JPH0241078A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH0241078A JPH0241078A JP63191471A JP19147188A JPH0241078A JP H0241078 A JPH0241078 A JP H0241078A JP 63191471 A JP63191471 A JP 63191471A JP 19147188 A JP19147188 A JP 19147188A JP H0241078 A JPH0241078 A JP H0241078A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shift register
- vertical
- light receiving
- vertical shift
- transferred
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はフレームインターライン(F I T) 型の
固体撮像装置に関する。
固体撮像装置に関する。
CCD (charge coupled devic
e)の1つの構造として、フレームインターライン型C
CDが知られている。このフレームインターライン型C
CDは、フレームトランスファー型とインターライン型
の中間的な構造を有し、言わばインターライン型のCC
Dの垂直ソフトレジスタと水平レジスタの間に、フレー
ム蓄積部が設けられた構造を有している。
e)の1つの構造として、フレームインターライン型C
CDが知られている。このフレームインターライン型C
CDは、フレームトランスファー型とインターライン型
の中間的な構造を有し、言わばインターライン型のCC
Dの垂直ソフトレジスタと水平レジスタの間に、フレー
ム蓄積部が設けられた構造を有している。
また、このようなフレームインターライン型CCDを用
いて電子シャッター動作を行わせる技術も知られており
、例えば特公昭62−52988号公報にその記載があ
る。
いて電子シャッター動作を行わせる技術も知られており
、例えば特公昭62−52988号公報にその記載があ
る。
〔発明が解決しようとする課題]
ところで、HDTV (旧gh Definition
TV)用等の画素数の多い例えば200万画素程度の
固体撮像装置を製造しようとする場合、現行の素子構造
をそのまま縮小化しただけでは、十分な開口率を得るこ
とができず、信号電荷量が不足する。その結果、ダイナ
ミックレンジがとれなくなり、S/N比の劣化等の問題
が発生する。
TV)用等の画素数の多い例えば200万画素程度の
固体撮像装置を製造しようとする場合、現行の素子構造
をそのまま縮小化しただけでは、十分な開口率を得るこ
とができず、信号電荷量が不足する。その結果、ダイナ
ミックレンジがとれなくなり、S/N比の劣化等の問題
が発生する。
そこで、本発明は受光部の微細化を図った場合でも、十
分な信号電荷量を得ることができる固体撮像装置の提供
を目的とする。
分な信号電荷量を得ることができる固体撮像装置の提供
を目的とする。
上述の目的を達成するために、本発明の固体撮像装置は
、水平及び垂直方向にマトリクス状に配された複数の受
光部と、その受光部からの電荷を垂直方向に転送する複
数列の垂直シフトレジスタからなる第1の垂直シフトレ
ジスタ群と、その第1の垂直シフトレジスタ群のそれぞ
れ一端に電気的に結合される第2の垂直シフトレジスタ
群からなる記憶部と、その第2の垂直シフトレジスタ群
の他の一端に電気的に接続される電荷転送型の水平シフ
トレジスタとからなり、1垂直周期中に、垂直方向で互
いに隣接する受光部の少なくとも一方の受光部から上記
第1の垂直シフトレジスタへの複数回の信号電荷の転送
が行われ、その第1の垂直シフトレジスタで一時的な電
荷の蓄積が行われることを特徴とする。
、水平及び垂直方向にマトリクス状に配された複数の受
光部と、その受光部からの電荷を垂直方向に転送する複
数列の垂直シフトレジスタからなる第1の垂直シフトレ
ジスタ群と、その第1の垂直シフトレジスタ群のそれぞ
れ一端に電気的に結合される第2の垂直シフトレジスタ
群からなる記憶部と、その第2の垂直シフトレジスタ群
の他の一端に電気的に接続される電荷転送型の水平シフ
