JPH0240118A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、薄膜磁気ヘッドに関する。

（従来の技術） 近年、磁気記録再生装置に使用される磁気ヘッドにおい
ては、高密度化、小型化（マルチトラック化）、量産性
向上等の要求が高まってきており、これらの要求に応え
るため、薄膜形成技術によって製造された薄膜磁気ヘッ
ドが用いられつつある。

このような薄膜磁気ヘッドとしては、次のような構造の
ものが使用されている。

第４図は従来の薄膜磁気ヘッドを示す斜視図であり、第
５図は第４図の要部を断面で示す斜視図である。

これらの図において、符号１はアルミナ・チタン・カー
バイト等によって形成された基板を示し、この基板１の
上にはアルミナ（Ａｌ１　０３　）等のアンダーコート
膜２が形成され、その上には磁電変換部３が形成されて
いる。磁電変換部３は、パーマロイ等の磁性体によって
それぞれ形成された下側磁気コア４ａおよび上側磁気コ
ア４ｂと、これらの間に形成され、かつ複数のコイルパ
ターンが介在された磁気的ギャップ部５とから構成され
ている。またアンダーコート膜２上には、銅等の導体に
よって引出し線６が形成され、この引出し線６の端部は
磁電変換部３と接続されている。さらに引出し線６」二
の所定の位置には、ワイヤやフレキシブル基板を接続す
るための銅等のボンディングパッド７が、メツキ下地薄
膜８を介して設けられている。またさらに、磁電変換部
３と引出し線６の上を含むアンダーコート膜２上には、
アルミナ等からなる保護膜９か形成され、ボンディング
パッド７は保護膜９表面に露出されている。

このような従来の薄膜磁気ヘッドにおいて、ボンディン
グパッド７は以下に示す方法で製造されている。

すなわち、第６図（ａ）に示すように、基板１上にスパ
ッタ法によってアンダーコート膜２を形成し、その上に
スパッタ法およびフォトリングラフイー技術等を用いて
、磁電変換部とともに引出し線６を形成した後、一部ア
ンダーコート膜２上を含めて引出し線６上に、銅等のメ
ツキ下地薄膜８をスパッタ法等によって形成する（第６
図（ｂ））。次いで、このメツキ下地薄膜８上にメツキ
レジストによってリング状のフレーム１０を形成しく第
６図（Ｃ））　、このフレーム内に銅等を電気メツキし
てボンディングパッド７を形成する（第６図（ｄ））。

次に、レジストフレーム］０をアセトン等の溶剤で除去
した後（第６図（ｅ））、イオンビーム等を照射してメ
ツキ下地薄膜８をエツチングする（第６図（ｆ））。さ
らにホンディングパッド７上を含めアンダーコート膜２
上および引出し線６上に、スパッタ法等によってアルミ
ナ等の保護膜９を形成した後（第６図（ｇ））、保護膜
９を研磨して表面を平坦化するとともに、ボンディング
パッド７を保護膜９表面に露出させる（第６図（ｈ））
。

ところでこのような形成方法において、保護膜９の最終
的な厚さ（ｔ４）は、約１５μｍの段差を有する磁電変
換部を含めて表面を平坦化するために、少なくとも２０
μｍ前後の厚さを必要とする。

そのため、ボンディングパッド７の厚さ（ｔ３）は１５
μ川前後必要であり、銅等の電気メ・ツキ厚（ｔ２）は
、最小でも２０μ■前後の厚さを必要とする。

しかしながら、量産性の点て、レジストフレーム１０の
厚さ（ｔｌ）は、約１０μＭが限度であるため、電気メ
ツキ層はレジストフレーム１０の上面を越えて成長し、
第６図（ｄ）〜（ｇ）に示すように、ボンディングパッ
ド７は、上方にかさ部が横に張り出したようなマツシュ
ルーム状となる。

そのため、保護膜９がホンディングパッド７の外表面を
完全に被膜することができず、第６図（ｇ）に示すよう
に、スパッタ粒子のとどかないボンディングパッド７基
幹部の周り（かさ部の下）に空洞（Ａ）が残ったり、あ
るいはその上の保護膜９に亀裂（Ｂ）が生じたりする。

そして、この空洞や亀裂のために、保護膜９表面の平坦
化工程で、保護膜９に欠けや隙間が生じるだけでなく、
この隙間に研磨制や研磨くずか入り込み、これらが薄膜
磁気ヘッドの使用時に媒体面に落下し、媒体およびヘッ
ドを損傷することがあった。

