JPH0242421A - El薄膜製造方法及び蒸着用ペレット - Google Patents
El薄膜製造方法及び蒸着用ペレットInfo
- Publication number
- JPH0242421A JPH0242421A JP21140488A JP21140488A JPH0242421A JP H0242421 A JPH0242421 A JP H0242421A JP 21140488 A JP21140488 A JP 21140488A JP 21140488 A JP21140488 A JP 21140488A JP H0242421 A JPH0242421 A JP H0242421A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pellet
- activator
- vapor deposition
- powder
- pellets
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000008188 pellet Substances 0.000 title claims abstract description 78
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000012190 activator Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 15
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 5
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 23
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 17
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 15
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 12
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000003081 coactivator Effects 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims 2
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 11
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 11
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 10
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 8
- 238000005453 pelletization Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 24
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 11
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 10
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 6
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 5
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 4
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- -1 manganese-activated zinc sulfide Chemical class 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052789 astatine Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- JGIATAMCQXIDNZ-UHFFFAOYSA-N calcium sulfide Chemical compound [Ca]=S JGIATAMCQXIDNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 150000002697 manganese compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000009579 opioid replacement therapy Methods 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229940065287 selenium compound Drugs 0.000 description 1
- 150000003343 selenium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は発光輝度および発光効率を向上させたEL薄
膜製造方法及び蒸着用ペレットに関する。
膜製造方法及び蒸着用ペレットに関する。
[従来技術]
近時、コンピュータデイスプレィ、テレビやその他の機
器等の表示部材としてEL素子(エレクトロルミネッセ
ンス賽子)が注目されている。これは、ORT等の表示
装置に比べて薄形で携帯性に優れていることが大きな理
由である。また、自ら発光するタイプの素子であるため
