JPH04202769A - 半導体処理装置 - Google Patents
半導体処理装置Info
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- JPH04202769A JPH04202769A JP2339125A JP33912590A JPH04202769A JP H04202769 A JPH04202769 A JP H04202769A JP 2339125 A JP2339125 A JP 2339125A JP 33912590 A JP33912590 A JP 33912590A JP H04202769 A JPH04202769 A JP H04202769A
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- sputtering
- semiconductor
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- H01J37/32853—Hygiene
- H01J37/32871—Means for trapping or directing unwanted particles
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
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- H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、産業上の利用分野
本発明は、半導体処理装置に関し、例えば、半導体表面
に所定の薄膜を形成させるのに使用する半導体処理装置
に関する。
に所定の薄膜を形成させるのに使用する半導体処理装置
に関する。
口、従来技術
集積回路装置等の電子デバイスの製造過程で、半導体ウ
ェハ（以下、単にウェハと呼ぶ。）の表面に配線用の導
電性金属薄膜（例えばアルミニウム薄膜）を形成させる
工程がある。この薄膜はスットから切出された薄い円板
で、直径４〜８インチの種々のサイズのものがある。ア
ルミニウムの薄膜は、後の工程でフォトリソグラフィの
手法によって微細な所定の配線パターンにバターニング
される。
ェハ（以下、単にウェハと呼ぶ。）の表面に配線用の導
電性金属薄膜（例えばアルミニウム薄膜）を形成させる
工程がある。この薄膜はスットから切出された薄い円板
で、直径４〜８インチの種々のサイズのものがある。ア
ルミニウムの薄膜は、後の工程でフォトリソグラフィの
手法によって微細な所定の配線パターンにバターニング
される。
スパッタ装置の処理部は外見的には円筒状を呈し、その
内部の空間は、ウェハ装入及び排出のための装入・排出
領域、ウェハの予熱を行う予熱領域、第一のスパッタ領
域、第二のスパッタ領域及び第三のスパッタ領域の５領
域に分けられる。ウェハは、装入・排出領域から処理部
に装入され、間歇的に７２度ずつ円周方向に移動して上
記各領域で処理を施され、装入・排出領域から処理部外
に排出される。
内部の空間は、ウェハ装入及び排出のための装入・排出
領域、ウェハの予熱を行う予熱領域、第一のスパッタ領
域、第二のスパッタ領域及び第三のスパッタ領域の５領
域に分けられる。ウェハは、装入・排出領域から処理部
に装入され、間歇的に７２度ずつ円周方向に移動して上
記各領域で処理を施され、装入・排出領域から処理部外
に排出される。
第１７図及び第１８図は装入・排出領域及び第三のスパ
ッタ領域の処理部中心を通る拡大概略断面図（処理部斜
視図である後述の第１５図のＡ−Ａ線拡大概略断面図）
であり、第１７図はスパッタ処理中の状態を、第１８図
はウェハを第三のスパッタ領域から装入・排出領域へ送
る状態を夫々示す。
ッタ領域の処理部中心を通る拡大概略断面図（処理部斜
視図である後述の第１５図のＡ−Ａ線拡大概略断面図）
であり、第１７図はスパッタ処理中の状態を、第１８図
はウェハを第三のスパッタ領域から装入・排出領域へ送
る状態を夫々示す。
処理部１の一方の側壁５の中心から固定軸２とこれに外
嵌して回転可能な円筒軸３が貫通し、円筒軸３の先端の
フランジ部３ａにはトランスファプレート１２が固定さ
れている。円筒軸３は、固定軸２と、側壁５のスリーブ
５ａとの間に“二重０リングシール”と呼ばれる方式に
よって気密にかつ回転可能な状態で装着されている。図
中、ＯＲは０リングである。トランスファプレート１２
にはウェハＷよりも径が若干大きい（４，５，インチの
ウェハに対して１２４肛径）円形の貫通孔１２ａが設け
られ、トランスファプレート１２０貫通孔１２８近くの
数箇所（この例では４箇所）にクリップ支持台１３を介
して線状のクリップ１５が取付けられていて、各クリッ
プ１５の先端でウェハＷが支持されるようになっている
。クリップ支持台１３とクリップ支持台１３近くのトラ
ンスファプレート１２の部分は、クリップカバー１４で
覆われている。固定軸２のフランジ部２ａには、トラン
スファプレート１２と重なるようにプレッシャプレート
１６が円筒軸３の中心線ＣＬに平行に移動できるように
取付けられていで、ブレンシャプレート１６はトランス
ファプレート１２を押圧又はこれから離間できるように
なっている。第１７図はプレッシャプレート１６がトラ
ンスファプレート１２を押圧している状態を示している
。この状態で、スパッタ領域１ｅでのスパッタ処理と装
入・排出領域でのウェハの出し入れが行われる。
嵌して回転可能な円筒軸３が貫通し、円筒軸３の先端の
フランジ部３ａにはトランスファプレート１２が固定さ
れている。円筒軸３は、固定軸２と、側壁５のスリーブ
５ａとの間に“二重０リングシール”と呼ばれる方式に
よって気密にかつ回転可能な状態で装着されている。図
中、ＯＲは０リングである。トランスファプレート１２
にはウェハＷよりも径が若干大きい（４，５，インチの
ウェハに対して１２４肛径）円形の貫通孔１２ａが設け
られ、トランスファプレート１２０貫通孔１２８近くの
数箇所（この例では４箇所）にクリップ支持台１３を介
して線状のクリップ１５が取付けられていて、各クリッ
プ１５の先端でウェハＷが支持されるようになっている
。クリップ支持台１３とクリップ支持台１３近くのトラ
ンスファプレート１２の部分は、クリップカバー１４で
覆われている。固定軸２のフランジ部２ａには、トラン
スファプレート１２と重なるようにプレッシャプレート
１６が円筒軸３の中心線ＣＬに平行に移動できるように
取付けられていで、ブレンシャプレート１６はトランス
ファプレート１２を押圧又はこれから離間できるように
なっている。第１７図はプレッシャプレート１６がトラ
ンスファプレート１２を押圧している状態を示している
。この状態で、スパッタ領域１ｅでのスパッタ処理と装
入・排出領域でのウェハの出し入れが行われる。
プレッシャプレート１６には、プレッシャープレートシ
ールド５０と共に、四箇所（４，５インチ仕様の場合）
で折曲し貫通孔１７ａを設けたドーナソッ状の遮蔽板（
