JPH0239787B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0239787B2 JPH0239787B2 JP59274419A JP27441984A JPH0239787B2 JP H0239787 B2 JPH0239787 B2 JP H0239787B2 JP 59274419 A JP59274419 A JP 59274419A JP 27441984 A JP27441984 A JP 27441984A JP H0239787 B2 JPH0239787 B2 JP H0239787B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- selenium
- arsenic
- ppm
- oxygen
- photosensitive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
発明の分野
本発明は、セレン−砒素−酸素系電子写真感光
材料並びに該材料を真空蒸着させることにより作
製された感光層を具備する電子写真感光体に関す
るものである。従来提唱されたセレン−砒素−塩
素系において取扱い上問題の多い塩素の代りに酸
素を使用して、暗減衰特性を良好に保つたまま残
留電位を減少させることに成功したものである。
本発明は、単層型電子写真感光体の感光層のみな
らず、積層型電子写真感光体の感光層にも適用す
ることができる。
材料並びに該材料を真空蒸着させることにより作
製された感光層を具備する電子写真感光体に関す
るものである。従来提唱されたセレン−砒素−塩
素系において取扱い上問題の多い塩素の代りに酸
素を使用して、暗減衰特性を良好に保つたまま残
留電位を減少させることに成功したものである。
本発明は、単層型電子写真感光体の感光層のみな
らず、積層型電子写真感光体の感光層にも適用す
ることができる。
発明の背景
電子写真法は、物質の光導電性と静電気現象を
利用した写真法であり、幾つかの方式が確立され
ているが、そのうちセレン或いはセレン合金蒸着
膜を電子写真感光層として使用し、転写によつて
電子写真を得る方式をゼロツクス法と呼んでい
る。ゼロツクス法は、周知の通り、下記の過程か
ら成つている： (a) 帯電：金属基板上に暗抵抗の高い無定形セレ
ン或いはセレン合金を蒸着した感光体の表面を
帯電させる。
利用した写真法であり、幾つかの方式が確立され
ているが、そのうちセレン或いはセレン合金蒸着
膜を電子写真感光層として使用し、転写によつて
電子写真を得る方式をゼロツクス法と呼んでい
る。ゼロツクス法は、周知の通り、下記の過程か
ら成つている： (a) 帯電：金属基板上に暗抵抗の高い無定形セレ
ン或いはセレン合金を蒸着した感光体の表面を
帯電させる。
(b) 露光（焼付）：光像で露光すると光の照射を
受けた部分のセレン或いはセレン合金は電気抵
抗が下がり、表面の帯電電荷は金属基板へ逃
げ、感光板上の残存電荷密度は露光量に応じて
差を生じ、感光板面上に原画と同形の静電潜像
ができる。
受けた部分のセレン或いはセレン合金は電気抵
抗が下がり、表面の帯電電荷は金属基板へ逃
げ、感光板上の残存電荷密度は露光量に応じて
差を生じ、感光板面上に原画と同形の静電潜像
ができる。
(c) 現像：上記感光板表面に炭素微粉を樹脂で被
覆したトナーとガラス小球から成るキヤリヤの
混合粉をふりかけることによつて潜像部にトナ
ーが付着し、潜像は可視像となる。
覆したトナーとガラス小球から成るキヤリヤの
混合粉をふりかけることによつて潜像部にトナ
ーが付着し、潜像は可視像となる。
(d) 転写：現像を終えた上記感光板表面に適当な
紙を載せ、背面からをコロナ放電を行なわせる
と、感光板上のトナーは紙に吸引され、トナー
粉像は紙に転写される。
紙を載せ、背面からをコロナ放電を行なわせる
と、感光板上のトナーは紙に吸引され、トナー
粉像は紙に転写される。
(e) 定着：転写を紙えた紙を剥がし、赤外線ヒー
タで加熱してトナーの樹脂を紙に溶着させる。
タで加熱してトナーの樹脂を紙に溶着させる。
複写機用感光体は通常アルミニウム等製ドラム
の表面にセレン或いはセレン合金を真空蒸着する
ことにより作製される。また、機能分離型と呼ば
れる複層構造を採用した感光体も提唱されてい
る。例えば、２層構造の場合、光照射を直接受
け、紙面と接触する第一層（表面層）には、長波
長感度や耐摩耗性に優れたSe−Te系合金やSe−
As系合金が用いられそして第二層（基板側層）
には純セレンを用いられる。第一層はC.G.L.
