JPH021268B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH021268B2 JPH021268B2 JP56211971A JP21197181A JPH021268B2 JP H021268 B2 JPH021268 B2 JP H021268B2 JP 56211971 A JP56211971 A JP 56211971A JP 21197181 A JP21197181 A JP 21197181A JP H021268 B2 JPH021268 B2 JP H021268B2
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- JP
- Japan
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- electric field
- optical element
- measured
- field
- dielectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R29/00—Arrangements for measuring or indicating electric quantities not covered by groups G01R19/00 - G01R27/00
- G01R29/08—Measuring electromagnetic field characteristics
- G01R29/0864—Measuring electromagnetic field characteristics characterised by constructional or functional features
- G01R29/0878—Sensors; antennas; probes; detectors
- G01R29/0885—Sensors; antennas; probes; detectors using optical probes, e.g. electro-optical, luminescent, glow discharge, or optical interferometers
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、電気光学効果を有する光学素子を
用いて電界を測定する交流電界測定装置に関す
る。
用いて電界を測定する交流電界測定装置に関す
る。
第１図には、電気光学効果を有する光学素子と
してポツケルス素子を用いて電界を測定する原理
図を示している。図において、１は光源、２は偏
光子、３はポツケルス素子の単体、４は検光子、
５は受光器、６は電界の方向、７は光、８ａ，８
ｂはそれぞれ電界を発生させる高電圧電極、接地
電極を示す。上記両電極８ａ，８ｂ間の被測定場
９には媒体（真空の場合も含む）が満たされてい
る。
してポツケルス素子を用いて電界を測定する原理
図を示している。図において、１は光源、２は偏
光子、３はポツケルス素子の単体、４は検光子、
５は受光器、６は電界の方向、７は光、８ａ，８
ｂはそれぞれ電界を発生させる高電圧電極、接地
電極を示す。上記両電極８ａ，８ｂ間の被測定場
９には媒体（真空の場合も含む）が満たされてい
る。
以上の構成において、光源１から出た光７は、
偏光子２、ポツケルス素子３、検光子４を通つて
受光器５に入る。
偏光子２、ポツケルス素子３、検光子４を通つて
受光器５に入る。
ポツケルス素子３は、電界６の強さに比例して
通過する光７の回転角度を変化させる性質を有し
ているので、筐体の外側から光を被測定場９内に
通過させて、両電極８ａ，８ｂ間の電界の測定を
ポツケルス素子３には非接触、かつ電気的に絶縁
した状態で測定可能ならしめるものである。とこ
ろが、被測定場の電界が交流電界であれば、被測
定場の誘電率とポツケルス素子の誘電率とが異な
る場合には被測定場内の電界が、ポツケルス素子
の挿入によつて歪んで、正確な電界の測定ができ
ないという欠点があつた。
通過する光７の回転角度を変化させる性質を有し
ているので、筐体の外側から光を被測定場９内に
通過させて、両電極８ａ，８ｂ間の電界の測定を
ポツケルス素子３には非接触、かつ電気的に絶縁
した状態で測定可能ならしめるものである。とこ
ろが、被測定場の電界が交流電界であれば、被測
定場の誘電率とポツケルス素子の誘電率とが異な
る場合には被測定場内の電界が、ポツケルス素子
の挿入によつて歪んで、正確な電界の測定ができ
ないという欠点があつた。
この発明は、以上のような従来のものの欠点を
解消するためになされたもので、光学素子との組
み合せの誘電率を被測定場内の媒体の誘電率に近
付ける誘電体を被測定場内に設けて、被測定場の
電界の歪みを減じて電界の測定を行なう交流電界
測定装置を提供しようとするものである。
解消するためになされたもので、光学素子との組
み合せの誘電率を被測定場内の媒体の誘電率に近
付ける誘電体を被測定場内に設けて、被測定場の
電界の歪みを減じて電界の測定を行なう交流電界
測定装置を提供しようとするものである。
以下、この発明の一実施例を図によつて説明す
る。第２図、第３図において、１２は複合光学素
子で、被測定場９の交流電界内に設けられる。こ
の複合光学素子１２は、中央部にポツケルス素子
を光学素子１０として用い、電界に直角な方向の
両側からポツケルス素子からなる光学素子１０と
は誘電率の異なる誘電率１０，１１で挾持した構
造になつている。ここで、ポツケルス素子１０の
誘電率をεn（単位を略す。以下同じ）、厚さをd1、
電界方向の断面積をＳ、誘電体１１の誘電率を
εt、厚さをd2、電界方向の断面積をＳ（この実施
例では、ポツケルス素子と同じになる。）、被測定
場９の媒体の誘電率をεsとすると、ポツケルス素
子１０の静電容量CnはCn＝εn・Ｓ／d1、誘電体
１１の静電容量Ctは、両側分を合わせてCt＝εt・
Ｓ／2d2となる。したがつて、ポツケルス素子１
０の上下両側に誘電体１１を一体的に積層した複
合光学素子１２の静電容量CpはCp＝εn・εtS／
（εt・d1＋2εn・d2）となる。
る。第２図、第３図において、１２は複合光学素
子で、被測定場９の交流電界内に設けられる。こ
の複合光学素子１２は、中央部にポツケルス素子
を光学素子１０として用い、電界に直角な方向の
両側からポツケルス素子からなる光学素子１０と
は誘電率の異なる誘電率１０，１１で挾持した構
造になつている。ここで、ポツケルス素子１０の
誘電率をεn（単位を略す。以下同じ）、厚さをd1、
電界方向の断面積をＳ、誘電体１１の誘電率を
εt、厚さをd2、電界方向の断面積をＳ（この実施
例では、ポツケルス素子と同じになる。）、被測定
場９の媒体の誘電率をεsとすると、ポツケルス素
子１０の静電容量CnはCn＝εn・Ｓ／d1、誘電体
１１の静電容量Ctは、両側分を合わせてCt＝εt・
Ｓ／2d2となる。したがつて、ポツケルス素子１
