JPH0241022B2 - - Google Patents

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JPH0241022B2
JPH0241022B2 JP59274420A JP27442084A JPH0241022B2 JP H0241022 B2 JPH0241022 B2 JP H0241022B2 JP 59274420 A JP59274420 A JP 59274420A JP 27442084 A JP27442084 A JP 27442084A JP H0241022 B2 JPH0241022 B2 JP H0241022B2
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JP
Japan
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selenium
ppm
oxygen
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Application number
JP59274420A
Other languages
English (en)
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JPS61156135A (ja
Inventor
Osamu Oda
Arata Onozuka
Akio Koyama
Original Assignee
Nippon Mining Co
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Publication date
Application filed by Nippon Mining Co filed Critical Nippon Mining Co
Priority to JP27442084A priority Critical patent/JPS61156135A/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/08Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
    • G03G5/082Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
    • G03G5/08207Selenium-based

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 発明の分野 本発明は、電子写真感光体用のセレン−テルル
系合金材料並びに該材料を真空蒸着して作製され
た蒸着感光層を具備する電子写真感光体に関する
ものであり、特には100ppmを超え1000ppm以下
の酸素を添加したことを特徴とする。酸素添加に
より、暗減衰特性を良好に保つたまま残留電位を
減少させることができる。
発明の背景 電子写真法は物質の光導電性と静電気現象を利
用した写真法であり、幾つかの方式が確立されて
いるが、そのうちセレン或いはセレン合金蒸着膜
を電子写真感光体として使用し、転写によつて電
子写真を得る方式をゼロツクス法と呼んでいる。
ゼロツクス法は、周知の通り、下記の過程から成
つている: (a) 帯電:金属基板上に暗抵抗の高い無定形セレ
ン或いはセレン合金を蒸着した感光体の表面を
帯電させる。
(b) 露光(焼付):光像で露光すると光の照射を
受けた部分のセレン或いはセレン合金は電気抵
抗が下がり、表面の帯電電荷は金属基板へ逃
げ、感光板上の残存電荷密度は露光量に応じて
差を生じ、感光板面上に原画と同形の静電潜像
ができる。
(c) 現像:上記感光板表面に炭素微粉を樹脂で被
覆したトナーとガラス小球からなるキヤリヤの
混合粉をふりかけることによつて潜像部にトナ
ーが付着し、潜像は可視像となる。
(d) 転写:現像を終えた上記感光板表面に適当な
紙を載せ、背面からコロナ放電を行なわせる
と、感光板上のトナーは紙に吸引され、トナー
粉像は紙に転写される。
(e) 定着:転写を終えたら紙をはがし、赤外線ヒ
ータで加熱してトナーの樹脂を紙に溶着させ
る。
以上の過程を実施することにより原画の複写画
像(電子写真)が得られるが、複写された像の鮮
明さ、再現性等の特性は感光体セレン或いはセレ
ン合金の性能に大きく依存する。幾つかのセレン
合金が考慮されているが、長波長感度を持たせる
こと及び硬度を上げて耐刷枚数を増加させること
等の目的のためセレン−テルル合金が広く用いら
れている。
感光体の性能の判定には、(イ)一定出力のコロナ
放電により与えられる帯電電荷量を表すコロナ帯
電特性、(ロ)コロナ放電により帯電された感光体を
保持する間に失われる荷電量と関係する暗減衰特
性、(ハ)暗中で保持された荷電量が露光によつて消
失する速度を表す帯電圧露光減衰特性、(ニ)感光体
を露光させた後零まで消失せずに残る電位を表す
残留電位等が考慮される。
電子写真のコントラストや画質並びにセレン感
光体の特性の安定化にとつて重要な役割を果すの
は特に残留電位である。ところが、セレンとテル
ルを合金化しただけでは、残留電位が大きく、地
汚れなど画像の質を悪くする。
このため、従来は塩素の添加が行われていた。
しかし、塩素を添加すると、暗減衰特性が劣化す
る欠点があつた。また、塩素は通常四塩化セレン
の形で添加されるが、潮解性が強く、気化しやす
い等取扱い上の問題が多い。
発明の概要 本発明者は、従来使用されたよりもつと高純度
の、99.999%を超える純度を有するセレン−テル
ル合金の採用を検討し、その暗減衰特性を良好に
保つたまま残留電位を減少させることの出来る添
加材について研究を進めた結果、酸素の添加が有
効であることを見出した。100ppmを超え
1000ppm以下の酸素の添加によつて暗減衰特性を
良好に保つたまま残留電位を充分に減少させるこ
とが出来る。酸素添加は、塩素の場合のような取
り扱い上の障害を呈さない。
斯くして、本発明は、 (1) 99.999%を超える純度を有するセレン−テル
ル合金に酸素を100ppmを超え1000ppm以下添
加したことを特徴とする電子写真感光材料、 (2) 99.999%を超える純度を有するセレン−テル
ル合金に酸素を100ppmを超え1000ppm以下添
加した電子写真感光材料を用いて導電性基板上
に形成した薄膜感光層を具備する電子写真感光
体、及び (3) 積層型電子写真感光体において、99.999%を
超える純度を有するセレン−テルル合金に酸素
を100ppmを超え1000ppm以下添加した電子写
真感光材料を用いて導電性基板上に形成した薄
膜感光層を純セレンその他の感光層の上または
下に一層または複数層具備する電子写真感光体
を提供する。
