JPH0240549Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0240549Y2 JPH0240549Y2 JP1983008960U JP896083U JPH0240549Y2 JP H0240549 Y2 JPH0240549 Y2 JP H0240549Y2 JP 1983008960 U JP1983008960 U JP 1983008960U JP 896083 U JP896083 U JP 896083U JP H0240549 Y2 JPH0240549 Y2 JP H0240549Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- field sensor
- case
- optical
- semiconductive material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案はフアラデー効果を利用した静電遮蔽
型の光学的磁界センサに関するものである。
型の光学的磁界センサに関するものである。
フアラデー効果を利用し、磁界に比例して強さ
が変化する出力光により磁界の強さを検知する光
学的磁界センサＡの基本的な構造は、第１図に示
すように、フアラデー効果素子１の上部両端に検
光子と旋光子２および偏光子と旋光子３を配置
し、両旋光子２，３と対向する位置にロツドレン
ズ４と光フアイバコネクタ５を設け、フアラデー
効果素子１に対して磁界Ｂが作用すると、検光子
と旋光子２側の出力光が磁界Ｂに比例して強さが
変化し、この出力光の変化により磁界の強弱を検
出するものである。
が変化する出力光により磁界の強さを検知する光
学的磁界センサＡの基本的な構造は、第１図に示
すように、フアラデー効果素子１の上部両端に検
光子と旋光子２および偏光子と旋光子３を配置
し、両旋光子２，３と対向する位置にロツドレン
ズ４と光フアイバコネクタ５を設け、フアラデー
効果素子１に対して磁界Ｂが作用すると、検光子
と旋光子２側の出力光が磁界Ｂに比例して強さが
変化し、この出力光の変化により磁界の強弱を検
出するものである。
ところで、上記のような磁界センサは、電界に
感ずるべきでないが、フアラデー効果素子１を構
成するBi12SiO20（BSO）は、フアラデー効果（磁
気光学効果）のみならず、電気光学効果を持つて
いるため電界に感じることがある。
感ずるべきでないが、フアラデー効果素子１を構
成するBi12SiO20（BSO）は、フアラデー効果（磁
気光学効果）のみならず、電気光学効果を持つて
いるため電界に感じることがある。
しかし、従来の磁界センサには、電界に対する
保護手段が全く施されていなかつたため、電界中
に磁界センサを置いた場合、透過光が電気光学効
果によつて変調を受ける。
保護手段が全く施されていなかつたため、電界中
に磁界センサを置いた場合、透過光が電気光学効
果によつて変調を受ける。
例えば、磁界センサを磁界中に置いた場合、
700Oeで約12％の変調を受けるが、これに電界が
加わつた場合、500V／cmで0.7％の変調を受け
る。従つて0.7／12×100＝5.8％の磁界の測定誤差が 生じ、磁界の測定精度を悪くするという問題があ
る。
700Oeで約12％の変調を受けるが、これに電界が
加わつた場合、500V／cmで0.7％の変調を受け
る。従つて0.7／12×100＝5.8％の磁界の測定誤差が 生じ、磁界の測定精度を悪くするという問題があ
る。
この考案は、上記のような問題を解消するため
になされたものであり、磁界センサに対して電界
の影響による測定誤差の発生がなく、磁界の測定
精度を向上させることができる静電遮蔽型磁界セ
ンサを提供することを目的とする。
になされたものであり、磁界センサに対して電界
の影響による測定誤差の発生がなく、磁界の測定
精度を向上させることができる静電遮蔽型磁界セ
ンサを提供することを目的とする。
この考案の構成は、フアラデー効果を利用した
光学的磁界センサを半導電性材料のケースで覆
い、磁界センサ内部に電界を生じさせないように
したものである。
光学的磁界センサを半導電性材料のケースで覆
い、磁界センサ内部に電界を生じさせないように
したものである。
以下、この考案の実施例を添付図面に基づいて
説明する。
説明する。
第１図のように、フアラデー効果素子１に
BSOやBi12GeO20（BGO）を用いた光学的磁界セ
ンサＡを半導電性材料で形成したケース６で覆
い、磁界センサＡに対して電界を遮蔽し、ケース
６内に電界を生じさせないようにしている。
BSOやBi12GeO20（BGO）を用いた光学的磁界セ
ンサＡを半導電性材料で形成したケース６で覆
い、磁界センサＡに対して電界を遮蔽し、ケース
６内に電界を生じさせないようにしている。
前記ケース６の構成に使用する半導電性材料７
としては、半導電性のゴムやプラスチツクをあげ
ることができ、第２図のようにこれらの材料単用
でケース６を形成してもよいが、第３図に示すよ
うに、セラミツクもしくはプラスチツク等の良絶
縁材料でケース基体８を構成し、この基体８の外
表面または内表面の何れか一方に半導電性材料７
の層をコーテイングしてケース６を形成するよう
にしてもよく、この場合半導電性材料として導電
性塗料が使用できる。
としては、半導電性のゴムやプラスチツクをあげ
ることができ、第２図のようにこれらの材料単用
でケース６を形成してもよいが、第３図に示すよ
うに、セラミツクもしくはプラスチツク等の良絶
縁材料でケース基体８を構成し、この基体８の外
表面または内表面の何れか一方に半導電性材料７
の層をコーテイングしてケース６を形成するよう
にしてもよく、この場合半導電性材料として導電
性塗料が使用できる。
上記ケース６に用いる半導電性材料の抵抗値は
101〜105Ωcm程度が好ましい。即ち、空間の静電
容量Ｃが持つインピーダンスZcは60Hzで Zc＝１／2πfc ＝１／2π×60×8.854×10-2×1012 ＝３×1010（Ω．cm） である。従つてこれより充分低いインピーダンス
例えば４〜５桁低いインピーダンス、つまり３×
105Ωcm以下のインピーダンスの材料で磁界セン