（発明が解決しようとする課題） 前述したように従来の薄膜磁気ヘッドにおいでは、ボン
ディングパッドの周りの保護膜に空洞や亀裂、欠は等か
生じ、かつこれらの隙間に研磨くず等が残るため、磁気
記録再生装置全体の信頼性が大きく低下してしまうとい
う問題があった。

本発明はこのような問題を解決するためになされたもの
で、ボンディングパッドの周りの保護膜での空洞や亀裂
の発生が防止され、特性が良好で信頼性の高い薄膜磁気
ヘッドを提供することを目的とする。

［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明の薄膜磁気ヘッドは、基板上に磁電変換部と、こ
れと接続された回路パターンとが、薄膜法によりそれぞ
れ形成され、前記回路パターン上の所定の位置にボンデ
ィングパッドか形成された薄膜磁気ヘッドにおいて、前
記ポンプイングツくラドの基幹部の外周にリング状の有
機絶縁部材を形成するとともに、この有機絶縁部材の外
側を保護膜によって完全に被膜したものである。

（作用） 本発明の薄膜磁気ヘッドにおいては、ボンディングパッ
ドの基幹部を囲んでリング状の有機絶縁部材が形成され
ているので、電気メツキによって形成されたホンディン
グパッドか、上部が横に張り出したマツシュルーム状を
呈していても、保護膜形成の工程でスパッタ粒子のとど
かない陰の部分がなくなる。そのため、保護膜がホンデ
ィングパッドおよびリング状の有機絶縁部材の外周面全
体に密着して形成され、空洞や亀裂が生じることがない
。

また、この有機絶縁部材は保護膜によって完全に被膜さ
れ、表面に露出していないので、充分な耐久性か保たれ
る。

（実施例） 以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。

第１図は、本発明の薄膜磁気ヘッドの一実施例を一部断
面で示した斜視図である。

図において、符号１１はアルミナ・チタン・カバイト等
の基板を示し、この基板１１上にはアルミナ等のアンダ
ーコート膜］２が形成されている。そして、このアンダ
ーコート膜１２上には、磁性体によってそれぞれ形成さ
れた下側および上側の磁気コア１３ａ、１３ｂと、これ
らの間に形成された磁気的ギャップ部１４とから成る磁
電変換部１５が設けられている。この磁電変換部１５に
は、アンダーコート膜１２上に形成された引出し線１６
が接続されている。また、この引出し線１６上の所定の
位置には、銅等からなるボンディングパッド１７がメツ
キ下地薄膜１８を介して設けられている。そして、この
ボンディングパッド１７の基幹部の外周には、リング状
の有機絶縁部材１９が形成され、ボンディングパッド１
７の側周部は、この有機絶縁部材］９で隙間なく包囲さ
れている。さらに、有機絶縁部材１９上と磁電変換部１
５上を含めアンダーコート膜１２上には、保護膜２０が
形成され、ボンディングパッド１７のみが保護膜２０表
面に露出されている。

このような構造の実施例において、ボンディングパッド
１７等は次のような方法で形成される。

第２図は、ボンディングパッド１７等の形成方法を説明
するために、一部を断面で示した斜視図である。

すなわち、まず、基板１１上にアンダーコート膜１２と
引出し線１６とを、スパッタ法とフォトリソグラフィー
技術等を用いて順に形成した後（第２図（ａ））　、一
部アンダーコート膜１２上を含めて引出し線１６上に、
銅等のメ・ツキ下地薄膜１８をスパッタ法によって形成
する（第２図（ｂ））。次いて、このメツキ下地薄膜１
８上にリング状の有機絶縁部材１つを形成する。この有
機絶縁部材１９の形成は、たとえばポジ系のフォトレジ
ストを塗布し、２００℃程度の温度で熱硬化させ、アセ
トン等の溶剤に不溶にする等の方法で行われる（第２図
（Ｃ））。次に、この有機絶縁部材１９の外側にメツキ
レジストに、よってフレーム２１を形成した後（第２図
（ｄ））　、このレジストフレーム２１内に銅等を電気
メ・ツキしてボンディングパッド１７を形成する（第２
図（ｄ））。

次いで、レジストフレーム２１をアセトン等の溶剤を用
いて除去しく第２図（ｅ））　、さらにメ・ツキ下地薄
膜１８をイオンビームエツチングした後（第２図（ｆ）
）　、これらの上全体にスパッタ法等により保護膜２０
を形成する（第２図（ｇ））。