キャビティプレートと呼ばれる。）１７Ｅがビス止めさ
れている。遮蔽板１７Ｅ、クリップカバー１４及びプレ
ッシャプレートシールド５０は、スパッタ中に成膜材料
粒子（この例ではアルミニウム粒子）がプレッシャプレ
ート１６、トランスファプレート１２及びクリップ支持
台１３に付着するものを防ぐために設けられたものであ
る。
ールド５０と共に、四箇所（４，５インチ仕様の場合）
で折曲し貫通孔１７ａを設けたドーナソッ状の遮蔽板（
キャビティプレートと呼ばれる。）１７Ｅがビス止めさ
れている。遮蔽板１７Ｅ、クリップカバー１４及びプレ
ッシャプレートシールド５０は、スパッタ中に成膜材料
粒子（この例ではアルミニウム粒子）がプレッシャプレ
ート１６、トランスファプレート１２及びクリップ支持
台１３に付着するものを防ぐために設けられたものであ
る。
スパッタ領域１ｅにおいて、側壁５とは反対側の側壁７
には、ウェハＷに対向する貫通孔７ａに、ターゲット支
持ケース９が気密に固着し、これにアルミニウムのター
ゲット２０が収容される。側壁５には、ウェハＷに近接
してアルゴンガス導通孔１８ａを設けたヒータ１８が取
付けられ、配管１９、導通孔１８ａを通ってアルゴンガ
スがスパッタ領域１ｅに導入されるようになっている。
には、ウェハＷに対向する貫通孔７ａに、ターゲット支
持ケース９が気密に固着し、これにアルミニウムのター
ゲット２０が収容される。側壁５には、ウェハＷに近接
してアルゴンガス導通孔１８ａを設けたヒータ１８が取
付けられ、配管１９、導通孔１８ａを通ってアルゴンガ
スがスパッタ領域１ｅに導入されるようになっている。
側壁７の貫通孔７ａは、軸２１を中心にして回動可能な
シャッタ２２（仮想線で示す）によって塞げられるよう
にしてあって、スパッタを行わない時点、即ちウェハの
移動時にシャク２２が仮想線位置に位置して（第１８図
では実線位置に位置する。）アルミニウム粒子の飛翔を
防ぐようにしている。
シャッタ２２（仮想線で示す）によって塞げられるよう
にしてあって、スパッタを行わない時点、即ちウェハの
移動時にシャク２２が仮想線位置に位置して（第１８図
では実線位置に位置する。）アルミニウム粒子の飛翔を
防ぐようにしている。
第三のスパッタ領域１ｅ内のウェハＷは、第１５図の予
熱領域１ｂにて予熱されてから円筒軸３の７２度の回転
によって第一、第二のスパッタ領域１Ｃ１１ｄにてスパ
ッタされ、搬送されて来たものである。第一、第二のス
パッタ領域１ｃ、１ｄも、第三のスパッタ領域１ｅと同
し構造である。
熱領域１ｂにて予熱されてから円筒軸３の７２度の回転
によって第一、第二のスパッタ領域１Ｃ１１ｄにてスパ
ッタされ、搬送されて来たものである。第一、第二のス
パッタ領域１ｃ、１ｄも、第三のスパッタ領域１ｅと同
し構造である。
処理部１の側壁７には、第一のシリンダ５７、第二のシ
リンダ５４が取付けられている。固定軸２及び円筒軸３
は、図示省略した押圧機構によって矢印方向に付勢され
る。そして、第一のシリンダ５７に嵌入されたプレッシ
ャプレートラム５６が、プレッシャプレートシールド５
０の貫通孔５ｏＣを通って、プレッシャプレートラム５
６の先端面が固定軸２の先端面に接当してプレッシャプ
レート１６の固定がなされる。第二のシリンダ５４に嵌
入したロードロックラム５３の先端にはロードロツタプ
レート５２が固定されていて、ロードロンクラム５３の
矢印方向の付勢力により、トランスファプレート１２は
、側壁５に取付けられた０リング支持部５１とロードロ
ックプレート５２とにＯリングＯＲを介して挟まれるよ
うにして気密に位置決めされる。なお、ウェハ交換室１
ｆは、プレッシャプレートラム５６と略同時に同方向へ
運動するロードロックプレート５２及びＯリングＯＲに
よってその都度形成される。
リンダ５４が取付けられている。固定軸２及び円筒軸３
は、図示省略した押圧機構によって矢印方向に付勢され
る。そして、第一のシリンダ５７に嵌入されたプレッシ
ャプレートラム５６が、プレッシャプレートシールド５
０の貫通孔５ｏＣを通って、プレッシャプレートラム５
６の先端面が固定軸２の先端面に接当してプレッシャプ
レート１６の固定がなされる。第二のシリンダ５４に嵌
入したロードロックラム５３の先端にはロードロツタプ
レート５２が固定されていて、ロードロンクラム５３の
矢印方向の付勢力により、トランスファプレート１２は
、側壁５に取付けられた０リング支持部５１とロードロ
ックプレート５２とにＯリングＯＲを介して挟まれるよ
うにして気密に位置決めされる。なお、ウェハ交換室１
ｆは、プレッシャプレートラム５６と略同時に同方向へ
運動するロードロックプレート５２及びＯリングＯＲに
よってその都度形成される。
スパッタは次のようにして遂行される。先ず、排気管５
９に接続する排気ポンプ６１を駆動して処理部１内を１
０−’ｔｏｒｒのオーダに減圧する。図中、６０は真空
遮断パルプである。次いで、スパッタ開始直前に配管１
９から導通孔１８ａを経由してアルゴンガスを処理部１
内に導入する。次に、アルゴンガスの導入を続けながら
ターゲラ１−２０を、陰極と、ターゲット２０の貫通孔
２０ａ内に位置する陽極（電極はいずれも図示省略）と
の間に直流電圧を印加して電場を形成させ、ターゲット
２０の表面近くにプラズマ放電を発生させる。そして、
ここから発生するアルゴンイオンによってターゲット２
０の表面をスパッタし、アルミニウム原子りとして叩き
出して、これをウェハＷの方向へ飛翔させる。なお、こ
のとき、プレッシャプレート１６はトランスファプレー
ト１２を押圧し、ウェハＷとヒータ１８は近接した状態
になっている。
９に接続する排気ポンプ６１を駆動して処理部１内を１
０−’ｔｏｒｒのオーダに減圧する。図中、６０は真空
遮断パルプである。次いで、スパッタ開始直前に配管１
９から導通孔１８ａを経由してアルゴンガスを処理部１
内に導入する。次に、アルゴンガスの導入を続けながら
ターゲラ１−２０を、陰極と、ターゲット２０の貫通孔
２０ａ内に位置する陽極（電極はいずれも図示省略）と
の間に直流電圧を印加して電場を形成させ、ターゲット
２０の表面近くにプラズマ放電を発生させる。そして、
ここから発生するアルゴンイオンによってターゲット２
０の表面をスパッタし、アルミニウム原子りとして叩き
出して、これをウェハＷの方向へ飛翔させる。なお、こ
のとき、プレッシャプレート１６はトランスファプレー
ト１２を押圧し、ウェハＷとヒータ１８は近接した状態
になっている。
飛翔したアルミニウム原子ＯをウェハＷの表面にアルミ
ニウム粒子り、として付着させ、これを堆積させてアル
ミニウムの薄膜をウェハに被着させる。このときの処理
部１内のアルゴン雰囲気は１ｏ−２〜１０”’ｔｏｒｒ
程度の圧力である。
ニウム粒子り、として付着させ、これを堆積させてアル
ミニウムの薄膜をウェハに被着させる。このときの処理
部１内のアルゴン雰囲気は１ｏ−２〜１０”’ｔｏｒｒ
程度の圧力である。
第三のスパッタ領域１ｅでの処理が終了すると、第１８
図に示すように、第一のシリンダ駆動部５８を駆動させ