暗い所でも見易く、視認角が広く、偏光特性が無い等の
特徴からEL素子同様の薄形表示素子である液晶素子に
比べても表示品質が高いという事も大きな利点の一つt
こなっている。
器等の表示部材としてEL素子(エレクトロルミネッセ
ンス賽子)が注目されている。これは、ORT等の表示
装置に比べて薄形で携帯性に優れていることが大きな理
由である。また、自ら発光するタイプの素子であるため
暗い所でも見易く、視認角が広く、偏光特性が無い等の
特徴からEL素子同様の薄形表示素子である液晶素子に
比べても表示品質が高いという事も大きな利点の一つt
こなっている。
中でも薄膜で構成されている所謂薄111EL素子は発
光輝度が高く、またドツトマトリクス駆動を行なった際
に各ドツトの大きさを小さくすることが出来るため高解
偉度のデイスプレィやテレビを作成することが出来る。
光輝度が高く、またドツトマトリクス駆動を行なった際
に各ドツトの大きさを小さくすることが出来るため高解
偉度のデイスプレィやテレビを作成することが出来る。
この薄膜EL素子の発光膜は、通常母体としての金属硫
化物あるいはセレン化物の中に発光中心を形成するため
付活剤として、希土類または遷移金属元素を付活したも
のを用いる。上記発光膜は、通常エレクトロンビーム法
を用いて薄膜化するのであるが、蒸着源に上記の母体材
料と付活剤から成る原料粉末を加圧成形及び高温加熱し
て・焼結すること4こより作られたペレットを用いる事
が特公昭52−10358号公報に記載されているよう
にすでに考えられている。
化物あるいはセレン化物の中に発光中心を形成するため
付活剤として、希土類または遷移金属元素を付活したも
のを用いる。上記発光膜は、通常エレクトロンビーム法
を用いて薄膜化するのであるが、蒸着源に上記の母体材
料と付活剤から成る原料粉末を加圧成形及び高温加熱し
て・焼結すること4こより作られたペレットを用いる事
が特公昭52−10358号公報に記載されているよう
にすでに考えられている。
この様に加圧焼結ペレットを蒸着源とする理由は2つあ
る。第1は、エレクトロンビームが蒸着源に当った際に
、瞬間的な蒸発あるいは局部的なガスの飛散により蒸着
源粉末が飛び散ることを防ぐために比較的大きな塊にし
ておく必要があるためである。第2は、母体と付活剤を
構成する元素の蒸気圧の違いにより作成された膜中の付
活剤の濃度と蒸着源中の濃度が異なってしまうこと、ま
た作成された膜中の付活剤濃度が摸の厚さ方向に分布を
持ってしまい均一特性の膜ができなくなる問題を解決す
るためである。加圧焼結ペレットでは、エレクトロンビ
ームを充分に細くしぼって照射するとペレットの表面よ
り極めて浅い深さで、かつ小さな範囲内のみが急激に加
熱されその部分のペレットのみが瞬間的に蒸発する。
る。第1は、エレクトロンビームが蒸着源に当った際に
、瞬間的な蒸発あるいは局部的なガスの飛散により蒸着
源粉末が飛び散ることを防ぐために比較的大きな塊にし
ておく必要があるためである。第2は、母体と付活剤を
構成する元素の蒸気圧の違いにより作成された膜中の付
活剤の濃度と蒸着源中の濃度が異なってしまうこと、ま
た作成された膜中の付活剤濃度が摸の厚さ方向に分布を
持ってしまい均一特性の膜ができなくなる問題を解決す
るためである。加圧焼結ペレットでは、エレクトロンビ
ームを充分に細くしぼって照射するとペレットの表面よ
り極めて浅い深さで、かつ小さな範囲内のみが急激に加
熱されその部分のペレットのみが瞬間的に蒸発する。
従って、各元素がすべて同時に蒸発する結果、蒸着膜中
の付活剤濃度はペレット中の濃度とほぼ同一になる。ま
た、エレクトロンビームを迅速にスキャニングさせ、常
に異る部分にビームが当る様にしているため、付活剤の
液相−面相関の分配が起らず、そのため時間と共に付活
剤の濃度が変化すること、即ち蒸着膜の厚さ方向に付活
剤の濃度分布ができることが無い。
の付活剤濃度はペレット中の濃度とほぼ同一になる。ま
た、エレクトロンビームを迅速にスキャニングさせ、常
に異る部分にビームが当る様にしているため、付活剤の
液相−面相関の分配が起らず、そのため時間と共に付活
剤の濃度が変化すること、即ち蒸着膜の厚さ方向に付活
剤の濃度分布ができることが無い。
[発明が解決しようとする課題]
以上のように、薄膜B薄膜をエレクトロンビーム蒸着法
で作成する場合、蒸着源に加圧焼結ペレットを用いる方
法として次の様な3つの問題を有している。
で作成する場合、蒸着源に加圧焼結ペレットを用いる方
法として次の様な3つの問題を有している。
第1の問題点としては、ペレット作成の為に多くの手間
がかかる。即ち、加圧焼結ペレットを作成するには、先
ず、原料の粉末に圧力を75)けて成形し、それを更に
真空中500”C前後で脱ガス処理し、その状態でおお
よそ1000°C以上の温度で加熱して焼き固めるとい
う手順を必要とするため、多くの時間と、真空加熱装置
といった、大掛かりな装置を用いなければならない。
がかかる。即ち、加圧焼結ペレットを作成するには、先
ず、原料の粉末に圧力を75)けて成形し、それを更に
真空中500”C前後で脱ガス処理し、その状態でおお
よそ1000°C以上の温度で加熱して焼き固めるとい
う手順を必要とするため、多くの時間と、真空加熱装置
といった、大掛かりな装置を用いなければならない。
第2の問題点としては、焼結の際の昇温により付活剤が
、抜は出しペレット内での付活剤濃度にバラツキが出来
ることがある。一般にはペレット表面の濃度は、中心部
の濃度より低くなり、そのため表面から順次蒸発させて
行くと、徐々に付活剤の濃度が増加し、KL模膜中付活
剤濃度が不均−になる問題を有している。従って適正な
付活剤濃度のペレットを作ることが難しく、かつ、作製
されたELL光膜の厚み方向に付活剤濃度の分布ができ
るため発光効率の低下、短寿命化きいった素子特性の劣
化を引き起していた。