トレジスタとからなり、1垂直周期中に、垂直方向で互
いに隣接する受光部の少なくとも一方の受光部から上記
第1の垂直シフトレジスタへの複数回の信号電荷の転送
が行われ、その第1の垂直シフトレジスタで一時的な電
荷の蓄積が行われることを特徴とする。
ここで、本発明の固体撮像装置では、受光部から上記第
1の垂直シフトレジスタへの複数回の信号電荷の転送を
フィールド読み出しとフレーム読み出しの2つ方式で行
うことができる。
1の垂直シフトレジスタへの複数回の信号電荷の転送を
フィールド読み出しとフレーム読み出しの2つ方式で行
うことができる。
フィールド読み出しでは、ある1垂直周期中に、垂直方
向に並んだ受光部のうちの奇数番目の受光部及びその次
の受光部の信号電荷が複数回に亘って第1の垂直シフト
レジスタへ転送され、次の1垂直周期中では、垂直方向
に並んだ受光部のうちの偶数番目の受光部及びその次の
受光部の信号電荷が複数回に亘って第1の垂直シフトレ
ジスタへ転送される。
向に並んだ受光部のうちの奇数番目の受光部及びその次
の受光部の信号電荷が複数回に亘って第1の垂直シフト
レジスタへ転送され、次の1垂直周期中では、垂直方向
に並んだ受光部のうちの偶数番目の受光部及びその次の
受光部の信号電荷が複数回に亘って第1の垂直シフトレ
ジスタへ転送される。
また、フレーム読み出しでは、ある1垂直周期中に、垂
直方向に並んだ受光部のうちの奇数番目の受光部のみで
第1の垂直シフトレジスタへの信号電荷の転送が複数回
行われ、次の1垂直周期中では、垂直方向に並んだ受光
部のうちの偶数番口の受光部のみで第1の垂直シフトレ
ジスタへの信号電荷の転送が複数回行われる。
直方向に並んだ受光部のうちの奇数番目の受光部のみで
第1の垂直シフトレジスタへの信号電荷の転送が複数回
行われ、次の1垂直周期中では、垂直方向に並んだ受光
部のうちの偶数番口の受光部のみで第1の垂直シフトレ
ジスタへの信号電荷の転送が複数回行われる。
なお、本発明の固体撮像装置においては、受光部からの
不要電荷の掃き出しを縦型オーバーフロードレイン構造
から行うようにできる。また、上記第1の垂直シフトレ
ジスタへの信号電荷の転送は、垂直ブランキング期間や
水平ブランキング期間に行うことができる。
不要電荷の掃き出しを縦型オーバーフロードレイン構造
から行うようにできる。また、上記第1の垂直シフトレ
ジスタへの信号電荷の転送は、垂直ブランキング期間や
水平ブランキング期間に行うことができる。
垂直ブランキング期間には、第1の垂直シフトレジスク
から第2の垂直シフトレジスタへの電荷の転送が行われ
るが、その他の期間においては、受光部から第1の垂直
シフトレジスタへ複数回の信号電荷の転送が行われる。
から第2の垂直シフトレジスタへの電荷の転送が行われ
るが、その他の期間においては、受光部から第1の垂直
シフトレジスタへ複数回の信号電荷の転送が行われる。
従って、その転送の回数をn回(nは2以上の自然数)
とした時では、受光部に蓄積できる電荷量Qsのn倍の
電荷量を第1の垂直シフトレジスタで転送できる。この
ため受光部の開口率が(Kくとも十分な電荷を転送させ
ることが可能となり、垂直シフトレジスタの取り扱い電
荷量が受光部のそれに比べて単位面積当たりで大きい場
合には、相対的に面積を小さくして、高密度化が可能と
なる。
とした時では、受光部に蓄積できる電荷量Qsのn倍の
電荷量を第1の垂直シフトレジスタで転送できる。この
ため受光部の開口率が(Kくとも十分な電荷を転送させ
ることが可能となり、垂直シフトレジスタの取り扱い電
荷量が受光部のそれに比べて単位面積当たりで大きい場
合には、相対的に面積を小さくして、高密度化が可能と
なる。
本発明の好適な実施例を図面を参照しながら説明する。
第1図はフレームインターライン型のCCDの概略平面
図である。基板1には、水平及び垂直方向にマトリクス
状に配された複数の受光部2が設けられ、その受光部2
の各列に第1の垂直シフトレジスタ3が設けられている
。これら第1の垂直シフトレジスタ3は図中V方向で示
す垂直方向に電荷を転送する。これら受光部2と第1の
垂直シフトレジスタ3で撮像部が構成される。記憶部は
、第1の垂直シフトレジスタ3のそれぞれ一端に電気的
に結合される第2の垂直シフトレジスタ4からなる。こ
の領域は、A1等により十分に遮光される。その第2の