てプレッシャプレートラム５６を矢印のように後退させ
る。これと略同時に第二のシリンダ駆動部５５を駆動さ
せてロードロックラム５３を矢印のように後退させる。
図に示すように、第一のシリンダ駆動部５８を駆動させ
てプレッシャプレートラム５６を矢印のように後退させ
る。これと略同時に第二のシリンダ駆動部５５を駆動さ
せてロードロックラム５３を矢印のように後退させる。
すると、トランスファプレート１２及びプレッシャプレ
ート１６が前記押圧機構によって夫々矢印方向に移動し
、トランスファプレート１２は、０リング支持部５１及
びロードロツタプレート５２から離れると共に、ヒータ
１８から充分・に隔離され、回転可能な位置に位置する
。この状態で円筒軸３を７２度だけ矢印方向に回転させ
ると、処理済みのウェハＷは側壁５の貫通孔５ｂに対向
位置する。次に、第一、第二のシリンダ駆動部５８．５
５を再び駆動して第１７図の状態に戻す。次に、シール
ドドア３９を開いて貫通孔５ｂを開口させ、ロードロッ
クドア３８によって処理済みのウェハＷを仮想線で示す
ように取出す。その詳細は後に第１６図によって説明す
る。
ート１６が前記押圧機構によって夫々矢印方向に移動し
、トランスファプレート１２は、０リング支持部５１及
びロードロツタプレート５２から離れると共に、ヒータ
１８から充分・に隔離され、回転可能な位置に位置する
。この状態で円筒軸３を７２度だけ矢印方向に回転させ
ると、処理済みのウェハＷは側壁５の貫通孔５ｂに対向
位置する。次に、第一、第二のシリンダ駆動部５８．５
５を再び駆動して第１７図の状態に戻す。次に、シール
ドドア３９を開いて貫通孔５ｂを開口させ、ロードロッ
クドア３８によって処理済みのウェハＷを仮想線で示す
ように取出す。その詳細は後に第１６図によって説明す
る。
未処理のウェハを処理部１に装入するには、上記と逆の
手順による。そして、装入された未処理のウェハは、第
１８図の状態にて装入・排出領域１ａから第１５図の予
熱領域１ｂへと搬送される。
手順による。そして、装入された未処理のウェハは、第
１８図の状態にて装入・排出領域１ａから第１５図の予
熱領域１ｂへと搬送される。
前記スパッタ中に、アルミニウム原子りの一部はウェハ
Ｗ及び遮蔽板１７Ｈにアルミニウム粒子り、 、Ｄ２と
して夫々付着する。ところが、遮蔽板１７Ｈの貫通孔１
７ａを通すアルミニウム原子Ｏの一部は、プレッシャプ
レート１６の側に廻り込んで、クリップカバー１４にア
ルミニウム粒子Ｏ１として、プレッシャプレート１６に
アルミニウム粒子Ｄ４として、プレッシャプレート１６
とトランスファプレート１２との僅かに離れた対向面に
アルミニウム粒子り、として、クリップ１５にアルミニ
ウム粒子り、として付着する。即ち、遮蔽板１７Ｅによ
る飛翔アルミニウム原子の遮蔽は、完全なものではない
。このようにウェハ及び遮蔽板以外の部分に付着したア
ルミニウム粒子Ｄ３、Ｄ４、Ｏ６は、第一のスパッタ領
域１ｃがら第二のスパッタ領域１ｄへのウェハ搬送時、
第二のスパッタ領域１ｄから第三のスパッタ領域１ｅへ
のウェハ搬送時及び第三のスパッタ領域１ｅがら装入・
排出領域１ａへのウェハ搬送時に、付着面から離脱し易
い。これらの離脱したアルミニウム粒子がウェハに付着
すると、この付着個所では、アルミルラム粒子Ｏ４の正
常な堆積が妨げられ、或いは正確なパターニングが妨げ
られ、後の配線パターンへのバターニング後に、配線の
断線、短絡等の決定的な欠陥が生ずるようになる。而も
、この欠陥は、アルミニウム薄膜のバターニング後に発
見されるので、このような欠陥品に次々と所定の処理を
施すことになって甚だ不都合である。
Ｗ及び遮蔽板１７Ｈにアルミニウム粒子り、 、Ｄ２と
して夫々付着する。ところが、遮蔽板１７Ｈの貫通孔１
７ａを通すアルミニウム原子Ｏの一部は、プレッシャプ
レート１６の側に廻り込んで、クリップカバー１４にア
ルミニウム粒子Ｏ１として、プレッシャプレート１６に
アルミニウム粒子Ｄ４として、プレッシャプレート１６
とトランスファプレート１２との僅かに離れた対向面に
アルミニウム粒子り、として、クリップ１５にアルミニ
ウム粒子り、として付着する。即ち、遮蔽板１７Ｅによ
る飛翔アルミニウム原子の遮蔽は、完全なものではない
。このようにウェハ及び遮蔽板以外の部分に付着したア
ルミニウム粒子Ｄ３、Ｄ４、Ｏ６は、第一のスパッタ領
域１ｃがら第二のスパッタ領域１ｄへのウェハ搬送時、
第二のスパッタ領域１ｄから第三のスパッタ領域１ｅへ
のウェハ搬送時及び第三のスパッタ領域１ｅがら装入・
排出領域１ａへのウェハ搬送時に、付着面から離脱し易
い。これらの離脱したアルミニウム粒子がウェハに付着
すると、この付着個所では、アルミルラム粒子Ｏ４の正
常な堆積が妨げられ、或いは正確なパターニングが妨げ
られ、後の配線パターンへのバターニング後に、配線の
断線、短絡等の決定的な欠陥が生ずるようになる。而も
、この欠陥は、アルミニウム薄膜のバターニング後に発
見されるので、このような欠陥品に次々と所定の処理を
施すことになって甚だ不都合である。
ハ２発明の目的
本発明は、被膜形成材料粒子を飛翔させて半導体に被膜
を形成する際に、半導体以外の部分への被膜形成材料粒
子の不所望な付着を防止できる半導体処理装置を提供す
ることを目的としている。
を形成する際に、半導体以外の部分への被膜形成材料粒
子の不所望な付着を防止できる半導体処理装置を提供す
ることを目的としている。
二４発明の構成
本発明は、
被膜形成材料粒子を飛翔させて半導体に被膜を形成させ
る半導体処理装置であって、 前記半導体を支持する支持手段と、この支持手段を固定
させる固定手段と、少なくとも前記支持手段及び前記固
定手段の領域の大部分を前記被膜形成材料粒子から遮蔽
する遮蔽手段（例えば後述の遮蔽板１７Ａ）とを有し、 この遮蔽手段に、前記支持手段及び前記固定手段のいず
れか一方又は双方の前記の領域の大部分以外の領域を前
記被膜形成材料粒子から遮蔽するための遮蔽補完部（例
えば後述の円筒部１７ｂ）が設けられている半導体処理
装置に係る。
る半導体処理装置であって、 前記半導体を支持する支持手段と、この支持手段を固定
させる固定手段と、少なくとも前記支持手段及び前記固
定手段の領域の大部分を前記被膜形成材料粒子から遮蔽
する遮蔽手段（例えば後述の遮蔽板１７Ａ）とを有し、 この遮蔽手段に、前記支持手段及び前記固定手段のいず
れか一方又は双方の前記の領域の大部分以外の領域を前
記被膜形成材料粒子から遮蔽するための遮蔽補完部（例
えば後述の円筒部１７ｂ）が設けられている半導体処理
装置に係る。
ホ、実施例
以下、本発明の詳細な説明する。
先ず、スパッタ装置の概要について説明する。
第１４図はスパッタ装置の一部破砕斜視図である。
スパッタ装置は、処理部１、処理部１内の駆動用の第一
の駆動部３１、ウェハ搬送用の第二の駆動部３２及び操
作部４１からなっている。
の駆動部３１、ウェハ搬送用の第二の駆動部３２及び操
作部４１からなっている。
処理部１内は、第１５図に示すように、装入・排出領域
１ａ、予熱領域１ｂ、第一のスパッタ領域１ｃ、第二の
