JPS589896A - 樹枝状ウエブ成長用の溶融装置 - Google Patents
樹枝状ウエブ成長用の溶融装置Info
- Publication number
- JPS589896A JPS589896A JP57036704A JP3670482A JPS589896A JP S589896 A JPS589896 A JP S589896A JP 57036704 A JP57036704 A JP 57036704A JP 3670482 A JP3670482 A JP 3670482A JP S589896 A JPS589896 A JP S589896A
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- JP
- Japan
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- susceptor
- growth
- melting device
- dendritic
- groove
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
- Y10T117/1052—Seed pulling including a sectioned crucible [e.g., double crucible, baffle]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
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- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の分野
仁の発明は溶融物から結晶性物体成長用俟置、装置
先行技術
るり埋を備え誘導加熱されるサセプター（ＩｕｇＯｓｓ
ｐｔＯｒ ）を含む溶融装置でのシリコン樹枝状ウェブ
の成長操作に際しては、コストの低減及び結晶の品質改
善の手段として溶融物の供給にかなシ注意が払われる。
ｐｔＯｒ ）を含む溶融装置でのシリコン樹枝状ウェブ
の成長操作に際しては、コストの低減及び結晶の品質改
善の手段として溶融物の供給にかなシ注意が払われる。
このような装置ではウェブ状結晶が成長すると共に粒子
又はペレットがるつほの一端から補給されるが、補給物
の溶解が起こる領域で吸収される熱によりウェブが引き
上げられる領域との間に著しい熱的不゛均衡を生ずる。
又はペレットがるつほの一端から補給されるが、補給物
の溶解が起こる領域で吸収される熱によりウェブが引き
上げられる領域との間に著しい熱的不゛均衡を生ずる。
理想的な熱的状態はベレットが補給されるるつ埋の領域
は高熱領域であって、その領域がるりほの残１１に影響
を全く与えなか熱的状態である。歯業者に既知Ｑ７つの
試みはるつぼ内に隔壁を使用して樹枝状ウェブが引き上
げられる領域から相対的に高温な溶融物補給領域を局−
する仁とである。加えて種々のタイプの熱的修正が熱纏
へｉ物を変えることによって、又は誘導加熱コイルを移
動することによって行われたが、これらの改ｊＬの結果
紘結晶特性に望ましくない溶融領域と成長領域とに直線
的な温度勾配を生ずる傾向にある。
は高熱領域であって、その領域がるりほの残１１に影響
を全く与えなか熱的状態である。歯業者に既知Ｑ７つの
試みはるつぼ内に隔壁を使用して樹枝状ウェブが引き上
げられる領域から相対的に高温な溶融物補給領域を局−
する仁とである。加えて種々のタイプの熱的修正が熱纏
へｉ物を変えることによって、又は誘導加熱コイルを移
動することによって行われたが、これらの改ｊＬの結果
紘結晶特性に望ましくない溶融領域と成長領域とに直線
的な温度勾配を生ずる傾向にある。
発明の目的
