JPH0240957A - 量子効果半導体装置 - Google Patents
量子効果半導体装置Info
- Publication number
- JPH0240957A JPH0240957A JP63190546A JP19054688A JPH0240957A JP H0240957 A JPH0240957 A JP H0240957A JP 63190546 A JP63190546 A JP 63190546A JP 19054688 A JP19054688 A JP 19054688A JP H0240957 A JPH0240957 A JP H0240957A
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- JP
- Japan
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- layer
- emitter
- barrier layer
- barrier
- resonance
- Prior art date
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- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
共鳴トンネリング・ホット・エレクトロン・トランジス
タや共鳴トンネリング・バイポーラ・トランジスタなど
の量子効果半導体装置の改良に関し、 共鳴トンネリング・バリヤ層に極めて簡単な改変を施す
ことに依り、電圧■１対電流！えの関係が指数関数的に
変化して急激に立ち上がるように、従って、コンダクタ
ンスｇ。が大きくなるようにし、寄生容量を充電する時
間の短縮、即ち、高速動作性能を向上することを目的と
し、 バリヤ高が隣接する半導体層に向かって漸減するように
組成が選択されたバリヤ層及び該バリヤ層で挟まれた井
戸層からなる量子井戸で構成された共鳴トンネリング・
バリヤ層を備えてなるよう構成する。
タや共鳴トンネリング・バイポーラ・トランジスタなど
の量子効果半導体装置の改良に関し、 共鳴トンネリング・バリヤ層に極めて簡単な改変を施す
ことに依り、電圧■１対電流！えの関係が指数関数的に
変化して急激に立ち上がるように、従って、コンダクタ
ンスｇ。が大きくなるようにし、寄生容量を充電する時
間の短縮、即ち、高速動作性能を向上することを目的と
し、 バリヤ高が隣接する半導体層に向かって漸減するように
組成が選択されたバリヤ層及び該バリヤ層で挟まれた井
戸層からなる量子井戸で構成された共鳴トンネリング・
バリヤ層を備えてなるよう構成する。
本発明は、共鳴トンネリング・ホット・エレクトロン・
トランジスタ（ｒｅｓｏｎａｎｔ−ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ
ｈｏｔ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓ ｉｓ
ｔｏｒ ：ＲＨＥＴ）や共鳴トンネリング・バイポー
ラ・トランジスタ（ｒｅｓｏｎａｎｔ−ｔｕｎｎｅｌｉ
ｎｇ ｂｉｐｏｌａｒ ｔｒａｎｓ ｉｓ ｔｏｒ
：ＲＢＴ）などの量子効果半導体装置の改良に関する
。
トランジスタ（ｒｅｓｏｎａｎｔ−ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ
ｈｏｔ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓ ｉｓ
ｔｏｒ ：ＲＨＥＴ）や共鳴トンネリング・バイポー
ラ・トランジスタ（ｒｅｓｏｎａｎｔ−ｔｕｎｎｅｌｉ
ｎｇ ｂｉｐｏｌａｒ ｔｒａｎｓ ｉｓ ｔｏｒ
：ＲＢＴ）などの量子効果半導体装置の改良に関する
。