しかる後、保護膜２０の表面を平坦化し、かつボンディ
ングパッド１７を保護膜２０の表面に露出させる（第２
図（ｈ））。

上述したように、形成された実施例の薄膜磁気ヘッドに
おいては、保護膜２０の形成工程で（第２図（ｇ））　
、ボンディングパッド１７の陰になりスパッタ粒子がと
どかないかさ部の下（ボンディングパッド１７の側周部
の外側）に、有機絶縁部材１９がリング状に設けられて
いるので、保護膜２０は空洞や亀裂を生じることなく、
これらの外側全体を完全に被膜する。したがって、保護
膜２０表面の平坦化工程でも、保護膜２０に欠けや隙間
が生じず、信頼性の高い薄膜磁気ヘッドを得ることがで
きる。また、有機絶縁部材１９は保護膜２０表面に露出
されていないので、充分な耐久性を有している。

さらに、実施例の薄膜磁気ヘッドにおけるボンディング
パッド１７等の形成は、次のように行うこともできる。

すなわち、基板１１上にアンダーコート膜１２と引出し
線１６とを、スパッタ法とフォトリソグラフィー技術等
によって順に形成した後（第３図（ａ））　、引出し線
１６上にスパッタ法によってメツキ下地薄膜１８を形成
しく第３図（ｂ））、次いでこの上に、樹脂塗料をリン
グ状に塗布し、約２００℃で熱硬化させることによって
、有機絶縁部材からなるレジストフレーム２１を形成す
る（第３図（Ｃ））。次に、このレジストフレーム２１
内に銅等を電気メツキしてボンディングパッド１７を形
成した後（第３図（ｄ））、０２プラズマ等を照射して
レジストフレーム２１をリアクティブイオンエツチング
する。

このとき、レジストフレーム２１のボンディングパッド
１７の上部かさ部の下の部分は、ボンディングパッド１
７によって遮蔽されているため、はぼリング状に残る（
第３図（ｅ））。次いで、メツキ下地薄膜１８をイオン
ビームエツチングした後（第３図（ｆ））　、これらの
上全体にスパツ夕法により保護膜２０を形成しく第３図
（ｇ））、この後、保護膜２０表面を平坦化しボンディ
ングパッド１７を表面に露出させる（第３図（ｈ））。

上述した方法によれば、ボンディングパッド１７の上部
かさ部の下（基幹部の周り）に、有機絶縁部材からなる
レジストフレーム２１の一部がリング状に残留している
ので、この上に被膜された保護膜２０に空洞や亀裂が生
じることがなく、研磨くず等の混入しない信頼性の高い
薄膜磁気ヘッドを得ることができる。

さらにこの方法では、レジストフレーム２１の部分的除
去を０２プラズマ等のりアクティブイオンエツチングを
用いて行い、レジストフレーム２１のボンディングパッ
ド１７のかさ部の下に位置する部分を残しているので、
ボンディングパッド１７の基幹部の周りに新たに有機絶
縁部材をリング状に形成する必要がない。したがって、
形成プロセスが単純化され、製造効率が高いという利点
がある。

［発明の効果］ 以上説明したように本発明の薄膜磁気ヘッドにおいては
、ボンディングパッドの基幹部の外周にリング状の有機
絶縁部材か設けられているので、これらの上にスパッタ
法等によって保護膜を形成する工程で、保護膜に空洞や
亀裂を生じることがなく、完全に被膜することができる
。そして、特性が良好で信頼性の高い薄膜磁気ヘッドを
提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明薄膜磁気ヘッドの一実施例を示す一部断
面斜視図、第２図（ａ）〜（ｈ）は第１図の実施例にお
けるボンディングパッド等の形成方法を説明するための
断面図、第３図（ａ）〜（ｈ）はボンディングパッド等
の別の形成方法を説明するための断面図、第４図は従来
の薄膜磁気ヘッドを示す斜視図、第５図は第４図の要部
を断面で示す一部断面斜視図、第６図（ａ）〜（ｈ）は
従来の薄膜磁気ヘッドでのボンディングパッド等の形成
方法を説明するための断面図である。 １、］１・・・基板、３．１５・・・磁電変換部、６、
１６・・・引出し線、７．１７・・・ポンプイングツく
・ソド、９．２０・・・保護膜、１０．２１・・・レジ
ストフレーム、１つ・・・リング状の有機絶縁部材。 出願人　　　　　　株式会社　東芝

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に磁電変換部と、これと接続された回路パ
   ターンとが、薄膜法によりそれぞれ形成され、前記回路
   パターン上の所定の位置にボンディングパッドが形成さ
   れた薄膜磁気ヘッドにおいて、前記ボンディングパッド
   の基幹部の外周にリング状の有機絶縁部材を形成すると
   ともに、この有機絶縁部材の外側を保護膜によって完全
   に被膜したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。