断さ
れている部分に隣接する光電変換素子の形状をその他に
位置する光電変換素子群の形状と違ったものに修正する
ことによって、最小限の層構成で均一な特性の完全密着
型画像読取り装置を得ることができる。
れている部分に隣接する光電変換素子の形状をその他に
位置する光電変換素子群の形状と違ったものに修正する
ことによって、最小限の層構成で均一な特性の完全密着
型画像読取り装置を得ることができる。
第１図は画像読取り装置の原理の説明図である。
第２図は画像読取り装置の動作図である。
第３図（ａ）〜（ｃ）、第４図（ａ）〜（ｃ）、及び第
５図（ａ）〜（ｂ）は従来の画像読取り装置の説明図で
ある。 第６図（ａ）〜（ｂ）及び第７図は本発明の画像読取り
装置の説明図である。 第８図はイメージセンサ−の出力についての実験結果を
示す説明図である。 １・・・基板 ３・・・保護層 ５・・・プラテンロール ２−１・・・遮光層 ２−３・・・下部電極 ２−５・・・光電変換層 ２−７・・・上部絶縁膜 ２−９・・・導光部 Ｓ／Ｒ・・・シフトレジスタ Ｅ／Ｓ・・・素子選択スイッチ Ｄ／Ａ・・・差動アンプ ２・・・光電変換素子 ４・・・原稿 ６・・・光源 ２−２・・・遮光層の絶縁膜 ２−４・・・下部電極の絶縁膜 ２−６・・・透明電極 ２−８・・・上部電極 ２−１０・・遮光膜
５図（ａ）〜（ｂ）は従来の画像読取り装置の説明図で
ある。 第６図（ａ）〜（ｂ）及び第７図は本発明の画像読取り
装置の説明図である。 第８図はイメージセンサ−の出力についての実験結果を
示す説明図である。 １・・・基板 ３・・・保護層 ５・・・プラテンロール ２−１・・・遮光層 ２−３・・・下部電極 ２−５・・・光電変換層 ２−７・・・上部絶縁膜 ２−９・・・導光部 Ｓ／Ｒ・・・シフトレジスタ Ｅ／Ｓ・・・素子選択スイッチ Ｄ／Ａ・・・差動アンプ ２・・・光電変換素子 ４・・・原稿 ６・・・光源 ２−２・・・遮光層の絶縁膜 ２−４・・・下部電極の絶縁膜 ２−６・・・透明電極 ２−８・・・上部電極 ２−１０・・遮光膜
Claims (1)
- １、少なくとも一部が可視光領域において透明な基板上
に光電変換素子を多数個配列してなるイメージセンサー
を用い、光電変換素子を担持する側とは反対側の基板面
から基板を介して光源光を導入し、光電変換素子の近傍
の原稿からの反射光を前記イメージセンサーに導き、画
像信号を得るようにした画像読取り装置において、前記
光電変換素子の下部電極が光源光の導入部分を制限する
層を兼ねており、前記下部電極層の分断されている部分
に隣接する光電変換素子はその他に位置する光電変換素
子とは形状が異なっていることを特徴とする画像読取り
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63152143A JPH023972A (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 画像読取り装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63152143A JPH023972A (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 画像読取り装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH023972A true JPH023972A (ja) | 1990-01-09 |
Family
ID=15533974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63152143A Pending JPH023972A (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 画像読取り装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH023972A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH048244U (ja) * | 1990-05-08 | 1992-01-24 | ||
| US5287763A (en) * | 1991-09-06 | 1994-02-22 | Nsk Ltd. | Tilt type steering system |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6182570A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-04-26 | Kyocera Corp | 読取り装置 |
-
1988
- 1988-06-22 JP JP63152143A patent/JPH023972A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6182570A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-04-26 | Kyocera Corp | 読取り装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH048244U (ja) * | 1990-05-08 | 1992-01-24 | ||
| US5287763A (en) * | 1991-09-06 | 1994-02-22 | Nsk Ltd. | Tilt type steering system |
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