JPH0240638B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0240638B2 JPH0240638B2 JP57036704A JP3670482A JPH0240638B2 JP H0240638 B2 JPH0240638 B2 JP H0240638B2 JP 57036704 A JP57036704 A JP 57036704A JP 3670482 A JP3670482 A JP 3670482A JP H0240638 B2 JPH0240638 B2 JP H0240638B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- dendritic
- susceptor body
- susceptor
- web
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
- Y10T117/1052—Seed pulling including a sectioned crucible [e.g., double crucible, baffle]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
- Y10T117/1068—Seed pulling including heating or cooling details [e.g., shield configuration]
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Inorganic Fibers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
発明の分野
この発明は溶融物から結晶性物体成長用装置、
さらに詳しくはシリコンの成長した樹枝状ウエブ
を提供するサセプター一るつぼ溶融装置に関す
る。
さらに詳しくはシリコンの成長した樹枝状ウエブ
を提供するサセプター一るつぼ溶融装置に関す
る。
先行技術
るつぼを備え誘導性加熱されるサセプター
（susceptor）を含む溶融装置でのシリコン樹枝状
ウエブの成長操作に際しては、コストの低減及び
結晶の品質改善の手段として溶融物の供給にかな
り注意が払われる。このような装置ではウエブ状
結晶が成長すると共に粒子又はペレツトがるつぼ
の一端から補給されるが、補給物の溶解が起こる
領域で吸収される熱によりウエブが引き上げられ
る領域との間に著しい熱的不均衡を生ずる。理想
的な熱的状態はペレツトが補給されるるつぼの領
域は高熱領域であつて、その領域がるつぼの残部
に影響を全く与えない熱的状態である。当業者に
既知の１つの試みはるつぼ内に隔壁を使用して樹
枝状ウエブが引き上げられる領域から相対的に高
温な溶融物補給領域を局限することである。加え
て種々のタイプの熱的修正が熱遮へい物を変える
ことによつて、又は誘導性加熱コイルを移動する
ことによつて行われたが、これらの改良の結果は
結晶特性に望ましくない溶融領域と成長領域とに
直線的な温度勾配を生ずる傾向にある。
（susceptor）を含む溶融装置でのシリコン樹枝状
ウエブの成長操作に際しては、コストの低減及び
結晶の品質改善の手段として溶融物の供給にかな
り注意が払われる。このような装置ではウエブ状
結晶が成長すると共に粒子又はペレツトがるつぼ
の一端から補給されるが、補給物の溶解が起こる
領域で吸収される熱によりウエブが引き上げられ
る領域との間に著しい熱的不均衡を生ずる。理想
的な熱的状態はペレツトが補給されるるつぼの領
域は高熱領域であつて、その領域がるつぼの残部
に影響を全く与えない熱的状態である。当業者に
既知の１つの試みはるつぼ内に隔壁を使用して樹
枝状ウエブが引き上げられる領域から相対的に高
温な溶融物補給領域を局限することである。加え
て種々のタイプの熱的修正が熱遮へい物を変える
ことによつて、又は誘導性加熱コイルを移動する
ことによつて行われたが、これらの改良の結果は
結晶特性に望ましくない溶融領域と成長領域とに
直線的な温度勾配を生ずる傾向にある。
発明の目的
従つて本発明の目的は先行技術の欠点を克服す
る観点からなされたもので樹枝状ウエブの成長に
用いる改良した溶融装置を提供するにある。
る観点からなされたもので樹枝状ウエブの成長に
用いる改良した溶融装置を提供するにある。
発明の開示
本発明は、加熱されたサセプター本体、該サセ
プター本体の中に置かれたるつぼ、該るつぼはウ
エブを成長させる物質の溶融物を含み且つ該るつ
ぼ内部をウエブ成長領域と溶融物補給領域に分離
するための分離手段を備えている樹枝状ウエブ成
長用溶融装置において、前記るつぼ分離手段の真
