JPH0240738B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明はスパツタリング装置、特に酸化膜や窒
素膜等のスパツタ膜の膜厚をより均一にするよう
にしたスパツタリング装置に関する。

（従来の技術） 上記スパツタリング装置は、例えば減圧したガ
ス雰囲気でガスプラズマを作り、イオン化したガ
スを対向電極にあるターゲツトに当ててターゲツ
ト材料から原子をたたき出し、この原子を活性化
したガスに反応させてこれを基板等の試料に堆積
させるものである。

従来、この種の装置としては、第３図に示すよ
うなものが一般に知られていた。

即ち、チヤンバ１の内部には、スパツタリング
の際にスパツタリング装置の構成部品にスパツタ
膜が付着してしまうことを防止するためのリフレ
クタ２が収納されているとともに、このチヤンバ
１の側面の一ケ所にはガス入口３が接続されてい
た。そしてリフレクタ２の下部にスパツタリング
処理を施すための基板等の試料４を挿入し、ガス
入口３からリフレクタ２の内部にガスを導入して
この試料にスパツタ膜を成膜するスパツタリング
を行つたいた。

（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上記従来例の場合、リフレクタ
２の内部へのガスの導入がガス入口３の一ケ所で
行われていたため、この導入されたガスが第３図
に示すように、この入口３から流れ方向に除々に
広がるように流れ、リフレクタ２の内部のガス分
布を均一にすることが困難であり、このため、ス
パツタ膜の均一性を得ることができないばかりで
なく、リフレクタとガス導入孔を別に設置する必
要があり、部品点数の増加に繋がつてしまうとい
つた問題点があつた。

本発明は上記に鑑み、試料の周辺から均一にガ
スを導入することにより、スパツタ膜厚の均一性
の向上を図るとともに、部品点数の削減を行うこ
とができるものを提供することを目的としてなさ
れたものでる。

〔発明の構成〕

（問題点を解決するための手段） 本発明は上記目的を達成するため、チヤンバ内
に試料の周囲を覆うリフレクタを収納し、このリ
フレクタの内部にガスを導入するようにしたスパ
ツタリング装置において、上記リフレクタの上部
とチヤンバとの間にガス入口と連通するガス導入
通路を全周に亙つて形成し、このリフレクタの上
部に上記ガス導入通路とリフレクタ内部とを連通
する複数のガス導入孔を穿設し、リフレクタの下
方に配置した試料の周囲側方に全周に亙つて設け
た一旦上昇して下降する流出通路から真空ポンプ
を介してチヤンバ内を排気するようにしたもので
ある。

（作用） 而して、ガス入口からガス導入通路に導入した
ガスを、ガス導入通路とリフレクタ内部と連通す
る複数のガス導入孔からリフレクタ内部に噴出さ
せ、これによつてチヤンバ内に均一にガスを供給
するとと同時に試料の周囲側方から真空ポンプを
介してチヤンバ内を均等に排気し、チヤンバ内の
ガスを均一化して、スパツタ膜のより均一化を図
るとともに、このようにガス導入孔を構成するこ
とにより、別にガス導入孔を設ける必要をなくし
て、部品点数の削減を図つたものである。

（実施例） 第１図及び第２図は本発明の一実施例を示し、
チヤンバ１の内部には、スパツタリングの際にス
パツタリング装置の構成部品にスパツタ膜が付着
することを防止するためのリフレクタ２が収納さ
れているとともに、このチヤンバ１の側面の一ケ
所にはガス入口３が接続されている。

このレフレクタ２の上部２ａの周縁は内方に屈
曲して、この外周面と上記チヤンバ１の内周面に
は、この全周に亙つて連通したガス導入通路５が
上記ガス入口３に連通して形成され、更にこの上
部２ａにはガス導入通路５とレフレクタ２の内部
とを連通する複数のガス導入入孔６，６……が穿
設されている。

これにより、ガス入口３からガス導入通路５に
導入されたガスが、ガス導入入孔６，６……から
レフレクタ２の内部に同時に噴出して、より均一
にガスのレフレクタ２の内部への導入が行なえる
よう構成されている。

上記、リフレクタ２の下部には、スパツタ処理
を施すための基板等の試料４が載置され、この上
部はSi、Al及びTa等のターゲツト７で閉塞され
ているとともに、下端は真空ポンプ８に接続され
ている。

而して、真空ポンプ８を作動させてチヤンバ１
内を減圧するとともに、この内部にガス入口２、
ガス導入通路５及びガス導入孔６を通じてガスを
導入して減圧したガス雰囲気でガスプラズマを作
り、イオン化したガスを対向電極にあるターゲツ
ト７に当ててターゲツト材料から原子をたたき出
し、この原子を活性化したガスに反応されてこれ
を基板等の試料４に堆積させて、試料４の表面の
スパツタ膜の成膜を行うのである。

なお、上記ガス導入孔はスパツタリング装置ば
かりでなく、例えばエツチング装置におけるエツ
チングガス導入孔にも応用することができる。

〔発明の効果〕

本発明は上記のような構成であるので、複数の
ガス導入口からガスをリフレクタの内部に同時に
噴射させることによりリフレクタ内にガスを均一
に供給し、同時に試料の周囲側方から真空ポンプ
を介してチヤンバ内を均等に排気し、これによつ
てチヤンバ内のガスの分布をより均一化して、ス
パツタ膜の均一化を図るはかることができ、しか
もスパツタ粒子が外に出てしまうことを防止する
ことができる。

また、リフレクタとガス導入孔を一体として、
部品点数を削減することができるといつた効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明の一実施例を示し、
第１図は横断平面図（第２図の−線断面図）、
第２図は縦断正面図、第３図は従来例を示すター
ゲツトを取外した状態の平面図である。 １……チヤンバ、２……リフレクタ、３……ガ
ス入口、４……試料、５……ガス導入通路、６…
…ガス導入孔。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ チヤンバ内に試料の周囲を覆うリフレクタを
   収納し、このリフレクタの内部にガスを導入する
   ようにしたスパツタリング装置において、上記リ
   フレクタの上部とチヤンバとの間にガス入口と連
   通するガス導入通路を全周に亙つて形成し、この
   リフレクタの上部に上記ガス導入通路とリフレク
   タ内部とを連通する複数のガス導入孔を穿設し、
   リフレクタの下方に配置した試料の周囲側方に全
   周に亙つて設けた一旦上昇して下降する流出通路
   から真空ポンプを介してチヤンバ内を排気するよ
   うにしたことを特徴とするスパツタリング装置。