JPH024093B2 - - Google Patents
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- JPH024093B2 JPH024093B2 JP55142462A JP14246280A JPH024093B2 JP H024093 B2 JPH024093 B2 JP H024093B2 JP 55142462 A JP55142462 A JP 55142462A JP 14246280 A JP14246280 A JP 14246280A JP H024093 B2 JPH024093 B2 JP H024093B2
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- JP
- Japan
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- gas
- cathode
- temperature
- getter
- tube
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/38—Exhausting, degassing, filling, or cleaning vessels
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は陰極線管の製造方法に関し、特に陰極
線管のベーキング及びガス抜きに対し作業工程を
改善して特性の向上をはかることを目的とする。
線管のベーキング及びガス抜きに対し作業工程を
改善して特性の向上をはかることを目的とする。
陰極線管の製造に際しては、図に示すとおりパ
ネル１の内面にけい光面２を形成し、このパネル
１内面の所定の個所に導電性被膜５が被覆形成さ
れたフアンネル３とを封着して外囲器４を形成
し、この外囲器のネツク部７に少なくとも１個の
電子銃６を配設して、ガラスステム８に支持され
たマウント構体９をネツク部７内に気密に封止す
る。
ネル１の内面にけい光面２を形成し、このパネル
１内面の所定の個所に導電性被膜５が被覆形成さ
れたフアンネル３とを封着して外囲器４を形成
し、この外囲器のネツク部７に少なくとも１個の
電子銃６を配設して、ガラスステム８に支持され
たマウント構体９をネツク部７内に気密に封止す
る。
次に、ステムに連なるガラス排気細管１０を通
して真空排気装置によりかなり低い圧力になるま
で排気し、この排気中に約350℃〜450℃の温度で
ベーキングする。次いで排気細管を封止すなわち
チツプオフする。従来の製造方法では、前記排気
およびベーキング工程の終了近く、かつチツプオ
フするに先だつて、マウント構体を高周波加熱等
により加熱してガス抜きが行われる。一方陰極構
体も陰極ヒータに通電して加熱し、陰極の被覆材
料を分解してガス抜きが行われる。このように加
熱ガス抜きしたのちにチツプオフされ、管は真空
封止される。次に管内に配設されているゲツタ１
１をフラツシユさせて、管壁にゲツタ膜を被着形
成し、管内の高真空化をはかる。その後エージン
グなど所定の工程を経て製品としての陰極線管が
得られる。
して真空排気装置によりかなり低い圧力になるま
で排気し、この排気中に約350℃〜450℃の温度で
ベーキングする。次いで排気細管を封止すなわち
チツプオフする。従来の製造方法では、前記排気
およびベーキング工程の終了近く、かつチツプオ
フするに先だつて、マウント構体を高周波加熱等
により加熱してガス抜きが行われる。一方陰極構
体も陰極ヒータに通電して加熱し、陰極の被覆材
料を分解してガス抜きが行われる。このように加
熱ガス抜きしたのちにチツプオフされ、管は真空
封止される。次に管内に配設されているゲツタ１
１をフラツシユさせて、管壁にゲツタ膜を被着形
成し、管内の高真空化をはかる。その後エージン
グなど所定の工程を経て製品としての陰極線管が
得られる。
このようにして正常な動作特性をもつ陰極線管
が得られるが、動作特性を有効に安定化して長寿
命化をはかるため、前記各処理条件及びそれらの
組みあわせなどが検討されて改善がはかられてい
る。たとえば排気中のマウント構体を加熱するに
際し、その加熱温度、加熱時間、加熱個所など、
又陰極構体の加熱温度、加熱時間など、さらにそ
れら２つの処理のくみあわせなどの検討がされて
いる。さらに以後の工程の電子銃のエージング方
法などにも種々検討が行われ、管特性の向上がは
かられている。