下に形成された溝をサセプター本体内に備えるこ
とを特徴とする樹枝状ウエブ成長用の溶融装置に
関する。
プター本体の中に置かれたるつぼ、該るつぼはウ
エブを成長させる物質の溶融物を含み且つ該るつ
ぼ内部をウエブ成長領域と溶融物補給領域に分離
するための分離手段を備えている樹枝状ウエブ成
長用溶融装置において、前記るつぼ分離手段の真
下に形成された溝をサセプター本体内に備えるこ
とを特徴とする樹枝状ウエブ成長用の溶融装置に
関する。
この発明の好適な実施態様によれば、所定の大
きさと形状をもつ実質的に垂直な溝を誘導加熱し
たサセプター本体に設け、このサセプターはシリ
コン樹枝状ウエブが引き上げられる溶融物を含む
るつぼを保持するために適し且つ誘導加熱された
サセプター本体に所定の形状と大きさとをもつ実
質的に垂直な溝を設ける。るつぼにはるつぼ内部
を相対的に高温の溶融物補給区分及びそれに隣接
するウエブ成長区分に区切る分離手段が備えられ
る。るつぼ内部の分離手段及びサセプターの溝は
溶融物補給区分と溶融物生成区分との熱伝導をさ
えぎるように実質的に同じ位置に設けられる。
きさと形状をもつ実質的に垂直な溝を誘導加熱し
たサセプター本体に設け、このサセプターはシリ
コン樹枝状ウエブが引き上げられる溶融物を含む
るつぼを保持するために適し且つ誘導加熱された
サセプター本体に所定の形状と大きさとをもつ実
質的に垂直な溝を設ける。るつぼにはるつぼ内部
を相対的に高温の溶融物補給区分及びそれに隣接
するウエブ成長区分に区切る分離手段が備えられ
る。るつぼ内部の分離手段及びサセプターの溝は
溶融物補給区分と溶融物生成区分との熱伝導をさ
えぎるように実質的に同じ位置に設けられる。
この発明は以下の実施態様の記載及び図面から
容易に明らかとなろう。
容易に明らかとなろう。
好適な実施態様の説明
以下に図面を参照して説明するが各図において
類似の番号は類似の部分を示し、第１図において
１０は半円形端部１２及び１４を備えた細長いサ
セプター本体を表わす。第２図に示されるサセプ
ター本体１０は外壁部分１８の外側に設けられた
多数の誘導加熱コイル１６を含む。この誘導加熱
コイル１６は内部領域を周知のように加熱するた
めにサセプター本体を取り囲む。誘導加熱コイル
は開示したサセプター加熱手段が使用されるが、
所望により抵抗加熱装置が利用できる。サセプタ
ー本体１０の上部表面２０の内部には第４図に示
される細長いくぼみ部分２２が設けられ、このく
ぼみ部分２２は同様な形状のるつぼ２４を収納す
る様に設計され、るつぼ２４は例えばシリコンな
どの結晶性物質の溶融物２６を収容し、このるつ
ぼ２４から樹枝状ウエブ２８が引き上げられる。
誘導加熱コイル１６によつて発生した熱を閉じ込
めるためにサセプター本体１０は側面断熱部材３
０と、端部断熱部材３２と、サセプターふた副集
成部材３６に組み込まれた上部断熱部材３４が備
えられる。
類似の番号は類似の部分を示し、第１図において
１０は半円形端部１２及び１４を備えた細長いサ
セプター本体を表わす。第２図に示されるサセプ
ター本体１０は外壁部分１８の外側に設けられた
多数の誘導加熱コイル１６を含む。この誘導加熱
コイル１６は内部領域を周知のように加熱するた
めにサセプター本体を取り囲む。誘導加熱コイル
は開示したサセプター加熱手段が使用されるが、
所望により抵抗加熱装置が利用できる。サセプタ
ー本体１０の上部表面２０の内部には第４図に示
される細長いくぼみ部分２２が設けられ、このく
ぼみ部分２２は同様な形状のるつぼ２４を収納す
る様に設計され、るつぼ２４は例えばシリコンな
どの結晶性物質の溶融物２６を収容し、このるつ
ぼ２４から樹枝状ウエブ２８が引き上げられる。
誘導加熱コイル１６によつて発生した熱を閉じ込
めるためにサセプター本体１０は側面断熱部材３
０と、端部断熱部材３２と、サセプターふた副集
成部材３６に組み込まれた上部断熱部材３４が備
えられる。
第１図では樹枝状ウエブ２８がサセプター本体
１０から引上げられるところが透視的に示されて
いるが、樹枝状ウエブ２８は円形開口部４０及び
４２を両端としサセプター本体中央部に位置する
横長開口部３８から引き上げられる。円形開口部
４２のすぐうしろに原料供給穴４４があり、この
穴を通して補給原料（図示せず）の粒子又はペレ
ツトが、例えば第３図のようにペレツト供給管４
８を接続したペレツトリザーバ４６から供給され
る。ペレツトリザーバ４６及びペレツト供給管４
８は自在外管成長室の囲み（図示せず）の一部を
含む支持構造物５０により支持されている。前述
のように原料供給装置を含む溶融装置における理
想的な熱状態は、るつぼのペレツト溶融域が相対
的に高温度に保たれ、るつぼの残部がベレツト溶
融域により全く影響を受けずに比較的均一温度を