、抜は出しペレット内での付活剤濃度にバラツキが出来
ることがある。一般にはペレット表面の濃度は、中心部
の濃度より低くなり、そのため表面から順次蒸発させて
行くと、徐々に付活剤の濃度が増加し、KL模膜中付活
剤濃度が不均−になる問題を有している。従って適正な
付活剤濃度のペレットを作ることが難しく、かつ、作製
されたELL光膜の厚み方向に付活剤濃度の分布ができ
るため発光効率の低下、短寿命化きいった素子特性の劣
化を引き起していた。
また、ペレットの原料粉末を、母体粉末に付活剤を熱拡
散させる方法1こよって作製した場合、付活剤はすでに
母体粉末内に入り込み、発光中心を形成している。この
ことは原料粉末に紫外線を照射した時に螢光が発せられ
ることから確認することができる。
散させる方法1こよって作製した場合、付活剤はすでに
母体粉末内に入り込み、発光中心を形成している。この
ことは原料粉末に紫外線を照射した時に螢光が発せられ
ることから確認することができる。
しかし、この様な粉末を上記した加圧焼結過程によって
ペレット化したものに紫外線を照射すると発せられる螢
光の強度は粉末の場合に比べて概端に減少する。一般に
EL発発光−用いられる母体の紫外線に対する吸収係数
は大きく、ペレットを照射した紫外線は嘱く表面で吸収
されてしまう。
ペレット化したものに紫外線を照射すると発せられる螢
光の強度は粉末の場合に比べて概端に減少する。一般に
EL発発光−用いられる母体の紫外線に対する吸収係数
は大きく、ペレットを照射した紫外線は嘱く表面で吸収
されてしまう。
この帰に紫外線で励起され発せられる螢光が減少したと
いう事実は、加圧焼結過程によってペレットの表面付近
の付活剤が抜は出し、発光中心の数が減少しているとい
う考え方と辻韓が合う。
いう事実は、加圧焼結過程によってペレットの表面付近
の付活剤が抜は出し、発光中心の数が減少しているとい
う考え方と辻韓が合う。
また、第3の問題点としては、加圧焼結ペレットはエレ
クトロンビームの帯電が起り易く、そのため蒸着速度が
低下したり、不安定な状態となったり、時として蒸着し
なくなる場合も生じる。この対策として、エレクトロン
ビームの加速電圧を高くしたり、ビーム電流を異常に大
きくするといった補正を微妙に行なわざるを得す、設備
的、コスト的に問題を有している。即ち、エレクトロン
ビーム蒸着法においで、ペレットに照射されたエレクト
ロンビームは電流としてペレット中を流れた後に、ペレ
ットを支持している導電性容器へ流れ込む。この時、電
流の大部分は、ペレットを構成している母体微結晶粒の
表面及び結晶粒界を流れている。しかし、加圧焼結ペレ
ット中の各母体微結晶粒は互いに融着しているものが多
く、全体として微結晶粒表面積が減少しているので、照
射されたエレクトロンビームを放電するための電流チャ
ンネルの減少がペレットの帯電性増大の1つの原因であ
る。また、母体中に付加されている付活剤は、通常母体
内電子の禁制エネルギーレベル中にエネルギー準位を作
るため電気伝導性の向上に寄与するが、ペレット表面付
近の付活剤濃度が減少することにより、電気伝導性が低
下し、エレクトロンビームの帯電が起り易くなっている
。
クトロンビームの帯電が起り易く、そのため蒸着速度が
低下したり、不安定な状態となったり、時として蒸着し
なくなる場合も生じる。この対策として、エレクトロン
ビームの加速電圧を高くしたり、ビーム電流を異常に大
きくするといった補正を微妙に行なわざるを得す、設備
的、コスト的に問題を有している。即ち、エレクトロン
ビーム蒸着法においで、ペレットに照射されたエレクト
ロンビームは電流としてペレット中を流れた後に、ペレ
ットを支持している導電性容器へ流れ込む。この時、電
流の大部分は、ペレットを構成している母体微結晶粒の
表面及び結晶粒界を流れている。しかし、加圧焼結ペレ
ット中の各母体微結晶粒は互いに融着しているものが多
く、全体として微結晶粒表面積が減少しているので、照
射されたエレクトロンビームを放電するための電流チャ
ンネルの減少がペレットの帯電性増大の1つの原因であ
る。また、母体中に付加されている付活剤は、通常母体
内電子の禁制エネルギーレベル中にエネルギー準位を作
るため電気伝導性の向上に寄与するが、ペレット表面付
近の付活剤濃度が減少することにより、電気伝導性が低
下し、エレクトロンビームの帯電が起り易くなっている
。
この発明は、エレクトロビーム蒸着法における蒸着ペレ
ットを作製する際に原料粉末を加圧プレスするのみでペ
レット化することにより、加圧焼結ペレットでの間頂点
を解決したEL薄膜製造方法及び蒸着用ペレットを提供
することを目的とする。
ットを作製する際に原料粉末を加圧プレスするのみでペ
レット化することにより、加圧焼結ペレットでの間頂点
を解決したEL薄膜製造方法及び蒸着用ペレットを提供
することを目的とする。
[課題を解決する手段および作用]
この方法には、母体として金属の硫化物もしくはセレン
化物と、付活剤としての遷移金属、もしくは希土類元素
とつ)ら成る粉末、又は母体として(Aa、Cd、
、) 3を用い(AはZu、Br、Oaの中から少なく
とも一横選択し、αは曲記入とOdとの比率で0〜1.
0とする)付活剤としてAuを用い、共付活剤としてQ
(QはAt、Ga、In、F、O/、、Br、 Iの中
から少なくとも一横選択する)とから成る粉末を加圧固
着して形成したペレットをエレクトロンビーム蒸着法に
用いることにより、ペレットにエレクトロンビー牟が当
った際の瞬間的な蒸発および局部的なガスの飛散により
蒸着源が飛び散るのを防止し蒸着膜中の付活剤濃度分布
を均一なるものとすることができる。
化物と、付活剤としての遷移金属、もしくは希土類元素
とつ)ら成る粉末、又は母体として(Aa、Cd、
、) 3を用い(AはZu、Br、Oaの中から少なく
とも一横選択し、αは曲記入とOdとの比率で0〜1.