が得られるが、動作特性を有効に安定化して長寿
命化をはかるため、前記各処理条件及びそれらの
組みあわせなどが検討されて改善がはかられてい
る。たとえば排気中のマウント構体を加熱するに
際し、その加熱温度、加熱時間、加熱個所など、
又陰極構体の加熱温度、加熱時間など、さらにそ
れら２つの処理のくみあわせなどの検討がされて
いる。さらに以後の工程の電子銃のエージング方
法などにも種々検討が行われ、管特性の向上がは
かられている。
しかしながらこれら各種の処理操作における排
気中および排気後の管内残留ガス、吸蔵ガスの処
理方法については未だ十分でなく、すなわちガス
抜きおよび放出ガスの再吸着については不充分で
あつて、改善の余地があつた。このことについて
さらに述べると、前記外囲器としてのバルブは
350゜〜450℃の温度に加熱してガス抜きされるが、
ベーキング炉の構造上一般に前記の温度に加熱さ
れるのはバルブの中央部であつて、フアンネルそ
してネツク部と開口部の方になるにしたがつて温
度が低下し、前記排気細管部では40゜〜50℃も低
く、チツプオフ部は加熱コイルのケースで覆われ
ているのでさらに温度が低下し、ガス抜きが不十
分となる。ところが排気後チツプオフされるとき
は、そのガラス溶融部近辺が約800℃に上昇し、
その際多量のガス放出がされたまま真空封止され
ることになる。またゲツタとゲツタ容器について
は、ゲツタフラツシユ時に1000℃をこえる高温に
達するので、外囲器と同じ程度の温度処理ではゲ
ツタとゲツタ容器からのガス放出は大量のものと
なる。このようにガス抜きについては未だ改善の
余地があつた。
気中および排気後の管内残留ガス、吸蔵ガスの処
理方法については未だ十分でなく、すなわちガス
抜きおよび放出ガスの再吸着については不充分で
あつて、改善の余地があつた。このことについて
さらに述べると、前記外囲器としてのバルブは
350゜〜450℃の温度に加熱してガス抜きされるが、
ベーキング炉の構造上一般に前記の温度に加熱さ
れるのはバルブの中央部であつて、フアンネルそ
してネツク部と開口部の方になるにしたがつて温
度が低下し、前記排気細管部では40゜〜50℃も低
く、チツプオフ部は加熱コイルのケースで覆われ
ているのでさらに温度が低下し、ガス抜きが不十
分となる。ところが排気後チツプオフされるとき
は、そのガラス溶融部近辺が約800℃に上昇し、
その際多量のガス放出がされたまま真空封止され
ることになる。またゲツタとゲツタ容器について
は、ゲツタフラツシユ時に1000℃をこえる高温に
達するので、外囲器と同じ程度の温度処理ではゲ
ツタとゲツタ容器からのガス放出は大量のものと
なる。このようにガス抜きについては未だ改善の
余地があつた。
又、放出ガスの再吸着防止が不十分な点につい
ては、ネツク部にマウント構体を封入するに先だ
つパネルとフアンネルの高温封着後のバルブ温度
低下になるバルブや導電性被膜のガス吸着および
ネツク部へ封入されたマウント構体へのガス吸着
がおこるが、これらについては安定化ガスN2ガ
スの置換によつて一応対処されている。しかし排
気サイクル終了近くで行なわれるマウント構体加
熱によるガス抜き時及び陰極構体加熱によるガス
抜き時には、排気細管部の温度は約200℃以下で
あり、又、陰極構体加熱時にはマウント構体の陰
極構体以外の部分はその大部分が約250℃以下で
あつて、このように温度の下がつた状態でガス抜
きを行つても、管内に放出されたガスが排気細管
やマウント構体等へ再吸着することは免れ得な
い。さらにチツプオフされるときには、そのチツ
プオフされる部分の排気中のガス抜きが十分でな
い上に大量のガスが再吸着した上で約800℃程度
の高温に加熱されてガス放出が行われることにな
り、この放出ガスが排気されないままにチツプオ
フされ、ほとんどの放出ガスが管内に封じ込めら
れることになる。
ては、ネツク部にマウント構体を封入するに先だ
つパネルとフアンネルの高温封着後のバルブ温度
低下になるバルブや導電性被膜のガス吸着および
ネツク部へ封入されたマウント構体へのガス吸着
がおこるが、これらについては安定化ガスN2ガ
スの置換によつて一応対処されている。しかし排
気サイクル終了近くで行なわれるマウント構体加
熱によるガス抜き時及び陰極構体加熱によるガス
抜き時には、排気細管部の温度は約200℃以下で
あり、又、陰極構体加熱時にはマウント構体の陰
極構体以外の部分はその大部分が約250℃以下で
あつて、このように温度の下がつた状態でガス抜