スパッタ領域１ｄ及び第三のスパッタ領域１ｅの５頭域
に円周方向等間隔に区分（仕切りは無い）されている。
１ａ、予熱領域１ｂ、第一のスパッタ領域１ｃ、第二の
スパッタ領域１ｄ及び第三のスパッタ領域１ｅの５頭域
に円周方向等間隔に区分（仕切りは無い）されている。
カセット４ｏに収容されたウェハＷは、ガイド３５に案
内されて装入・排出領域１ａの前方下側に搬送され、間
歇的に矢印のように移動してスパッタ処理を施され、再
びカセット４０に収容されて搬送される。
内されて装入・排出領域１ａの前方下側に搬送され、間
歇的に矢印のように移動してスパッタ処理を施され、再
びカセット４０に収容されて搬送される。
第１６図はウェハの処理部への装入の要領を示す要部斜
視図である。
視図である。
ウェハＷを収容したカセット４０は、スプロケット３７
によって周回するチェーン３６に取付けられ、ガイド３
５に案内されて移動するようになっている。ウェハＷは
、シールドア３９を開いてからガイド３５を貫通して上
下動可能なりフタ３３によって上昇し、装入・排出領域
１ａのロードドア３８に取付けられた吸着ピックアップ
３８ａに吸着し、リフタ３３が下鋒してからロードドア
３８を閉じると、装入・排出領域１ａで待機しているク
リップ１５にウェハＷが支持されるようにしである。ク
リップ１５は、ウェハ支持時にロードドア３８に設けら
れたピン３８ｂによって先端が屈曲してウェハＷを支持
する。次に、ロードドア３８を開いてからシールドア３
９を閉し、処理部１内を外部から気密に保つ。装入・排
出領域１ａから処理済みのウェハを取出してカセットに
収容させるには、上記とは逆の手順による。
によって周回するチェーン３６に取付けられ、ガイド３
５に案内されて移動するようになっている。ウェハＷは
、シールドア３９を開いてからガイド３５を貫通して上
下動可能なりフタ３３によって上昇し、装入・排出領域
１ａのロードドア３８に取付けられた吸着ピックアップ
３８ａに吸着し、リフタ３３が下鋒してからロードドア
３８を閉じると、装入・排出領域１ａで待機しているク
リップ１５にウェハＷが支持されるようにしである。ク
リップ１５は、ウェハ支持時にロードドア３８に設けら
れたピン３８ｂによって先端が屈曲してウェハＷを支持
する。次に、ロードドア３８を開いてからシールドア３
９を閉し、処理部１内を外部から気密に保つ。装入・排
出領域１ａから処理済みのウェハを取出してカセットに
収容させるには、上記とは逆の手順による。
次に、遮蔽板の具体例について説明する。以下の各側は
、４．５インチのウェハを対象とした遮蔽板についての
例である。
、４．５インチのウェハを対象とした遮蔽板についての
例である。
第１図は遮蔽板の平面図（第１７図の左側から見た側面
図に相当）、第２図は第１図の■−■線断面図である。
図に相当）、第２図は第１図の■−■線断面図である。
遮蔽板１７Ａは、厚さｔが０．８ ａｎ、外径φ４が２
３３．７ ｔａｘｓの両面ブラスト仕上げによって粗面
化したアルミニウム製又はステンレス網製の円板であっ
て、同心円の４個所で内側上方へ斜めに折曲し、更に中
心近くで円筒部１７ｂが形成されて円筒部１７ｂ内に貫
通孔１７ａが形成されている。円筒部１７ｂ内径φ１は
１２２ ｗｎ、高さり、は６圓としてあり、最外周側の
平板部に対する最内周側の平板部の高さｈ２は１５．２
−としである。最外周側のに取付けるための内径５．５
ｍの貫通孔１７ｆが設けられている。
３３．７ ｔａｘｓの両面ブラスト仕上げによって粗面
化したアルミニウム製又はステンレス網製の円板であっ
て、同心円の４個所で内側上方へ斜めに折曲し、更に中
心近くで円筒部１７ｂが形成されて円筒部１７ｂ内に貫
通孔１７ａが形成されている。円筒部１７ｂ内径φ１は
１２２ ｗｎ、高さり、は６圓としてあり、最外周側の
平板部に対する最内周側の平板部の高さｈ２は１５．２
−としである。最外周側のに取付けるための内径５．５
ｍの貫通孔１７ｆが設けられている。
第３図は処理部１の第三のスパッタ領域１ｃ内で第１図
、第２図の遮蔽板１７Ａを使用してウェハにスパツクを
行っている状態を示す、第１７図と同様の概略断面図（
但し、第三のスバ・フタ領域１ｅのみ）である。なお、
第１７図と共通する部分には同じ符号を付して表してあ
り、これらの説明は省略する。
、第２図の遮蔽板１７Ａを使用してウェハにスパツクを
行っている状態を示す、第１７図と同様の概略断面図（
但し、第三のスバ・フタ領域１ｅのみ）である。なお、
第１７図と共通する部分には同じ符号を付して表してあ
り、これらの説明は省略する。
遮蔽板１７Ａの円筒部１７ｂは、貫通孔１７ａ内のウェ
ハＷを囲むように、かつ、トランスファプレート１２及
びプレッシャプレート１６の貫通孔並びにクリップカバ
ー１４．１４間に挿入され、これらを飛翔してくるアル
ミニウム原子りから完全に遮蔽する。ウェハＷ及び遮蔽
板１７Ａ以外でアルミニウム原子から遮蔽されていない
部分は、僅かにクリップ１５の先端側部分だけである。
ハＷを囲むように、かつ、トランスファプレート１２及
びプレッシャプレート１６の貫通孔並びにクリップカバ
ー１４．１４間に挿入され、これらを飛翔してくるアル
ミニウム原子りから完全に遮蔽する。ウェハＷ及び遮蔽
板１７Ａ以外でアルミニウム原子から遮蔽されていない
部分は、僅かにクリップ１５の先端側部分だけである。
従って、ウェハＷへのアルミニウム粒子り、の付着が進
行してこれがウェハＷ面に堆積していく過程で、クリッ
プ１５に付着するアルミニウム粒子（第１７図のり、）
は僅少である。遮蔽板１７Ａに付着するアルミニウム粒
子Ｄ２は、ウェハＷ上のアルミニウム粒子Ｄ１と同様に
堆積していってアルミニウムの薄膜を形成するので、遮
蔽板１７Ａ本 から離脱するようなことはない。遮蔽１７Ａの両面は前
述したようにブラスト処理によって粗面化しであるので
、付着粒子の離脱が効果的に防止される。以上の結果、
ウェハ移動中のアルミニウム粒子Ｄ６がクリップ１５か
ら離脱してウェハＷに付着したとしても、その量は僅少
であるので、前述したような不都合が生ずることは極め
て少ない。
行してこれがウェハＷ面に堆積していく過程で、クリッ
プ１５に付着するアルミニウム粒子（第１７図のり、）
は僅少である。遮蔽板１７Ａに付着するアルミニウム粒
子Ｄ２は、ウェハＷ上のアルミニウム粒子Ｄ１と同様に
堆積していってアルミニウムの薄膜を形成するので、遮
蔽板１７Ａ本 から離脱するようなことはない。遮蔽１７Ａの両面は前
述したようにブラスト処理によって粗面化しであるので
、付着粒子の離脱が効果的に防止される。以上の結果、
ウェハ移動中のアルミニウム粒子Ｄ６がクリップ１５か
ら離脱してウェハＷに付着したとしても、その量は僅少
であるので、前述したような不都合が生ずることは極め
て少ない。
第４図は、１１ケ月半に亘る連続運転中で１枚のウェハ
に付着した不所望な粒子（−旦つエバ以外の部分に付着
し、これから離脱してウェハに付着したアルミニウム粒
子及び雰囲気中の微量のＣＯ□等に起因する炭素粒子等