この種の半導体装置は、化合物半導体を用いて構成され
、ホット・エレクトロンの輸送現象を利用している為、
電子がトランジスタ中を通過する時間が極めて短いので
高速動作が可能であり、また、コレクタ電流に微分負性
コンダクタンス現象が現れることから、通常のトランジ
スタに存在しない新しい機能を有するなど、将来を期待
されている。
、ホット・エレクトロンの輸送現象を利用している為、
電子がトランジスタ中を通過する時間が極めて短いので
高速動作が可能であり、また、コレクタ電流に微分負性
コンダクタンス現象が現れることから、通常のトランジ
スタに存在しない新しい機能を有するなど、将来を期待
されている。
然しなから、斯かる半導体装置に於いても、矢張り、寄
生容量の充電時間が高速化を妨げるネックになっている
。
生容量の充電時間が高速化を妨げるネックになっている
。
第５図は従来のＲＨＥＴを説明する為の要部切断側面図
を表している。
を表している。
図に於いて、１はＧａＡｓ基板、２はｎ型ＧａＡｓコレ
クタ・コンタクト層、３はｉ ％ ｎ型ＡｌＧａＡｓコ
レクタ・バリヤ層、４はｎ型ＧａＡｓベース層、５は量
子井戸からなるエミッタ側の共鳴トン不リング・バリヤ
（ｒｅｓｏｎａｎｔ−ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ ｂａｒｒ
ｉｅｒ：ＲＴＢ）層、５□並びに５．ｌｚは量子井戸に
於けるｉ型ＡｌＧａＡｓバリヤ層、５，４は量子井戸に
於けるｉ型ＧａＡｓ井戸層、６はｎ型ＧａＡｓエミツタ
層、７はＡ ｕ Ｇ ｅ ／ Ａ ｕからなるエミッタ
電極、８はＡｕＧ ｅ ／ Ａ ｕからなるベース電極
、９はＡｕＧｅ／Ａｕからなるコレクタ電極をそれぞれ
示している。
クタ・コンタクト層、３はｉ ％ ｎ型ＡｌＧａＡｓコ
レクタ・バリヤ層、４はｎ型ＧａＡｓベース層、５は量
子井戸からなるエミッタ側の共鳴トン不リング・バリヤ
（ｒｅｓｏｎａｎｔ−ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ ｂａｒｒ
ｉｅｒ：ＲＴＢ）層、５□並びに５．ｌｚは量子井戸に
於けるｉ型ＡｌＧａＡｓバリヤ層、５，４は量子井戸に
於けるｉ型ＧａＡｓ井戸層、６はｎ型ＧａＡｓエミツタ
層、７はＡ ｕ Ｇ ｅ ／ Ａ ｕからなるエミッタ
電極、８はＡｕＧ ｅ ／ Ａ ｕからなるベース電極
、９はＡｕＧｅ／Ａｕからなるコレクタ電極をそれぞれ
示している。
この従来例に於いて、量子井戸の構成要素であるｉ型Ａ
ｌＧａＡｓバリヤ層５ Ｉｌｌ及び５Ｉ１２は、実際に
は、ＡｆｆＸＧａ、−ＸＡｓで構成され、そのＸ値は０
６３であり、また、各半導体層の厚さはコレクタ・コン
タクト層２：２０００（人〕コレクタ・ハ゛リヤ層３：
２０００ （人〕ベース層４：５００（人〕 エミッタ層６：２０００（人〕 である。
ｌＧａＡｓバリヤ層５ Ｉｌｌ及び５Ｉ１２は、実際に
は、ＡｆｆＸＧａ、−ＸＡｓで構成され、そのＸ値は０
６３であり、また、各半導体層の厚さはコレクタ・コン
タクト層２：２０００（人〕コレクタ・ハ゛リヤ層３：
２０００ （人〕ベース層４：５００（人〕 エミッタ層６：２０００（人〕 である。
第６図は第５図に見られるＲＨＥＴに関するエネルギ・
バンド・ダイヤグラムを表し、第５図に於いて用いた記
号と同記号は同部分を示すか或いは同じ意味を持つもの
とする。
バンド・ダイヤグラムを表し、第５図に於いて用いた記
号と同記号は同部分を示すか或いは同じ意味を持つもの
とする。
図に於いて、Ｅ、は伝導帯の底、Ｌｌｌは共鳴単位をそ
れぞれ示している。
れぞれ示している。
このＲＨＥＴに於いては、エミツタ層６に於ける伝導帯
の底ＥｅＥ及び量子井戸に於ける共鳴準位ＬＭが一致し
た際、共鳴トンネリング効果に依って電子がエミツタ層
６からベース層４に注入され、その電子は、ベース層４