きを行つても、管内に放出されたガスが排気細管
やマウント構体等へ再吸着することは免れ得な
い。さらにチツプオフされるときには、そのチツ
プオフされる部分の排気中のガス抜きが十分でな
い上に大量のガスが再吸着した上で約800℃程度
の高温に加熱されてガス放出が行われることにな
り、この放出ガスが排気されないままにチツプオ
フされ、ほとんどの放出ガスが管内に封じ込めら
れることになる。
このように種々の個所からの放出ガスが管内に
残留することになるが、排気後外囲器の温度が低
下するにしたがつて、外囲器及びマウント構体は
低下した温度における飽和吸着量まで残留ガスを
吸着し、見掛け上管内浮遊ガスは少くなり管内は
良好な状態となる。しかしながらこのように外囲
器やマウント構体に吸蔵されたガスは陰極線管を
動作させると、マウント構体など温度上昇して、
徐々に吸着ガスを放出する。このように残留ガス
の処理が不十分であるので、ゲツタフラツシユさ
せた後もガス放出が行われ、ゲツタが十分に効果
を示さないのと同じ結果となる。それとともに、
このような放出ガスは活性化ガスであることが多
いので、熱分解後の陰極材料には非常に有害であ
る。たとえば酸化物陰極材料は熱分解後の動作時
には約700゜〜800℃の温度になるが、陰極温度が
約400℃以下の状態でもH2Oガスの10-3Torr程度
の雰囲気でガス被毒を受け、たとえば2H2O＋
BaO→Ba（OH）2が形成される。このBa（OH）2は
約80℃の低融点であるので、低温加熱で簡単に溶
融して結晶の粗大化を起こし、結局陰極材料の性
能を劣化させる。この現象は前記マウント構体加
熱時や陰極構体加熱時に10-3Torr〜数Torr程度
の雰囲気を形成する場合によく起こる。
残留することになるが、排気後外囲器の温度が低
下するにしたがつて、外囲器及びマウント構体は
低下した温度における飽和吸着量まで残留ガスを
吸着し、見掛け上管内浮遊ガスは少くなり管内は
良好な状態となる。しかしながらこのように外囲
器やマウント構体に吸蔵されたガスは陰極線管を
動作させると、マウント構体など温度上昇して、
徐々に吸着ガスを放出する。このように残留ガス
の処理が不十分であるので、ゲツタフラツシユさ
せた後もガス放出が行われ、ゲツタが十分に効果
を示さないのと同じ結果となる。それとともに、
このような放出ガスは活性化ガスであることが多
いので、熱分解後の陰極材料には非常に有害であ
る。たとえば酸化物陰極材料は熱分解後の動作時
には約700゜〜800℃の温度になるが、陰極温度が
約400℃以下の状態でもH2Oガスの10-3Torr程度
の雰囲気でガス被毒を受け、たとえば2H2O＋
BaO→Ba（OH）2が形成される。このBa（OH）2は
約80℃の低融点であるので、低温加熱で簡単に溶
融して結晶の粗大化を起こし、結局陰極材料の性
能を劣化させる。この現象は前記マウント構体加
熱時や陰極構体加熱時に10-3Torr〜数Torr程度
の雰囲気を形成する場合によく起こる。
本発明はこれらの点に鑑みなされたものであつ
て、陰極線管の製造にあたり、ベーキングならび
にガス抜き作業工程を改良して、管特性の向上を
はかる陰極線管の製造方法を提供することにあ
る。すなわち陰極構体の熱分解を行わずにチツプ
オフし、次いでゲツタフラツシユしたのちに陰極
構体の熱分解処理を行うことを特徴とするもので
ある。
て、陰極線管の製造にあたり、ベーキングならび
にガス抜き作業工程を改良して、管特性の向上を
はかる陰極線管の製造方法を提供することにあ
る。すなわち陰極構体の熱分解を行わずにチツプ
オフし、次いでゲツタフラツシユしたのちに陰極
構体の熱分解処理を行うことを特徴とするもので
ある。
以下本発明の実施例について説明する。パネル
とフアンネルとを封着したのち外囲器であるバル
ブの内壁所定の位置に導電性被膜を形成し、次い
でネツク部内にマウント構体を封入する。真空ポ
ンプにて排気し、その排気中にバルブを約380゜〜
450℃でベーキングし、ガス抜きを行う。次いで
封入されているマウント構体を高周波加熱して約
10分間ガス抜きを行つたのち、ステムの排気細管
部分を約800℃に加熱してチツプオフする。この
ように封止した後管内に配設されたゲツタをフラ
ツシユし、管内壁にゲツタ膜を形成する。次に陰
極ヒータを通電することにより陰極構体を加熱し
て熱分解処理を行う。このときマウント構体は
200℃以上に加熱しておけば一層効果があがる。
以後所定の工程を経て製品とする。
