JPH0242400A - ビーム集束装置 - Google Patents
ビーム集束装置Info
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- JPH0242400A JPH0242400A JP63193022A JP19302288A JPH0242400A JP H0242400 A JPH0242400 A JP H0242400A JP 63193022 A JP63193022 A JP 63193022A JP 19302288 A JP19302288 A JP 19302288A JP H0242400 A JPH0242400 A JP H0242400A
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- duct
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はビーム集束装置に係り、特に荷電粒子の集束に
好適なビーム集束装置に関する。
好適なビーム集束装置に関する。
従来のビーム集束装置は、実験物理学講座28、加速器
、熊谷寛大編、共立出版社(昭和50年)、P214に
記載のように、ビームダクト周囲に4個の磁石(4重極
磁石)を配置し、磁石より生じる磁界でビームダクト内
を流れる荷電粒子を集束させる構造となっていた。この
従来のビーム集束装置を第12図に示す、各磁石は電線
をソレノイド状に巻いた構造の電磁石1とし、ビームタ
クト2の周囲に各電磁石1を90度づつずらして配置し
、対向する電磁石の極は同極に、隣りあう電磁石の極が
異極になるように電磁石に電流を流す。
、熊谷寛大編、共立出版社(昭和50年)、P214に
記載のように、ビームダクト周囲に4個の磁石(4重極
磁石)を配置し、磁石より生じる磁界でビームダクト内
を流れる荷電粒子を集束させる構造となっていた。この
従来のビーム集束装置を第12図に示す、各磁石は電線
をソレノイド状に巻いた構造の電磁石1とし、ビームタ
クト2の周囲に各電磁石1を90度づつずらして配置し
、対向する電磁石の極は同極に、隣りあう電磁石の極が
異極になるように電磁石に電流を流す。
ビームダクト2内で磁界は第12図に破線で示すように
、隣りあう電磁石1間で発生する。ビームダクト2内に
荷電粒子を流す場合の一例として、ビームダクト2内を
第12図で図面手前から図面向こう側へ紙面を突きぬけ
る方向へ電子が流れる場合を考える。電流の向きは電子
の向きと逆向きで第12図で図面向こう側から手前側と
考えることができ、フレミングの左手の法則により電子
にはX軸に向かいY軸と平行な方向に力F・が発生し、
ビームダクト内を流れる電子はX軸上に集められる。こ
のように、4重極磁石で荷電粒子をある軸方向に薄い板
状に集めることができる。この4重極磁石2組を直列に
配置する。ただしその2組の4重極磁石は互いに90度
回転した状態で接続し、荷電粒子を一方の4重極磁石で
X軸上に集め、もう一方の4重極磁石で・Y軸上に集め
ることで、最終的に荷電粒子をビームダクト中央に集束
させていた。また、さらには4重極磁石を3組以上直列
に配置し、各4重極磁石を互いに90度回転した状態で
接続し、荷電粒子のビーム径をより小さくしていた。
、隣りあう電磁石1間で発生する。ビームダクト2内に
荷電粒子を流す場合の一例として、ビームダクト2内を
第12図で図面手前から図面向こう側へ紙面を突きぬけ
る方向へ電子が流れる場合を考える。電流の向きは電子
の向きと逆向きで第12図で図面向こう側から手前側と
考えることができ、フレミングの左手の法則により電子
にはX軸に向かいY軸と平行な方向に力F・が発生し、
ビームダクト内を流れる電子はX軸上に集められる。こ
のように、4重極磁石で荷電粒子をある軸方向に薄い板
状に集めることができる。この4重極磁石2組を直列に
配置する。ただしその2組の4重極磁石は互いに90度
回転した状態で接続し、荷電粒子を一方の4重極磁石で
X軸上に集め、もう一方の4重極磁石で・Y軸上に集め
ることで、最終的に荷電粒子をビームダクト中央に集束
させていた。また、さらには4重極磁石を3組以上直列
に配置し、各4重極磁石を互いに90度回転した状態で
接続し、荷電粒子のビーム径をより小さくしていた。
上記従来技術は、ビームダクト1の周囲にソレノイド状
のコイル1を8個以上配置する必要があり、コイル1を
配置するためのスペースが必要となるという問題があっ
た。また各コイルの特性の違いや、設置位置のずれがあ
った場合は、ビームダクト内部に発生する磁界の形状を