有する状態である。当業者に既知な１つのアプロ
ーチは、第３図において原料供給穴４４に隣接し
るつぼ２４の幅全体に分離壁又は隔壁５２を設け
ることであり、それによりるつぼ内部がウエブ成
長区域５４及び溶融物補給区域５６に区画され
る。分離壁５２には分離壁開口部５８が設けら
れ、溶融物補給区域５６で溶融状態にまで加熱さ
れたシリコンペレツトはこの開口部５８からウエ
ブ成長区域５４に流れ込むことができる。分離壁
５２による隔壁でさえ第３図からわかるように、
溶融物２６がたとえば分離開口部５８からるつぼ
の向い合つた壁６０まで移動するので熱勾配が存
在するが、これはサセプター本体底部分１５の熱
伝導性に起因している。この好ましくない熱勾配
を克服するために、本発明では分離壁５２の場所
の真下でくぼみ部分２２のるつぼ支持表面６４に
一般に垂直の溝６２を付加した。この溝６２を設
けた効果は、断熱区域すなわち熱伝導の不連続区
域を設け、その結果るつぼ内のウエブ成長域と溶
融物補給域との温度に段階的変化を与えるにあ
る。
１０から引上げられるところが透視的に示されて
いるが、樹枝状ウエブ２８は円形開口部４０及び
４２を両端としサセプター本体中央部に位置する
横長開口部３８から引き上げられる。円形開口部
４２のすぐうしろに原料供給穴４４があり、この
穴を通して補給原料（図示せず）の粒子又はペレ
ツトが、例えば第３図のようにペレツト供給管４
８を接続したペレツトリザーバ４６から供給され
る。ペレツトリザーバ４６及びペレツト供給管４
８は自在外管成長室の囲み（図示せず）の一部を
含む支持構造物５０により支持されている。前述
のように原料供給装置を含む溶融装置における理
想的な熱状態は、るつぼのペレツト溶融域が相対
的に高温度に保たれ、るつぼの残部がベレツト溶
融域により全く影響を受けずに比較的均一温度を
有する状態である。当業者に既知な１つのアプロ
ーチは、第３図において原料供給穴４４に隣接し
るつぼ２４の幅全体に分離壁又は隔壁５２を設け
ることであり、それによりるつぼ内部がウエブ成
長区域５４及び溶融物補給区域５６に区画され
る。分離壁５２には分離壁開口部５８が設けら
れ、溶融物補給区域５６で溶融状態にまで加熱さ
れたシリコンペレツトはこの開口部５８からウエ
ブ成長区域５４に流れ込むことができる。分離壁
５２による隔壁でさえ第３図からわかるように、
溶融物２６がたとえば分離開口部５８からるつぼ
の向い合つた壁６０まで移動するので熱勾配が存
在するが、これはサセプター本体底部分１５の熱
伝導性に起因している。この好ましくない熱勾配
を克服するために、本発明では分離壁５２の場所
の真下でくぼみ部分２２のるつぼ支持表面６４に
一般に垂直の溝６２を付加した。この溝６２を設
けた効果は、断熱区域すなわち熱伝導の不連続区
域を設け、その結果るつぼ内のウエブ成長域と溶
融物補給域との温度に段階的変化を与えるにあ
る。
さて、第４図を参照すると、るつぼ支持表面６
４にある溝６２は好適にはサセプター本体１０の
外壁部分１８までは伸ばさず、そのため外壁部分
の誘導加熱電流はさえぎらず単に熱移動のうちの
熱伝導のみがさえぎられる。理想的な熱隔離は不
可能であるため、溝６２を横切る熱伝導の減少は
輻射により部分的に妨げられる。しかしながらこ
の輻射は設ける溝の特定なデザインによつて実質
的に無視することができる。第５図、第６図及び
第７図に例として異なつた３種の溝形状を開示し
た。第５図に示した溝６２の形状はくぼみ部分５
５の幅とほとんど等しい幅をもち相対的に浅い溝
形状を有する。これに対して第６図の溝６２′の
形状は断面が概して正方形でありサセプター本体
底部分１５近くまで伸びる形状だが、その幅はく
ぼみ部分２２の幅よりもかなり小さい。これに対
して第７図の溝６２″の形状はサセプター本体底
部分１５の底壁６６に設けられるが、くぼみ部分
２２とはつながつておらず、底壁６６とくぼみ部
分２２の間には間仕切部分６８がある。
４にある溝６２は好適にはサセプター本体１０の
外壁部分１８までは伸ばさず、そのため外壁部分
の誘導加熱電流はさえぎらず単に熱移動のうちの
熱伝導のみがさえぎられる。理想的な熱隔離は不
可能であるため、溝６２を横切る熱伝導の減少は
輻射により部分的に妨げられる。しかしながらこ
の輻射は設ける溝の特定なデザインによつて実質
的に無視することができる。第５図、第６図及び
第７図に例として異なつた３種の溝形状を開示し
た。第５図に示した溝６２の形状はくぼみ部分５
５の幅とほとんど等しい幅をもち相対的に浅い溝
形状を有する。これに対して第６図の溝６２′の
形状は断面が概して正方形でありサセプター本体
底部分１５近くまで伸びる形状だが、その幅はく
ぼみ部分２２の幅よりもかなり小さい。これに対
して第７図の溝６２″の形状はサセプター本体底
