JPH0242393B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0242393B2
JPH0242393B2 JP59148566A JP14856684A JPH0242393B2 JP H0242393 B2 JPH0242393 B2 JP H0242393B2 JP 59148566 A JP59148566 A JP 59148566A JP 14856684 A JP14856684 A JP 14856684A JP H0242393 B2 JPH0242393 B2 JP H0242393B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive
wafer
radiation
adhesive sheet
sheet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP59148566A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6128572A (ja
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP59148566A priority Critical patent/JPS6128572A/ja
Publication of JPS6128572A publication Critical patent/JPS6128572A/ja
Publication of JPH0242393B2 publication Critical patent/JPH0242393B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/74Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H10P72/7402Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/74Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H10P72/7416Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding

Landscapes

  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、シリコンウエハー、ガリウムひ素ウ
エハーなどの半導体ウエハーに粘着し使用される
半導体ウエハー用粘着シートの使用法に関する。
(従来の技術) 従来、例えば、半導体ウエハーにダイシング加
工などを行なうに当り、これに貼着されて使用さ
れる粘着シートとして、塩化ビニル、ポリプロピ
レンなどの基材面にアクリル系などの粘着剤の塗
布層を形成して成る粘着シートが使用されて居
り、この場合、例えば、半導体ウエハーをダイシ
ング、洗浄、乾燥、エキスパンデイング、ピツク
アツプ、マウンテイングの一連の工程を行なうに
当り、半導体ウエハーに予め粘着シートを貼着
し、その貼着状態でダイシング、洗浄乾燥、エキ
スパンデイングの各処理を行なつた後、そのウエ
ハーの各チツプをマウンテイング処理のため、該
粘着シートからピツクアツプすることが行なわれ
ているが、そのピツクアツプされたウエハーチツ
プにはしばしば粘着剤が付着する汚染が見られ
る。この汚染を防止するため、粘着シートへの粘
着剤の塗布層を少なくするため、全面塗布でな
く、部分塗布することが提案されているが、全体
のチツプ数に対する粘着剤の付着は減少して、ウ
エハーチツプ面の粘着剤による汚染はある程度減
少するが、ウエハーチツプ全体の接着固定が不確
実となり勝ちである。又、一般に、粘着剤の接着
力を小さくし、ピツクアツプ時のウエハーチツプ
の粘着剤の付着汚染を防止するようにすると、
かゝる小さい接着力の粘着剤では、今度は、ウエ
ハーをそのダイシングからエキスパンデイングま
での接着保持力が不足し勝ちとなり、これら処理
工程中に、ウエハーチツプが脱落する問題が生ず
る。
従つて、粘着シートの粘着剤として、ウエハー
への貼着状態では、比較的大きい接着力によりウ
エハーを充分に保持し得ることが望ましく、その
反面そのピツクアツプ時粘着剤がウエハーチツプ
に付着残存しないような接着力であることが望ま
しい。
そこで特公昭58−50164号公報で開示されてい
るように、透明なプラスチツクフイルム基材に光
硬化性を有する粘着剤を塗布してなる粘着フイル
ムを被着体に貼付け、用に供した後前記フイルム
基材表面に紫外線を照射することにより粘着剤を
架橋硬化させ剥離させる表面保護方法が提案され
ている。
かかる表面保護方法を半導体ウエハーに用いた