に於いて、電子がもつポテンシャル・エネルギが運動エ
ネルギに変換されることから、そこを高速で走り抜けて
コレクタ・バリヤ層３の上方を通ってコレクタ・コンタ
クト層２に到達する。
の底ＥｅＥ及び量子井戸に於ける共鳴準位ＬＭが一致し
た際、共鳴トンネリング効果に依って電子がエミツタ層
６からベース層４に注入され、その電子は、ベース層４
に於いて、電子がもつポテンシャル・エネルギが運動エ
ネルギに変換されることから、そこを高速で走り抜けて
コレクタ・バリヤ層３の上方を通ってコレクタ・コンタ
クト層２に到達する。
前記説明したＲＨＥＴに於いては、第６図に見られるよ
うに、Ｒ７８層５に於けるバリヤ層５＠１及び５Ｂ□は
矩形をなしている。従って、高い電圧が印加されてバリ
ヤ層５１１１及び５．□が薄くなるにつれてエミッタ電
流のコンダクタンスｇ、は増大する。
うに、Ｒ７８層５に於けるバリヤ層５＠１及び５Ｂ□は
矩形をなしている。従って、高い電圧が印加されてバリ
ヤ層５１１１及び５．□が薄くなるにつれてエミッタ電
流のコンダクタンスｇ、は増大する。
然しながら、このＲＨＥＴに於いては、電圧の変化に対
する電流の変化が直線的である為、コンダクタンスの増
加はそれほど期待できない。
する電流の変化が直線的である為、コンダクタンスの増
加はそれほど期待できない。
第７図はＲＨＥＴの特性を説明する為の線図であり、横
軸にベース・エミッタ間電圧■、を、また、縦軸にエミ
ッタ電流ＩＥをそれぞれ採っである。
軸にベース・エミッタ間電圧■、を、また、縦軸にエミ
ッタ電流ＩＥをそれぞれ採っである。
図から判るように、電圧ｖ！Ｅに対して電流Ｉ０は直線
的に変化しているので、電圧ＶＩＥの微小変化分ΔＶｂ
、に対する電流ｒＥの微小変換分ΔｒＥ、即ち、コンダ
クタンスｇ、は余り大きくはならない。従って、Ｒ７８
層５並びにコレクタ・バリヤ層３に寄生する容量を充電
する時間の短縮はそれほど期待できない。
的に変化しているので、電圧ＶＩＥの微小変化分ΔＶｂ
、に対する電流ｒＥの微小変換分ΔｒＥ、即ち、コンダ
クタンスｇ、は余り大きくはならない。従って、Ｒ７８
層５並びにコレクタ・バリヤ層３に寄生する容量を充電
する時間の短縮はそれほど期待できない。
本発明は、ＲＴＢ層に極めて筒車な改変を施すことに依
り、電圧Ｖ、対電流Ｉ、の関係が指数関数的に変化して
急激に立ち上がるように、従って、コンダクタンスｇ６
が大きくなるようにし、寄生容量を充電する時間の短縮
、即ち、高速動作性能を向上しようとする。
り、電圧Ｖ、対電流Ｉ、の関係が指数関数的に変化して
急激に立ち上がるように、従って、コンダクタンスｇ６
が大きくなるようにし、寄生容量を充電する時間の短縮
、即ち、高速動作性能を向上しようとする。
本発明に依る量子効果半導体装置に於いては、バリヤ高
が隣接する半導体層に向かって漸減するように組成が選
択されたバリヤ層及び該バリヤ層で挟まれた井戸層から
なる量子井戸で構成された共鳴トンネリング・バリヤ層
を備えている。
が隣接する半導体層に向かって漸減するように組成が選
択されたバリヤ層及び該バリヤ層で挟まれた井戸層から
なる量子井戸で構成された共鳴トンネリング・バリヤ層
を備えている。
前記手段を採ることに依り、共鳴単位の箇所でバリヤ層
の厚さが従来のものと同じ程度であっても、動作状態に
した場合には、半導体装置に流れる電流は指数関数的に
増加する為、コンダクタンスは大きく、従って、寄生容
量に対する充電時間は短縮され、高速性能は向上する。
の厚さが従来のものと同じ程度であっても、動作状態に
した場合には、半導体装置に流れる電流は指数関数的に
増加する為、コンダクタンスは大きく、従って、寄生容
量に対する充電時間は短縮され、高速性能は向上する。
第１図は本発明一実施例の要部切断側面図であり、第５