垂直シフトレジスタ4の他の一端には、図中H方向に電
荷を転送するための水平シフトレジスタ5が設けられて
いる。この水平シフトレジスタ5により、第2の垂直シ
フトレジスタ4が1ライン毎に出力されることになる。
図である。基板1には、水平及び垂直方向にマトリクス
状に配された複数の受光部2が設けられ、その受光部2
の各列に第1の垂直シフトレジスタ3が設けられている
。これら第1の垂直シフトレジスタ3は図中V方向で示
す垂直方向に電荷を転送する。これら受光部2と第1の
垂直シフトレジスタ3で撮像部が構成される。記憶部は
、第1の垂直シフトレジスタ3のそれぞれ一端に電気的
に結合される第2の垂直シフトレジスタ4からなる。こ
の領域は、A1等により十分に遮光される。その第2の
垂直シフトレジスタ4の他の一端には、図中H方向に電
荷を転送するための水平シフトレジスタ5が設けられて
いる。この水平シフトレジスタ5により、第2の垂直シ
フトレジスタ4が1ライン毎に出力されることになる。
上記第1の垂直シフトレジスタは、Φv1〜Φv4の4
相駆動で電荷が転送される。この駆動は3値レベルで行
われ、受光部2からの読み出しはΦv1とΦV、のレベ
ルが中間レベルよりも高い高レベルとなった時に行われ
る。垂直方向の電荷の転送は、中間レベルと低レベルの
間で高速なりロックが供給されて行われ、これは垂直ブ
ランキング期間中に行われる。なお、Φ■、とΦv2は
奇数番目の受光部にかかる転送電極に供給される信号で
あり、ΦV、とΦ■4は偶数番目の受光部にかかる転送
電極に供給される信号である。また、可変電子シャッタ
ー動作は、基板の電圧を変化させて電子シャッター動作
をする縦型オーバーフロードレイン構造を用いている。
相駆動で電荷が転送される。この駆動は3値レベルで行
われ、受光部2からの読み出しはΦv1とΦV、のレベ
ルが中間レベルよりも高い高レベルとなった時に行われ
る。垂直方向の電荷の転送は、中間レベルと低レベルの
間で高速なりロックが供給されて行われ、これは垂直ブ
ランキング期間中に行われる。なお、Φ■、とΦv2は
奇数番目の受光部にかかる転送電極に供給される信号で
あり、ΦV、とΦ■4は偶数番目の受光部にかかる転送
電極に供給される信号である。また、可変電子シャッタ
ー動作は、基板の電圧を変化させて電子シャッター動作
をする縦型オーバーフロードレイン構造を用いている。
このような概略構造のフレームインターライン型のCC
Dは、受光部2より垂直シフトレジスタ3への読み出し
が、1垂直期間中に複数回行われることで、その受光部
2の面積を小さくすることができ、開口率が低くともそ
の信号電荷量を多くすることができる。そして、この受
光部2より垂直シフトレジスタ3への読み出しには、フ
ィールド読み出し方式とフレーム読み出し方式の2方式
がある。
Dは、受光部2より垂直シフトレジスタ3への読み出し
が、1垂直期間中に複数回行われることで、その受光部
2の面積を小さくすることができ、開口率が低くともそ
の信号電荷量を多くすることができる。そして、この受
光部2より垂直シフトレジスタ3への読み出しには、フ
ィールド読み出し方式とフレーム読み出し方式の2方式
がある。
まず、フィールド読み出し方式は、第4図に示すように
、あるl垂直周期中に、垂直方向に並んだ受光部2のう
ちの奇数番目の受光部(S、、Ss+l+ S+s+4
1 ・・・)、〔mは奇数〕及びその次の受−先部(S
11゜+、S□1.・・・)の信号電荷が第1の垂直シ
フトレジスタ3へ転送される。すなわち、第4図中、実
線で示すように、受光部S、と受光部S、、1の電荷が
組合わされて、第1の垂直シフトレジスタ3の電荷転送
部に転送され、受光部S1◆tと受光部S。、3の電荷
が組合わされて、第1の垂直シフトレジスタ3の電荷転
送部に転送される。次の1垂直周期中では、垂直方向に
並んだ受光部2のうちの偶数番目の受光部(S、、、、
S、。
、あるl垂直周期中に、垂直方向に並んだ受光部2のう
ちの奇数番目の受光部(S、、Ss+l+ S+s+4
1 ・・・)、〔mは奇数〕及びその次の受−先部(S
11゜+、S□1.・・・)の信号電荷が第1の垂直シ
フトレジスタ3へ転送される。すなわち、第4図中、実
線で示すように、受光部S、と受光部S、、1の電荷が
組合わされて、第1の垂直シフトレジスタ3の電荷転送