場合について説明すれば、先ず第4図および第5
図示のように基材a面に放射線照射硬化性粘着剤
bの塗布層を形成した粘着シートcの塗布層bに
半導体ウエハーを貼着し、この半導体ウエハーに
ダイシング処理を行なつた後、半導体ウエハーの
各ウエハーチツプdが貼着された粘着シートcの
基材a面に全面に亘つて放射線eを照射して粘着
シートcの放射線照射硬化性粘着剤bを硬化せし
めてその接着力を低下させた後、常法により粘着
シートcの基材aの下面から突き上げ針杆fでピ
ツクアツプすべきウエハーチツプdを突き上げ、
この状態で例えばエアピンセツトgにより該ウエ
ハーチツプdをピツクアツプする。
しかしながら前記方法はウエハーチツプdをピ
ツクアツプする際粘着シートcの基材aにその全
面に亘つて放射線eの照射処理を行なうため、ピ
ツクアツプすべきウエハーチツプd以外のウエハ
ーチツプdが貼着している粘着シートcの放射線
照射硬化性粘着剤bもその接着力が低下している
ので、ピツクアツプすべき以外のウエハーチツプ
dが粘着シートcに極めて不安定な状態で接着し
ていることとなり、その結果ウエハーチツプdが
粘着シートc上でずれたり或いは粘着シートcよ
り脱落しやすくなる等の問題がある。
(発明が解決しようとする課題) 本発明は、前記従来の粘着シートの使用時にお
ける問題点を解消し、所望位置の半導体ウエハー
のウエハーチツプのみをその裏面に粘着剤を残存
汚染させることなく確実に粘着シートからピツク
アツプ処理することができる半導体ウエハー用粘
着シートの使用法を提供するものである。
(課題を解決するための手段) 本発明の半導体ウエハー用粘着シートの使用法
は、基材面に放射線照射硬化性粘着剤の塗布層を
形成してなる粘着シートを半導体ウエハーの裏面
に貼着し、半導体ウエハーにダイシング処理を行
つた後、半導体ウエハーのウエハーチツプが貼着
された粘着シートの基材面に放射線照射管を兼ね
た突き上げ針杆より放射線の照射処理を行つて放
射線照射位置の粘着シートの前記粘着剤のみの接
着力を低下させると共に、ウエハーチツプにピツ
クアツプ処理を行うことを特徴とする。
(実施例) 先ず、本発明使用法に用いる粘着シートについ
て説明する。該粘着シートの形状は、テープ状、
ラベル状など形状を問わない。基材は、導電率が
低く、耐水性、耐熱性であるものが適し、特に合
成樹脂フイルムが適する。また粘着シートは、後
記するように、その使用に当り、電子線(EB)
や紫外線(UV)などの放射線照射を行ない使用
するので、EB照射の場合は、該基材は、透明の
必要はないが、UV照射を用いる場合は、透明な
材料である必要がある。
又、半導体ウエハーのダイシング後にエキスパ
ンデイング処理をする必要がある場合には、従来
と同様に塩化ビニール、ポリプロピレンなどの長
さ方向並びに幅方向に延伸性をもつ合成樹脂フイ
ルムを基材とするが、かゝるエキスパンデイング
処理を不要とする半導体加工処理の場合には、伸
張性のない任意の基材も使用できる。
前記基材面に塗布する放射線照射硬化性粘着剤
(以下便宜上単に「硬化性粘着剤」と云う)とし
ては、アクリル系粘着剤にウレタンアクリレート
系オリゴマーを混合して成る粘着剤が好ましい。
そして基材面への塗布法としては、半導体ウエハ
ーの種類、形成に応じて全面塗布、部分的な点状
等の塗布のいずれでもよい。
該硬化性粘着剤を組成するアクリル系粘着剤と
しては、具体的には、アクリル酸エステルを主た
る構成単量体単位とする単独重合体及び共重合体
から選ばれたアクリル系重合体その他の官能性単
量体との共重合体及びこれら重合体の混合物であ
る。例えば、モノマーのアクリル酸エステルとし
て、メタアクリル酸エチル、メタアクリル酸ブチ
ル、メタアクリル酸2―エチルヘキシル、メタア
クリル酸グリシジル、メタアクリル酸2―ヒドロ
キシエチル等、又上記のメタアクリル酸を例えば
アクリル酸に代えたものなどが挙げられる。
またウレタンアクリレート系オリゴマーとして
は、ポリエステル型又はポリエーテル型などのポ
リオール化合物と、多価イソシアナート化合物と
を反応させて得られる末端イソシアナートウレタ
ンプレポリマーにヒドロキシル基を有する(メ
タ)アクリレートなどを反応させて得られる炭素
―炭素二重結合を1個以上有するものである。例
えば2―ヒドロキシエチルアクリレート、2―ヒ
ドロキシエチルメタアクリレート、2―ヒドロキ
シプロピルアクリレート、2―ヒドロキシプロピ
ルメタアクリレート、N―メチロールアクリルア
ミド、ポリエチレングリコールアクリレート等と
多価イソシアナート化合物、例えば、2,4―ト
リレンジイソシアナート、2,6―トリレンジイ
ソシアナート、1,3―キシリレンジイソシアナ
ート、1,4―キシレンジイソシアナート、ジフ
エニルメタン4,4′―ジイソシアナート等とから