部分１５の底壁６６に設けられるが、くぼみ部分
２２とはつながつておらず、底壁６６とくぼみ部
分２２の間には間仕切部分６８がある。
このように溝の大きさと形状と所望の温度降下
量に依存している。しかしながら溝が幅広くしか
も深くなるに従つて、ウエブ成長区域５４で限定
された成長領域における温度勾配は均一で対称的
となる。
量に依存している。しかしながら溝が幅広くしか
も深くなるに従つて、ウエブ成長区域５４で限定
された成長領域における温度勾配は均一で対称的
となる。
以上のようにこの発明を好適な実施例に基づい
て説明したが、上述の詳細な記述は本発明の示例
のためのもので、これらに限定されるべきではな
く、従つて本発明の精神及び範囲内のすべての改
変をも含むものと理解されたい。
て説明したが、上述の詳細な記述は本発明の示例
のためのもので、これらに限定されるべきではな
く、従つて本発明の精神及び範囲内のすべての改
変をも含むものと理解されたい。
第１図は代表的なサセプター一るつぼ装置の斜
視図、第２図は第１図による装置の−線断面
図、第３図は本発明の好適な実施例による溶融装
置の概略断面図、第４図は第３図に概略を示した
サセプター本体の斜視図、第５図は第４図に示す
サセプター本体に溝の１種類を設けたサセプター
本体の−線断面図、第６図は第４図に示され
るサセプター本体に他の種類の溝を設けたサセプ
ター本体の−線断面図、第７図は第４図に示
されるサセプター本体にさらに他の種類の溝を設
けたサセプター本体の−線断面図である。図
中、 １０……サセプター本体、１２，１４……半円
形端部、１５……サセプター本体底部分、１６…
…誘導加熱コイル、１８……外壁部分、２０……
上部表面、２２……くぼみ部分、２４……るつ
ぼ、２６……溶融物、２８……樹枝状ウエブ、３
０……側面断熱部材、３２……端部断熱部材、３
４……上部断熱部材、３６……サセプターふた補
助部材、３８……横長開口部、４０，４２……円
形開口部、４４……原料供給穴、４６……ペレツ
トリザーバ、４８……ペレツト供給管、５０……
支持構造物、５２……隔壁、５４……ウエブ成長
区域、５６……溶融物補給区域、５８……分離壁
開口部、６０……向い合つた壁、６２，６２′，
６２″……溝、６４……るつぼ支持表面、６６…
…サセプター本体の底壁、６８……間仕切部分。
視図、第２図は第１図による装置の−線断面
図、第３図は本発明の好適な実施例による溶融装
置の概略断面図、第４図は第３図に概略を示した
サセプター本体の斜視図、第５図は第４図に示す
サセプター本体に溝の１種類を設けたサセプター
本体の−線断面図、第６図は第４図に示され
るサセプター本体に他の種類の溝を設けたサセプ
ター本体の−線断面図、第７図は第４図に示
されるサセプター本体にさらに他の種類の溝を設
けたサセプター本体の−線断面図である。図
中、 １０……サセプター本体、１２，１４……半円
形端部、１５……サセプター本体底部分、１６…
…誘導加熱コイル、１８……外壁部分、２０……
上部表面、２２……くぼみ部分、２４……るつ
ぼ、２６……溶融物、２８……樹枝状ウエブ、３
０……側面断熱部材、３２……端部断熱部材、３
４……上部断熱部材、３６……サセプターふた補
助部材、３８……横長開口部、４０，４２……円
形開口部、４４……原料供給穴、４６……ペレツ
トリザーバ、４８……ペレツト供給管、５０……
支持構造物、５２……隔壁、５４……ウエブ成長
区域、５６……溶融物補給区域、５８……分離壁
開口部、６０……向い合つた壁、６２，６２′，
６２″……溝、６４……るつぼ支持表面、６６…
…サセプター本体の底壁、６８……間仕切部分。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 加熱されたサセプター本体、該サセプター本
体の中に置かれたるつぼ、該るつぼはウエブを成
長させる物質の溶融物を含み且つ該るつぼ内部を
ウエブ成長領域と溶融物補給領域に分離するため
の分離手段を備えてなる樹枝状ウエブ成長用溶融
装置において、前記るつぼ分離手段の真下に形成
された溝をサセプター本体内に備えることを特徴
とする樹枝状ウエブ成長用の溶融装置。 ２ サセプター本体が、るつぼを支持するくぼみ
部分を有する熱伝導性底部分を有し、該くぼみ部
分がサセプター外壁部分及び該熱伝導性底部分に
より区切られる特許請求の範囲第１項記載の樹枝
状ウエブ成長用の溶融装置。 ３ るつぼ分離手段の真下に形成された溝の幅が
前記くぼみ部分の横幅より小さく、前記溝がサセ
プター本体の側壁部分まで伸びず、該サセプター
側壁部分で誘導性加熱電流路を中断させないこと
を特徴とする特許請求の範囲第２項記載の樹枝状
ウエブ成長用の溶融装置。 ４ るつぼ分離手段の真下に形成された溝が伝導