0とする)付活剤としてAuを用い、共付活剤としてQ
(QはAt、Ga、In、F、O/、、Br、 Iの中
から少なくとも一横選択する)とから成る粉末を加圧固
着して形成したペレットをエレクトロンビーム蒸着法に
用いることにより、ペレットにエレクトロンビー牟が当
った際の瞬間的な蒸発および局部的なガスの飛散により
蒸着源が飛び散るのを防止し蒸着膜中の付活剤濃度分布
を均一なるものとすることができる。
[実施例1]
母体として用いる金属硫化物として、例えば硫化亜鉛(
Zn8)の粉末の中に付活剤としての遷移金属として、
例えばマンガン化合物(Mn)粉末を混入させた混合粉
末体を中性の雰囲気下で加熱し、マンガンを硫化亜鉛微
結晶中に拡散付活させてペレット用原料粉末を形成する
。ペレットの母体となる硫化亜鉛の粒径は15μ以下の
粒径のものを用い、この硫化亜鉛に混入するマンガンの
割合は、硫化亜鉛に対して0.5 z量チである。
Zn8)の粉末の中に付活剤としての遷移金属として、
例えばマンガン化合物(Mn)粉末を混入させた混合粉
末体を中性の雰囲気下で加熱し、マンガンを硫化亜鉛微
結晶中に拡散付活させてペレット用原料粉末を形成する
。ペレットの母体となる硫化亜鉛の粒径は15μ以下の
粒径のものを用い、この硫化亜鉛に混入するマンガンの
割合は、硫化亜鉛に対して0.5 z量チである。
この様にして形成したペレット用原料粉末1.2gをプ
レス機で、700kg−Ji量/−の圧力860秒間か
け固着させる。抑圧固着した固着体は、直径1cm、厚
さ約Q、5 cmの円筒形をしており、これを蒸着用ペ
レットとして用いる。
レス機で、700kg−Ji量/−の圧力860秒間か
け固着させる。抑圧固着した固着体は、直径1cm、厚
さ約Q、5 cmの円筒形をしており、これを蒸着用ペ
レットとして用いる。
上記蒸着用ペレットを用いてエレクトロンビーム蒸着法
によりEL発光薄膜を作製した所、極めて良好なEL発
光膜を形成することができた。
によりEL発光薄膜を作製した所、極めて良好なEL発
光膜を形成することができた。
即ち、エレクトロンビームを蒸着用ペレットfこ照射し
て、蒸着膜を作製するが、プレス加工したペレットはビ
ームによってくずされ飛び敗る様なことは全く無く、ま
た作製された硫化亜鉛膜中のマンガンの濃度はペレット
用原料粉末中の濃度と同一の(L 5重ilチであり、
ペレット作製の際の付活剤の損失は殆どなかった。
て、蒸着膜を作製するが、プレス加工したペレットはビ
ームによってくずされ飛び敗る様なことは全く無く、ま
た作製された硫化亜鉛膜中のマンガンの濃度はペレット
用原料粉末中の濃度と同一の(L 5重ilチであり、
ペレット作製の際の付活剤の損失は殆どなかった。
更に、ペレットは%電気伝導性が低下しないため帯電が
無く、加圧焼結ペレットを用いた時のような蒸着速度の
低下もなく、エレクトロンビーム加速電圧6kv、電流
10〜20mAで安定な蒸着を行う事が出来た。従って
、焼結ペレットを用いた際の、帯電状態によっては、電
流を10mAから100mA程度の間を微妙に調整する
という煩わしさが無くなり、ペレットに充分な電流を流
し、熱量を安定Iこ供給することが出来、蒸着速度が速
く、かつ安定した状態となる。
無く、加圧焼結ペレットを用いた時のような蒸着速度の
低下もなく、エレクトロンビーム加速電圧6kv、電流
10〜20mAで安定な蒸着を行う事が出来た。従って
、焼結ペレットを用いた際の、帯電状態によっては、電
流を10mAから100mA程度の間を微妙に調整する
という煩わしさが無くなり、ペレットに充分な電流を流
し、熱量を安定Iこ供給することが出来、蒸着速度が速
く、かつ安定した状態となる。
以上の方法で作製したマンガン付活硫化亜鉛薄膜を用い
て、薄v!、EL発光素子を製作した。
て、薄v!、EL発光素子を製作した。
即ち、ガラス基板(コーニング社製品7059)上tこ
透明導電膜として、インジウム・ナイン・オキナイド(
ITO) を蒸着し、その上に酸化イツトリウム(Y
、08)−マンガン付活硫化亜鉛(ZnS:Mn)−酸
化イツトリウム(Yt Os )−背面電極としてアル
ミニウム(A1)の各薄膜を7領次形成し、二重絶縁構
造薄膜BL発光素子を形成した。薄膜形成の際、酸化イ
ツトリウム薄膜は、エレクトロンビーム蒸着法で、厚さ
5000 Aとし、マンガン付活硫化亜鉛模は、この発
明の製造方法を用いて厚さ10000Aに作製した。
透明導電膜として、インジウム・ナイン・オキナイド(
ITO) を蒸着し、その上に酸化イツトリウム(Y
、08)−マンガン付活硫化亜鉛(ZnS:Mn)−酸
化イツトリウム(Yt Os )−背面電極としてアル
ミニウム(A1)の各薄膜を7領次形成し、二重絶縁構
造薄膜BL発光素子を形成した。薄膜形成の際、酸化イ
ツトリウム薄膜は、エレクトロンビーム蒸着法で、厚さ
5000 Aとし、マンガン付活硫化亜鉛模は、この発
明の製造方法を用いて厚さ10000Aに作製した。
以上のような方法で作製した薄膜E L発光素子は充分
な発光輝度、例えば50μsec壜で50)(zのパル
スを印加した所200 cd/m であったし、高い発
光効率徨を示し、また、啄めて長い素子寿命を有する安
定に動作をするBL発光、漠である。
な発光輝度、例えば50μsec壜で50)(zのパル
スを印加した所200 cd/m であったし、高い発
光効率徨を示し、また、啄めて長い素子寿命を有する安
定に動作をするBL発光、漠である。
[実施例2]
母体として用いられる金属硫化物として例えば硫化カル
シウム(OaS )粉末に、付活剤としてユーロピウム