）の数を定期的に調べた結果の推移を示す。図中、第６
月迄は第１７図の遮蔽板１７Ｅ（円筒部１７ｂを設けず
、第２図で仮想線で示す貫通孔内径φ３が１２４ ｗｎ
、 ｈｔ寸法が１５．０ｍ）を使用しており、第７月以
降は第１図、第２図の遮蔽板１７Ａを使用している。図
中、２０．５μｍとあるのは、径０．５μｍ以上の不所
望な粒子のウェハへの付着個数を相対値で示す、この測
定は、一般に使用される“レーザー表面検査装置”と呼
ばれるものを使用して行った。なお、０．５μｍ径より
も微細な粒子の付着は殆ど問題にされないのであるが、
第４図には参考の為に径０．３μｍ以上（径０．５μｍ
以上のものをも含む）の付着粒子個数を併記しである。
に付着した不所望な粒子（−旦つエバ以外の部分に付着
し、これから離脱してウェハに付着したアルミニウム粒
子及び雰囲気中の微量のＣＯ□等に起因する炭素粒子等
）の数を定期的に調べた結果の推移を示す。図中、第６
月迄は第１７図の遮蔽板１７Ｅ（円筒部１７ｂを設けず
、第２図で仮想線で示す貫通孔内径φ３が１２４ ｗｎ
、 ｈｔ寸法が１５．０ｍ）を使用しており、第７月以
降は第１図、第２図の遮蔽板１７Ａを使用している。図
中、２０．５μｍとあるのは、径０．５μｍ以上の不所
望な粒子のウェハへの付着個数を相対値で示す、この測
定は、一般に使用される“レーザー表面検査装置”と呼
ばれるものを使用して行った。なお、０．５μｍ径より
も微細な粒子の付着は殆ど問題にされないのであるが、
第４図には参考の為に径０．３μｍ以上（径０．５μｍ
以上のものをも含む）の付着粒子個数を併記しである。
従来の遮蔽板１７Ｅを使用した期間では、径０．３μｍ
以上及び径０．５μｍ以上の粒子付着個数径０．３μｍ
以上及び０．５μｍ以上の粒子付着個数平均レベルは、
夫々０．０９及び０．０３であり、従来例に較べて径０
．３μｍ以上にあっては１７３以下、径０．５μｍ以上
にあっては１７５以下に粒子付着個数平均レベルが大幅
に低下している。
以上及び径０．５μｍ以上の粒子付着個数径０．３μｍ
以上及び０．５μｍ以上の粒子付着個数平均レベルは、
夫々０．０９及び０．０３であり、従来例に較べて径０
．３μｍ以上にあっては１７３以下、径０．５μｍ以上
にあっては１７５以下に粒子付着個数平均レベルが大幅
に低下している。
遮蔽板１７Ａ及びクリップ１５は次のようにして処理部
１の所定位置に正確に取付けられる。先ず、第３図のヒ
ータ１８に外径が遮蔽板内径に略等しいスリーブ（図示
せず）を被せ、更にこのスリーブに遮蔽板１７Ａを外嵌
させて遮蔽板１７Ａの位置決め（センタ出し）を行い、
プレッシャープレート１６に固定させる。次に、スリー
ブを撤去してからクリップ１５をトランスファプレート
１２に取付ける。遮蔽板の円筒部１７ｂは、ウェハへの
不所望な粒子付着を防くほか、上記のスリーブへの外嵌
を極めて容易ならしめる役割をも果す。
１の所定位置に正確に取付けられる。先ず、第３図のヒ
ータ１８に外径が遮蔽板内径に略等しいスリーブ（図示
せず）を被せ、更にこのスリーブに遮蔽板１７Ａを外嵌
させて遮蔽板１７Ａの位置決め（センタ出し）を行い、
プレッシャープレート１６に固定させる。次に、スリー
ブを撤去してからクリップ１５をトランスファプレート
１２に取付ける。遮蔽板の円筒部１７ｂは、ウェハへの
不所望な粒子付着を防くほか、上記のスリーブへの外嵌
を極めて容易ならしめる役割をも果す。
第５図は他の例による遮蔽板の第１図と同様の平面図、
第６図は第５図の■−■線断面図、第７図は第３図と同
様の概略断面図である。
第６図は第５図の■−■線断面図、第７図は第３図と同
様の概略断面図である。
この例による遮蔽板１７Ｂでは、円筒部を設けず、貫通
孔１７ａの内径φ２を９５ｍｍとウェハＷの外径１１４
．３ ｍｍ （２，５，４ｍＸ４．５ ）よりも少し小
さくしている。第５図には、ウェハの外径を仮想線で示
してあり、その外径をφ、で示しである。遮蔽板１７Ｂ
は、貫通孔１７ａの内径をウェハ外径よりも小さくして
いるので、ウェハ外径よりも内側の環状部分１７ｃによ
ってクリップ１５も遮蔽されている。この場合、ウェハ
への不所望な粒子付着は無くなるのであるが、ウェハ周
縁に膜厚不足の部分が生し、最終製品として不良品とな
るものが３０％程度になることになってしまう。然し、
６インチ、８インチと言った大径のウェハに対して第５
図、第６図の形状の遮蔽板を使用すれば、この不良率は
大幅に減少する。また、形成する薄膜が、アルミニウム
ではな（、タングステン−珪素系（例えばＷＳｉ２）の
ように、ウェハの有効面積を若干犠牲にしても不所望な
粒子付着を更に低減させ度い場合は、第５図、第６図の
遮蔽板１７Ｂの採用が有効である。
孔１７ａの内径φ２を９５ｍｍとウェハＷの外径１１４
．３ ｍｍ （２，５，４ｍＸ４．５ ）よりも少し小
さくしている。第５図には、ウェハの外径を仮想線で示
してあり、その外径をφ、で示しである。遮蔽板１７Ｂ
は、貫通孔１７ａの内径をウェハ外径よりも小さくして
いるので、ウェハ外径よりも内側の環状部分１７ｃによ
ってクリップ１５も遮蔽されている。この場合、ウェハ
への不所望な粒子付着は無くなるのであるが、ウェハ周
縁に膜厚不足の部分が生し、最終製品として不良品とな
るものが３０％程度になることになってしまう。然し、
６インチ、８インチと言った大径のウェハに対して第５
図、第６図の形状の遮蔽板を使用すれば、この不良率は
大幅に減少する。また、形成する薄膜が、アルミニウム
ではな（、タングステン−珪素系（例えばＷＳｉ２）の
ように、ウェハの有効面積を若干犠牲にしても不所望な
粒子付着を更に低減させ度い場合は、第５図、第６図の
遮蔽板１７Ｂの採用が有効である。
この例にあっては、遮蔽板１７Ｂの第６図のｈ３寸法（
第２図のｈ２寸法に対応）を、従来の遮蔽板１７Ｅにお
ける１５．０■に対して１３．０鴎と小さくしている。
第２図のｈ２寸法に対応）を、従来の遮蔽板１７Ｅにお
ける１５．０■に対して１３．０鴎と小さくしている。
その理由は次の通りである。従来からウェハと遮蔽板の
貫通孔近くの部分とは互いに接近しており、遮蔽板１７
Ｂのように貫通孔内径を小さくすると、スパッタ処理時
に両者が従来以上に接近し、場合によっては両者が接触
する可能性がある。ウェハＷと遮蔽板１７Ｂとが接触す
ると発塵が起るようになり、この塵がウェハに付着する
とウェハの品質が甚しく劣化するようになる。
貫通孔近くの部分とは互いに接近しており、遮蔽板１７
Ｂのように貫通孔内径を小さくすると、スパッタ処理時
に両者が従来以上に接近し、場合によっては両者が接触
する可能性がある。ウェハＷと遮蔽板１７Ｂとが接触す
ると発塵が起るようになり、この塵がウェハに付着する
とウェハの品質が甚しく劣化するようになる。
以上を勘案して本例ではｈ ｘ １３．Ｏｍａとしてい
る。
る。
第８図は更に他の例による遮蔽板第１図、第５図と同様
の平面図、第９図は第８図のＩＸ−ＩＸ線断面図、第１
０図は第３図、第７図と同様の概略断面図である。
の平面図、第９図は第８図のＩＸ−ＩＸ線断面図、第１