（Charge Generation Layer）と呼ばれそして第
二層はC.T.L.（Charge Transfer Layer）と呼ば
れている。
の表面にセレン或いはセレン合金を真空蒸着する
ことにより作製される。また、機能分離型と呼ば
れる複層構造を採用した感光体も提唱されてい
る。例えば、２層構造の場合、光照射を直接受
け、紙面と接触する第一層（表面層）には、長波
長感度や耐摩耗性に優れたSe−Te系合金やSe−
As系合金が用いられそして第二層（基板側層）
には純セレンを用いられる。第一層はC.G.L.
（Charge Generation Layer）と呼ばれそして第
二層はC.T.L.（Charge Transfer Layer）と呼ば
れている。
複写された像の鮮明さ、再現性等の特性は、単
層構造の場合には蒸着膜そのものまた複層構造の
場合には上記C.T.L.（これらを包括して感光層と
呼ぶ）の性能に大きく左右される。
層構造の場合には蒸着膜そのものまた複層構造の
場合には上記C.T.L.（これらを包括して感光層と
呼ぶ）の性能に大きく左右される。
感光層の性能の判定には、(イ)一定出力のコロナ
放電により与えられる帯電電荷量を表すコロナ放
電特性、(ロ)コロナ放電により帯電された感光体を
保持する間に失われる荷電量と関係する暗減衰特
性、(ハ)暗中で保持された荷電量が露光によつて消
失する速度を表す帯電圧露光減衰特性、(ニ)感光体
を露光させた後零まで消失せずに残る電位を表す
残留電位等が考慮される。
放電により与えられる帯電電荷量を表すコロナ放
電特性、(ロ)コロナ放電により帯電された感光体を
保持する間に失われる荷電量と関係する暗減衰特
性、(ハ)暗中で保持された荷電量が露光によつて消
失する速度を表す帯電圧露光減衰特性、(ニ)感光体
を露光させた後零まで消失せずに残る電位を表す
残留電位等が考慮される。
電子写真のコントラストや画質並びに感光層の
特性の安定化のためには、上記のうちでも特に暗
減衰が小さくしかも残留電位が小さいことが求め
られる。純セレンは残留電位が比較的高いため、
セレンの残留電位が減少させるべつ塩素の添加が
行われてきた。10ppm以下の微量の塩素添加によ
つて残留電位は減少するものの、暗減衰特性が劣
化するという欠点があつた。また、10ppm以下の
微量の塩素の添加は困難であり、生産性にも問題
があつた。
特性の安定化のためには、上記のうちでも特に暗
減衰が小さくしかも残留電位が小さいことが求め
られる。純セレンは残留電位が比較的高いため、
セレンの残留電位が減少させるべつ塩素の添加が
行われてきた。10ppm以下の微量の塩素添加によ
つて残留電位は減少するものの、暗減衰特性が劣
化するという欠点があつた。また、10ppm以下の
微量の塩素の添加は困難であり、生産性にも問題
があつた。
こうした欠点を改善するために、セレンに砒素
と塩素とを同時に添加することが行われている。
例えば特開昭58−11950号は、セレンに対して塩
素を５〜300ppm、砒素を0.01〜0.5重量％含有
し、かつ塩素と砒素の含有割合が250〜
1200ppm／重量％である感光体を開示している。
と塩素とを同時に添加することが行われている。
例えば特開昭58−11950号は、セレンに対して塩
素を５〜300ppm、砒素を0.01〜0.5重量％含有
し、かつ塩素と砒素の含有割合が250〜
1200ppm／重量％である感光体を開示している。
こうしてセレン−砒素−塩素系材料は比較的優
れた性能を示しはするが、塩素は通常四塩化セレ
ンの形で添加され、潮解性が強く、気化しやすい
等取扱い上の問題が多い。
れた性能を示しはするが、塩素は通常四塩化セレ
ンの形で添加され、潮解性が強く、気化しやすい
等取扱い上の問題が多い。
従つて、塩素添加より問題が少なく、容易に添
加でき、しかも少くとも匹敵しうる電子写真特性
が得られる代替元素が得られれば、生産技術上き
わめて有益である。
加でき、しかも少くとも匹敵しうる電子写真特性
が得られる代替元素が得られれば、生産技術上き
わめて有益である。
発明の概要
こうした観点の下で、多くの元素を試験した結
果、酸素が代替役を果しうることが判明した。
果、酸素が代替役を果しうることが判明した。
従つて、本発明は、
１ セレンに10〜10000ppm砒素及び１〜
1000ppm酸素を添加したことを特徴とする電子
写真用感光材料、 ２ セレンに10〜10000ppm砒素及び１〜
1000ppm酸素を添加した薄膜形成用材を用いて
導電性基板上に形成した薄膜感光層を具備する
電子写真感光体、及び ３ 積層型電子写真感光体において、セレンに10
〜10000ppm砒素及び１〜1000ppm酸素を添加
した薄膜形成用材を用いて導電性基板上に形成
した薄膜感光層を一層または複数層設けた電子
写真感光体 を提供する。
1000ppm酸素を添加したことを特徴とする電子