部に転送され、受光部S1◆tと受光部S。、3の電荷
が組合わされて、第1の垂直シフトレジスタ3の電荷転
送部に転送される。次の1垂直周期中では、垂直方向に
並んだ受光部2のうちの偶数番目の受光部(S、、、、
S、。
3.・・・)及びその次の受光部(S、、S□2.S。
4、・・・)の信号電荷が、図中破線で示すように、受
光部Sいや、と受光部S0.、で組合わされ、受光部S
□、と受光部S、、4で組合わされ、それぞれ第1の垂
直シフトレジスタ3の電荷転送部に転送される。すなわ
ち、1つの受光部2においては、1フイールド毎に交互
に隣接する受光部2の一方と電荷が混ぜ合わせられて、
信号電荷の読み出しが行われる。
光部Sいや、と受光部S0.、で組合わされ、受光部S
□、と受光部S、、4で組合わされ、それぞれ第1の垂
直シフトレジスタ3の電荷転送部に転送される。すなわ
ち、1つの受光部2においては、1フイールド毎に交互
に隣接する受光部2の一方と電荷が混ぜ合わせられて、
信号電荷の読み出しが行われる。
そして、本実施例の固体盪像装置においては、このフィ
ールド読み出しが1垂直期間中に複数回ずつ行われる。
ールド読み出しが1垂直期間中に複数回ずつ行われる。
これを第2図を参照しながら説明する。
第Nフィールド前の垂直ブランキングVsLxuJI間
の時刻L0〜時刻t、の間では、Φ■1〜ΦV4に高速
のクロックが供給され、信号電荷が第1の垂直シフトレ
ジスタ3から第2の垂直シフトレジスタ4に転送される
。時刻し、の後は、ΦV。
の時刻L0〜時刻t、の間では、Φ■1〜ΦV4に高速
のクロックが供給され、信号電荷が第1の垂直シフトレ
ジスタ3から第2の垂直シフトレジスタ4に転送される
。時刻し、の後は、ΦV。
Φ■1.ΦV4が中間レベル、Φ■2が低レベルとされ
る。そして、時刻む2でΦ■1.Φ■3・が高レベルに
され、受光部2の電荷が第1の垂直シフトレジスタ3へ
転送される。このとき、Φ■2のみが低レベルであり、
従って、第4図で説明したように、Φ■1及びΦ■2に
かかる領域で1つ垂直方向に前の受光部の電荷と合わせ
て蓄積され、Φ■3.Φ■4にかかる領域はその垂直方
向のとなりの領域で電荷の一時蓄積がされる。
る。そして、時刻む2でΦ■1.Φ■3・が高レベルに
され、受光部2の電荷が第1の垂直シフトレジスタ3へ
転送される。このとき、Φ■2のみが低レベルであり、
従って、第4図で説明したように、Φ■1及びΦ■2に
かかる領域で1つ垂直方向に前の受光部の電荷と合わせ
て蓄積され、Φ■3.Φ■4にかかる領域はその垂直方
向のとなりの領域で電荷の一時蓄積がされる。
第Nフィールドの期間中では、上記第2の垂直シフトレ
ジスタ4からは、水平シフトレジスタ5へ電荷が転送さ
れ、順次読み出しが行われる。この動作と並行して、フ
ィールド読み出し方式では、上記期間中にn回の電荷の
読み出しを行うことができる。すなわち、第2図中、時
刻も、で示すΦV、とΦ■3を高レベルにする動作が、
図中1回のみ図示しているがn−1回行われる。この時
刻も、では上記時刻t2の動作が繰り返し行われる。
ジスタ4からは、水平シフトレジスタ5へ電荷が転送さ
れ、順次読み出しが行われる。この動作と並行して、フ
ィールド読み出し方式では、上記期間中にn回の電荷の
読み出しを行うことができる。すなわち、第2図中、時
刻も、で示すΦV、とΦ■3を高レベルにする動作が、
図中1回のみ図示しているがn−1回行われる。この時
刻も、では上記時刻t2の動作が繰り返し行われる。
従って、垂直シフトレジスタ3には、その繰り返し回数
nに応して電荷が蓄積されて行くことになり、最終的に
は、第1の垂直シフトレジスタ3にはn倍のQsだけ信
号電荷が一時的に蓄積されることになる。ここで、Φ■
1とΦV、を高レベルにするタイミングは、Hブランキ
ング期間に同期して行わせることができ、電子シャッタ
ー動作とも同調させることができる。
nに応して電荷が蓄積されて行くことになり、最終的に
は、第1の垂直シフトレジスタ3にはn倍のQsだけ信
号電荷が一時的に蓄積されることになる。ここで、Φ■
1とΦV、を高レベルにするタイミングは、Hブランキ
ング期間に同期して行わせることができ、電子シャッタ
ー動作とも同調させることができる。
次に、第Nフィールドが終わり、垂直ブランキングVl
l’LX期間中の時刻t4〜時刻t、の間では、Φ■1