図乃至第７図に於いて用いた記号と同記号は同部分を表
すか或いは同じ意味を持つものとする。
図乃至第７図に於いて用いた記号と同記号は同部分を表
すか或いは同じ意味を持つものとする。
図に於いて、１０は量子井戸で構成されたエミッタ側の
共鳴トンネリング・バリヤ（ＲＴＢ）ｉ、１０ｓｔはＡ
ｆｆ、Ｇａ＋−ｘ （ｘ＝０−０．３） バリヤ層、
１０［ｌｚはＡ１．ｅＧａ、−、Ａｓ （ｘ＝０．３
→０）バリヤ層、１１はＣｒ／Ａｕからなるエミッタ電
極、１２はＣｒ ／ Ａ ｕからなるベース電極、１３
はＣｒ ／ Ａ ｕからなるコレクタ電極をそれぞれ示
している。尚、Ｃｒ／Ａｕからなるエミッタ電極１１等
はノン・アロイでオーミック・コンタクトを採っである
。
共鳴トンネリング・バリヤ（ＲＴＢ）ｉ、１０ｓｔはＡ
ｆｆ、Ｇａ＋−ｘ （ｘ＝０−０．３） バリヤ層、
１０［ｌｚはＡ１．ｅＧａ、−、Ａｓ （ｘ＝０．３
→０）バリヤ層、１１はＣｒ／Ａｕからなるエミッタ電
極、１２はＣｒ ／ Ａ ｕからなるベース電極、１３
はＣｒ ／ Ａ ｕからなるコレクタ電極をそれぞれ示
している。尚、Ｃｒ／Ａｕからなるエミッタ電極１１等
はノン・アロイでオーミック・コンタクトを採っである
。
ここで、各半導体層の厚さを例示すると、コレクタ・コ
ンタクト層２：３０００ （人〕コレクタ・バリヤ層
３：２０００ （人〕ヘース層４：５００ （人〕 Ｒ７８層１０：６０〜７０ 〔人〕 バリヤ層１０□：２０ 〔人〕 バリヤ層１０．□：２０ 〔人〕 井戸層１０Ｗ：２０〜３０ 〔人〕 エミッタ層６：２０００（人〕 である。
ンタクト層２：３０００ （人〕コレクタ・バリヤ層
３：２０００ （人〕ヘース層４：５００ （人〕 Ｒ７８層１０：６０〜７０ 〔人〕 バリヤ層１０□：２０ 〔人〕 バリヤ層１０．□：２０ 〔人〕 井戸層１０Ｗ：２０〜３０ 〔人〕 エミッタ層６：２０００（人〕 である。
本実施例が第５図乃至第７図について説明した従来例と
相違する点は、エミッタ側に於けるＲ７８層１０のバリ
ヤ層１０□及び１０１１２に含まれるＡＪのモル比がエ
ミツタ層６に向けて、或いは、ベース層４に向けて漸減
するように、即ち、Ｘ値が０．３−０となるようにした
ことである。
相違する点は、エミッタ側に於けるＲ７８層１０のバリ
ヤ層１０□及び１０１１２に含まれるＡＪのモル比がエ
ミツタ層６に向けて、或いは、ベース層４に向けて漸減
するように、即ち、Ｘ値が０．３−０となるようにした
ことである。
第２図は第１図に見られるＲＨＥＴに関するエネルギ・
バンド・ダイヤグラムを表し、第１図に於いて用いた記
号と同記号は同部分を示すか或いは同じ意味を持つもの
とする。
バンド・ダイヤグラムを表し、第１図に於いて用いた記
号と同記号は同部分を示すか或いは同じ意味を持つもの
とする。
図に於いて、Ｅ、は伝導帯の底であるが、ここではｒ谷
に於けるそれであることは云うまでもない。
に於けるそれであることは云うまでもない。
このＲＨＥＴに於いて、共鳴トンネリングが起こって、
エミツタ層６からベース層４に電子が注入され、高速で
走行してコレクタ層２に到達する現象は前記従来のＲＨ
ＥＴについて説明したところと全く同じである。
エミツタ層６からベース層４に電子が注入され、高速で
走行してコレクタ層２に到達する現象は前記従来のＲＨ
ＥＴについて説明したところと全く同じである。
然しなから、Ｒ７８層１０のバリヤ層１０ｇ＋及び１０
，２はバリヤが高くなるにつれて薄くなっていることか
ら、エミッタ電流ＩＥはエミッタ・ベース間電圧ｖ０に
対して指数関数的に増加するものである。
，２はバリヤが高くなるにつれて薄くなっていることか
ら、エミッタ電流ＩＥはエミッタ・ベース間電圧ｖ０に
対して指数関数的に増加するものである。
第３図は第１図に見られるＲＨＥＴに電圧を印加して動
作させた場合に関するエネルギ・バンド・ダイヤグラム