従って本発明の目的は先行技術の欠点を克服する観点か
らなされたもので樹枝状ウェブの成長に用いる改良し九
溶融装置を提供するにある。
らなされたもので樹枝状ウェブの成長に用いる改良し九
溶融装置を提供するにある。
発明の開示
本発明性、るつぼを備えた加熱されたサセプタ一本体、
骸るり＃！紘ウェブを成長させる物質の溶融物を含み且
り腋ゐり埋内部をウェブ成長領域と溶融物補給領域に分
離するための手段を備えたるり埋を備え九樹枝状ウェブ
成長用溶融装置にお−て、るつは分離子１ｊＫ相対的に
近接し九、熱的不連続領域を生じさせる手段をサセプタ
一本体内に備え、それによって皺サセプタ一本体内の熱
移動が前記成長領域と補給領域との温度勾配の変化を非
線形に変化するように改変しえ、ことｔ４Ｉ黴とする樹
層状ウェブ成長用のＳＳａ値置装１ｍする。
骸るり＃！紘ウェブを成長させる物質の溶融物を含み且
り腋ゐり埋内部をウェブ成長領域と溶融物補給領域に分
離するための手段を備えたるり埋を備え九樹枝状ウェブ
成長用溶融装置にお−て、るつは分離子１ｊＫ相対的に
近接し九、熱的不連続領域を生じさせる手段をサセプタ
一本体内に備え、それによって皺サセプタ一本体内の熱
移動が前記成長領域と補給領域との温度勾配の変化を非
線形に変化するように改変しえ、ことｔ４Ｉ黴とする樹
層状ウェブ成長用のＳＳａ値置装１ｍする。
この発鳴の好適な実施態様によれば、所定の大きさと形
状をもり実質的に喬直な溝を誘導加熱したサセプタ一本
体に設け、このサセプターはシリーン樹牧状りエプが引
合上けられる溶融物を含むるつぼを保持する九めに適し
且り−導加熱されたサセプタ一本体に所定の形状と大龜
さとをもり実質的Ｋｆｉ直な溝を設ける。る２はＩＩｃ
紘るりは内部を相対的に高１０Ｓ＊物補給区分及びそｔ
ＬＫＩＩ接するクエプ成長区分に区切る分離手段が備え
られる。るつ埋内部の分離手段及びサセプターの溝線溶
融物補給区分と溶融物生成区分との熱伝導をさえぎるよ
うに実質的に同じ位置に設轢られる。
状をもり実質的に喬直な溝を誘導加熱したサセプタ一本
体に設け、このサセプターはシリーン樹牧状りエプが引
合上けられる溶融物を含むるつぼを保持する九めに適し
且り−導加熱されたサセプタ一本体に所定の形状と大龜
さとをもり実質的Ｋｆｉ直な溝を設ける。る２はＩＩｃ
紘るりは内部を相対的に高１０Ｓ＊物補給区分及びそｔ
ＬＫＩＩ接するクエプ成長区分に区切る分離手段が備え
られる。るつ埋内部の分離手段及びサセプターの溝線溶
融物補給区分と溶融物生成区分との熱伝導をさえぎるよ
うに実質的に同じ位置に設轢られる。
この発明は以下の実施態様の記載及び図面から容易に明
らかとなろう。
らかとなろう。
好適な実施態様の説明
以下”に図面を参照して説明するが各図において類似の
番号は類似の部分を示し、第１図においてｉｏは半円形
端部ｌコ及び／４１を備えた細長いサセプタ一本体を表
わす。第一図に示されるす竜ブタ一本体／Ｑは外壁部分
ｉｔの外側に設けられた多数の誘導加熱コイル１６を含
む。
番号は類似の部分を示し、第１図においてｉｏは半円形
端部ｌコ及び／４１を備えた細長いサセプタ一本体を表
わす。第一図に示されるす竜ブタ一本体／Ｑは外壁部分
ｉｔの外側に設けられた多数の誘導加熱コイル１６を含
む。
こＯＩＩ導加熱加熱コイル１４部領域を周知のように加
熱する丸めにサセプタ一本体を取り囲む。
熱する丸めにサセプタ一本体を取り囲む。
置場加熱コイルは開示したサセプター加熱手段が使用さ
れるが、所銀によ動抵抗加熱装置が利つ＃！１参を収納
する様に設計され、るつは−事社例えばシリコンなどの
結晶性物質の溶融物って発生し良熱を閉じ込める九めに
サセプタ一本体１０は側面断熱部材Ｊ０と、端部断熱部
材ＪＪと、サセプターふえ副集成部材ＪＡＫ組み込まれ
九上部断熱部材Ｊダが備えられる。
れるが、所銀によ動抵抗加熱装置が利つ＃！１参を収納
