JPH0265094A - 薄膜ｅｌ素子及びその製造方法 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0265094A JPH0265094A JP63215521A JP21552188A JPH0265094A JP H0265094 A JPH0265094 A JP H0265094A JP 63215521 A JP63215521 A JP 63215521A JP 21552188 A JP21552188 A JP 21552188A JP H0265094 A JPH0265094 A JP H0265094A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- emitting layer
- light
- light emitting
- cas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は表示デバイスなどに用いる薄膜ＥＬ素子及びそ
の製造方法に関するものである。更に詳しくは、良好な
発光特性を有する赤色発光薄膜ＥＬ素子の発光層材料及
び発光層薄膜形成方法に関するものである。
の製造方法に関するものである。更に詳しくは、良好な
発光特性を有する赤色発光薄膜ＥＬ素子の発光層材料及
び発光層薄膜形成方法に関するものである。
従来より薄膜ＥＬ素子の発光層材料にはＭｎや希土類元
素で付活されたＺｎＳが主に用いられており、赤色発光
材料としてはＺｎＳ：Ｓｍが知られている。近年、新し
い赤色発光材料としてＣａｂ：Ｅｕなとアルカリ土類硫
化物を母体とし、Ｅｕで付活された発光層材料が検討さ
れている。
素で付活されたＺｎＳが主に用いられており、赤色発光
材料としてはＺｎＳ：Ｓｍが知られている。近年、新し
い赤色発光材料としてＣａｂ：Ｅｕなとアルカリ土類硫
化物を母体とし、Ｅｕで付活された発光層材料が検討さ
れている。
アルカリ土類硫化物を母体とする発光層を有する薄膜Ｅ
Ｌ素子は、第３図に示すようにガラス基板１上に透明電
極２、第一絶縁体層３、アルカリ土類硫化物を母体とす
る発光層７、第二絶縁体層５゜上部ＡＱ電極６を順次形
成して製造され、このようなアルカリ土類硫化物を母体
とし発光層薄膜は。
Ｌ素子は、第３図に示すようにガラス基板１上に透明電
極２、第一絶縁体層３、アルカリ土類硫化物を母体とす
る発光層７、第二絶縁体層５゜上部ＡＱ電極６を順次形
成して製造され、このようなアルカリ土類硫化物を母体
とし発光層薄膜は。
第４図（ａ）に示すように電子ビームガン１０を備えた
真空槽１４内に基板８を設置し、該基板８をヒータ９で
加熱しつつ発光中心不純物を含むアルカリ土類硫化物か
らなる原料ペレット１１を電子ビームにより加熱し基板
８に成膜する真空蒸着法や、発光中心不純物を含むアル
カリ土類硫化物をターゲットとして用いたスパッタ法に
よって成膜されている。更に真空蒸着法においては、第
４図（ｂ）のようにＳ蒸気雰囲気１５中で蒸着する方法
が検討されている。
真空槽１４内に基板８を設置し、該基板８をヒータ９で
加熱しつつ発光中心不純物を含むアルカリ土類硫化物か
らなる原料ペレット１１を電子ビームにより加熱し基板
８に成膜する真空蒸着法や、発光中心不純物を含むアル
カリ土類硫化物をターゲットとして用いたスパッタ法に
よって成膜されている。更に真空蒸着法においては、第
４図（ｂ）のようにＳ蒸気雰囲気１５中で蒸着する方法
が検討されている。
ところが、ＺｎＳ：Ｓｍを発光層として有する赤色ＥＬ
素子は、カラーＥＬ素子として色純度が充分でなく、発