常に一定にすることが回能となり、ビームダクト内部の
荷電粒子を安定してビームダクト中央に集束できなくな
るので、コイルの特性の違いや、設置位置のずれを補正
するため各コイルに流す電流値を制御しなければならず
、装置の構造が複雑化し、装置が大型化するという問題
があった。また4重極磁石を数組直列に配置してもビー
ムの集束に限界があるという問題があった。
のコイル1を8個以上配置する必要があり、コイル1を
配置するためのスペースが必要となるという問題があっ
た。また各コイルの特性の違いや、設置位置のずれがあ
った場合は、ビームダクト内部に発生する磁界の形状を
常に一定にすることが回能となり、ビームダクト内部の
荷電粒子を安定してビームダクト中央に集束できなくな
るので、コイルの特性の違いや、設置位置のずれを補正
するため各コイルに流す電流値を制御しなければならず
、装置の構造が複雑化し、装置が大型化するという問題
があった。また4重極磁石を数組直列に配置してもビー
ムの集束に限界があるという問題があった。
本発明の目的は、簡単な構造の装置で、極めて径の小さ
いビームを得られるビーム集束装置を提供することにあ
る。
いビームを得られるビーム集束装置を提供することにあ
る。
上記目的を達成するため、本発明のビーム集束装置は、
荷電粒子が流れるビームダクトの外側又は内側の中心軸
に対する対象位置に、それぞれ中央から両側に向かって
厚みが変化する断面形状をした良導電体を設置し、この
良導電体に電源を接続したことを特徴としている。
荷電粒子が流れるビームダクトの外側又は内側の中心軸
に対する対象位置に、それぞれ中央から両側に向かって
厚みが変化する断面形状をした良導電体を設置し、この
良導電体に電源を接続したことを特徴としている。
又、本発明のビーム集束装置は、荷電粒子が流れるビー
ムダクトを良導電体で構成し、その良導電体の断面形状
を、中心軸に対する対象位置の各側において中央から両
側に向かって厚みが変化する形状にすると共に、該良導
電体に電源を接続したしたことを特徴としている。
ムダクトを良導電体で構成し、その良導電体の断面形状
を、中心軸に対する対象位置の各側において中央から両
側に向かって厚みが変化する形状にすると共に、該良導
電体に電源を接続したしたことを特徴としている。
前記良導電体の断面形状は、例えば、少なくとも外形が
円、円の一部、楕円、楕円の一部、多角形、又は多角形
の一部となる形状にすることができる。
円、円の一部、楕円、楕円の一部、多角形、又は多角形
の一部となる形状にすることができる。
又、前記良導電体として超電導材料を使用することがで
きる。
きる。
好ましくは、前記ビームダクトを複数個直列にかつ角度
をずらして接続する。
をずらして接続する。
このように構成された本発明のビーム集束装置において
は、良導電体の長さ方向に電流を流すとアンペールの右
ネジの法則により電流のまわりに電流の流れる方向に対
して右まわりの磁界が発生する。良導電体を流れる電流
の電流密度を良導電体の場所によらず一定とすると、良
導電体の肉厚が厚い部分の電流量が多くなり、ビームダ
クト内に良導電体の肉厚の厚い部分を流れる電流にほぼ
直交する方向の磁界が発生する。ビームダクト内部を流
れる陰電子の向きを、ビームダクトを流れる電流の向き
と同じにすると、フレミングの左手の法則によりビーム
ダクト内部を流れる陰電子には、肉厚の厚い部分から遠
ざかる方向に力が発生する。したがってビームダクト内
部を流れる陰電子は、ビームダクトの中心軸を通る面上
に集められる。このビームダクトを2個、直列にかつ互
いに90度回転させて接続することにより、ビームダク
ト内部を流れる荷電粒子をビームダクト中心に集めるこ
とができる。
は、良導電体の長さ方向に電流を流すとアンペールの右
ネジの法則により電流のまわりに電流の流れる方向に対
して右まわりの磁界が発生する。良導電体を流れる電流
の電流密度を良導電体の場所によらず一定とすると、良
導電体の肉厚が厚い部分の電流量が多くなり、ビームダ
クト内に良導電体の肉厚の厚い部分を流れる電流にほぼ
直交する方向の磁界が発生する。ビームダクト内部を流
れる陰電子の向きを、ビームダクトを流れる電流の向き
と同じにすると、フレミングの左手の法則によりビーム
ダクト内部を流れる陰電子には、肉厚の厚い部分から遠
ざかる方向に力が発生する。したがってビームダクト内
部を流れる陰電子は、ビームダクトの中心軸を通る面上
に集められる。このビームダクトを2個、直列にかつ互
いに90度回転させて接続することにより、ビームダク
ト内部を流れる荷電粒子をビームダクト中心に集めるこ
とができる。