する様に設計され、るつは−事社例えばシリコンなどの
結晶性物質の溶融物って発生し良熱を閉じ込める九めに
サセプタ一本体１０は側面断熱部材Ｊ０と、端部断熱部
材ＪＪと、サセプターふえ副集成部材ＪＡＫ組み込まれ
九上部断熱部材Ｊダが備えられる。
第１図では樹枝状ウェブ−ｔがサセプタ一本体１０かも
、引上げられるところが透視的に示されているが、−枝
状ウエプコｌは円形開口部参〇及びダ一を両端としサセ
プタ一本体中央部に位置する横長開口部Ｊｆかも引き上
けられる。
、引上げられるところが透視的に示されているが、−枝
状ウエプコｌは円形開口部参〇及びダ一を両端としサセ
プタ一本体中央部に位置する横長開口部Ｊｆかも引き上
けられる。
円形開口部４ＩＪＯすぐうしろに原料供給穴４Ｉ亭があ
シ、この穴を通して補給原料（図示せず）の粒子又はペ
レットが、例えば第２図のようにベレット供給管４Ｉｇ
を接続し九ベレッ）ｌＪｆ−パ参６から供給される。ベ
レットリｆ−パ参６及びベレット供給管ｌＩｚは自在外
管成長室のｓみ（図示せず）の一部を含む支持構造物２
０によシ支持されている。前述のように原料補給装置を
含む溶融装置における理想的な熱状態は、るりばのペレ
ット溶融域が相対的に高温度に保九れ、るつぼの残部が
ペレット溶融域により全く影響を受けずに比較的均一温
度を有する状態である。当業者に既知な１つのアプロー
チは、第３図において原料供給大ダダに隣接しろつはコ
亭の幅全体に分離壁又は隔壁ｊコを設けることであり、
それによりるつぼ内部がウェブ成長区域ｊ亭及び溶融物
補給区域ｊ６に区−される。
シ、この穴を通して補給原料（図示せず）の粒子又はペ
レットが、例えば第２図のようにベレット供給管４Ｉｇ
を接続し九ベレッ）ｌＪｆ−パ参６から供給される。ベ
レットリｆ−パ参６及びベレット供給管ｌＩｚは自在外
管成長室のｓみ（図示せず）の一部を含む支持構造物２
０によシ支持されている。前述のように原料補給装置を
含む溶融装置における理想的な熱状態は、るりばのペレ
ット溶融域が相対的に高温度に保九れ、るつぼの残部が
ペレット溶融域により全く影響を受けずに比較的均一温
度を有する状態である。当業者に既知な１つのアプロー
チは、第３図において原料供給大ダダに隣接しろつはコ
亭の幅全体に分離壁又は隔壁ｊコを設けることであり、
それによりるつぼ内部がウェブ成長区域ｊ亭及び溶融物
補給区域ｊ６に区−される。
分離壁ｊ−には分離壁開口部Ｓｔが設けられ、溶融物補
給区域Ｓ６で溶融状態にまで加熱されたシリコンペレッ
ト鉱この開口部！ｌかもウェブ成長区域５ダに流れ込む
ことができる。分離１１ｊコによる隔離でさえ第２図か
られかるように、溶融物−６がたとえば分離壁開口部！
ｌからるつぼの向い合つ外壁４０まで移動するので熱勾
配が存在するが、これ轄サセプタ一本体底部分ｌ！の熱
伝導性に起因して−る。この好ましくない熱勾配を克服
するために、本発明では分離Ｉｉｉコの場所の真下でく
ほみ部分コ」のるつぼ支持構ｒｊ７Ｊ４４１に一般に垂
直の溝６−を付加した。この＃Ｉ６−を設けた効果は、
断熱区域すなわち熱伝導の不連続区域を設け、その結果
るつは内のウェブ成長域と溶融物補給域とのａ度に段階
的変化を与えるにある。
給区域Ｓ６で溶融状態にまで加熱されたシリコンペレッ
ト鉱この開口部！ｌかもウェブ成長区域５ダに流れ込む
ことができる。分離１１ｊコによる隔離でさえ第２図か
られかるように、溶融物−６がたとえば分離壁開口部！
ｌからるつぼの向い合つ外壁４０まで移動するので熱勾
配が存在するが、これ轄サセプタ一本体底部分ｌ！の熱
伝導性に起因して−る。この好ましくない熱勾配を克服
するために、本発明では分離Ｉｉｉコの場所の真下でく
ほみ部分コ」のるつぼ支持構ｒｊ７Ｊ４４１に一般に垂
直の溝６−を付加した。この＃Ｉ６−を設けた効果は、