０図は第３図、第７図と同様の概略断面図である。
この例による遮蔽板１７Ｃでは、貫通孔１７ａの内径を
ウェハの外径と同しφ、とし、第５図、第６図のウェハ
外径よりも内側の環状部分１７ｃに替えて、クリップの
位置に対応して内方に突出する突出部１７ｄ、１７ｄ、
１７ｄ、１７ｄ、を延設している。互いに対向する突出
部１７ｄ、１７ｄの間隔ｄ２は、第５図、第６図の内径
φ２と同じ９５ｍとしである。
ウェハの外径と同しφ、とし、第５図、第６図のウェハ
外径よりも内側の環状部分１７ｃに替えて、クリップの
位置に対応して内方に突出する突出部１７ｄ、１７ｄ、
１７ｄ、１７ｄ、を延設している。互いに対向する突出
部１７ｄ、１７ｄの間隔ｄ２は、第５図、第６図の内径
φ２と同じ９５ｍとしである。
この例にあっては、第５図、第６図の遮蔽板１７Ｂに較
べて、クリップ、トランスファプレート、プレッシャプ
レートの方へ侵入する飛翔原子は若干多くなるのである
が、ウェハに形成される薄膜のうちの膜厚不足になる部
分は４箇所の突出部１７ｄに対応する４箇所だけであり
、最終製品の歩留が向上する。（不良率１０％程度）。
べて、クリップ、トランスファプレート、プレッシャプ
レートの方へ侵入する飛翔原子は若干多くなるのである
が、ウェハに形成される薄膜のうちの膜厚不足になる部
分は４箇所の突出部１７ｄに対応する４箇所だけであり
、最終製品の歩留が向上する。（不良率１０％程度）。
ウェハの上記の膜厚不足部分は、ウェハの径が大きくな
る程その面積率が小さくなって歩留が更に向上すること
は言う迄もない。
る程その面積率が小さくなって歩留が更に向上すること
は言う迄もない。
第１１図は更に他の例による遮蔽板の第１図、第８図と
同様の平面図、第１２図は第１１図のＸ■−ｘｎｍ断面
図、第１３図は第３図、第１０図と同様の概略断面図で
ある。
同様の平面図、第１２図は第１１図のＸ■−ｘｎｍ断面
図、第１３図は第３図、第１０図と同様の概略断面図で
ある。
遮蔽板１７Ｄは、前記の遮蔽板１７Ａに前記の遮蔽板１
７Ｃの突出部１７ｄ、１７ｄ、１７ｄ、１７ｄを付加し
た構造としである。但し、遮蔽板１７Ｄにあっては、遮
蔽板１７Ａの円筒部と同じ円筒部１７ｂを設けているの
で、突出部１７ｄを延設することができず、従って各突
出部１７ｄに替えて板状小片１７ｅを遮蔽板１７０の裏
側に鋲１７ｇで固定させ、板状小片１７ｅの先端部を貫
通孔１７ａに突出させている。互いに対向する板状小片
１７ｅ、１７ｅの間隔は、第８図、第９図の突出部１７
ｄ、１７ｄの間隔と同じｄ２としている。
７Ｃの突出部１７ｄ、１７ｄ、１７ｄ、１７ｄを付加し
た構造としである。但し、遮蔽板１７Ｄにあっては、遮
蔽板１７Ａの円筒部と同じ円筒部１７ｂを設けているの
で、突出部１７ｄを延設することができず、従って各突
出部１７ｄに替えて板状小片１７ｅを遮蔽板１７０の裏
側に鋲１７ｇで固定させ、板状小片１７ｅの先端部を貫
通孔１７ａに突出させている。互いに対向する板状小片
１７ｅ、１７ｅの間隔は、第８図、第９図の突出部１７
ｄ、１７ｄの間隔と同じｄ２としている。
遮蔽板１７Ｄにあっては、第１図、第２図の遮蔽板１７
Ａの前述した効果に加えて、第８図、第９図の遮蔽板１
７Ｃの前述した効果がプラスされるので、ウェハへの不
所望な粒子付着が更に減少する。
Ａの前述した効果に加えて、第８図、第９図の遮蔽板１
７Ｃの前述した効果がプラスされるので、ウェハへの不
所望な粒子付着が更に減少する。
従来の遮蔽板１７εを使用した場合に対して遮蔽板１７
Ａの使用による効果を７０％とした場合、遮蔽板１７Ｃ
の使用による効果は３０％と、遮蔽板１７Ｄの使用によ
る効果は８０％と夫々推測される。
Ａの使用による効果を７０％とした場合、遮蔽板１７Ｃ
の使用による効果は３０％と、遮蔽板１７Ｄの使用によ
る効果は８０％と夫々推測される。
遮蔽板１７Ｃ１１７０では、いずれも突出部１７（１、
板状小片１７ｅの貫通孔１７ａへの突出部分に対応する
ウェハの位置に、膜厚不足の部分が生ずることになり、
このためアルミニウムスパッタの場合、エツチングによ
る配線パターンへのバターニング時にこれが影響して最
終製品に１０％程度の不良品が発生することになる。こ
れらの遮蔽板の用途については、次のように対処すれば
良い。即ち、スパッタ材料がアルミニウム又はアルミニ
ウムプラス珪素である場合は、ウェハへの不所望な粒子
付着が比較的少ないので遮蔽板１７Ａで充分であり、場
合によっては（例えば大径のウェハ）遮蔽板１７Ｃを採
用することも可能である。
板状小片１７ｅの貫通孔１７ａへの突出部分に対応する
ウェハの位置に、膜厚不足の部分が生ずることになり、
このためアルミニウムスパッタの場合、エツチングによ
る配線パターンへのバターニング時にこれが影響して最
終製品に１０％程度の不良品が発生することになる。こ
れらの遮蔽板の用途については、次のように対処すれば
良い。即ち、スパッタ材料がアルミニウム又はアルミニ
ウムプラス珪素である場合は、ウェハへの不所望な粒子
付着が比較的少ないので遮蔽板１７Ａで充分であり、場
合によっては（例えば大径のウェハ）遮蔽板１７Ｃを採
用することも可能である。
スパッタ材料がチタン、チタン−タングステン系やタン
グステン−珪素系のような高融点金属等で、ウェハへの
不所望な粒子付着が多く発生する場合は、遮蔽板１７Ｄ
を採用するのが好適である。何故なら、上記のような高
融点金属のスパッタでは、搬送中の振動がなくても、付
着粒子の応力歪に起因してこれが被付着物から離脱し易
いからである。
グステン−珪素系のような高融点金属等で、ウェハへの
不所望な粒子付着が多く発生する場合は、遮蔽板１７Ｄ
を採用するのが好適である。何故なら、上記のような高
融点金属のスパッタでは、搬送中の振動がなくても、付
着粒子の応力歪に起因してこれが被付着物から離脱し易
いからである。
以上、本発明の詳細な説明したが、本発明の技術的思想
に基いて前記の実施例に種々の変形を加えることができ
る。例えば、第１４図〜第１６図のスパッタ装置全体の
構造は、他の適宜の構造として良い。また、ウェハ等の
被処理半導体を回転等によって移動させて次々とスパッ
タ処理するトランスファタイプのほか、半導体をアーム
によって移動させるタイプ及び半導体を移動させないハ
ツチタイプの処理も本発明が適用可能である。
に基いて前記の実施例に種々の変形を加えることができ
る。例えば、第１４図〜第１６図のスパッタ装置全体の
構造は、他の適宜の構造として良い。また、ウェハ等の
被処理半導体を回転等によって移動させて次々とスパッ
タ処理するトランスファタイプのほか、半導体をアーム
によって移動させるタイプ及び半導体を移動させないハ
ツチタイプの処理も本発明が適用可能である。
更に、本発明は、スパッタのほかの他の処理、例えば蒸
着等にも同様に適用可能であり、製膜材料も前記のほか
の種々の材料であって良い。
着等にも同様に適用可能であり、製膜材料も前記のほか
の種々の材料であって良い。
へ０発明の効果
本発明は、少なくとも、半導体を支持する支持手段及び
この支持手段を固定する固定手段の大部分の領域を、飛