を表し、第１図及び第２図に於いて用いた記号と同記号
は同部分を示すか或いは同じ意味を持つものとする。
作させた場合に関するエネルギ・バンド・ダイヤグラム
を表し、第１図及び第２図に於いて用いた記号と同記号
は同部分を示すか或いは同じ意味を持つものとする。
図に於いて、１４は電圧を印加したことに依って生成さ
れた電子の蓄積層、１５は同じく電圧を印加したことに
依って生成された空乏層をそれぞれ示している。
れた電子の蓄積層、１５は同じく電圧を印加したことに
依って生成された空乏層をそれぞれ示している。
図では、電圧が印加されてエミツタ層６に於ける伝導帯
の底Ｅｃ！とＲＴＢ層１ｏに於ける共鳴単位ＬＲとが略
一致したことで共鳴トンネリングが起き、電子がエミツ
タ層６からベース層４に注入されることを示している。
の底Ｅｃ！とＲＴＢ層１ｏに於ける共鳴単位ＬＲとが略
一致したことで共鳴トンネリングが起き、電子がエミツ
タ層６からベース層４に注入されることを示している。
この場合、電子はバリヤ層１ｏ１１．及び１ｏ、２の薄
い箇所を共鳴トンネリングすることになり、そのトンネ
ル確率は極めて高く、従って、エミッタ電流■、は急激
に増加する。尚、このエミッタ電流■えの増加は、特に
、バリヤ層１０ｉｚが薄い場合に急激に発生する。
い箇所を共鳴トンネリングすることになり、そのトンネ
ル確率は極めて高く、従って、エミッタ電流■、は急激
に増加する。尚、このエミッタ電流■えの増加は、特に
、バリヤ層１０ｉｚが薄い場合に急激に発生する。
第４図は第１図に見られるＲＨＥＴの特性を説明する為
の線図であり、横軸にベース・エミッタ間電圧ＶＩＩＥ
を、また、縦軸にエミッタ電流ＩＥをそれぞれ採ってあ
り、第１図乃至第３図に於いて用いた記号と同記号は同
部分を示すが或いは同じ意味を持つものとする。
の線図であり、横軸にベース・エミッタ間電圧ＶＩＩＥ
を、また、縦軸にエミッタ電流ＩＥをそれぞれ採ってあ
り、第１図乃至第３図に於いて用いた記号と同記号は同
部分を示すが或いは同じ意味を持つものとする。
図に於いて、Ｉｔｒは極大（ピーク）電流、ＩＥＶは極
小（バレー）電流をそれぞれ示している。
小（バレー）電流をそれぞれ示している。
図から判るように、電圧ＶＩＩＥに対して電流Ｉｔは指
数関数的に変化しているので、電圧ＶＩＩＥの微小変化
分ΔＶｂｅに対する電流Ｉｔの微小変換分ΔＩＥ、即ち
、コンダクタンスｇｔは飛躍的に大きくなり、従来のＲ
ＨＥＴに比較すると２〜３倍となって、ＲＴＢ層ＩＯ及
びコレクタ・バリヤ層３に寄生する容量を充電する時間
は短縮される。
数関数的に変化しているので、電圧ＶＩＩＥの微小変化
分ΔＶｂｅに対する電流Ｉｔの微小変換分ΔＩＥ、即ち
、コンダクタンスｇｔは飛躍的に大きくなり、従来のＲ
ＨＥＴに比較すると２〜３倍となって、ＲＴＢ層ＩＯ及
びコレクタ・バリヤ層３に寄生する容量を充電する時間
は短縮される。
ところで、前記のようにエミッタ電流Ｉｔを指数関数的
に増加させることのみを期待するのであれば、バリヤ層
１０Ｂ１及び１０ｇ２全体を第２図に見られる矩形の形
状のまま薄くすることで達成される。然しなから、その
ようにすると、第４図に破線で示しであるようにエミッ
タ電流■、のＰＶ（ピーク対バレー）比、即ち、極大電
流Ｉ ＥＰ／極小電流■。Ｖが小さくなってしまい、Ｒ
）（ＥＴの特徴を活かした例えばエクスクル−シブ・ノ
ア回路やフリップ・フロップ回路などの論理回路を構成
する場合などは不利である。
に増加させることのみを期待するのであれば、バリヤ層
１０Ｂ１及び１０ｇ２全体を第２図に見られる矩形の形
状のまま薄くすることで達成される。然しなから、その
ようにすると、第４図に破線で示しであるようにエミッ
タ電流■、のＰＶ（ピーク対バレー）比、即ち、極大電
流Ｉ ＥＰ／極小電流■。Ｖが小さくなってしまい、Ｒ