断熱区域すなわち熱伝導の不連続区域を設け、その結果
るつは内のウェブ成長域と溶融物補給域とのａ度に段階
的変化を与えるにある。
さて、第ダ図を参照すると、るつぼ支持表面６参にある
ｙｙＨコは好適にはサセプタ一本体１００夷壁部分／ｌ
までは伸ばさず、その丸め外壁部分の−導加熱電流りさ
えぎられず単に熱移動のうちの熱伝導のみがさえぎられ
る。理想的な熱隔離は不可能であるため、ｙｌｐｈコを
横切る熱伝導の減少は輻射によシ部分的に妨げられる。
ｙｙＨコは好適にはサセプタ一本体１００夷壁部分／ｌ
までは伸ばさず、その丸め外壁部分の−導加熱電流りさ
えぎられず単に熱移動のうちの熱伝導のみがさえぎられ
る。理想的な熱隔離は不可能であるため、ｙｌｐｈコを
横切る熱伝導の減少は輻射によシ部分的に妨げられる。
しかしながらこの輻射は設ける溝の特定なデザインによ
って実質的に無視することができる。第３図、第６図及
び第７ｗＪＫ例として異なった３種の溝形状を開示した
。第３図に示した溝４２の形状はくほみ部分ココの幅と
ほとんど等しい幅をもち相対的に浅い溝形状を有する。
って実質的に無視することができる。第３図、第６図及
び第７ｗＪＫ例として異なった３種の溝形状を開示した
。第３図に示した溝４２の形状はくほみ部分ココの幅と
ほとんど等しい幅をもち相対的に浅い溝形状を有する。
これに対して第４図の溝６コ１の形状は断面が概して正
方形でありサセプタ一本体底部分／Ｓ近くまで伸びる形
状だが、その幅はくほみ部分−コの幅よりもかなり小さ
い。これに対して第７図の溝６コ“の形状はサセプタ一
本体底部分ｉｓの底壁６乙に設けられるが、くほみ部分
コニとはつながってはおらず、底壁６Ａとくぼみ部分−
一の間には間仕切部分６ｇがある。
方形でありサセプタ一本体底部分／Ｓ近くまで伸びる形
状だが、その幅はくほみ部分−コの幅よりもかなり小さ
い。これに対して第７図の溝６コ“の形状はサセプタ一
本体底部分ｉｓの底壁６乙に設けられるが、くほみ部分
コニとはつながってはおらず、底壁６Ａとくぼみ部分−
一の間には間仕切部分６ｇがある。
このように溝の大きさと形状と所望の温度降下量に依存
してる。しかしながら溝が幅広くしかも深くなるに従っ
て、ウェブ成長区域ｓｌＩで限定された成長領域におけ
る温度勾配は均一で対称的となる。
してる。しかしながら溝が幅広くしかも深くなるに従っ
て、ウェブ成長区域ｓｌＩで限定された成長領域におけ
る温度勾配は均一で対称的となる。
以上のように仁の発明を好適な爽施例に基づいて説明し
たが、上述の祥細な記述は本発明の示例のためのもので
、これらに限定されるべきではなく、従って不発明の精
神及び範囲内のすべての改変をも含むものと理解された
い。
たが、上述の祥細な記述は本発明の示例のためのもので
、これらに限定されるべきではなく、従って不発明の精
神及び範囲内のすべての改変をも含むものと理解された
い。
第７図は代表的なサセプタ椛つぼ装置の斜視図、第一図
はｉ＠／図による装置のｕ−ｎ線断融装置の概略断面図
、第４図は第３図に概略を示したサセプタ一本体の斜視
図、第５図は第ダ図に示すサセプタ一本体に溝の１種類
を設けたサセプタ一本体のＶ−Ｖ＠断面図、第６図は第
参図に示されるサセプタ一本体に他の種類の溝を設けた
サセプタ一本体のＶ−Ｖ線断面図、第７図は第ダ図に示
されるサセプタ一本体にさらに他の種類−の溝を設けた
サセプタ一本体のＶ−Ｖ線断面図である。図中、 ＩＯ・・サセプタ一本体、ｌコ、ｌダ・・半円形端部、
／ｋ・・サセプタ一本体底部分、／６・・誘導加熱コイ
ル、１ｇ・・外壁部分、−〇・・上部表面、−一・・く
ぼみ部分、コダ・・るつぼ、コロ・ ・溶融物１．２ｇ
・・樹枝状ウェブ、３θ・・側面断熱部材、３コ・・端
部断熱部材、３参・・上部断熱部材、Ｊ６・・サセプタ
ーふた補助部材、Ｊｔ・・横長開口部、Ｑｏ、４Ｌコ・