写真用感光材料、 ２ セレンに10〜10000ppm砒素及び１〜
1000ppm酸素を添加した薄膜形成用材を用いて
導電性基板上に形成した薄膜感光層を具備する
電子写真感光体、及び ３ 積層型電子写真感光体において、セレンに10
〜10000ppm砒素及び１〜1000ppm酸素を添加
した薄膜形成用材を用いて導電性基板上に形成
した薄膜感光層を一層または複数層設けた電子
写真感光体 を提供する。
発明の具体的説明
本発明において用いられるセレンとしては4N
〜5Nの従来品グレードのものも用いることが可
能と思われるが、最近はより高純度品（6N）の
製造も為されており、本発明においてもそうした
高純度（6N）のものを使用することが好ましい。
高純度セレンの方が不純物トラツプが少なく、残
留電位が小さい。例えば従来品のセレンは47Vの
残留電位を示すのに対し、6N純度の高純度セレ
ンの残留電位は28Vである。
〜5Nの従来品グレードのものも用いることが可
能と思われるが、最近はより高純度品（6N）の
製造も為されており、本発明においてもそうした
高純度（6N）のものを使用することが好ましい。
高純度セレンの方が不純物トラツプが少なく、残
留電位が小さい。例えば従来品のセレンは47Vの
残留電位を示すのに対し、6N純度の高純度セレ
ンの残留電位は28Vである。
本発明においては、１〜1000ppm酸素が残留電
位低減目的に添加される。酸素添加量は、セレン
の純度に依存するが、ほぼ10Vの残留電位を与え
るよう選択される。1000ppmを越えて酸素を添加
しても効果は実質上飽和する。また、酸素を
1000ppmを越えて添加すると蒸着時に突沸が起り
やすくなり、蒸着膜に欠陥が生じる。砒素は主に
暗減衰特性の悪化を防止するために酸素量に応じ
て添加され、上記酸素量範囲に対して10〜
10000ppmの範囲で添加されうる。上記範囲の酸
素と砒素が協作用して、暗減衰特性を良好に保つ
たまま残留電位を減少させることができる。好ま
しい範囲は砒素100〜10000ppm及び酸素10〜
1000ppmである。
位低減目的に添加される。酸素添加量は、セレン
の純度に依存するが、ほぼ10Vの残留電位を与え
るよう選択される。1000ppmを越えて酸素を添加
しても効果は実質上飽和する。また、酸素を
1000ppmを越えて添加すると蒸着時に突沸が起り
やすくなり、蒸着膜に欠陥が生じる。砒素は主に
暗減衰特性の悪化を防止するために酸素量に応じ
て添加され、上記酸素量範囲に対して10〜
10000ppmの範囲で添加されうる。上記範囲の酸
素と砒素が協作用して、暗減衰特性を良好に保つ
たまま残留電位を減少させることができる。好ま
しい範囲は砒素100〜10000ppm及び酸素10〜
1000ppmである。
酸素はSeO2またはSe−SeO2から作つた母合金
の形で或いは酸素バブリングによつて添加され、
これは塩素添加の場合に較べて取扱い上何ら支障
がない。砒素は、純砒素或いはSe−As合金或い
はAs2Se3の形で添加される。
の形で或いは酸素バブリングによつて添加され、
これは塩素添加の場合に較べて取扱い上何ら支障
がない。砒素は、純砒素或いはSe−As合金或い
はAs2Se3の形で添加される。
こうして得られる蒸着膜としてのセレン−砒素
−酸素感光材料をドラム導電性基板上に真空蒸着
することによつて電子写真用感光体が得られる。
感光体としては、前述の通り単層型及び積層型の
ものが実用化されている。後者の場合、本発明感
光材料は感光層の形成に使用される。
−酸素感光材料をドラム導電性基板上に真空蒸着
することによつて電子写真用感光体が得られる。
感光体としては、前述の通り単層型及び積層型の
ものが実用化されている。後者の場合、本発明感
光材料は感光層の形成に使用される。
真空蒸着の条件は特に限定されるものでなく、
通常実施されている条件で十分である。蒸着源温
度250〜350℃、基板温度55〜75℃、真空度10-5〜
10-6Torr、蒸着時間60〜130分の範囲で滴宜の条
件を選択して実施しうる。基板としては、アルミ
ニウム、鋼等の金属或いは金属化された紙或いは
プラスチツク等が用いられる。
通常実施されている条件で十分である。蒸着源温
度250〜350℃、基板温度55〜75℃、真空度10-5〜
10-6Torr、蒸着時間60〜130分の範囲で滴宜の条
件を選択して実施しうる。基板としては、アルミ
ニウム、鋼等の金属或いは金属化された紙或いは
プラスチツク等が用いられる。
発明の効果
セレンに砒素と酸素を同時添加することによ
り、砒素と酸素の同時添加に少くとも匹敵する効
果が得られる。酸素の添加は塩素の添加に較べて
取扱い上容易であり、生産技術上のメリツトは非
常に大きい。
り、砒素と酸素の同時添加に少くとも匹敵する効
果が得られる。酸素の添加は塩素の添加に較べて
取扱い上容易であり、生産技術上のメリツトは非
常に大きい。
実施例
