JPH0241427U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0241427U JPH0241427U JP1988120108U JP12010888U JPH0241427U JP H0241427 U JPH0241427 U JP H0241427U JP 1988120108 U JP1988120108 U JP 1988120108U JP 12010888 U JP12010888 U JP 12010888U JP H0241427 U JPH0241427 U JP H0241427U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- semiconductor substrate
- ion implantation
- during
- isolate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Description
第１図は本考案の一実施例に係るイオン打ち込
み用マスクの構造を示すその縦断面図、第２図は
従来のイオン打ち込み用マスクの構造を示すその
縦断面図である。 ３１…半導体基板、３３…マスク、３７…ゲー
ト、４１…ソース領域、４３…ドレイン領域、４
５…側壁。
み用マスクの構造を示すその縦断面図、第２図は
従来のイオン打ち込み用マスクの構造を示すその
縦断面図である。 ３１…半導体基板、３３…マスク、３７…ゲー
ト、４１…ソース領域、４３…ドレイン領域、４
５…側壁。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 半導体基板の所定領域へのイオン打ち込み時に
、該領域を隔成するため半導体基板上に設けられ
るマスクにおいて、 上記マスクの側壁を、該イオン打ち込みにあつ
てイオンビームの入射角度よりも大きな角度で上
記半導体基板に対して傾斜させたことを特徴とす
るイオン打ち込み用マスクの構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988120108U JPH0241427U (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988120108U JPH0241427U (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0241427U true JPH0241427U (ja) | 1990-03-22 |
Family
ID=31365923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988120108U Pending JPH0241427U (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0241427U (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5673434A (en) * | 1979-11-20 | 1981-06-18 | Fujitsu Ltd | Formation of mask for ion injection |
| JPS62274714A (ja) * | 1986-05-23 | 1987-11-28 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | マスク及びそれを使用するイオン打込方法 |
-
1988
- 1988-09-12 JP JP1988120108U patent/JPH0241427U/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5673434A (en) * | 1979-11-20 | 1981-06-18 | Fujitsu Ltd | Formation of mask for ion injection |
| JPS62274714A (ja) * | 1986-05-23 | 1987-11-28 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | マスク及びそれを使用するイオン打込方法 |