光効率が悪い。
素子は、カラーＥＬ素子として色純度が充分でなく、発
光効率が悪い。
一方、Ｅｕで付活されたアルカリ土類硫化物ＣａＳ ：
Ｅｕを発光層として有するＥＬ素子は色純度の高い発光
色を示すが、発光輝度及び発光効率が実用レベルに比べ
て不十分である。
Ｅｕを発光層として有するＥＬ素子は色純度の高い発光
色を示すが、発光輝度及び発光効率が実用レベルに比べ
て不十分である。
赤色発光を示すＥｕで付活されたＣａＳなどアルカリ土
類硫化物からなる発光層を成膜する際、アルカリ土類硫
化物を蒸着源にして真空蒸着すると、形成膜にＳ抜けに
よる化学量論比組成のずれや、それに起因する結晶性の
著しい低下が発生する。
類硫化物からなる発光層を成膜する際、アルカリ土類硫
化物を蒸着源にして真空蒸着すると、形成膜にＳ抜けに
よる化学量論比組成のずれや、それに起因する結晶性の
著しい低下が発生する。
Ｓの雰囲気中でアルカリ土類硫化物を真空蒸着すると、
上記形成膜質の低下をある程度防止することは可能であ
る。しかし、膜質の低下を防止するにはＳの分圧によっ
て蒸着中の真空度を１０″″４〜１０−” ｔｏｒｒと
しなければならず、成膜装置の維持も含めて真空蒸着法
としてのアルカリ土類硫化物の成膜技術として本質的解
決に到っていない。
上記形成膜質の低下をある程度防止することは可能であ
る。しかし、膜質の低下を防止するにはＳの分圧によっ
て蒸着中の真空度を１０″″４〜１０−” ｔｏｒｒと
しなければならず、成膜装置の維持も含めて真空蒸着法
としてのアルカリ土類硫化物の成膜技術として本質的解
決に到っていない。
本発明の目的は良好な赤色発光を示し、輝度・効率の高
い薄膜ＥＬ素子の発光層材料を提供すること、及び上記
赤色発光を示す高品位な発光層薄膜を容易に形成するこ
とが可能な薄膜ＥＬ素子の製造方法を提供することにあ
る。
い薄膜ＥＬ素子の発光層材料を提供すること、及び上記
赤色発光を示す高品位な発光層薄膜を容易に形成するこ
とが可能な薄膜ＥＬ素子の製造方法を提供することにあ
る。
上記目的を達成するため、本発明の薄膜ＥＬ素子による
ときにはＣａＳとＣａ５ｅとの混晶からなる母体にＥｕ
を付活した薄膜蛍光体を発光層としたものである。
ときにはＣａＳとＣａ５ｅとの混晶からなる母体にＥｕ
を付活した薄膜蛍光体を発光層としたものである。
また、本発明の薄膜ＥＬ素子の発光層母体をなすＣａ
５ｌ−ｘＳ ｅ ｘのＳｅ濃度Ｘは０．０５≦Ｘ≦０．
６５の範囲内に設定されている。
５ｌ−ｘＳ ｅ ｘのＳｅ濃度Ｘは０．０５≦Ｘ≦０．
６５の範囲内に設定されている。
本発明の薄膜ＥＬ素子はＣａＳとＣａ５ｅの混晶からな
る母体にＥｕを付活した薄膜蛍光体を発光層とし、真空
蒸着法で該発光層を形成するに際し、発光層材料からな
る蒸発源とＳｅからなる発光層材料とは別の蒸発源から
、同時に基板上に蒸発物質を供給して該発光層を基板上
に形成することによって得られる。
る母体にＥｕを付活した薄膜蛍光体を発光層とし、真空
蒸着法で該発光層を形成するに際し、発光層材料からな
る蒸発源とＳｅからなる発光層材料とは別の蒸発源から
、同時に基板上に蒸発物質を供給して該発光層を基板上
に形成することによって得られる。
〔作用〕
ＣａＳ ： Ｅｕの発光はピーク波長的６５０ｎｍのほ
ぼ対称なスペクトルを示す。この発光は色純度が非常に
高い深い赤色である反面、視感度が小さいため原理的に
高効率化に限界がある。母体がＣａＳとＣａ５ｅとの混
晶とすることでＥｕからの発光スペクトルを短波長側に
移動させ、赤色発光素子としての実用的な色純度を保っ
たまま視感度の高い領域での発光を得ることができる。