合成してなるウレタン基含有の化合物が挙げられ
る。
而してアクリル系粘着剤とウレタンアクリレー
ト系オリゴマーの混合比は、初期の接着力が大き
く得られると共に、放射線照射後の接着力の低下
が著しく、殆ど接着力がなくなり、しかも放射線
照射時間を短縮できるように考慮すれば、アクリ
ル系粘着剤100重量部に対してウレタンアクリレ
ート系オリゴマー51〜300重量部の範囲とするも
のが好ましい。
尚、上記の配合組成物に、イソシアナート系硬
化剤を混合するときは、初期の接着力を高めるこ
とができる。その硬化剤としては、多価イソシア
ナート化合物、例えば2,4―トリレンジイソシ
アナート、2,6―トリレンジイソシアナート、
1,3―キシレンジイソシアナート、1,4―キ
シレンジイソシアナート、ジフエニルメタン4,
4′―ジイソシアナート、ジフエニルメタン2,
4′―ジイソシアナート、3―メチルジフエニルメ
タンジイソシアナート、ヘキサメチレンジイソシ
アナート、イソホロンジイソシアナート、ジシク
ロキシシルメタン4,4′―ジイソシアナート、ジ
シクロヘキシルメタン2,4′―ジイソシアナー
ト、リジンイソシアナート等である。
更に上記の配合物に、UV照射用の場合には、
UV開始剤を混入することにより、UV照射によ
る重合硬化時間並にUV照射量を少なくて、所定
の接着力の低下をもたらすことができる。該UV
開始剤としては、例えば、ベンゾイン、ベンゾイ
ンメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、
ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフ
エニルサルフアイド、テトラメチルチウラムモノ
サルフアイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジ
ベンジル、ジアセチル、β―クロールアンスラキ
ノン等である。このようにして得られた粘着シー
トは、一般に該硬化性粘着剤塗布層の上面に常法
に従つて適宜のシリコン系剥離剤などで処理され
た剥離性シートを重合して保護し製品とする。
本発明使用法で用いる粘着シートの具体例を列
挙し、夫々について放射線を照射した場合の当初
の接着力と照射後の接着力の相違を調べた。
実施例 1 アクリル系粘着剤(2―エチルヘキシルアクリ
レートとn―ブチルアクリレートの共重合体)
100部とウレタンアクリレート系オリゴマー(商
品名セイカビームEX―810、大日精化工業社製)
100部の混合物を厚さ38μmのポリプロピレンフ
イルムに塗布、加熱乾燥し、厚さ10μmの放射線
照射硬化性粘着剤の塗布層を形成し、その上面に
剥離紙を貼り合わせて製品とした。剥離紙を除去
し、直径10cmのシリコンウエハーを該硬化性粘着
剤層上面に貼着しJIS―Z―0237に基づき接着力
を測定したところ1350g/25mmであつたが、次に
該硬化性粘着剤の塗布層にEBを実効吸収線量
2Mrad1秒間照射(電圧150KeV,電流5mA)し
た後、その接着力を測定した所、38g/25mmと著
しく低下していた。
次いで、シリコンウエハーを剥離したが、全く
粘着剤の付着は見られなかつた。比較のため、前
記のEB照射を行なわずに直ちにウエハーを剥離
したが、その裏面に多量の粘着剤の付着が見られ
た。
実施例 2 前記と同じアクリル系粘着剤100部と前記と同
じウレタンアクリレート系オリゴマー53.8部とイ
ソシアナート系硬化剤(商品名BHS―8515東洋
インキ製造社製)10部の混合物を厚さ60μmポリ
プロピレンフイルムに塗布、加熱乾燥し、厚さ
15μmの放射線照射硬化性粘着剤の塗布層を形成
し、その上面にシリコンウエハーを貼着し、その
接着力を測定した所、1550g/25mmであつた。次
いでこれにEB照射を前記実施例1と同じ条件で
照射し、その後の接着力を測定した所、45g/25
mmと著しく低下していた。
実施例 3 前記と同じアクリル系粘着剤100部と前記と同
じウレタンアクリレート系オリゴマー100部と
UV開始剤(ベンゾイン)5部との混合物を透明
な厚さ50μmの塩化ビニルフイルムに塗布、加熱
乾燥して形成したその塗布層上面にシリコンウエ
ハーを貼着し、その接着力を測定した所、1380
g/25mmであつた。これにUVを6秒間照射(高
圧水銀灯,80W/cm)した。その際の接着力は52
g/25mmと著しく低下していた。
実施例 4 アクリル系粘着剤(N―ブチルアクリレートと
2―ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体)
100部とウレタンアクリレート系オリゴマー(商
品名ニツソーキユアUM―1,新日曹化工社製)
53.8部、イソシアナート硬化剤(BHS―8515)