良導電体として超電導材料を使用することにより、少な
い電力で極めて強い磁界を得ることができ、極めて径の
小さいビームを得ることができる。
い電力で極めて強い磁界を得ることができ、極めて径の
小さいビームを得ることができる。
以下、本発明の第1の実施例を第1図〜第3図により説
明する。
明する。
第1図及び第2図において、ビーム集束装置は電気抵抗
の小さい材料即ち良導電体で構成されたビームダクト1
0を有し、ビームダクト10の断面形状は、第3図に示
すように外形が楕円、内形が真円形状をしている。これ
によりビームダクト10には、中心軸に対する対象位置
の各側において中央から上下に向かって厚みが変化する
断面形状が与えられる。
の小さい材料即ち良導電体で構成されたビームダクト1
0を有し、ビームダクト10の断面形状は、第3図に示
すように外形が楕円、内形が真円形状をしている。これ
によりビームダクト10には、中心軸に対する対象位置
の各側において中央から上下に向かって厚みが変化する
断面形状が与えられる。
ビームダクト10の一方の端部には電子線加速器11が
接続され、加速器11よりビームダクト10の内部へ電
子ビーム12が放射される。またビームダクト10に電
子ビーム12が入射する端部、及びビームダクト10か
ら電子ビーム12が出る他方の端部にはそれぞれ電線1
3を接続し、電線13を電源14に接続する。
接続され、加速器11よりビームダクト10の内部へ電
子ビーム12が放射される。またビームダクト10に電
子ビーム12が入射する端部、及びビームダクト10か
ら電子ビーム12が出る他方の端部にはそれぞれ電線1
3を接続し、電線13を電源14に接続する。
このように構成された本実施例においては、ビームダク
ト10にtllt3を通して電源14よりビームダクト
10の内部へ入射された電子ビーム12の陰電子15の
流れと同一方向へ直流電流16を流すと、アンペールの
右ネジの法則により電流16のまわりに電流の流れる方
向に対して右まわりの磁界が発生する。ビームダクト1
0を流れる電流の電流密度をビームダクトの場所によら
ず一定とすると、第3図に示すようにビームタクト10
の楕円の膨らんだ所即ちの肉厚の厚い部分の電流量が多
くなり、第3図でビームダクト10を流れる電流16の
向きを図面手前側から向こう側とすると、電流の回りに
右ネジの法則により発生する磁界を合成すると、ビーム
ダクト10内に良導電体の肉厚の厚い部分を流れる電流
16にほぼ直交する方向の破線で示す磁界が発生する。
ト10にtllt3を通して電源14よりビームダクト
10の内部へ入射された電子ビーム12の陰電子15の
流れと同一方向へ直流電流16を流すと、アンペールの
右ネジの法則により電流16のまわりに電流の流れる方
向に対して右まわりの磁界が発生する。ビームダクト1
0を流れる電流の電流密度をビームダクトの場所によら
ず一定とすると、第3図に示すようにビームタクト10
の楕円の膨らんだ所即ちの肉厚の厚い部分の電流量が多
くなり、第3図でビームダクト10を流れる電流16の
向きを図面手前側から向こう側とすると、電流の回りに
右ネジの法則により発生する磁界を合成すると、ビーム
ダクト10内に良導電体の肉厚の厚い部分を流れる電流
16にほぼ直交する方向の破線で示す磁界が発生する。
ビームダクト10内部は、陰電子15の流れる向きと逆
向きに電流が流れるので、フレミングの左手の法則によ
り陰電子15に働く力は、肉厚の厚い部分から遠ざかる
方向即ちビームダクト10の中心を通るY軸に向かう方
向になる。したがってビームダクト10の内部を流れる
陰電子15は、ビームダクト10の中央部に板状に集束
される。
向きに電流が流れるので、フレミングの左手の法則によ
り陰電子15に働く力は、肉厚の厚い部分から遠ざかる
方向即ちビームダクト10の中心を通るY軸に向かう方
向になる。したがってビームダクト10の内部を流れる
陰電子15は、ビームダクト10の中央部に板状に集束
される。
なお、良導電体で構成されるビームダクト10の形状は
、中心軸に対する対象位置の各側において中央から上下
に向かって厚みが変化する形状であれば良いので、第4
図(A)〜(D)に示すように、ビームダクト10の外
側又は内側が長方形あるいはひし形等の他の形状とする
ことができる。
、中心軸に対する対象位置の各側において中央から上下
に向かって厚みが変化する形状であれば良いので、第4
図(A)〜(D)に示すように、ビームダクト10の外
側又は内側が長方形あるいはひし形等の他の形状とする
ことができる。
本発明の他の実施例を第5図を参照して説明する0本実
