JPH0241586B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0241586B2 JPH0241586B2 JP20462082A JP20462082A JPH0241586B2 JP H0241586 B2 JPH0241586 B2 JP H0241586B2 JP 20462082 A JP20462082 A JP 20462082A JP 20462082 A JP20462082 A JP 20462082A JP H0241586 B2 JPH0241586 B2 JP H0241586B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum chamber
- substrate
- chamber
- cylindrical anti
- pressure adjustment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 20
- 230000000181 anti-adherent effect Effects 0.000 description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
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- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、サブストレート（基板）を連続的に
スパツタ処理することが可能な連続式スパツタ装
置に係り、特にエアーツーエアー（Air to Air）
式のスパツタ装置に関する。
スパツタ処理することが可能な連続式スパツタ装
置に係り、特にエアーツーエアー（Air to Air）
式のスパツタ装置に関する。
現在、真空蒸着法、イオンプレーテイング法、
スパツタリング法等の蒸着装置の問題点として、
真空チヤンバー内が非常に汚れるということがあ
げられる。とくに、スパツタ装置においてはター
ゲツトよりたたき出された付着原子が無指向性で
あるため、このチヤンバー内の汚れは特に大きく
なるきないがある。また、従来連続式スパツタ装
置に防着シールドを使用しているものがあるが、
その防着シールドを取り付けてもその部分は良い
がシールドされない他の部分はやはり汚れてしま
うという欠点を生じる。
スパツタリング法等の蒸着装置の問題点として、
真空チヤンバー内が非常に汚れるということがあ
げられる。とくに、スパツタ装置においてはター
ゲツトよりたたき出された付着原子が無指向性で
あるため、このチヤンバー内の汚れは特に大きく
なるきないがある。また、従来連続式スパツタ装
置に防着シールドを使用しているものがあるが、
その防着シールドを取り付けてもその部分は良い
がシールドされない他の部分はやはり汚れてしま
うという欠点を生じる。
本発明は、上記の点に鑑み、円筒型防着シール
ドでスパツタ処理を行う構成することにより真空
室の汚れを防止するとともに、該円筒型防着シー
ルドを複数個組合せて回転させる構造としてサブ
ストレートを移送する機能を持たせることによ
り、サブストレートを連続的にスパツタ処理する
ことが可能な連続式スパツタ装置を提供しようと
するものである。
ドでスパツタ処理を行う構成することにより真空
室の汚れを防止するとともに、該円筒型防着シー
ルドを複数個組合せて回転させる構造としてサブ
ストレートを移送する機能を持たせることによ
り、サブストレートを連続的にスパツタ処理する
ことが可能な連続式スパツタ装置を提供しようと
するものである。
以下、本発明に係る連続式スパツタ装置の実施
例を図面に従つて説明する。
例を図面に従つて説明する。
第１図は連続式スパツタ装置の全体構成を、第
２図はその場合に使用する円筒型防着シールドの
構成をそれぞれ示すものである。これらの図にお
いて、真空チヤンバー１内には円筒型防着シール
ド２を放射状に４個組合せた回転部材３が回転自
在に配置されている。この真空チヤンバー１の一
方にはサブストレート４を搬入するための搬入路
５が連結され、他方にサブストレート４を搬出す
る搬出路６が連結されている。そして、搬入路５
の途中はシヤツタ７により圧力調整室８Ａが区画
され、搬出路６にはシヤツタ９により圧力調整室
８Ｂが区画される。真空チヤンバー１及び圧力調
整室８Ａ，８Ｂはそれぞれ独立した真空排気系に
より真空吸引されるようになつている。前記真空