10部及びUV開始剤(商品名イルガキユア651、
チバガイギー社製)5部の混合物を厚さ38μmの
透明なポリエチレンテレフタレートフイルムに塗
布、加熱乾燥して形成したその塗布層上面にシリ
コンウエハーを貼着した。
その時の接着力を測定した所1420g/25mmであ
つたが、これにUVを2秒間照射(高圧水銀灯,
80W/cm)を行なつた所、その接着力は12g/25
mmに低下していた。
実施例 5 アクリル系粘着剤(n―ブチルアクリレートと
アクリル酸との共重合体)100部とウレタンアク
リレート系オリゴマー(商品名セイカビーム14―
1、大日精化工業社製)150部とイソシアナート
系硬化剤(商品名BHS―8515東洋インキ製造社
製)10部との混合物を厚さ80μmのポリエチレン
フイルムに塗布、加熱乾燥し、厚さ10μmの放射
線照射硬化性粘着剤の塗布層を形成し、その塗布
層上面に、シリコンウエハーを貼着しその接着力
を測定した所、900g/25mmであつたがこれに
UVを1秒間照射(高圧水銀灯,80W/cm)を行
なつた所、その接着力は16g/25mmに低下してい
た。
次に本発明の半導体ウエハー用粘着シートの使
用法の1例について図面により説明する。
第1図は本発明使用法に用いる粘着シートの1
例、第2図および第3図は第1図示の粘着シート
を半導体ウエハーに使用した場合の使用法の1例
を示す。
図中、1は、伸張性を有する透明合成樹脂製シ
ートから成る基材、2はその上面に塗着された硬
化性粘着剤塗布層、3はこれら層1,2から成る
本発明粘着シートAの上面の仮貼着重合した剥離
性シートを示す。尚、基材1および硬化性粘着剤
塗布層2は前記粘着シートの実施例5と同様のも
のとした。
4は中空の針杆から成る突き上げ針杆、該突き
上げ針杆4の内部を放射線発生源に接続する放射
線5の導通路5aとして放射線照射管6を兼ねた
ものに形成し、装置を簡単化した。
先ず、第1図示の粘着シートAより剥離性シー
ト3を除去して第2図示のように硬化性粘着剤塗
布層2を上向きにして載置し、その塗布層2の上
面にダイシング加工すべき半導体ウエハーBを貼
着する。この貼着状態で、次でダイシング、洗
浄、乾燥、エキスパンデイングを行なうことを一
般とするが、半導体ウエハーBはその硬化性粘着
剤2に含有する粘着剤により充分に粘着シートA
に接着保持されているので、所定のダイシング、
各チツプの脱落のない洗浄、乾燥処理、エキスパ
ンデイングを行なうことができる。
次いでこれらウエハーチツプB′,B′…の1つ
ずつのピツクアツプを行なつて所定の基台上にマ
ウンデイングを行なうに当り、そのピツクアツプ
以前に第3図示のように放射線照射管6を兼ねた
突き上げ針杆4によりUV又はEBなどの放射線
5をピツクアツプすべきウエハーチツプB′の下
面の硬化性粘着剤2層の部分に照射し、その含有
するウレタンアクリレート系オリゴマーを硬化せ
しめる。しかるときは放射線を照射した硬化性粘
着剤2の塗布層部分のみの接着力は著しく減少
し、極めて僅かの接着力が残るのみの硬化塗布層
2′に変化する。次いで放射線の照射によりその
部分の硬化性粘着剤2のみの接着力を低下させた
後、常法により、下面からの突き上げ針杆4によ
りピツクアツプすべきウエハーチツプB′を突き
上げ、この状態で、たとえばエアピンセツト7に
よりピツクアツプしこれを所定の基台にマウンテ
イングを行なう。このピツクアツプ工程におい
て、ピツクアツプすべきウエハーチツプB′は、
殆どその硬化塗布層2′に対し接着されてないの
で、簡単に、而も全く粘着剤の付着汚染なしにピ
ツクアツプされて良好な品質のウエハーチツプが
得られると共にピツクアツプすべき以外のウエハ
ーチツプB′は未硬化の接着力の高い硬化性粘着
剤2に貼着されており、粘着シートAから脱落し
ない。しかるときは硬化性粘着剤2の一部分の接
着力を殆どなくすると同時に放射線照射管6を兼
ねた突き上げ針杆4で突き上げるようにしたので
ピツクアツプ操作を短縮することができる。
尚、上記半導体ウエハーの処理において、エキ
スパンデイングは行なわず、ダイシング、洗浄、
乾燥後直ちにウエハーチツプのピツクアツプ処理
を行なうこともできる。この際、本発明の照射に
よる粘着剤塗布層の接着力の低下を行なうとき
は、所定のピツクアツプを良好に行なうことがで
きる。
(発明の効果) このように本発明によるときは、ダイシング処
理を行つた後必要時に、半導体ウエハーのウエハ
ーチツプが貼着された粘着シートの基材面に放射
線照射管を兼ねた突き上げ針杆より放射線を照射
することによつて、その放射線照射位置の粘着シ
ートの放射線照射硬化性粘着剤のみの接着力を著
しく低下させることができて、ウエハーチツプに
ピツクアツプ処理を行つたとき、粘着シートから
ピツクアツプされたウエハーチツプの貼着面には