・円形開口部、ＩＩダ・・原料供給穴、亭６・・ペレッ
トリザーバＩｆ、ａｔ・・ぺ物補給区域、２ｇ・・分離
壁開口部、６０・・向い合った壁、６コ、 ４Ｊ’ 、
４２”・・溝、＆ダ・・るりは支持表面、６６・・サ
セプタ一本体の底壁、ｋｇ・・間仕切部分。 特許出願人代理人 曽 我 道 照第１
頁の続き ０発 明 者 ジエイムズ・ポール・マクヒュアメリカ
合衆国ペンシルベニア 州ピッツバーグ・フレイジーア ・ドライブ３０８
はｉ＠／図による装置のｕ−ｎ線断融装置の概略断面図
、第４図は第３図に概略を示したサセプタ一本体の斜視
図、第５図は第ダ図に示すサセプタ一本体に溝の１種類
を設けたサセプタ一本体のＶ−Ｖ＠断面図、第６図は第
参図に示されるサセプタ一本体に他の種類の溝を設けた
サセプタ一本体のＶ−Ｖ線断面図、第７図は第ダ図に示
されるサセプタ一本体にさらに他の種類−の溝を設けた
サセプタ一本体のＶ−Ｖ線断面図である。図中、 ＩＯ・・サセプタ一本体、ｌコ、ｌダ・・半円形端部、
／ｋ・・サセプタ一本体底部分、／６・・誘導加熱コイ
ル、１ｇ・・外壁部分、−〇・・上部表面、−一・・く
ぼみ部分、コダ・・るつぼ、コロ・ ・溶融物１．２ｇ
・・樹枝状ウェブ、３θ・・側面断熱部材、３コ・・端
部断熱部材、３参・・上部断熱部材、Ｊ６・・サセプタ
ーふた補助部材、Ｊｔ・・横長開口部、Ｑｏ、４Ｌコ・
・円形開口部、ＩＩダ・・原料供給穴、亭６・・ペレッ
トリザーバＩｆ、ａｔ・・ぺ物補給区域、２ｇ・・分離
壁開口部、６０・・向い合った壁、６コ、 ４Ｊ’ 、
４２”・・溝、＆ダ・・るりは支持表面、６６・・サ
セプタ一本体の底壁、ｋｇ・・間仕切部分。 特許出願人代理人 曽 我 道 照第１
頁の続き ０発 明 者 ジエイムズ・ポール・マクヒュアメリカ
合衆国ペンシルベニア 州ピッツバーグ・フレイジーア ・ドライブ３０８
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｌ るり埋を備え九加熱され九ナセプター率体、誼るつ
ぼはウェブを成長させる物質の溶融物を含み且つ錬るつ
ば内部をクエプ成長領域と溶融物補給領域に分離する丸
めの一手段を備えたるりほを備えた樹枝状ウーエプ成長
用溶融装置におｉて、るりは分離手段に相対的に近接し
圧熱的不連続領域を生じさせる手段をサセプター゛本体
内に備え゛、それによって蚊サセプタ一本体内の熱移動
が前記成長領域と補給領域との温度勾配の変化を非線形
に変化するように改変し九ことを特徴とするＩ！ｌ１ｆ
Ｌ状ウェブ成長用ＯＳ融装置。 ユ 温度勾配の変化が相対的に急激な変化であシ、かつ
熱的不連続領゛域がサセプタ一本体中で熱伝導性の不連
続領域からなる特許請求の範１８第１項記載の樹枝状ウ
ェブ成長用の溶融装置。 ユ サセプタ一本体が、るつほを支持するく埋み部分を
有する熱伝導性底部分を有し、皺〈はみ部分がサセプタ
ー外壁部分及び該熱伝導性底部分により区切られ、熱的
な不連続性がサセプタ一本体各部分の一部で選択的に形
成される特許請求の範囲第一項記載め樹枝状ウェブ成長
用の溶融装置。 棋 熱的な不連続な領域がサセプタ一本体の熱伝導性底
部分に形成される特許請求の範・−第３項記載の樹枝状
ウェブ成長用の溶融装置。 よ 熱的に不連続な領域が実質的にサセプターの熱伝導
仮性底部゛において該本体備壁部分に対して横方向に形
成される特許請求の範囲第□Ｊ項又は第参項記載の樹枝
状ウェブ成長用の□溶融装置。 感 熱的に不連続な領域が温度勾配に実質的に段階的変
化を生ずるようにサセプタ一本体の熱伝導性底部分に設
は丸溝からなる特許請求の範囲第３項、篇亭項又は第３
項記載の樹枝状ウェブ成長用の溶融装置。 ｌｆセブターの底部分に設は丸溝がるっは内部の分離手
段の実質的に真下に位置する特許請求の範囲第６項記載