性底部分に実質的に垂直に伸びて相互に平行な側
面をもち、且つるつぼ内部の分離手段と実質的に
同じ寸法のサセプター本体の縦方向に伸びた幅を
有する特許請求の範囲第３項記載の樹枝状ウエブ
成長用の溶融装置。 ５ るつぼ分離手段の真下に形成された溝がくぼ
み部分に対して上側が開放している特許請求の範
囲第４項記載の樹枝状ウエブ成長用の溶融装置。 ６ るつぼ分離手段の真下に形成された溝がサセ
プター本体の熱伝導性底部の底壁に対して下側が
開放している特許請求の範囲第４項記載の樹枝状
ウエブ成長用の溶融装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/282,334 US4389377A (en) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | Apparatus for growing a dendritic web |
| US282334 | 1994-07-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS589896A JPS589896A (ja) | 1983-01-20 |
| JPH0240638B2 true JPH0240638B2 (ja) | 1990-09-12 |
Family
ID=23081034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57036704A Granted JPS589896A (ja) | 1981-07-10 | 1982-03-10 | 樹枝状ウエブ成長用の溶融装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4389377A (ja) |
| EP (1) | EP0069821B1 (ja) |
| JP (1) | JPS589896A (ja) |
| AU (1) | AU554202B2 (ja) |
| DE (1) | DE3272809D1 (ja) |
| ES (1) | ES510300A0 (ja) |
| IN (1) | IN161381B (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5942538A (ja) * | 1982-09-03 | 1984-03-09 | Kiyoshi Oguchi | 電離放射線感応ネガ型レジスト |
| IN161924B (ja) * | 1984-10-29 | 1988-02-27 | Westinghouse Electric Corp | |
| US4698120A (en) * | 1984-10-29 | 1987-10-06 | Westinghouse Electric Corp. | Barrier for quartz crucible for drawing silicon dendritic web and method of use |
| US4751059A (en) * | 1986-12-05 | 1988-06-14 | Westinghouse Electric Corp. | Apparatus for growing dendritic web crystals of constant width |
| US4828808A (en) * | 1987-09-02 | 1989-05-09 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Apparatus for silicon web growth of higher output and improved growth stability |
| DE3736339A1 (de) * | 1987-10-27 | 1989-05-11 | Siemens Ag | Anordnung zum kontinuierlichen aufschmelzen von siliziumgranulat fuer das bandziehverfahren |
| DE3840445C2 (de) * | 1987-12-03 | 1996-08-14 | Toshiba Ceramics Co | Vorrichtung und Verfahren zum Ziehen eines Einkristalls |
| JPH0633218B2 (ja) * | 1987-12-08 | 1994-05-02 | 日本鋼管株式会社 | シリコン単結晶の製造装置 |
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