(gu)化合物粉末を混入した例を説明するっこのgu
には共付活剤として、F、Cl、Br、Iの中から少く
とも一横選択したものが拡散されている。Ca8粉末に
Eu化合物粉末の混合体は、粒径、混合比などは第1実
施例と同様である(EuはOaS中iこ拡散付活されて
いない)。この混合粉末をペレットの原料粉末とし、こ
の粉末をプレス機で圧力をかける際、加圧容器中にロー
クリポンプで減圧した後に加圧固着させて蒸着用ペレッ
トを作製するが、減圧工程以外は第1実施例と同様であ
る。
シウム(OaS )粉末に、付活剤としてユーロピウム
(gu)化合物粉末を混入した例を説明するっこのgu
には共付活剤として、F、Cl、Br、Iの中から少く
とも一横選択したものが拡散されている。Ca8粉末に
Eu化合物粉末の混合体は、粒径、混合比などは第1実
施例と同様である(EuはOaS中iこ拡散付活されて
いない)。この混合粉末をペレットの原料粉末とし、こ
の粉末をプレス機で圧力をかける際、加圧容器中にロー
クリポンプで減圧した後に加圧固着させて蒸着用ペレッ
トを作製するが、減圧工程以外は第1実施例と同様であ
る。
この実施例で作製した蒸着用ペレットを用いて、エレク
トロンビーム蒸着を行なうと、第1実施例と同様(こ、
ペレットの飛び散りも無く、蒸着膜中の付活剤濃度の減
少および膜の厚み方向の濃度分布のバラツキも無くなり
、しかもペレットの帯電現象も無くなり、安定した蒸着
を迅速に行なうことができる。
トロンビーム蒸着を行なうと、第1実施例と同様(こ、
ペレットの飛び散りも無く、蒸着膜中の付活剤濃度の減
少および膜の厚み方向の濃度分布のバラツキも無くなり
、しかもペレットの帯電現象も無くなり、安定した蒸着
を迅速に行なうことができる。
以上のような手順で蒸着した、薄膜をN、雰囲気中で6
00℃の温度で約30分間加熱処理を施し、Euのドー
プを完全なものとした。
00℃の温度で約30分間加熱処理を施し、Euのドー
プを完全なものとした。
このよう番こして形成したEu付活OaS薄膜をKL発
光層としで、第1実施例と同様の薄膜BL発光素子を作
製したところ、充分な発光輝度および発光効率値を示し
た。また発光素子は長期に亘って安定した作動をなす発
光膜である。
光層としで、第1実施例と同様の薄膜BL発光素子を作
製したところ、充分な発光輝度および発光効率値を示し
た。また発光素子は長期に亘って安定した作動をなす発
光膜である。
上記実施例においで、粉末を圧着する圧力を500〜8
00kg重量/c11としてたが、5001cg重量/
−以下であると、充分に固着せず、また800kg/−
以上であると粉体結晶粒がつぶれて固着してしまい、全
体としての微結晶粒表面積が減少したり、発光中心が物
理的ζこ形成され、発光輝度が低下する。
00kg重量/c11としてたが、5001cg重量/
−以下であると、充分に固着せず、また800kg/−
以上であると粉体結晶粒がつぶれて固着してしまい、全
体としての微結晶粒表面積が減少したり、発光中心が物
理的ζこ形成され、発光輝度が低下する。
[実施例3]
母体としての(Zn0.9.OdO,1)S正こ付活剤
としてAuを1700ppm 、共付活剤としてAtを
600ppm熱拡散ζこよりドープさせた粉末をペレッ
トの原料粉末とし、加圧容器中でロータリーポンプ(こ
よる減圧を行なった後ζこ圧力をかけ加圧固着させて三
しクトロンビーム蒸着用ペレットとした条件は@1実施
例と同様である。
としてAuを1700ppm 、共付活剤としてAtを
600ppm熱拡散ζこよりドープさせた粉末をペレッ
トの原料粉末とし、加圧容器中でロータリーポンプ(こ
よる減圧を行なった後ζこ圧力をかけ加圧固着させて三
しクトロンビーム蒸着用ペレットとした条件は@1実施
例と同様である。
このようJこして作製した蒸着用ペレットを用いてエレ
クトロンビーム蒸着を行なうと第1実施例と同様にペレ
ットの飛び散りも無く蒸着膜中の付活剤及び共付活剤濃
度の減少および膜の厚み方向の濃度分布のバラツキも無
くなりしかもペレットの帯電現象も無くなり安定した蒸
着を迅速に行なうことができた。
クトロンビーム蒸着を行なうと第1実施例と同様にペレ
ットの飛び散りも無く蒸着膜中の付活剤及び共付活剤濃
度の減少および膜の厚み方向の濃度分布のバラツキも無
くなりしかもペレットの帯電現象も無くなり安定した蒸
着を迅速に行なうことができた。
上記の方法で作製した( ZnO−9,Odo、1)S
:Au。
:Au。
At薄膜をEL発光層としてEL素子を作製した。
絶縁層としてはスパッタ法により作製したSi、N。
膜を用い膜厚が230關の二重絶縁タイプとした。
その他の構成は第1実施例と同様である。
また(ZnO,9,Odo、1)S :Au 、l’−
を発光層は蒸着基板温度300°C9真空度lXl0
Torrの条件下でエレクトロンビーム蒸着を行ない
膜厚を500謁とした。又、背面絶縁層形成後素子をS
雰囲気下、N、気流中において600 ’Qで30分間
熱アニールし、付活剤であるAuの活性化を図った。
を発光層は蒸着基板温度300°C9真空度lXl0
Torrの条件下でエレクトロンビーム蒸着を行ない
膜厚を500謁とした。又、背面絶縁層形成後素子をS
雰囲気下、N、気流中において600 ’Qで30分間
熱アニールし、付活剤であるAuの活性化を図った。
以上の様に作製したFiL素子に50μsec@で50
0 Hz の対称矩形パルスを印加し発光特性を測定し
たところ印加電圧的60Vで発光が開始されZnS:M