とフアンネルとを封着したのち外囲器であるバル
ブの内壁所定の位置に導電性被膜を形成し、次い
でネツク部内にマウント構体を封入する。真空ポ
ンプにて排気し、その排気中にバルブを約380゜〜
450℃でベーキングし、ガス抜きを行う。次いで
封入されているマウント構体を高周波加熱して約
10分間ガス抜きを行つたのち、ステムの排気細管
部分を約800℃に加熱してチツプオフする。この
ように封止した後管内に配設されたゲツタをフラ
ツシユし、管内壁にゲツタ膜を形成する。次に陰
極ヒータを通電することにより陰極構体を加熱し
て熱分解処理を行う。このときマウント構体は
200℃以上に加熱しておけば一層効果があがる。
以後所定の工程を経て製品とする。
このようにチツプオフ前に陰極構体の熱分解処
理を行わず、チツプオフ後のゲツタフラツシユ処
理により、チツプオフにより管内に封じこめられ
た残留放出ガスを吸着させて管内を良好な雰囲気
にしてのちに陰極構体の熱分解処理が行われる。
この時熱分解により陰極から放出されるガス及び
陰極構体に吸蔵されていたガスは放出されてゲツ
タフラツシユ膜に吸着される。したがつて、この
陰極線管を動作させると、陰極構体は昇温する
が、本発明では従来のものに比し吸蔵ガスが少
く、したがつて放出ガスが少く、ガス抜き、ガス
の再吸着が著しく改善され、管特性の向上に寄与
できる。
理を行わず、チツプオフ後のゲツタフラツシユ処
理により、チツプオフにより管内に封じこめられ
た残留放出ガスを吸着させて管内を良好な雰囲気
にしてのちに陰極構体の熱分解処理が行われる。
この時熱分解により陰極から放出されるガス及び
陰極構体に吸蔵されていたガスは放出されてゲツ
タフラツシユ膜に吸着される。したがつて、この
陰極線管を動作させると、陰極構体は昇温する
が、本発明では従来のものに比し吸蔵ガスが少
く、したがつて放出ガスが少く、ガス抜き、ガス
の再吸着が著しく改善され、管特性の向上に寄与
できる。
なお前記のような陰極構体の熱分解処理の後に
第２のゲツタフラツシユする工程を備えると一層
効果的である。このように第１、第２のゲツタフ
ラツシユ処理を行うときには、第１のゲツタ膜上
に第２のゲツタ膜が形成されることになるので管
内はきわめて良好な真空状態となり、陰極線管の
管特性を一層改善することになる。この場合各ゲ
ツタのフラツシユ容量は、第２ゲツタを使用する
場合には、第２ゲツタは陰極構体の熱分解処理時
の放出ガスのみを吸着する程度のものでよく、チ
ツプオフ工程後にゲツタフラツシユする第１ゲツ
タのフラツシユ容量の方を多くする方が好まし
い。なお陰極の熱分解時の放出ガスを吸着するた
めに配設されるゲツタは外囲器のネツク部のマウ
ント構体に近いパネル側の上部近傍に設けるのが
望ましい。このときマウント構体を200℃以上の
温度で加熱しながらゲツタフラツシユを行えばフ
ラツシユゲツタの特性上マウント構体表面上には
ゲツタ膜の形成はなく、必要なネツク部にゲツタ
膜を形成できる。また陰極構体を400℃以上の温
度で加熱しながらゲツタフラツシユすれば前記と
同じような効果を示す。さらにマウント構体と陰
極構体の両方を加熱しながらゲツタフラツシユさ
せてもよい。このようにして放出ガスのマウント
構体への再吸着を防止することができる。
第２のゲツタフラツシユする工程を備えると一層
効果的である。このように第１、第２のゲツタフ
ラツシユ処理を行うときには、第１のゲツタ膜上
に第２のゲツタ膜が形成されることになるので管
内はきわめて良好な真空状態となり、陰極線管の
管特性を一層改善することになる。この場合各ゲ
ツタのフラツシユ容量は、第２ゲツタを使用する
場合には、第２ゲツタは陰極構体の熱分解処理時
の放出ガスのみを吸着する程度のものでよく、チ
ツプオフ工程後にゲツタフラツシユする第１ゲツ
タのフラツシユ容量の方を多くする方が好まし
い。なお陰極の熱分解時の放出ガスを吸着するた
めに配設されるゲツタは外囲器のネツク部のマウ
ント構体に近いパネル側の上部近傍に設けるのが
望ましい。このときマウント構体を200℃以上の
温度で加熱しながらゲツタフラツシユを行えばフ
ラツシユゲツタの特性上マウント構体表面上には
ゲツタ膜の形成はなく、必要なネツク部にゲツタ
膜を形成できる。また陰極構体を400℃以上の温
度で加熱しながらゲツタフラツシユすれば前記と
同じような効果を示す。さらにマウント構体と陰
極構体の両方を加熱しながらゲツタフラツシユさ
せてもよい。このようにして放出ガスのマウント
構体への再吸着を防止することができる。