０の上下両側に誘電体１１を一体的に積層した複
合光学素子１２の静電容量CpはCp＝εn・εtS／
（εt・d1＋2εn・d2）となる。
一方、この複合光学素子１２と同じ体積の体積
の被測定場９の静電容量ＣはＣ＝εsS／（d1＋
2d2）となる。複合光学素子１２が被測定場９の
電界に影響を与えないようにするためには、上記
CpとＣとを等しくすればよいので、εs（εtd1＋
2εnd2）＝εn・εt（d1＋2d2）の関係式を成立させね
ばならない。したがつて、誘電体１１の厚さd2は
d2＝εt（εs−εn）d1／2εn（εt−εs）であればよ
い
ことになる。
の被測定場９の静電容量ＣはＣ＝εsS／（d1＋
2d2）となる。複合光学素子１２が被測定場９の
電界に影響を与えないようにするためには、上記
CpとＣとを等しくすればよいので、εs（εtd1＋
2εnd2）＝εn・εt（d1＋2d2）の関係式を成立させね
ばならない。したがつて、誘電体１１の厚さd2は
d2＝εt（εs−εn）d1／2εn（εt−εs）であればよ
い
ことになる。
上記d2の値は上記CpとＣとを等しくする値で
あるが、Cpの値がＣの値にわずかでも近付けば
電界の歪みが改善されるものである。
あるが、Cpの値がＣの値にわずかでも近付けば
電界の歪みが改善されるものである。
なお、以上の実施例では、ポツケルス素子と誘
電体とを積層した複合光学素子を示したが、第４
図に示されるこの発明の別の他の実施例のように
誘電体１１の中にポツケルス素子１０を埋設すれ
ば、積層した場合の側端部の電界の歪みを防ぐこ
とができるので、より正確な電界の測定が可能と
なる。
電体とを積層した複合光学素子を示したが、第４
図に示されるこの発明の別の他の実施例のように
誘電体１１の中にポツケルス素子１０を埋設すれ
ば、積層した場合の側端部の電界の歪みを防ぐこ
とができるので、より正確な電界の測定が可能と
なる。
また、第５図に示される別の他の実施例のよう
に、光学素子１０と誘電体１１とが別体で、間に
媒体が満たされている場合でも、光学素子１０に
よる電界の歪みを減少できる。
に、光学素子１０と誘電体１１とが別体で、間に
媒体が満たされている場合でも、光学素子１０に
よる電界の歪みを減少できる。
以上述べたようにこの発明によれば、交流電界
測定装置において、光学素子との組み合せの誘電
率を被測定場内の媒体の誘電率に近付ける誘電体
を上記被測定場内に設けているので、光学素子に
よる上記被測定場内の電界の歪みを減少させてよ
り正確な交流電界の測定ができる効果がある。
測定装置において、光学素子との組み合せの誘電
率を被測定場内の媒体の誘電率に近付ける誘電体
を上記被測定場内に設けているので、光学素子に
よる上記被測定場内の電界の歪みを減少させてよ
り正確な交流電界の測定ができる効果がある。
第１図は、電界測定の従来例を示す略斜視図、
第２図はこの発明の一実施例を示す原理図、第３
図は、第２図に用いる光学素子の斜視図、第４図
は、この発明の他の実施例に用いる光学素子の斜
視図、第５図はこの発明の別の他の実施例を示す
斜視図である。 図において、９は被測定場、１０は光学素子、
１１は誘電体を示す。なお、図中、同一符号は同
一、または相当部分を示す。
第２図はこの発明の一実施例を示す原理図、第３
図は、第２図に用いる光学素子の斜視図、第４図
は、この発明の他の実施例に用いる光学素子の斜
視図、第５図はこの発明の別の他の実施例を示す
斜視図である。 図において、９は被測定場、１０は光学素子、
１１は誘電体を示す。なお、図中、同一符号は同
一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 被測定場媒体中（真空を含む）に設けられる
電気光学効果を有した光学素子によつて電界を測
定する交流電界測定装置において、上記光学素子
との組み合せの誘電率を上記媒体の誘電率に近付
ける誘電体を、上記被測定場内に設けたことを特
徴とする交流電界測定装置。 ２ 誘電体は光学素子を電界に直角な方向の両側
から挾むように一体的に設けられていることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の交流電界測
定装置。 ３ 光学素子は誘電体内部に埋設されていること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の交流電
界測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56211971A JPS58113764A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 交流電界測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56211971A JPS58113764A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 交流電界測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58113764A JPS58113764A (ja) | 1983-07-06 |
| JPH021268B2 true JPH021268B2 (ja) | 1990-01-10 |
Family
ID=16614738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56211971A Granted JPS58113764A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 交流電界測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58113764A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2656428B1 (fr) * | 1989-12-26 | 1992-03-27 | Commissariat Energie Atomique | Capteur de champ electrique a effet pockels. |
| FR2661003B2 (fr) * | 1989-12-26 | 1992-06-12 | Commissariat Energie Atomique | Capteur de champ electrique a effet pockels. |
-
1981
- 1981-12-26 JP JP56211971A patent/JPS58113764A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58113764A (ja) | 1983-07-06 |
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