チヤンバー１の中心部にはアルゴン等の不活性気
体を吹出す導入口１０が設けられている。そし
て、各円筒型防着シールド２の導入口１０に近い
方の端部に所要の薄膜を形成するための金属原子
を放出するターゲツト１１がそれぞれ配置され、
他端部にはサブストレートホルダ１２がそれぞれ
設けられる。サブストレートホルダ１２は真空チ
ヤンバー１内に搬入されてきたサブストレート４
を保持する機能を有するものである。前記サブス
トレートホルダ１２には例えば第３図のように切
欠口１５が形成され、当該サブストレートホルダ
外面における切欠口１５の周縁部にサブストレー
ト４を着脱自在に保持する板ばね式挟持部材１６
が一対固定されている。これらの一対の挟持部材
１６はサブストレート４をサブストレートホルダ
外面側にて着脱自在に挟持する。なお、円筒型防
着シールド２の材質としてはステンレス等が好ま
しい。ここで、サブストレートホルダ１２は円筒
型防着シールド２の外側に固定されてこれと一体
となつて回転するが、４枚のターゲツト１１はシ
ールド２に固定する必要はなく、位置Ａ，Ｂ，Ｃ
に来たシールド２の内側端部に第１図のような位
置関係となるように真空チヤンバー１側に対し固
定的に設置されれば良い。
２図はその場合に使用する円筒型防着シールドの
構成をそれぞれ示すものである。これらの図にお
いて、真空チヤンバー１内には円筒型防着シール
ド２を放射状に４個組合せた回転部材３が回転自
在に配置されている。この真空チヤンバー１の一
方にはサブストレート４を搬入するための搬入路
５が連結され、他方にサブストレート４を搬出す
る搬出路６が連結されている。そして、搬入路５
の途中はシヤツタ７により圧力調整室８Ａが区画
され、搬出路６にはシヤツタ９により圧力調整室
８Ｂが区画される。真空チヤンバー１及び圧力調
整室８Ａ，８Ｂはそれぞれ独立した真空排気系に
より真空吸引されるようになつている。前記真空
チヤンバー１の中心部にはアルゴン等の不活性気
体を吹出す導入口１０が設けられている。そし
て、各円筒型防着シールド２の導入口１０に近い
方の端部に所要の薄膜を形成するための金属原子
を放出するターゲツト１１がそれぞれ配置され、
他端部にはサブストレートホルダ１２がそれぞれ
設けられる。サブストレートホルダ１２は真空チ
ヤンバー１内に搬入されてきたサブストレート４
を保持する機能を有するものである。前記サブス
トレートホルダ１２には例えば第３図のように切
欠口１５が形成され、当該サブストレートホルダ
外面における切欠口１５の周縁部にサブストレー
ト４を着脱自在に保持する板ばね式挟持部材１６
が一対固定されている。これらの一対の挟持部材
１６はサブストレート４をサブストレートホルダ
外面側にて着脱自在に挟持する。なお、円筒型防
着シールド２の材質としてはステンレス等が好ま
しい。ここで、サブストレートホルダ１２は円筒
型防着シールド２の外側に固定されてこれと一体
となつて回転するが、４枚のターゲツト１１はシ
ールド２に固定する必要はなく、位置Ａ，Ｂ，Ｃ
に来たシールド２の内側端部に第１図のような位
置関係となるように真空チヤンバー１側に対し固
定的に設置されれば良い。
また、円筒型防着シールド２をその内側端部に
て４個接合一体化した回転部材３の中央下部は開
いており、導入口１０を出た不活性気体はその回
転部材３の中央下部の開いた部分を通りターゲツ
ト１１とシールド２との隙間からシールド内部に
侵入する。
て４個接合一体化した回転部材３の中央下部は開
いており、導入口１０を出た不活性気体はその回
転部材３の中央下部の開いた部分を通りターゲツ
ト１１とシールド２との隙間からシールド内部に
侵入する。
なお、圧力調整室８Ａ，８Ｂには搬入路５を通
してサブストレート４を真空チヤンバー１側のサ
ブストレートホルダ１２に移送したり、サブスト
レートホルダ１２側のサブストレートを搬出路６
を通して真空チヤンバー１より搬出するための伸
縮等の移送手段が配設される。
してサブストレート４を真空チヤンバー１側のサ
ブストレートホルダ１２に移送したり、サブスト
レートホルダ１２側のサブストレートを搬出路６
を通して真空チヤンバー１より搬出するための伸
縮等の移送手段が配設される。
以上の構成において、大気中より圧力調整室８
Ａ内に供給されたサブストレート４は、圧力調整
室８Ａ内が真空チヤンバー１と同程度の高真空状
態となつた後、シヤツタ７の開閉動作により真空
チヤンバー１内に搬入され、まず位置Ａにある円
筒型防着シールド２のサブストレートホルダ１２