翔する被膜形成材料粒子から遮蔽する遮蔽手段を有し、
この遮蔽手段に、前記支持手段及び前記固定手段のいず
れか一方又は双方の前記の領域の大部分以外の領域を前
記被膜形成材料粒子から遮蔽するための遮蔽補完部が設
けているので、半導体及び遮蔽手段以外の部分に付着す
る不所望な被膜形成材料粒子が上記遮蔽補完部の存在に
よって極めて少なくなる。従って、この不所望な被膜形
成材料粒子が被膜形成中及び／又は被膜形成後に上記部
分から離脱して半導体に付着し、形成される被膜に悪影
響を及ぼすことが効果的に防止される。その結果、最純
製品の品質が保証され、歩留も向上する。
この支持手段を固定する固定手段の大部分の領域を、飛
翔する被膜形成材料粒子から遮蔽する遮蔽手段を有し、
この遮蔽手段に、前記支持手段及び前記固定手段のいず
れか一方又は双方の前記の領域の大部分以外の領域を前
記被膜形成材料粒子から遮蔽するための遮蔽補完部が設
けているので、半導体及び遮蔽手段以外の部分に付着す
る不所望な被膜形成材料粒子が上記遮蔽補完部の存在に
よって極めて少なくなる。従って、この不所望な被膜形
成材料粒子が被膜形成中及び／又は被膜形成後に上記部
分から離脱して半導体に付着し、形成される被膜に悪影
響を及ぼすことが効果的に防止される。その結果、最純
製品の品質が保証され、歩留も向上する。
第１図〜第１６図は本発明の実施例を示すものであって
、 第１図は遮蔽板の平面図、 第２図は第１図の■−■線断面図、 第３図は第１図、第２図の遮蔽板を組付けたスパッタ装
置の概略断面図、 第４図は、第３図のスパッタ装置を使用してスパッタ処
理を行い、ウェハへの不所望な粒子付着の状況を調べた
結果を示すグラフ、 第５図は他の例による遮蔽板の平面図、第６図は第５図
のＶｌ−ＶＩ線断面図、第７図は第５図、第６図の遮蔽
板を組付けたスパッタ装置の概略断面図、 第８図は更に他の例による遮蔽板の平面図、第９図は第
８図のＩＸ−ＩＸ線断面図、第１０図は第８図、第９図
の遮蔽板を組付けたスパッタ装置の概略断面図、 第１１図は更に他の例による遮蔽板の平面図、第１２図
は第１１図のＸ■−Ｘ■線断面図、第１３図は第１１図
、第１２図の遮蔽板を組付けたスパッタ装置の概略断面
図、 第１４図はスパッタ装置全体の一部破砕斜視図、第１５
図は処理部の斜視図（略正面図）、第１６図はウェハ装
入・排出機構の要部斜視図である。 第１７図及び第１８図は従来例を示すものであって、 第１７図はスパッタ装置処理部のスパッタ中の概略断面
図、 第１８図は同ウェハ移動時の概略断面図である。 なお、図面に示された符号において、 １・・・・・・・・・処理部 １ａ・・・・・・・・・装入・排出領域１ｂ・・・・・
・・・・予熱領域 １ｃ、１ｄ、１ｅ・・・・・・・・・スパッタ領域８・
・・・・・・・・排気用配管 １１・・・・・・・・・遮蔽板支持台 １２・・・・・・・・・トランスファプレート１４・・
・・・・・・・クリップカバー１５・・・・・・・・・
クリップ １６・・・・・・・・・プレッシャプレート１７Ａ、１
７Ｂ、１７Ｃ１１７Ｄ、１７Ｅ・・・・・・・・・遮蔽
板 １７ａ・・・・・・・・・貫通孔 １７ｂ・・・・・・・・・円筒部 １７Ｃ・・・・・・・・・内側環状部分１７ｄ・・・・
・・・・・突出部 １７ｅ・・・・・・・・・板状小片 １８・・・・・・・・・ヒータ １９・・・・・・・・・アルゴンガス導入用配管２０・
・・・・・・・・ターゲット Ｗ・・・・・・・・・ウェハ Ｏ・・・・・・・・・アルミニウム原子り、、Ｄ、、Ｄ
ｆｆ、Ｄ、、Ｄ、、Ｄ。 ・・・・・・・・・付着したアルミニウム粒子である。 代理人 弁理士 連環 宏 第２図 第３図 ィ才 厖 ＃Ｌ秀イ１刀数 Ｃオ目７＝１ｒ直）第６図 １７Ｂ 第７図 第１０図 第１３図 、１ 第１４図
、 第１図は遮蔽板の平面図、 第２図は第１図の■−■線断面図、 第３図は第１図、第２図の遮蔽板を組付けたスパッタ装
置の概略断面図、 第４図は、第３図のスパッタ装置を使用してスパッタ処
理を行い、ウェハへの不所望な粒子付着の状況を調べた
結果を示すグラフ、 第５図は他の例による遮蔽板の平面図、第６図は第５図
のＶｌ−ＶＩ線断面図、第７図は第５図、第６図の遮蔽
板を組付けたスパッタ装置の概略断面図、 第８図は更に他の例による遮蔽板の平面図、第９図は第
８図のＩＸ−ＩＸ線断面図、第１０図は第８図、第９図
の遮蔽板を組付けたスパッタ装置の概略断面図、 第１１図は更に他の例による遮蔽板の平面図、第１２図
は第１１図のＸ■−Ｘ■線断面図、第１３図は第１１図
、第１２図の遮蔽板を組付けたスパッタ装置の概略断面
図、 第１４図はスパッタ装置全体の一部破砕斜視図、第１５
図は処理部の斜視図（略正面図）、第１６図はウェハ装
入・排出機構の要部斜視図である。 第１７図及び第１８図は従来例を示すものであって、 第１７図はスパッタ装置処理部のスパッタ中の概略断面
図、 第１８図は同ウェハ移動時の概略断面図である。 なお、図面に示された符号において、 １・・・・・・・・・処理部 １ａ・・・・・・・・・装入・排出領域１ｂ・・・・・
・・・・予熱領域 １ｃ、１ｄ、１ｅ・・・・・・・・・スパッタ領域８・
・・・・・・・・排気用配管 １１・・・・・・・・・遮蔽板支持台 １２・・・・・・・・・トランスファプレート１４・・
・・・・・・・クリップカバー１５・・・・・・・・・
クリップ １６・・・・・・・・・プレッシャプレート１７Ａ、１
７Ｂ、１７Ｃ１１７Ｄ、１７Ｅ・・・・・・・・・遮蔽
板 １７ａ・・・・・・・・・貫通孔 １７ｂ・・・・・・・・・円筒部 １７Ｃ・・・・・・・・・内側環状部分１７ｄ・・・・
・・・・・突出部 １７ｅ・・・・・・・・・板状小片 １８・・・・・・・・・ヒータ １９・・・・・・・・・アルゴンガス導入用配管２０・
・・・・・・・・ターゲット Ｗ・・・・・・・・・ウェハ Ｏ・・・・・・・・・アルミニウム原子り、、Ｄ、、Ｄ
ｆｆ、Ｄ、、Ｄ、、Ｄ。 ・・・・・・・・・付着したアルミニウム粒子である。 代理人 弁理士 連環 宏 第２図 第３図 ィ才 厖 ＃Ｌ秀イ１刀数 Ｃオ目７＝１ｒ直）第６図 １７Ｂ 第７図 第１０図 第１３図 、１ 第１４図
Claims (1)
- １．被膜形成材料粒子を飛翔させて半導体に被膜を形成
させる半導体処理装置であって、 前記半導体を支持する支持手段と、この支持手段を固定
させる固定手段と、少なくとも前記支持手段及び前記固
定手段の領域の大部分を前記被膜形成材料粒子から遮蔽
する遮蔽手段とを有し、この遮蔽手段に、前記支持手段
及び前記固定手段のいずれか一方又は双方の前記の領域
の大部分以外の領域を前記被膜形成材料粒子から遮蔽す