の樹枝状ウェブ成長用の溶融装置。 ｔ 溝がサセプタ一本体の側壁部分まで伸びず咳サセプ
ター側壁部分で伝導性加熱電流路を中断させないように
、横幅がくばみ部分の幅よシ小さい溝である特許請求の
範囲第７項記載の樹枝状ウェブ成長用の溶融装置。 １ 霞が所望の熱的不連続に依存して選択され丸形状と
大きさの溝である特許請求の範囲第を項記載の樹枝状ウ
ェブ成長用の溶融装置。 ＩＱ 溝が伝導性底部分に実質的に−直に伸びて相互
に平行な側面をもち、且”つるつぼ内部の分離手段と実
質的に同じ寸法でサセプタ一本体の縦方向に伸びた幅を
有する特許請求の範囲第を項記載の樹枝状ウェブ成長用
の溶融装置。 ／ｌ 溝が＜ ｔｙみ部分に対して上側が開放してぃプ
成長用の溶融装置。 １１ 溝がサセプタ一本体の熱伝導性底部の底壁に対
して下側が開放している特許請求の範囲第１０項記載の
樹枝状ウェブ成長用の溶融装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/282,334 US4389377A (en) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | Apparatus for growing a dendritic web |
| US282334 | 1994-07-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS589896A true JPS589896A (ja) | 1983-01-20 |
| JPH0240638B2 JPH0240638B2 (ja) | 1990-09-12 |
Family
ID=23081034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57036704A Granted JPS589896A (ja) | 1981-07-10 | 1982-03-10 | 樹枝状ウエブ成長用の溶融装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4389377A (ja) |
| EP (1) | EP0069821B1 (ja) |
| JP (1) | JPS589896A (ja) |
| AU (1) | AU554202B2 (ja) |
| DE (1) | DE3272809D1 (ja) |
| ES (1) | ES510300A0 (ja) |
| IN (1) | IN161381B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4556619A (en) * | 1982-09-03 | 1985-12-03 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Negative-type acetalized polyvinyl alcohol resist sensitive to ionizing radiation |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4698120A (en) * | 1984-10-29 | 1987-10-06 | Westinghouse Electric Corp. | Barrier for quartz crucible for drawing silicon dendritic web and method of use |
| IN161924B (ja) * | 1984-10-29 | 1988-02-27 | Westinghouse Electric Corp | |
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