〜Φ■4に高速のクロックが供給され、n回に分けて一
時的に蓄積された信号電荷が第1の垂直シフトレジスタ
3から第2の垂直シフトレジスタ4に転送される。
l’LX期間中の時刻t4〜時刻t、の間では、Φ■1
〜Φ■4に高速のクロックが供給され、n回に分けて一
時的に蓄積された信号電荷が第1の垂直シフトレジスタ
3から第2の垂直シフトレジスタ4に転送される。
次に、第N+1フイールドでは、Φv2が中間レベルと
なり、ΦV4が低レベルにされる。従って、時刻L6.
L?でΦ■1.ΦV、に高レベルの信号が供給された時
では、Φ■1〜Φ■4にかかる領域の電荷が合わされて
蓄積されることになり、この前後の受光部は他の隣接す
る受光部と組合わされてそれぞれ別個に電荷の蓄積を行
う。
なり、ΦV4が低レベルにされる。従って、時刻L6.
L?でΦ■1.ΦV、に高レベルの信号が供給された時
では、Φ■1〜Φ■4にかかる領域の電荷が合わされて
蓄積されることになり、この前後の受光部は他の隣接す
る受光部と組合わされてそれぞれ別個に電荷の蓄積を行
う。
このように、本実施例の固体撮像装置をフィールド読み
出し方式で読み出した場合には、あるフィールド期間に
n(nは2以上の自然数)回の読み出しを行うことがで
き、受光部2の開口率や面積を大きくせずに、信号電荷
量を多くすることができる。言い換えれば、受光部2の
面積を小さくすること(例えば1 / nの面積)がで
き、何ら構造を変えることなく、高密度化に有利である
。また、残像も抑えることができる。
出し方式で読み出した場合には、あるフィールド期間に
n(nは2以上の自然数)回の読み出しを行うことがで
き、受光部2の開口率や面積を大きくせずに、信号電荷
量を多くすることができる。言い換えれば、受光部2の
面積を小さくすること(例えば1 / nの面積)がで
き、何ら構造を変えることなく、高密度化に有利である
。また、残像も抑えることができる。
次に、フレーム読み出し方式について説明する。
フレーム読み出し方式は、第5図に実線で示すように、
ある1垂直周期中に、垂直方向に並んだ受光部のうちの
奇数番目の受光部(S、 、 S−、z、 Slや4
.・・・)のみで第1の垂直シフトレジスタ3への信号
電荷の転送が複数回行われる。次の1垂直周期中では、
第5図中破線で示すように、垂直方向に並んだ受光部の
うちの偶数番目の受光部(Ssol + Sm+3
+ ・・・)のみで第1の垂直シフトレジスタへの信号
電荷の転送が複数回行われる。
ある1垂直周期中に、垂直方向に並んだ受光部のうちの
奇数番目の受光部(S、 、 S−、z、 Slや4
.・・・)のみで第1の垂直シフトレジスタ3への信号
電荷の転送が複数回行われる。次の1垂直周期中では、
第5図中破線で示すように、垂直方向に並んだ受光部の
うちの偶数番目の受光部(Ssol + Sm+3
+ ・・・)のみで第1の垂直シフトレジスタへの信号
電荷の転送が複数回行われる。
読み出しにかからない受光部では電荷の蓄積が続けされ
ており、従来の固体撮像装置では、不要電荷として捨て
られていた。しかし、本実施例の固体撮像装置では、第
1の垂直シフトレジスタ3の電荷転送の前後に、読み出
しのタイミングがある。このため垂直ブランキング期間
を除く全期間に亘って受光していることになり、受光部
の面積を増大させることなく、信号電荷量を多くするこ
とができる。
ており、従来の固体撮像装置では、不要電荷として捨て
られていた。しかし、本実施例の固体撮像装置では、第
1の垂直シフトレジスタ3の電荷転送の前後に、読み出
しのタイミングがある。このため垂直ブランキング期間
を除く全期間に亘って受光していることになり、受光部
の面積を増大させることなく、信号電荷量を多くするこ
とができる。
そのフレーム読み出しの動作について、第3図を参照し
ながら説明すると、第Nフィールド前の垂直ブランキン
グVstx!’J1間中の時刻tlo〜時刻tzの期間
では、Φ■1〜Φ■4に高速のクロックが供給され、信
号電荷が第1の垂直シフトレジスタ3から第2の垂直シ
フトレジスタ4に転送される。そして、その直後の時刻
tl□でΦ■3のレベルが高レベルとなり、Φ■3にか
かる偶数番目の受光部から第N−1フイールドの期間に
蓄積された電荷の読み出しが行われる。
ながら説明すると、第Nフィールド前の垂直ブランキン