）（ＥＴの特徴を活かした例えばエクスクル−シブ・ノ
ア回路やフリップ・フロップ回路などの論理回路を構成
する場合などは不利である。
このようなことを考慮すると、バリヤ層１０ＩＩＩ及び
１０ＩＩ□の下方は厚く、且つ、上方は薄くすることが
必要となり、第３図に見られる形状が理想的であること
が理解されよう。
１０ＩＩ□の下方は厚く、且つ、上方は薄くすることが
必要となり、第３図に見られる形状が理想的であること
が理解されよう。
前記実施例に於いては、ＲＨＥＴについて説明したが、
本発明は、ＲＢＴなどの量子効果半導体装置に適用する
ことができるのは勿論である。
本発明は、ＲＢＴなどの量子効果半導体装置に適用する
ことができるのは勿論である。
本発明に依る量子効果半導体装置に於いては、バリヤ高
が隣接する半導体層に向かって漸減する組成をもつバリ
ヤ層及びそのバリヤ層で挟まれた井戸層からなる量子井
戸で構成された共鳴トンネリング・バリヤ層を備えてい
る。
が隣接する半導体層に向かって漸減する組成をもつバリ
ヤ層及びそのバリヤ層で挟まれた井戸層からなる量子井
戸で構成された共鳴トンネリング・バリヤ層を備えてい
る。
前記構成を採ることに依り、共鳴単位の箇所でバリヤ層
の厚さが従来のものと同じ程度であっても、動作状態に
した場合には、半導体装置に流れる電流は指数関数的に
増加する為、コンダクタンスは大きく、従って、寄生容
量に対する充電時間は短縮され、高速性能は向上する。
の厚さが従来のものと同じ程度であっても、動作状態に
した場合には、半導体装置に流れる電流は指数関数的に
増加する為、コンダクタンスは大きく、従って、寄生容
量に対する充電時間は短縮され、高速性能は向上する。
第１図は本発明一実施例の要部切断側面図、第２図は第
１図に見られるＲＨＥＴに関するエネルギ・バンド・ダ
イヤグラム、第３図は第１図に見られるＲＨＥＴに電圧
を印加して動作させた場合に関するエネルギ・バンド・
ダイヤグラム、第４図は第１図に見られるＲＨＥＴの特
性を説明する為の線図、第５図は従来のＲＨＥＴを説明
する為の要部切断側面図、第６図は第５図に見られるＲ
ＨＥＴに関するエネルギ・バンド・ダイヤグラム、第７
図はＲＨＥＴの特性を説明する為の線図をそれぞれ表し
ている。 図に於いて、１はＧａＡｓ基板、２はｎ型ＧａＡｓコレ
クタ・コンタクト層、３はｉ〜ｎ型ＡｌＧａＡｓコレク
タ・バリヤ層、４はｎ型ＧａＡｓベース層、５は量子井
戸からなるエミッタ側のＲＴＢ層、５．、．５．□は量
子井戸に於けるｉ型ＡｌＧａＡｓバリヤ層、５−は量子
井戸に於けるｉ型ＧａＡｓ井戸層、６はｎ型ＧａＡｓエ
ミツタ層、７はＡ ｕ Ｇ ｅ ／ Ａ ｕからなるエ
ミッタ電極、８はＡ ｕ Ｇ ｅ ／ Ａ ｕからなる
ベース電極、９はＡｕＧｅ／ Ａ ｕからなるコレクタ
電極、１０は量子井戸で構成されたエミッタ側のＲＴＢ
層、１０□はＡＩ！。 Ｇａｐ−、（ｘ＝ｏ−＝０．３）バリヤ層、１０，２は
ＡＡＸＧａ、−、Ａｓ （ｘ＝０．３−０）バリヤ層
、１１はＣｒ ／ 、Ａ ｕからなるエミッタ電極、１
２はＣｒ ／ Ａ ｕからなるベース電極、１３はｃｒ
／Ａｕからなるコレクタ電極をそれぞれ示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司
１図に見られるＲＨＥＴに関するエネルギ・バンド・ダ
イヤグラム、第３図は第１図に見られるＲＨＥＴに電圧
を印加して動作させた場合に関するエネルギ・バンド・
ダイヤグラム、第４図は第１図に見られるＲＨＥＴの特
性を説明する為の線図、第５図は従来のＲＨＥＴを説明
する為の要部切断側面図、第６図は第５図に見られるＲ
ＨＥＴに関するエネルギ・バンド・ダイヤグラム、第７
図はＲＨＥＴの特性を説明する為の線図をそれぞれ表し
ている。 図に於いて、１はＧａＡｓ基板、２はｎ型ＧａＡｓコレ