で保持される。この位置Ａではターゲツト１１が
アースでサブストレートホルダ１２がマイナスと
なる電圧関係となる。この結果、逆スパツタ処理
によるサブストレートのイオンクリーニングが行
われる。その後、回転部材３は90度回転しこれに
伴いサブストレート４も位置Ｂに来る。この位置
Ｂにおいてはターゲツト１１がマイナス、サブス
トレートホルダ１２がアースという電圧関係とな
り通常のスパツタ処理が行われる。スパツタ処理
後のサブストレート４は回転部材３のされに90度
の回転により位置Ｃの排出位置に移送される。こ
こで、サブストレート４はサブストレートホルダ
１２よりはずされ、真空チヤンバー１と同程度に
高真空に設定された圧力調整室８Ｂ内にシヤツタ
９の開閉により移送され、さらにここから大気中
に取り出される。このような動作が連続的に順次
行われる。
Ａ内に供給されたサブストレート４は、圧力調整
室８Ａ内が真空チヤンバー１と同程度の高真空状
態となつた後、シヤツタ７の開閉動作により真空
チヤンバー１内に搬入され、まず位置Ａにある円
筒型防着シールド２のサブストレートホルダ１２
で保持される。この位置Ａではターゲツト１１が
アースでサブストレートホルダ１２がマイナスと
なる電圧関係となる。この結果、逆スパツタ処理
によるサブストレートのイオンクリーニングが行
われる。その後、回転部材３は90度回転しこれに
伴いサブストレート４も位置Ｂに来る。この位置
Ｂにおいてはターゲツト１１がマイナス、サブス
トレートホルダ１２がアースという電圧関係とな
り通常のスパツタ処理が行われる。スパツタ処理
後のサブストレート４は回転部材３のされに90度
の回転により位置Ｃの排出位置に移送される。こ
こで、サブストレート４はサブストレートホルダ
１２よりはずされ、真空チヤンバー１と同程度に
高真空に設定された圧力調整室８Ｂ内にシヤツタ
９の開閉により移送され、さらにここから大気中
に取り出される。このような動作が連続的に順次
行われる。
上記実施例によれば次のような効果をあげるこ
とができる。
とができる。
(1) 円筒型防着シールド２の一端にターゲツト１
１を、他端にサブストレートホルダ１２を配置
し、この円筒型防着シールド２内にてスパツタ
処理を実行するもので、真空チヤンバー１にス
パツタの原子が付着し汚れる不都合を防止でき
る。
１を、他端にサブストレートホルダ１２を配置
し、この円筒型防着シールド２内にてスパツタ
処理を実行するもので、真空チヤンバー１にス
パツタの原子が付着し汚れる不都合を防止でき
る。
(2) 円筒型防着シールド２を複数個放射状に組み
合せて回転部材としたので、サブストレート４
を順次回転して移送することができ、サブスト
レート４の連続的なスパツタ処理が可能であ
る。
合せて回転部材としたので、サブストレート４
を順次回転して移送することができ、サブスト
レート４の連続的なスパツタ処理が可能であ
る。
(3) 真空チヤンバー１へのサブストレートの搬入
路５及び搬出路６にそれぞれ圧力調整室８Ａ，
８Ｂを設けたので、真空チヤンバー１の真空を
サブストレート搬入搬出のたびに極端に引直さ
なくても良いようにし、連続スパツタ処理の効
率化を図ることができる。
路５及び搬出路６にそれぞれ圧力調整室８Ａ，
８Ｂを設けたので、真空チヤンバー１の真空を
サブストレート搬入搬出のたびに極端に引直さ
なくても良いようにし、連続スパツタ処理の効
率化を図ることができる。
なお、上記実施例では、位置Ｃにおいてはスパ
ツタ処理を行わない場合を示したが、必要に応じ
て位置Ｃにおいてもスパツタ処理を行うようにす
ることも可能である。また位置Ａにおける逆スパ
ツタを省略し逆スパツタは真空チヤンバー搬入前
に行うようにすることも可能である。
ツタ処理を行わない場合を示したが、必要に応じ
て位置Ｃにおいてもスパツタ処理を行うようにす
ることも可能である。また位置Ａにおける逆スパ
ツタを省略し逆スパツタは真空チヤンバー搬入前
に行うようにすることも可能である。
以上説明したように、本発明によれば、円筒型
防着シールドを用いこの内部でスパツタ処理を実
行するようにして真空室内の汚れを防止するとと
もに、円筒型防着シールドを組合せて回転部材を
構成しサブストレートを移送する機能を持たせる
ことにより、サブストレートの連続的なスパツタ
処理を可能にした連続式スパツタ装置を得ること
ができる。
防着シールドを用いこの内部でスパツタ処理を実
行するようにして真空室内の汚れを防止するとと
もに、円筒型防着シールドを組合せて回転部材を
構成しサブストレートを移送する機能を持たせる