施例においては、ビームダクト20は円筒形のパイプと
し、そのビームダクト20の外側に、中心軸に対して対
象位置に、外形が楕円の一部の形状をした良導電体21
を設置する。
施例においては、ビームダクト20は円筒形のパイプと
し、そのビームダクト20の外側に、中心軸に対して対
象位置に、外形が楕円の一部の形状をした良導電体21
を設置する。
良導電体21の両端に第1の実施例と同様に電線を接続
し、電源より直流電流16を流すと、ビームダクト20
の内部に第1の実施例同様に磁界が発生し、ビームダク
ト20の内部を流れる陰電子15は、ビームダクト2o
の中央部に板状に集束される。
し、電源より直流電流16を流すと、ビームダクト20
の内部に第1の実施例同様に磁界が発生し、ビームダク
ト20の内部を流れる陰電子15は、ビームダクト2o
の中央部に板状に集束される。
なお本実施例においても、ビームダクト2oの外側に設
置する良導電体21の形状は、中央から上下に向かって
厚みが変化する形状であればよく、従って第6図(A)
〜(C)に示すように、円の一部あるいは多角形等、他
の形状であってもよい。
置する良導電体21の形状は、中央から上下に向かって
厚みが変化する形状であればよく、従って第6図(A)
〜(C)に示すように、円の一部あるいは多角形等、他
の形状であってもよい。
本発明の第3の実施例を第7図により説明する。
本実施例においては、ビームダクト30を円筒形のパイ
プとし、そのビームタクト30の内側に、中心軸に対し
て対称位置に楕円の一部の形状の良導電体31を設置す
る。
プとし、そのビームタクト30の内側に、中心軸に対し
て対称位置に楕円の一部の形状の良導電体31を設置す
る。
良導電体31の両端に第1の実施例と同様に電線を接続
し、電源より直流電流16を流すと、ビームダクト30
及び良導電体31の内部に第1の実施例同様に磁界が発
生し、ビームダクト30の内部を流れる#R電子15は
、ビームダクト30の中央部に板状に集束される。
し、電源より直流電流16を流すと、ビームダクト30
及び良導電体31の内部に第1の実施例同様に磁界が発
生し、ビームダクト30の内部を流れる#R電子15は
、ビームダクト30の中央部に板状に集束される。
本実施例においても、ビームダクト30の内側に設置す
る良導電体31の形状は、中央から上下に向かって厚み
が変化する形状であればよく、第8図(A)〜(C)に
示すように、円の一部あるいは多角形等、池の形状とす
ることができる。
る良導電体31の形状は、中央から上下に向かって厚み
が変化する形状であればよく、第8図(A)〜(C)に
示すように、円の一部あるいは多角形等、池の形状とす
ることができる。
本発明の第4の実施例を第9図を参照して説明する9本
実施例においては、ビームダクト40は、第1の実施例
で示したように外形が楕円、内径を真円とする。そして
ビームダクト40を超伝導材で製作する。ビームダクト
40の両端同士を超伝導線41で接続し、超伝導線41
には電源42を接続する。ビームダクト40および超伝
導線41はパイプ43内に入れ、パイプ43は液体ヘリ
ウム又は液体窒素等の冷却材タンク44に接続され、パ
イプ43の内部に冷却材を送り出し、ビームダクト40
および超伝導線41を超伝導状態にする。
実施例においては、ビームダクト40は、第1の実施例
で示したように外形が楕円、内径を真円とする。そして
ビームダクト40を超伝導材で製作する。ビームダクト
40の両端同士を超伝導線41で接続し、超伝導線41
には電源42を接続する。ビームダクト40および超伝
導線41はパイプ43内に入れ、パイプ43は液体ヘリ
ウム又は液体窒素等の冷却材タンク44に接続され、パ
イプ43の内部に冷却材を送り出し、ビームダクト40
および超伝導線41を超伝導状態にする。
超伝導線41中には超伝導スイッチ45が電源42と並
列に接続され、はじめ超伝導スイッチ45は切れた状態
になっている。そこへ電源42より超伝導線43および
ビームダクト40に電流を流し、超伝導スイッチ45を
人にすると、ビームダクト40と超伝導線41はループ
を形成し、ループ中を永久に電流が流れ続ける。ビーム
ダクト40を流れる電流により、ビームダクト40の内
部には、前述した第3図に破線で示すように磁界が発生
し、ビームダクト40の内部に陰電子を流すと中央部に
極めて薄い板状に集束される。
列に接続され、はじめ超伝導スイッチ45は切れた状態
になっている。そこへ電源42より超伝導線43および
ビームダクト40に電流を流し、超伝導スイッチ45を
人にすると、ビームダクト40と超伝導線41はループ
を形成し、ループ中を永久に電流が流れ続ける。ビーム