グVstx!’J1間中の時刻tlo〜時刻tzの期間
では、Φ■1〜Φ■4に高速のクロックが供給され、信
号電荷が第1の垂直シフトレジスタ3から第2の垂直シ
フトレジスタ4に転送される。そして、その直後の時刻
tl□でΦ■3のレベルが高レベルとなり、Φ■3にか
かる偶数番目の受光部から第N−1フイールドの期間に
蓄積された電荷の読み出しが行われる。
第Nフィールド期間では、上記第2の垂直シフトレジス
タ4からは、水平シフトレジスタ5へ電荷が転送され、
順次読み出しが行われる。
タ4からは、水平シフトレジスタ5へ電荷が転送され、
順次読み出しが行われる。
そして、第Nフィールドと第N+1フイールドの間。垂
直プ、7キングVILK期間中に、時刻tI3で同じΦ
v3のレベルが高レベルとなり、垂直シフトレジスタ3
、の2回目の読み出しが行われる。この読み出しは第N
フィールドにかかる信号電荷を読みだすものである。従
って、この時点で、垂直シフトレジスタ3では第N−1
フイールドの期間に蓄積された電荷と第Nフィールドの
期間に蓄積された電荷が合わされて一時的に蓄積されて
いることになる。
直プ、7キングVILK期間中に、時刻tI3で同じΦ
v3のレベルが高レベルとなり、垂直シフトレジスタ3
、の2回目の読み出しが行われる。この読み出しは第N
フィールドにかかる信号電荷を読みだすものである。従
って、この時点で、垂直シフトレジスタ3では第N−1
フイールドの期間に蓄積された電荷と第Nフィールドの
期間に蓄積された電荷が合わされて一時的に蓄積されて
いることになる。
その直後の時刻Lea〜時刻t15では、Φv1〜ΦV
、に高速のクロックが供給され、信号電荷が第1の垂直
シフトレジスタ3から第2の垂直シフトレジスタ4に転
送される。このとき転送される電荷は、偶数番目の受光
部2にかかる信号電荷のみであり、しかも2フイ一ルド
分の信号電荷である。
、に高速のクロックが供給され、信号電荷が第1の垂直
シフトレジスタ3から第2の垂直シフトレジスタ4に転
送される。このとき転送される電荷は、偶数番目の受光
部2にかかる信号電荷のみであり、しかも2フイ一ルド
分の信号電荷である。
次の同じ垂直ブランキングvllLK期間中の時刻t1
6では、Φv1のレベルが高レベルとなり、Φ■1にか
かる奇数番目の受光部2から第Nフィールドの期間に蓄
積された電荷の読み出しが行われる。そして、第N+1
フイールドの後の時刻1+1で、上記Φ■、と同様に、
再びΦv1のレベルが高レベルとなり、2回目の読み出
しが行われる。
6では、Φv1のレベルが高レベルとなり、Φ■1にか
かる奇数番目の受光部2から第Nフィールドの期間に蓄
積された電荷の読み出しが行われる。そして、第N+1
フイールドの後の時刻1+1で、上記Φ■、と同様に、
再びΦv1のレベルが高レベルとなり、2回目の読み出
しが行われる。
この2回目の読み出しでは、第N+1フイールドの期−
間に蓄積された電荷が読み出され、第Nフィールドと第
N+1フイールドの2フイ一ルド分の電荷が合わされて
、次の高速クロックの供給によって、垂直方向に電荷が
転送されて行く。
間に蓄積された電荷が読み出され、第Nフィールドと第
N+1フイールドの2フイ一ルド分の電荷が合わされて
、次の高速クロックの供給によって、垂直方向に電荷が
転送されて行く。
このように、本実施例の固体撮像装置をフレーム読み出
し方式で動作させた場合には、1つのフィールドで奇数
若しくは偶数番目の受光部が2回に亘って読み出される
。この時、最初の読み出しは前フィールドで蓄積した電
荷を垂直シフトレジスタ3に転送するものであり、後の
読み出しと合わせて第2の垂直シフトレジスタ4に転送
される。
し方式で動作させた場合には、1つのフィールドで奇数
若しくは偶数番目の受光部が2回に亘って読み出される
。この時、最初の読み出しは前フィールドで蓄積した電
荷を垂直シフトレジスタ3に転送するものであり、後の
読み出しと合わせて第2の垂直シフトレジスタ4に転送
される。
このため、受光部の信号電荷量が見かけ上2倍になるこ
とになり、その性能を向上させることができる。また、
垂直の解像度を高くとれる。
とになり、その性能を向上させることができる。また、
垂直の解像度を高くとれる。
なお、本発明の固体撮像装置は、上述の実施例に限定さ
れず、その要旨を逸脱しない範囲での種々の変更を行う