Se−As−Ｏ合金を作製するため、日本鉱業(株)
製高純度セレン（6N）と砒素（6N）及び二酸化
セレン（4N）をそれぞれ所定量秤取し、30mm外
径×220mm長さのパイレツクスアンプル中に真空
封入した。これを揺動加熱炉中で10回／分の速さ
で揺動させながら550℃において２時間溶製した。
その後、アンプルを粉砕して合金を取出した。
製高純度セレン（6N）と砒素（6N）及び二酸化
セレン（4N）をそれぞれ所定量秤取し、30mm外
径×220mm長さのパイレツクスアンプル中に真空
封入した。これを揺動加熱炉中で10回／分の速さ
で揺動させながら550℃において２時間溶製した。
その後、アンプルを粉砕して合金を取出した。
このようにして作製した合金を抵抗加熱により
55mm×55mmの鏡面仕上げアルミニウム基板上に真
空蒸着した。蒸着条件は次の通りである。
55mm×55mmの鏡面仕上げアルミニウム基板上に真
空蒸着した。蒸着条件は次の通りである。
蒸発源温度 300℃
基板温度 70℃
真空度 ２×10-6Torr
蒸着時間 90分間
以上の条件によりアルミニウム基板上へ形成し
た蒸着膜の厚さは、いずれも約50μｍであつた。
た蒸着膜の厚さは、いずれも約50μｍであつた。
こうして得られた合金蒸着膜について静電試験
装置を用いて電子写真特性を測定した。測定条件
は次の通りである。
装置を用いて電子写真特性を測定した。測定条件
は次の通りである。
コロナ放電電圧 5kV
光照射時間 ２秒間
光照度 3000ルクス
繰返し数 200回
Asを2000ppm一定とし、酸素を1ppmから
1000ppmまで添加した結果を図面に示す。第１図
において、曲線は初期表面電位V0を示しそし
て曲線は暗状態保持10秒後の電位V10である。
第２図は残留電位を示す。図面から、暗減衰特性
を劣化させることなく残留電位を減少させうるこ
とがわかる。
1000ppmまで添加した結果を図面に示す。第１図
において、曲線は初期表面電位V0を示しそし
て曲線は暗状態保持10秒後の電位V10である。
第２図は残留電位を示す。図面から、暗減衰特性
を劣化させることなく残留電位を減少させうるこ
とがわかる。
第１図は砒素2000ppm一定として酸素添加量と
表面電位の関係を示すグラフであり、そして第２
図は同じく酸素添加量と残留電位の関係を示すグ
ラフである。
表面電位の関係を示すグラフであり、そして第２
図は同じく酸素添加量と残留電位の関係を示すグ
ラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ セレンに10〜10000ppm砒素及び１〜
1000ppm酸素を添加したことを特徴とする電子写
真用感光材料。 ２ セレンに10〜10000ppm砒素及び１〜
1000ppm酸素を添加した薄膜形成用材を用いて導
電性基板上に形成した薄膜感光層を具備する電子
写真感光体。 ３ 積層型電子写真感光体において、セレンに10
〜10000ppm砒素及び１〜1000ppm酸素を添加し
た薄膜形成用材を用いて導電性基板上に形成した
薄膜感光層を純セレンその他の感光層の上または
下に一層または複数層設けた電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27441984A JPS61156134A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27441984A JPS61156134A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61156134A JPS61156134A (ja) | 1986-07-15 |
| JPH0239787B2 true JPH0239787B2 (ja) | 1990-09-07 |
Family
ID=17541404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27441984A Granted JPS61156134A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61156134A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58123544A (ja) * | 1982-01-19 | 1983-07-22 | Ricoh Co Ltd | 電子写真用感光体 |
-
1984
- 1984-12-28 JP JP27441984A patent/JPS61156134A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61156134A (ja) | 1986-07-15 |
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