図は陰極線管の一部切欠いて示す正面図であ
る。 １……パネル、２……けい光面、３……フアン
ネル、５……導電性被膜、７……フアンネルのネ
ツク部、９……マウント構体、１０……排気細
管、１１……ゲツタ。
る。 １……パネル、２……けい光面、３……フアン
ネル、５……導電性被膜、７……フアンネルのネ
ツク部、９……マウント構体、１０……排気細
管、１１……ゲツタ。
１ 三個以上の電極を互に対向させて、二個以上
の電極間隙部によつてインライン型主電子レンズ
を形成する多段集束電子レンズの受像画面側に位
置する最終段の対向二電極の開口径Ｄのみを開孔
相互距離Ｓに対してＤ／Ｓ≧0.88となるように大
口径化し、これ以外の対向面電極開口はＤ／Ｓ≦
0.84と小口径にしたことを特徴とするカラー受像
管用電子銃構体。
の電極間隙部によつてインライン型主電子レンズ
を形成する多段集束電子レンズの受像画面側に位
置する最終段の対向二電極の開口径Ｄのみを開孔
相互距離Ｓに対してＤ／Ｓ≧0.88となるように大
口径化し、これ以外の対向面電極開口はＤ／Ｓ≦
0.84と小口径にしたことを特徴とするカラー受像
管用電子銃構体。
Claims (1)
- 200℃以上または陰極構体を400℃以上または両方
を加熱しながらゲツタフラツシユすることを特徴
とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の
陰極線管の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55142462A JPS5767260A (en) | 1980-10-14 | 1980-10-14 | Production of cathode-ray tube |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55142462A JPS5767260A (en) | 1980-10-14 | 1980-10-14 | Production of cathode-ray tube |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5767260A JPS5767260A (en) | 1982-04-23 |
| JPH024093B2 true JPH024093B2 (ja) | 1990-01-26 |
Family
ID=15315872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55142462A Granted JPS5767260A (en) | 1980-10-14 | 1980-10-14 | Production of cathode-ray tube |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5767260A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0484889U (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-23 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63301447A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-08 | Nec Kansai Ltd | 電子管の製造方法 |
| JP2001035367A (ja) | 1999-07-21 | 2001-02-09 | Mitsubishi Electric Corp | 陰極線管製造方法および陰極線管製造装置 |
-
1980
- 1980-10-14 JP JP55142462A patent/JPS5767260A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0484889U (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-23 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5767260A (en) | 1982-04-23 |
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