ことアくできる。例えば、受光部に集光手段を設けたり
、電子シャッター手段を付加することを任意に行い得る
。
れず、その要旨を逸脱しない範囲での種々の変更を行う
ことアくできる。例えば、受光部に集光手段を設けたり
、電子シャッター手段を付加することを任意に行い得る
。
本発明の固体撮像装置は、フレームインターライン型の
構造において、1垂直期間中に複数同第1の垂直シフト
レジスタへ信号電荷を受光部より転送しているために、
信号電荷量をその回数に応じて増加させることができる
。これは、受光部自体を小さくしても、ダイナミックレ
ンジやS/N比を大きくすることが可能となり、素子の
高密度な配置も可能となる。
構造において、1垂直期間中に複数同第1の垂直シフト
レジスタへ信号電荷を受光部より転送しているために、
信号電荷量をその回数に応じて増加させることができる
。これは、受光部自体を小さくしても、ダイナミックレ
ンジやS/N比を大きくすることが可能となり、素子の
高密度な配置も可能となる。
は本発明の固体撮像装置の一例のフレーム読み出し方式
を説明するためのタイミングチャート、第4図はフィー
ルド読み出し方式を説明するための要部平面図、第5図
はフレーム読み出し方式を説明するための要部平面図で
ある。
を説明するためのタイミングチャート、第4図はフィー
ルド読み出し方式を説明するための要部平面図、第5図
はフレーム読み出し方式を説明するための要部平面図で
ある。
2・・・受光部
3・・・第1の垂直シフトレジスタ
4・・・第2の垂直シフトレジスタ
5・・・水平シフトレジスタ
特許出願人 ソニー株式会社
代理人弁理士 小泡 晃(他2名)
第1図は本発明にかかるフレームインターライン型の固
体撮像装置の概略平面図、第2図は本発明の固体撮像装
置の一例のフィールド読み出し方式を説明するためのタ
イミングチャート、第3図フィーIL4二吉s−;h+
七し 第4図 フし一ム師ン比し 第5図 手続補正書(白側 平成1年1月18日
体撮像装置の概略平面図、第2図は本発明の固体撮像装
置の一例のフィールド読み出し方式を説明するためのタ
イミングチャート、第3図フィーIL4二吉s−;h+
七し 第4図 フし一ム師ン比し 第5図 手続補正書(白側 平成1年1月18日
Claims (3)
- (1)水平及び垂直方向にマトリクス状に配された複数
の受光部と、 その受光部からの電荷を垂直方向に転送する複数列の第
1の垂直シフトレジスタからなる第1の垂直シフトレジ
スタ群と、 それら第1の垂直シフトレジスタのそれぞれ一端に電気
的に結合される第2の垂直シフトレジスタ群からなる記
憶部と、 その第2の垂直シフトレジスタ群の他の一端に電気的に
接続される電荷転送型の水平シフトレジスタとからなり
、 1垂直周期中に、垂直方向で互いに隣接する受光部の少
なくとも一方の受光部から上記第1の垂直シフトレジス
タへの複数回の信号電荷の転送が行われ、その第1の垂
直シフトレジスタで一時的な電荷の蓄積が行われる固体
撮像装置。 - (2)ある1垂直周期中に、垂直方向に並んだ受光部の
うちの奇数番目の受光部及びその次の受光部の信号電荷
が複数回に亘って第1の垂直シフトレジスタへ転送され
、次の1垂直周期中では、垂直方向に並んだ受光部のう
ちの偶数番目の受光部及びその次の受光部の信号電荷が
複数回に亘って第1の垂直シフトレジスタへ転送される
ことを特徴とする請求項第(1)項記載の固体撮像装置
。 - (3)ある1垂直周期中に、垂直方向に並んだ受光部の
うちの奇数番目の受光部のみで第1の垂直シフトレジス
タへの信号電荷の転送が複数回行われ、次の1垂直周期
中では、垂直方向に並んだ受光部のうちの偶数番目の受
光部のみで第1の垂直シフトレジスタへの信号電荷の転
送が複数回行われることを特徴とする請求項第(1)項
記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63191471A JPH0241078A (ja) | 1988-07-30 | 1988-07-30 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63191471A JPH0241078A (ja) | 1988-07-30 | 1988-07-30 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0241078A true JPH0241078A (ja) | 1990-02-09 |