るための遮蔽補完部が設けられている半導体処理装置。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| US07/798,394 US5460708A (en) | 1990-11-30 | 1991-11-26 | Semiconductor processing system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2339125A JP3066507B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体処理装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04202769A true JPH04202769A (ja) | 1992-07-23 |
| JP3066507B2 JP3066507B2 (ja) | 2000-07-17 |
Family
ID=18324483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2339125A Expired - Fee Related JP3066507B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体処理装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5460708A (ja) |
| JP (1) | JP3066507B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0930642A1 (en) * | 1994-04-20 | 1999-07-21 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for plasma-treating of a substrate |
| US6391147B2 (en) | 1994-04-28 | 2002-05-21 | Tokyo Electron Limited | Plasma treatment method and apparatus |
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| WO1998031845A1 (en) | 1997-01-16 | 1998-07-23 | Bottomfield, Layne, F. | Vapor deposition components and corresponding methods |
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| US4416759A (en) * | 1981-11-27 | 1983-11-22 | Varian Associates, Inc. | Sputter system incorporating an improved blocking shield for contouring the thickness of sputter coated layers |
| US4410407A (en) * | 1981-12-22 | 1983-10-18 | Raytheon Company | Sputtering apparatus and methods |
| JPS60135567A (ja) * | 1983-12-23 | 1985-07-18 | Seiko Epson Corp | バツチ式スパツタ装置の基板マスク |
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| DE3716498C2 (de) * | 1987-05-16 | 1994-08-04 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Ein- und Ausschleusen von Werkstücken in eine Beschichtungskammer |
| JPS63305169A (ja) * | 1987-06-05 | 1988-12-13 | Marubishi Yuka Kogyo Kk | 難燃性合成樹脂組成物 |
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1990
- 1990-11-30 JP JP2339125A patent/JP3066507B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-11-26 US US07/798,394 patent/US5460708A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6431115B2 (en) | 1994-03-25 | 2002-08-13 | Tokyo Electron Limited | Plasma treatment method and apparatus |
| EP0930642A1 (en) * | 1994-04-20 | 1999-07-21 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for plasma-treating of a substrate |
| US6106737A (en) * | 1994-04-20 | 2000-08-22 | Tokyo Electron Limited | Plasma treatment method utilizing an amplitude-modulated high frequency power |
| US6264788B1 (en) | 1994-04-20 | 2001-07-24 | Tokyo Electron Limited | Plasma treatment method and apparatus |
| US6379756B2 (en) | 1994-04-20 | 2002-04-30 | Tokyo Electron Limited | Plasma treatment method and apparatus |
| US6544380B2 (en) | 1994-04-20 | 2003-04-08 | Tokyo Electron Limited | Plasma treatment method and apparatus |
| US6991701B2 (en) * | 1994-04-20 | 2006-01-31 | Tokyo Electron Limited | Plasma treatment method and apparatus |
| US6391147B2 (en) | 1994-04-28 | 2002-05-21 | Tokyo Electron Limited | Plasma treatment method and apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| US5460708A (en) | 1995-10-24 |
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