粘着剤が残存せず、かつ放射線を照射した部分以
外の粘着剤の接着力は低下しないためピツクアツ
プすべき以外のウエハーチツプは粘着シート上で
ずれたり、或いは粘着シートより脱落することな
くウエハーチツプのピツクアツプを円滑にでき、
また放射線の照射時に放射線照射管を兼ねた突き
上げ針杆を用いるようにしたので放射線の照射と
同時に突き上げ針杆をピツクアツプすべきウエハ
ーチツプの粘着シートの下面より突き上げするこ
とができて、ウエハーチツプのピツクアツプ処理
を従来法に比して迅速に行うことができる等の効
果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明使用法に用いる粘着シートの1
例の断面図、第2図および第3図は粘着シートを
半導体ウエハーに使用した場合のその使用法の1
例の各截断側面図、第4図および第5図は従来の
粘着シートの使用法を示す截断側面図である。 1…基材、2…放射線照射硬化性粘着剤、2′
…硬化層、3…剥離性シート、A…粘着シート、
B…半導体ウエハー、B′…ウエハーチツプ、4
…突き上げ針杆、5…放射線、6…放射線照射
管、7…エアピンセツト。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 基材面に放射線照射硬化性粘着剤の塗布層を
    形成してなる粘着シートを半導体ウエハーの裏面
    に貼着し、半導体ウエハーにダイシング処理を行
    つた後、半導体ウエハーのウエハーチツプが貼着
    された粘着シートの基材面に放射線照射管を兼ね
    た突き上げ針杆より放射線の照射処理を行つて放
    射線照射位置の粘着シートの前記粘着剤のみの接
    着力を低下させると共に、ウエハーチツプにピツ
    クアツプ処理を行うことを特徴とする半導体ウエ
    ハー用粘着シートの使用法。
JP59148566A 1984-07-19 1984-07-19 半導体ウエハー用粘着シートの使用法 Granted JPS6128572A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59148566A JPS6128572A (ja) 1984-07-19 1984-07-19 半導体ウエハー用粘着シートの使用法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59148566A JPS6128572A (ja) 1984-07-19 1984-07-19 半導体ウエハー用粘着シートの使用法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6128572A JPS6128572A (ja) 1986-02-08
JPH0242393B2 true JPH0242393B2 (ja) 1990-09-21

Family

ID=15455609

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59148566A Granted JPS6128572A (ja) 1984-07-19 1984-07-19 半導体ウエハー用粘着シートの使用法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6128572A (ja)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0635569B2 (ja) * 1985-09-04 1994-05-11 バンドー化学株式会社 感圧接着性シート
US5187007A (en) * 1985-12-27 1993-02-16 Lintec Corporation Adhesive sheets
JPS6317981A (ja) * 1986-07-09 1988-01-25 F S K Kk 粘着シ−ト
US5281473A (en) * 1987-07-08 1994-01-25 Furakawa Electric Co., Ltd. Radiation-curable adhesive tape
JPH01252684A (ja) * 1988-04-01 1989-10-09 Furukawa Electric Co Ltd:The 放射線硬化性粘着テープ
US5149586A (en) * 1987-07-08 1992-09-22 Furukawa Electric Co., Ltd. Radiation-curable adhesive tape
DE3850451T2 (de) * 1987-07-08 1995-03-09 Furukawa Electric Co Ltd Strahlungsvernetzbare Klebestreifen.