クタ・コンタクト層、３はｉ〜ｎ型ＡｌＧａＡｓコレク
タ・バリヤ層、４はｎ型ＧａＡｓベース層、５は量子井
戸からなるエミッタ側のＲＴＢ層、５．、．５．□は量
子井戸に於けるｉ型ＡｌＧａＡｓバリヤ層、５−は量子
井戸に於けるｉ型ＧａＡｓ井戸層、６はｎ型ＧａＡｓエ
ミツタ層、７はＡ ｕ Ｇ ｅ ／ Ａ ｕからなるエ
ミッタ電極、８はＡ ｕ Ｇ ｅ ／ Ａ ｕからなる
ベース電極、９はＡｕＧｅ／ Ａ ｕからなるコレクタ
電極、１０は量子井戸で構成されたエミッタ側のＲＴＢ
層、１０□はＡＩ！。 Ｇａｐ−、（ｘ＝ｏ−＝０．３）バリヤ層、１０，２は
ＡＡＸＧａ、−、Ａｓ （ｘ＝０．３−０）バリヤ層
、１１はＣｒ ／ 、Ａ ｕからなるエミッタ電極、１
２はＣｒ ／ Ａ ｕからなるベース電極、１３はｃｒ
／Ａｕからなるコレクタ電極をそれぞれ示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 バリヤ高が隣接する半導体層に向かって漸減するように
組成が選択されたバリヤ層及び該バリヤ層で挟まれた井
戸層からなる量子井戸で構成された共鳴トンネリング・
バリヤ層 を備えてなることを特徴とする量子効果半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63190546A JP2630438B2 (ja) | 1988-08-01 | 1988-08-01 | 量子効果半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63190546A JP2630438B2 (ja) | 1988-08-01 | 1988-08-01 | 量子効果半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0240957A true JPH0240957A (ja) | 1990-02-09 |
| JP2630438B2 JP2630438B2 (ja) | 1997-07-16 |
Family
ID=16259880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63190546A Expired - Lifetime JP2630438B2 (ja) | 1988-08-01 | 1988-08-01 | 量子効果半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2630438B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5471067A (en) * | 1992-06-19 | 1995-11-28 | Sony Corporation | Semiconductor metal contacting structure and a light emitting device |
-
1988
- 1988-08-01 JP JP63190546A patent/JP2630438B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5471067A (en) * | 1992-06-19 | 1995-11-28 | Sony Corporation | Semiconductor metal contacting structure and a light emitting device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2630438B2 (ja) | 1997-07-16 |
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