ダクト40を流れる電流により、ビームダクト40の内
部には、前述した第3図に破線で示すように磁界が発生
し、ビームダクト40の内部に陰電子を流すと中央部に
極めて薄い板状に集束される。
超伝導材で製作するビームダクト40は、第2及び第3
の実施例で説明したように、円筒形状のパイプの外側ま
たは内側に中心軸に対して対称位置に超伝導材を設置し
た構造とすることができる。
の実施例で説明したように、円筒形状のパイプの外側ま
たは内側に中心軸に対して対称位置に超伝導材を設置し
た構造とすることができる。
またその形状も、第4図、第6図及び第8図に示したよ
うに、楕円以外の形状とすることができる。
うに、楕円以外の形状とすることができる。
本発明の第5の実施例を第10図により説明する6本実
施例は、上記第4の実施例における超伝導材で制作した
ビームダク1−40の冷却に使用する冷却材を、ビーム
ダクト40内の真空度を高めるために使用するコールド
トラップ46の冷却材と共用したものである。
施例は、上記第4の実施例における超伝導材で制作した
ビームダク1−40の冷却に使用する冷却材を、ビーム
ダクト40内の真空度を高めるために使用するコールド
トラップ46の冷却材と共用したものである。
本発明の第6の実施例を第11図を参照して説明する0
本実施例においては、第1〜第5の実施例で示したビー
ムダクト(代表して符号50で示す)を複数個直列に接
続し、各ビームダクト50は互いに回転した状態にする
。第10図では2個のビームダクト50を90度回転さ
せて直列に接続させている。ビームダクト50が1個の
みでは荷電粒子を板状にしか集束できないが、複数個を
直列に接続することで円形に集束させることができる。
本実施例においては、第1〜第5の実施例で示したビー
ムダクト(代表して符号50で示す)を複数個直列に接
続し、各ビームダクト50は互いに回転した状態にする
。第10図では2個のビームダクト50を90度回転さ
せて直列に接続させている。ビームダクト50が1個の
みでは荷電粒子を板状にしか集束できないが、複数個を
直列に接続することで円形に集束させることができる。
本実施例によれば、ビームダクト50の内部の荷電粒子
をビームダクト中央部に集束させ、非常に小さな径のビ
ームを得ることができる。
をビームダクト中央部に集束させ、非常に小さな径のビ
ームを得ることができる。
本発明によれば、ビームダクトを良導電体で構成する又
はビームダクト内側又は外側に良導電体を設置するだけ
の簡単な構造で、ビームダクト内部に発生する磁界の形
状を常に一定とすることができ、ビームダクト内部の荷
電粒子を安定してビームダクト中央に集束することがで
きる。
はビームダクト内側又は外側に良導電体を設置するだけ
の簡単な構造で、ビームダクト内部に発生する磁界の形
状を常に一定とすることができ、ビームダクト内部の荷
電粒子を安定してビームダクト中央に集束することがで
きる。
ビームダクトを複数個、直列にかつ互いに回転させて接
続した場合には、荷電粒子をビームダクト中心に集める
ことができる、小さな径のビームを得ることができる。
続した場合には、荷電粒子をビームダクト中心に集める
ことができる、小さな径のビームを得ることができる。
良導電体として超電導材料を使用した場合にいは、少な
い電力で極めて径の小さいビームを得ることができる。
い電力で極めて径の小さいビームを得ることができる。
第1図は本発明の第1の実施例によるビーム集束装置の
要部構成を示す概略図であり、第2図はそのビーム集束
装置の全体構成を示す正面図であり、第3図は同ビーム
集束装置の作用を説明するためのビームダクトの断面図
であり、第4図(A)(B)、(C)及び(D)はそれ
ぞれ同ビーム集束装置のビームダクトの形状に関する変
形例を示す断面図であり、第5図は本発明の第2の実施
例によるビーム集束装置のビームダクト構造を示す断面
図であり、第6図(A)、(B)及び(C)はそれぞれ
同ビームダクト構造の形状に関する変形例を示す断面図
であり、第7図は本発明の第3の実施例によるビーム集
束装置のビームダクト構遣を示す断面図であり、第8図
(A)、(B)及び(C)はそれぞれ同ビームタクト構
造の形状に関する変形例を示す断面図であり、第9図は
本発明の第4の実施例によるビーム集束装置の要部構成
を示す概略図であり、第10図は本発明の第5の実施例
によるビーム集束装置の要部構造を示す概略図であり、
第11図は本発明の第6の実施例によるビーム集束装置
の要部構造を示す該略図であり、第12図は従来のビー
ム集束装置の概略正面図である。 符号の説明 10.20,30,40,50..60・・・ビームダ