発明の具体的説明 本発明の感光材料における母体たるセレン−テ
ルル合金の作製において、従来から用いられてき
た4〜5N(99.99〜99.999%)の純度のセレン及び
テルルよりもつと高純度の、即ち99.999%を超え
る、代表的には6Nの高純度セレン及びテルルが
用いられる。不純物の多い原料を用いると、不純
物がトラツプを形成するため、酸素によるセレン
−テルル合金自体の構造欠陥の補償が十分に行わ
れなくなるものと考えられる。
本発明においては、100ppmを超え1000ppm以
下の酸素が添加される。100ppmを超える酸素の
添加によつて残留電位は充分に低い水準に低減さ
れそして暗減衰特性も良好に保たれる。1000ppm
を越えて酸素を添加しても効果は実質上変らな
い。また、酸素を1000ppmより多く添加すると蒸
着時に突沸が起りやすくなり、蒸着膜に欠陥が生
じるので、この点からも1000ppm以下が望まし
い。
酸素はSeO2の形で添加してもよいし或いは酸
素バブリングによつても添加されうる。酸素添加
の場合には、塩素添加の場合のような取扱い上の
支障が何ら生じない。
こうして得られる電子写真感光材料すなわち蒸
着源としてのセレン−テルル−酸素合金材料をド
ラム導電性基板上に真空蒸着することによつて電
子写真用感光体が得られる。感光体としては、前
述の通り単層型及び積層型のものが実用化されて
いる。後者の場合、本発明感光材料は感光層の形
成に使用される。
真空蒸着の条件は特に限定されるものでなく、
通常実施されている条件で十分である。蒸着源温
度250〜350℃、基板温度55〜75℃、真空度10-5
10-6Torr、蒸着時間60〜130分の範囲で適宜の条
件を選択して実施しうる。基板としては、アルミ
ニウム、鋼等の金属或いは金属化された紙或いは
プラスチツク等が用いられる。
セレン−テルル合金におけるテルル量は一般に
5〜30重量%とされる。5%より少ないと長波長
感度及び耐刷枚数の増加という所期の目的を実現
できず、他方30%を越えるとセレン感光特性が許
容以上に悪化する。
複写機用感光体においては、機能分離型と呼ば
れる被層構造を採用した感光体も提唱されてい
る。例えば、2層構造の場合、光照射を直接受
け、紙面と接触する表面層には、長波長感度や耐
摩耗性に優れたSE−Te系材料を用いそして基板
側層には純セレンを用いる。本発明はこうした積
層型電子写真感光体の一層または複数層の感光層
として適用しうるものである。
実施例 高純度セレン(純度6N)、テルル(同6N)及
び二酸化セレンを外径30mm×長さ220mmのパイレ
ツクスアンプル中に所定量真空封入し、これを
550℃で2時間揺動炉中で反応させた後、炉外に
取り出し空冷した。その後アンプルを粉砕して合
金を取り出した。なおテルル濃度は15wt%とし
酸素添加量を1から1000ppmまで変化させた。
このようにして作製した合金を抵抗加熱により
55mm×55mmの鏡面仕上げアルミニウム基板上に真
空蒸着した。蒸着条件は次の通りである。
蒸発源温度 300℃ 基板温度 70℃ 真 空 度 2×10-6Torr 蒸着時間 90分間 以上の条件によりアルミニウム基板上へ形成し
た蒸着膜の厚さは、いずれも約50μmであつた。
こうして得られた合金蒸着膜について静電試験
装置を用いて電子写真特性を測定した。測定条件
は次の通りである。
コロナ放電電圧 5kV 暗減衰時間 10秒間 光照射時間 30秒間 光 照 度 10ルクス 除電照度、時間 20000lx、2秒間 繰返し数 30回 測定結果を合金中への酸素添加量の関係におい
て図面に示す。
第1図において曲線は初期表面電位を示し、
曲線は帯電後10秒経過時の暗状態での表面電位
(V10)である。第2図は、残留電位と酸素添加
量との関係である。第2図からわかるように酸素
添加量100ppmを超え1000ppm以下の範囲で残留
電位は十分に低減されており、このときの暗減衰
特性も第1図に見られるように良好である。
発明の効果 本発明により、暗減衰特性を良好に保つたまま
残留電位を減少させたセレン−テルル系電子写真
感光体が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は酸素添加量と表面電位の関係を示すグ
ラフでありそして第2図は酸素添加量と残留電位
の関係を示すグラフである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 99.999%を超える純度を有するセレン−テル
    ル合金に酸素を100ppmを超え1000ppm以下添加
    したことを特徴とする電子写真感光材料。 2 99.999%を超える純度を有するセレン−テル
    ル合金に酸素を100ppmを超え1000ppm以下添加
    した電子写真感光材料を用いて導電性基板上に形
    成した薄膜感光層を具備する電子写真感光体。 3 積層型電子写真感光体において、99.999%を
    超える純度を有するセレン−テルル合金に酸素を
    100ppmを超え1000ppm以下添加した電子写真感
    光材料を用いて導電性基板上に形成した薄膜感光
    層を純セレンその他の感光層の上または下に一層
    または複数層具備する電子写真感光体。
JP27442084A 1984-12-28 1984-12-28 電子写真感光体 Granted JPS61156135A (ja)

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JP27442084A JPS61156135A (ja) 1984-12-28 1984-12-28 電子写真感光体

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JP27442084A JPS61156135A (ja) 1984-12-28 1984-12-28 電子写真感光体

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JPS61156135A JPS61156135A (ja) 1986-07-15
JPH0241022B2 true JPH0241022B2 (ja) 1990-09-14

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS59223436A (ja) * 1983-06-03 1984-12-15 Fuji Xerox Co Ltd セレンテルル合金電子写真用感光体の製造方法

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JPS61156135A (ja) 1986-07-15

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