サＡを覆つてやれば、測定器として電界の影響が
無視できる大きさになり、商用周波数程度以下の
周波数では、ケース６の内部に電界の発生がな
く、磁界センサＡが電界の影響を受けることがな
い。
101〜105Ωcm程度が好ましい。即ち、空間の静電
容量Ｃが持つインピーダンスZcは60Hzで Zc＝１／2πfc ＝１／2π×60×8.854×10-2×1012 ＝３×1010（Ω．cm） である。従つてこれより充分低いインピーダンス
例えば４〜５桁低いインピーダンス、つまり３×
105Ωcm以下のインピーダンスの材料で磁界セン
サＡを覆つてやれば、測定器として電界の影響が
無視できる大きさになり、商用周波数程度以下の
周波数では、ケース６の内部に電界の発生がな
く、磁界センサＡが電界の影響を受けることがな
い。
ここでケース６に用いる半導電性材料の抵抗値
101〜105Ωcmと限定するのは、101Ωcm以下の抵
抗値であると、交流磁場中において、ケース表面
に発生するうず電流による測定磁界への影響が無
視できなくなるからであり、又、105Ωcm以上の
抵抗値とすると、前述の通り電界の遮蔽能力が劣
るからである。
101〜105Ωcmと限定するのは、101Ωcm以下の抵
抗値であると、交流磁場中において、ケース表面
に発生するうず電流による測定磁界への影響が無
視できなくなるからであり、又、105Ωcm以上の
抵抗値とすると、前述の通り電界の遮蔽能力が劣
るからである。
ちなみに、フアラデー効果素子１としてBSO
単結晶を用いて第１図のような磁界センサを構成
し、この磁界センサをセラミツク製のケースで覆
つたものを使つて電界に対する影響を調べた。
単結晶を用いて第１図のような磁界センサを構成
し、この磁界センサをセラミツク製のケースで覆
つたものを使つて電界に対する影響を調べた。
500V／cmの商用周波数の電界中に上記磁界セ
ンサを置き、セラミツクケースの外側を0.5mm厚
の半導電性ゴム（約103Ωcm）で覆つた場合と、
覆わない場合を比較した。
ンサを置き、セラミツクケースの外側を0.5mm厚
の半導電性ゴム（約103Ωcm）で覆つた場合と、
覆わない場合を比較した。
その結果、磁界センサの透過光の変調度は次の
ように変化した。
ように変化した。
半導電性ゴムなし 0.7％
半導電性ゴムあり 0.02％
以上のように、この考案によると、フアラデー
効果を利用した光学的磁界センサを、半導電性材
料で形成したケースで覆つたので、磁界センサに
対して半導電性材料で電界を遮蔽することがで
き、磁界センサを電界中に置いても、電界によつ
て透過光が変調を受けることがなく、磁界測定精
度を大幅に向上させることができる。
効果を利用した光学的磁界センサを、半導電性材
料で形成したケースで覆つたので、磁界センサに
対して半導電性材料で電界を遮蔽することがで
き、磁界センサを電界中に置いても、電界によつ
て透過光が変調を受けることがなく、磁界測定精
度を大幅に向上させることができる。
第１図は磁界センサの構造を示す斜視図、第２
図と第３図は同上に用いるケースの異なつた例を
示す縦断面図である。 １……フアラデー効果素子、２……検光子と旋
光子、３……偏光子と旋光子、４……ロツドレン
ズ、５……光フアイバコネクタ、６……ケース、
７……半導電性材料、８……ケース基体。
図と第３図は同上に用いるケースの異なつた例を
示す縦断面図である。 １……フアラデー効果素子、２……検光子と旋
光子、３……偏光子と旋光子、４……ロツドレン
ズ、５……光フアイバコネクタ、６……ケース、
７……半導電性材料、８……ケース基体。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) フアラデー効果を利用した光学的磁界センサ
を101〜105Ωcmの範囲の抵抗値を有する半導電
性材料で形成したケースで覆つたことを特徴と
する静電遮蔽型磁界センサ。 (2) ケースは良絶縁材料で基体を構成し、この基
体の内外表面の少なくとも何れか一面に半導電
性材料層をコーテイングして形成されている実
用新案登録請求の範囲第１項記載の静電遮蔽型
磁界センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP896083U JPS59115363U (ja) | 1983-01-24 | 1983-01-24 | 静電遮蔽型磁界センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP896083U JPS59115363U (ja) | 1983-01-24 | 1983-01-24 | 静電遮蔽型磁界センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59115363U JPS59115363U (ja) | 1984-08-03 |
| JPH0240549Y2 true JPH0240549Y2 (ja) | 1990-10-29 |
Family
ID=30140443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP896083U Granted JPS59115363U (ja) | 1983-01-24 | 1983-01-24 | 静電遮蔽型磁界センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59115363U (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5412607A (en) * | 1977-06-30 | 1979-01-30 | Hitachi Ltd | Interruption connecting system |
-
1983
- 1983-01-24 JP JP896083U patent/JPS59115363U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59115363U (ja) | 1984-08-03 |
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