JPH01110584A (ja) * 1987-10-22 1989-04-27 Nichiban Co Ltd 硬化型粘着テープまたはシート
JPH0715087B2 (ja) * 1988-07-21 1995-02-22 リンテック株式会社 粘接着テープおよびその使用方法
JPH03278444A (ja) * 1990-09-07 1991-12-10 Bando Chem Ind Ltd 半導体ウエハーのダイシング方法
JPH06184521A (ja) * 1992-12-21 1994-07-05 Nichiban Co Ltd 表面保護材及びその形成方法
JP3521099B2 (ja) 1994-11-29 2004-04-19 リンテック株式会社 ダイシング用リングフレームへの接着剤の付着防止用粘着シートおよび該粘着シートを備えたウェハ加工用シート
KR100351705B1 (ko) * 2000-06-27 2002-09-11 한솔제지주식회사 다이싱테이프용 감광성 점착 조성물
JP5022731B2 (ja) 2007-02-20 2012-09-12 富士フイルム株式会社 重合性組成物、粘着性材料及び接着剤
JPWO2009028455A1 (ja) * 2007-08-27 2010-12-02 リンテック株式会社 再剥離型粘着シートおよび不完全硬化塗膜の保護方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5850164A (ja) * 1981-09-19 1983-03-24 Nippon Steel Corp 連続鋳造設備

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6128572A (ja) 1986-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0242393B2 (ja)
JP4066394B2 (ja) 再剥離型粘着剤
JPH0156112B2 (ja)
JP3803200B2 (ja) 再剥離型粘着剤組成物
JPS60223139A (ja) 半導体ウエハ固定用接着薄板
GB2312429A (en) Pressure sensitive adhesive for use in semiconductor wafer processing
JP2011224853A (ja) フィルム及び粘接着シート
JP2003261842A (ja) 半導体ウエハ加工用粘着シートおよびその使用方法
JP2002235055A (ja) ダイシング用粘着シート
JP4608759B2 (ja) 半導体ウエハ加工用粘着シート
JPS62153377A (ja) ウェハダイシング用粘着シート
JP6522617B2 (ja) ダイシングシート、ダイシングシートの製造方法、およびモールドチップの製造方法
EP2471882B1 (en) Radiation-curable adhesive composition and adhesive sheet
JPH07105368B2 (ja) 半導体ウエハダイシング用粘着シート
JPH10279894A (ja) 半導体ウエハ加工用粘着シ―ト類と加工方法
JP3330851B2 (ja) ウエハ研削方法
JP2005235795A (ja) 半導体ウエハ加工用粘着テープ
JPH10310748A (ja) 半導体ウエハ加工用粘着シート
JP3073239B2 (ja) ウェハ貼着用粘着シート
JPH1161065A (ja) 半導体ウエハ加工用粘着シート
JP4267986B2 (ja) 粘接着テープ
JPH0215594B2 (ja)
JPS6317980A (ja) ウエハ貼着用粘着シ−ト
JPS63299246A (ja) ウェハ貼着用粘着シ−ト
JP2005050953A (ja) 半導体基板加工用粘着テープ

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term