ことにより、サブストレートの連続的なスパツタ
処理を可能にした連続式スパツタ装置を得ること
ができる。
第１図は本発明に係る連続式スパツタ装置の実
施例を示す平断面図、第２図は実施例における円
筒型防着シールドの構成を示す斜視図、第３図は
サブストレートホルダの１例を示す正面図であ
る。 １…真空チヤンバー、２…円筒型防着シール
ド、３…回転部材、４…サブストレート、５…搬
入路、６…搬出路、７，９…シヤツタ、８Ａ，８
Ｂ…圧力調整室、１１…ターゲツト、１２…サブ
ストレートホルダ。
施例を示す平断面図、第２図は実施例における円
筒型防着シールドの構成を示す斜視図、第３図は
サブストレートホルダの１例を示す正面図であ
る。 １…真空チヤンバー、２…円筒型防着シール
ド、３…回転部材、４…サブストレート、５…搬
入路、６…搬出路、７，９…シヤツタ、８Ａ，８
Ｂ…圧力調整室、１１…ターゲツト、１２…サブ
ストレートホルダ。
Claims (1)
- １ 真空室と、該真空室の入側及び出側に夫々連
通可能に設けられる圧力調整室と、複数個の円筒
型防着シールドを放射状に組合わせた構造で前記
真空室内に配置される回転部材と、夫々の前記円
筒型防着シールドの回転中心側の端面に配置され
て原子を放出するターゲツトと、夫々の前記円筒
型防着シールドの他端面に配置されるサブストレ
ートホルダとを備え、入側の前記圧力調整室より
前記真空室に入つたサブストレートを、前記サブ
ストレートホルダで保持してスパツタを実行し、
前記回転部材の回転により排出位置に移送し、出
側の前記圧力調整室に送出することを特徴とする
連続式スパツタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20462082A JPS5996270A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 連続式スパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20462082A JPS5996270A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 連続式スパツタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5996270A JPS5996270A (ja) | 1984-06-02 |
| JPH0241586B2 true JPH0241586B2 (ja) | 1990-09-18 |
Family
ID=16493488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20462082A Granted JPS5996270A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 連続式スパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5996270A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0495001U (ja) * | 1991-01-10 | 1992-08-18 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2927567B2 (ja) * | 1991-05-17 | 1999-07-28 | シャープ株式会社 | スパツタリング装置 |
| CH691376A5 (de) * | 1995-10-17 | 2001-07-13 | Unaxis Balzers Ag | Vakuumanlage zur Oberflächenbearbeitung von Werkstücken. |
-
1982
- 1982-11-24 JP JP20462082A patent/JPS5996270A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0495001U (ja) * | 1991-01-10 | 1992-08-18 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5996270A (ja) | 1984-06-02 |
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