n発光層などと比べて極めて低電圧な駆動が可能となっ
た。これは母体中にOdを添加したことにより発光中心
励起のための電子の供給源となる界面準位がエネルギー
的に低くなったことによる。又、発光o OIB色度は
x = 0.405 、 y=0.567となりZn8
;Mn薄膜のKL発光(x=0549 、y=OA 4
6 )に比べて視覚的に感度の高い黄色側Iこシフトし
ており表示機器等への応用に適している。
0 Hz の対称矩形パルスを印加し発光特性を測定し
たところ印加電圧的60Vで発光が開始されZnS:M
n発光層などと比べて極めて低電圧な駆動が可能となっ
た。これは母体中にOdを添加したことにより発光中心
励起のための電子の供給源となる界面準位がエネルギー
的に低くなったことによる。又、発光o OIB色度は
x = 0.405 、 y=0.567となりZn8
;Mn薄膜のKL発光(x=0549 、y=OA 4
6 )に比べて視覚的に感度の高い黄色側Iこシフトし
ており表示機器等への応用に適している。
[実施例4コ
この実施例では母体として(8r0.9,0dO−1)
8に付活剤としてAuを2000ppm、共付活剤とし
てFを1500ppm添加した粉末をペレットの原料粉
末とし、第3実施例と同様の方法でエレクトロンと−ハ
、蒸着用ペレットを作製した。
8に付活剤としてAuを2000ppm、共付活剤とし
てFを1500ppm添加した粉末をペレットの原料粉
末とし、第3実施例と同様の方法でエレクトロンと−ハ
、蒸着用ペレットを作製した。
このペレットを用いてエレクトロンビーム蒸着を行なう
と、第1実施例と同様にペレットの飛び散りも無く蒸着
膜蒸着膜中の付活剤及び共付活剤濃度の減少、及び膜の
厚み方向の濃度分布のパラツギも無くなり、しかもペレ
ットの帯電現象も無くなり鼻定した蒸着を迅速に行なう
ことができた。
と、第1実施例と同様にペレットの飛び散りも無く蒸着
膜蒸着膜中の付活剤及び共付活剤濃度の減少、及び膜の
厚み方向の濃度分布のパラツギも無くなり、しかもペレ
ットの帯電現象も無くなり鼻定した蒸着を迅速に行なう
ことができた。
この様に組成された発光層を持つ薄膜EL素子の発光開
始電圧は約80vと第3実施例で作成した素子よりも少
し上昇しているが1発光色度がx=0.250 、 y
=Q−550と黄緑色ないし緑色を示した。この理由は
母体中にバンドギャップの大きい8rが入ったことによ
るものと考えられる。
始電圧は約80vと第3実施例で作成した素子よりも少
し上昇しているが1発光色度がx=0.250 、 y
=Q−550と黄緑色ないし緑色を示した。この理由は
母体中にバンドギャップの大きい8rが入ったことによ
るものと考えられる。
なお、この発明は上記実施例に限定されることなく、金
属の硫化物もしくはセレン化合物としては、ZrSやO
aSの他に、OdS、8r8.BaS、Zn5e。
属の硫化物もしくはセレン化合物としては、ZrSやO
aSの他に、OdS、8r8.BaS、Zn5e。
0dSe、5rSeおよび(Aa 、 act、 a
)S (AはZn、5rOaの中から少くとも一種を
選択し、αは上記AとOdとの比率でO〜1.0の値を
とる)を用いてもよく、また付活剤としての遷移金属も
しくは希土類元素は、MnやBuの他に、Tb、(3e
、Pr、DyHo、Sm、Nd、Er、Tm、Ybおよ
びAuなどを用いてもよく、かつ共付活剤としてはAt
、Ga、 In 、F’、0zBr、Hの中から少くと
も一種を選択して用いてもよく、これらを適宜組合わせ
るようにしてもよい。
)S (AはZn、5rOaの中から少くとも一種を
選択し、αは上記AとOdとの比率でO〜1.0の値を
とる)を用いてもよく、また付活剤としての遷移金属も
しくは希土類元素は、MnやBuの他に、Tb、(3e
、Pr、DyHo、Sm、Nd、Er、Tm、Ybおよ
びAuなどを用いてもよく、かつ共付活剤としてはAt
、Ga、 In 、F’、0zBr、Hの中から少くと
も一種を選択して用いてもよく、これらを適宜組合わせ
るようにしてもよい。
更に付活剤を母体粉末材内に拡散付活させる方法としで
は、材料によって、その雰囲気を酸化性、中性あるいは
還元性というように選択し、その雰囲気中で加熱すると
よい。
は、材料によって、その雰囲気を酸化性、中性あるいは
還元性というように選択し、その雰囲気中で加熱すると
よい。
[発明の効果]
この発明によると、エレクトロンビーム蒸着用の蒸着ペ
レットはプレスにより作製するので、極めて簡単に短時
間で出来、しかも設備等も大規模ものを不要とし、安価
になると共に、このペレットは、付活剤濃度の均一なた
め、蒸着された発光膜中の付活剤濃度が膜の厚み方向暑
こも均一となり、安定な特性を有した発光膜を迅速かつ
、確実に作製することができるEL薄嘆製造方法及び蒸
着用ペレッ)K提供することができる。
レットはプレスにより作製するので、極めて簡単に短時
間で出来、しかも設備等も大規模ものを不要とし、安価
になると共に、このペレットは、付活剤濃度の均一なた
め、蒸着された発光膜中の付活剤濃度が膜の厚み方向暑
こも均一となり、安定な特性を有した発光膜を迅速かつ
、確実に作製することができるEL薄嘆製造方法及び蒸
着用ペレッ)K提供することができる。
Claims (7)
- (1)母体として金属の硫化物もしくはセレン化物と、
付活剤としての遷移金属もしくは希土類元素あるいはA
uを用い、このAuの共付活剤としてAl、Ga、In
、F、Cl、Br、Iの中から少なくとも一種を選択し
たものとからなる粉末に圧力を加えることにより成形し