クト 21.31・・・良導電体46
・・・コールドトラップ 出願人 株式会社 日立製作所 代理人 弁理士 春 日 譲 第3図 第 (A) (B) (C) (D) (A) 第 図 第 図 CB) 第 図 第10図 (C) (A) 第 図 第 図 F+0 第12 図 (C)
要部構成を示す概略図であり、第2図はそのビーム集束
装置の全体構成を示す正面図であり、第3図は同ビーム
集束装置の作用を説明するためのビームダクトの断面図
であり、第4図(A)(B)、(C)及び(D)はそれ
ぞれ同ビーム集束装置のビームダクトの形状に関する変
形例を示す断面図であり、第5図は本発明の第2の実施
例によるビーム集束装置のビームダクト構造を示す断面
図であり、第6図(A)、(B)及び(C)はそれぞれ
同ビームダクト構造の形状に関する変形例を示す断面図
であり、第7図は本発明の第3の実施例によるビーム集
束装置のビームダクト構遣を示す断面図であり、第8図
(A)、(B)及び(C)はそれぞれ同ビームタクト構
造の形状に関する変形例を示す断面図であり、第9図は
本発明の第4の実施例によるビーム集束装置の要部構成
を示す概略図であり、第10図は本発明の第5の実施例
によるビーム集束装置の要部構造を示す概略図であり、
第11図は本発明の第6の実施例によるビーム集束装置
の要部構造を示す該略図であり、第12図は従来のビー
ム集束装置の概略正面図である。 符号の説明 10.20,30,40,50..60・・・ビームダ
クト 21.31・・・良導電体46
・・・コールドトラップ 出願人 株式会社 日立製作所 代理人 弁理士 春 日 譲 第3図 第 (A) (B) (C) (D) (A) 第 図 第 図 CB) 第 図 第10図 (C) (A) 第 図 第 図 F+0 第12 図 (C)
Claims (5)
- (1)荷電粒子が流れるビームダクトの外側又は内側の
中心軸に対する対象位置に、それぞれ中央から両側に向
かって厚みが変化する断面形状をした良導電体を設置し
、この良導電体に電源を接続したことを特徴とする荷電
粒子のビーム集束装置。 - (2)荷電粒子が流れるビームダクトを良導電体で構成
し、その良導電体の断面形状を、中心軸に対する対象位
置の各側において中央から両側に向かって厚みが変化す
る形状にすると共に、該良導電体に電源を接続したした
ことを特徴とする荷電粒子のビーム集束装置。 - (3)前記良導電体の断面形状を、少なくとも外形が円
、円の一部、楕円、楕円の一部、多角形、又は多角形の
一部となる形状にしたことを特徴とする請求項1又は2
記載の荷電粒子のビーム集束装置。 - (4)前記良導電体として超電導材料を使用したことを
特徴とする請求項1又は2記載の荷電粒子のビーム集束
装置。 - (5)前記ビームダクトを複数個直列にかつ角度をずら
して接続したことを特徴とする請求項1又は2記載の荷
電粒子のビーム集束装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63193022A JPH0242400A (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | ビーム集束装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63193022A JPH0242400A (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | ビーム集束装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0242400A true JPH0242400A (ja) | 1990-02-13 |
Family
ID=16300873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63193022A Pending JPH0242400A (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | ビーム集束装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0242400A (ja) |
-
1988
- 1988-08-02 JP JP63193022A patent/JPH0242400A/ja active Pending
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