Family
ID=16275206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63191471A Pending JPH0241078A (ja) | 1988-07-30 | 1988-07-30 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0241078A (ja) |
-
1988
- 1988-07-30 JP JP63191471A patent/JPH0241078A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4816916A (en) | CCD area image sensor operable in both of line-sequential and interlace scannings and a method for operating the same | |
| US6519000B1 (en) | Image pickup apparatus with mode switching between a still picture mode and a moving picture mode | |
| JP2760639B2 (ja) | 固体撮像装置およびその駆動方法 | |
| US7289150B2 (en) | Solid-state image apparatus including a plurality of horizontal transfer registers for transferring image signals from an imaging area | |
| JPH04262679A (ja) | 固体撮像素子の駆動方法 | |
| JPH04225686A (ja) | 撮像装置 | |
| JP3102557B2 (ja) | 固体撮像素子およびその駆動方法 | |
| EP0869665B1 (en) | Solid state image sensor | |
| US4862487A (en) | Solid-state imaging device | |
| JP3277974B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH0241078A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH04302285A (ja) | インターライン転送型ccd撮像装置の駆動方法 | |
| JP2897665B2 (ja) | 固体撮像素子の駆動方法 | |
| JP3599514B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0595515A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0748828B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| EP0130103A1 (en) | Charge-coupled device image sensor and method for asynchronous readout | |
| JP3395257B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP3248265B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP4377531B2 (ja) | 撮像素子および撮像装置 | |
| JPS61198981A (ja) | 撮像装置 | |
| JPS60250787A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2889070B2 (ja) | 固体撮像装置の駆動方法 | |
| JPS61102881A (ja) | 固体撮像素子駆動回路 | |
| JPS6135750B2 (ja) |