た固着体を蒸着ペレットとしたエレクトロンビーム蒸着
法を用いて行うようにした事を特徴とするEL薄膜製造
方法。 - (2)金属硫化物もしくはセレン化物はCds、Zns
、SrS、CaS、BaS、ZnSe、CdSe、Sr
Seおよび(A_α、Cd_1_−_α)S(AはZr
、Br、Caの中から少くとも一種選択し、αはAとC
dとの比率で0〜1.0の値をとる)であり、遷移金属
もしくは希土類元素はMn、Tb、Ce、Pr、Dy、
Ho、Sm、Nd、Ev、TmおよびYbであることを
特徴とする請求項1記載のEL薄膜製造方法。 - (3)母体となる金属の硫化物もしくはセレン化物中に
付活剤として遷移金属もしくは希土類元素あるいはAu
を用い、このAuの共付活剤としてAl、Ga、In、
F、Cl、Br、Iの中から少くとも一種選択したもの
が拡散されている事を特徴とする請求項1記載のEL薄
膜製造方法。 - (4)母体としての金属硫化物もしくはセレン化物と、
付活剤としての遷移金属もしくは希土類元素あるいはA
uを用い、このAuの共付活剤としてAl、Ga、In
、F、Cl、Br、Iの中から少くとも一種選択したも
のとからなる粉末に圧力を加え固着させることにより作
成したエレクトロンビーム蒸着法に用いる蒸着用ペレッ
ト。 - (5)金属硫化物もしくはセレン化物はCdS、ZnS
、SrS、CaS、BaS、ZnSe、CdSe、Sr
Seおよび(A_α、Cd_1_−_α)S(AはZn
、Sr、Caの中から少くとも一横選択し、αはAとC
dとの比率で0〜1.0の値をとる)であり、遷移金属
もしくは希土類元素はMn、Tb、Eu、Ce、Pr、
Dy、Ho、Sm、Nd、Er、Tm、およびYbであ
ることを特徴とする請求項4記載の蒸着用ペレット。 - (6)粉末に500〜800kg重量/cm^3の圧力
を加えて固着させるようにした事を特徴とする請求項4
記載の蒸着用ペレット。 - (7)希土類元素の共付活剤として、F、Cl、Br、
Iの中から少くとも一種選択したものが拡散されている
事を特徴とする請求項4記載の蒸着用ペレット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21140488A JPH0242421A (ja) | 1988-04-18 | 1988-08-25 | El薄膜製造方法及び蒸着用ペレット |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9531488 | 1988-04-18 | ||
| JP63-95314 | 1988-04-18 | ||
| JP21140488A JPH0242421A (ja) | 1988-04-18 | 1988-08-25 | El薄膜製造方法及び蒸着用ペレット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0242421A true JPH0242421A (ja) | 1990-02-13 |
Family
ID=26436563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21140488A Pending JPH0242421A (ja) | 1988-04-18 | 1988-08-25 | El薄膜製造方法及び蒸着用ペレット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0242421A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1120269A1 (en) | 2000-01-25 | 2001-08-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Biderectional printing method and apparatus with reduced colour unevenness |
| US6706226B2 (en) | 2002-07-16 | 2004-03-16 | Eastman Kodak Company | Compacting moisture-sensitive organic materials in making an organic light-emitting device |
| US6719936B2 (en) | 2002-08-23 | 2004-04-13 | Eastman Kodak Company | Method of making a solid compacted pellet of organic material for vacuum deposition of OLED displays |
| US7238383B2 (en) | 2003-03-07 | 2007-07-03 | Eastman Kodak Company | Making and using compacted pellets for OLED displays |
| JP2009167448A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 全固体薄膜電池、正極および薄膜形成方法 |
-
1988
- 1988-08-25 JP JP21140488A patent/JPH0242421A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1120269A1 (en) | 2000-01-25 | 2001-08-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Biderectional printing method and apparatus with reduced colour unevenness |
| US6706226B2 (en) | 2002-07-16 | 2004-03-16 | Eastman Kodak Company | Compacting moisture-sensitive organic materials in making an organic light-emitting device |
| EP1383181A3 (en) * | 2002-07-16 | 2007-09-19 | Eastman Kodak Company | Compacting moisture-sensitive organic materials in making an organic light-emitting device |
| US6719936B2 (en) | 2002-08-23 | 2004-04-13 | Eastman Kodak Company | Method of making a solid compacted pellet of organic material for vacuum deposition of OLED displays |
| US7238383B2 (en) | 2003-03-07 | 2007-07-03 | Eastman Kodak Company | Making and using compacted pellets for OLED displays |
| JP2009167448A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 全固体薄膜電池、正極および薄膜形成方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0258908B1 (en) | Ultrafine grain fluorescent body | |
| CA2421171C (en) | Magnesium barium thioaluminate and related phosphor materials | |
| WO1996009353A1 (en) | Phosphor, and cathode-ray tube and display using the same | |
| Sharma et al. | Electroluminescent efficiency of alternating current thick film devices using ZnS: Cu, Cl phosphor | |
| WO2001077254A1 (fr) | Phosphore destine a l'affichage et affichage a emission de champ | |
| CA2625768A1 (en) | A luminous body | |
| JPS6346117B2 (ja) | ||
| WO2011158368A1 (ja) | 直流駆動の無機エレクトロルミネッセンス素子と発光方法 | |
| US5700592A (en) | Electroluminescent materials for edge emitters | |
| CN1296456C (zh) | 等离子体显示面板装置和荧光体的制造方法 | |
| JP2005536606A (ja) | エレクトロルミネッセントディスプレイのための微粒子稀土類活性化硫化亜鉛蛍光体 | |
| Steckel et al. | 12.1: Invited Paper: Quantum Dots: The Ultimate Down‐Conversion Material for LCD Displays | |
| WO2004031322A1 (ja) | 表示装置用蛍光体とその製造方法、およびそれを用いたカラー表示装置 | |
| CN1329479C (zh) | 等离子体显示面板装置和荧光体的制造方法 | |
| JP4928329B2 (ja) | 薄膜型無機el素子 | |
| CN1329478C (zh) | 等离子体显示面板装置和荧光体的制造方法 | |
| WO2004076587A1 (ja) | 低電圧・高電流密度用緑色発光蛍光体とそれを用いた電界放出型表示装置 | |
| JP2006070187A (ja) | 珪酸塩蛍光体、発光装置及び該発光装置を用いた表示装置 | |
| JP2605570B2 (ja) | 無機薄膜el素子 | |
| JPH05179242A (ja) | 発光材料 | |
| US3154502A (en) | Luminescent germanium dioxide compositions | |
| KR101457056B1 (ko) | 소결 세라믹 형광시트를 이용한 전계발광패널 및 그제조방법 | |
| JPH0265094A (ja) | 薄膜el素子及びその製造方法 | |
| JPH04366593A (ja) | 薄膜el素子とその製造方法 | |
| JP2004107522A (ja) | エレクトロルミネッセンス発光層薄膜、無機薄膜エレクトロルミネッセンス素子及び発光層薄膜の製造方法 |