ぼ対称なスペクトルを示す。この発光は色純度が非常に
高い深い赤色である反面、視感度が小さいため原理的に
高効率化に限界がある。母体がＣａＳとＣａ５ｅとの混
晶とすることでＥｕからの発光スペクトルを短波長側に
移動させ、赤色発光素子としての実用的な色純度を保っ
たまま視感度の高い領域での発光を得ることができる。
また、Ｃａ２＋とＥｕ” ”のイオン半径はほぼ同じで
あり、陽イオンを他のアルカリ土類元素に置換した混晶
よりも発光中心であるＥｕ２ ＊イオンの周りの結晶の
歪を小さくすることができるため、混晶化による発光効
率の低下がない。
あり、陽イオンを他のアルカリ土類元素に置換した混晶
よりも発光中心であるＥｕ２ ＊イオンの周りの結晶の
歪を小さくすることができるため、混晶化による発光効
率の低下がない。
Ｅｕを含むＣａＳ、又はＣａＳとＣａＳｅ、又はＣａＳ
とＣａＳｅとの混晶からなる蒸着源を加熱して真空蒸着
する際、薄膜成長面に、基板に到達する化学量論比の蒸
気成分より過剰のＳｅが供給されると、形成薄膜からの
Ｓ又はＳｅ抜けが減少し、蒸着雰囲気からの酸素の取り
込みによる薄膜中の酸化物の量も低下するため、形成薄
膜の結晶性が良好になり、ひいてはこの薄膜を発光層と
するＥＬ素子の発光特性が良好となる。また、Ｓ雰囲気
での蒸着法に比べ、ＳｓはＳより蒸気圧が低いため、基
板への付着率が高く、より少量で上記効果があり、さら
にＳの雰囲気蒸着法ではＳ源の室温〜２００°Ｃの間で
の微妙な温度コントロールが要求されるのに対し、Ｓｓ
の同時供給によればＳｅ源の温度コントロールによる供
給量の制御が容易となる。よって通常の蒸着法の真空度
を保ったまま、Ｓｅの薄膜成長面への供給量の変動の少
ない過剰供給を行うことが可能である。ひいては薄膜の
結晶性やＥ！Ｌ素子の特性を良好にすることが可能とな
り、また成膜装置の汚染が成膜や成膜装置の材質に及ぼ
す影響を少なくすることが可能であり、成膜装置の維持
も容易になる。
とＣａＳｅとの混晶からなる蒸着源を加熱して真空蒸着
する際、薄膜成長面に、基板に到達する化学量論比の蒸
気成分より過剰のＳｅが供給されると、形成薄膜からの
Ｓ又はＳｅ抜けが減少し、蒸着雰囲気からの酸素の取り
込みによる薄膜中の酸化物の量も低下するため、形成薄
膜の結晶性が良好になり、ひいてはこの薄膜を発光層と
するＥＬ素子の発光特性が良好となる。また、Ｓ雰囲気
での蒸着法に比べ、ＳｓはＳより蒸気圧が低いため、基
板への付着率が高く、より少量で上記効果があり、さら
にＳの雰囲気蒸着法ではＳ源の室温〜２００°Ｃの間で
の微妙な温度コントロールが要求されるのに対し、Ｓｓ
の同時供給によればＳｅ源の温度コントロールによる供
給量の制御が容易となる。よって通常の蒸着法の真空度
を保ったまま、Ｓｅの薄膜成長面への供給量の変動の少
ない過剰供給を行うことが可能である。ひいては薄膜の
結晶性やＥ！Ｌ素子の特性を良好にすることが可能とな
り、また成膜装置の汚染が成膜や成膜装置の材質に及ぼ
す影響を少なくすることが可能であり、成膜装置の維持
も容易になる。
次に、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す薄膜ＥＬ素子の断面図
である。以下、Ｃａ５１４Ｓ ｅ ｔを母体とし、０．
１ｍｏ１％のＥｕで付活された発光層を有する薄膜ＥＬ
素子を例にとって詳細を説明する。第１図に示すように
、まず真空蒸着法又はスパッタ法などによりガラス基板
１上に透明電極２及び２５００人のＡｌ１．Ｏ，からな
る第一絶縁体層３を成膜する。次に、この基板上に表１
に示すようなＳｅ濃度の母体を持つ発光層を形成するよ
うに、蒸発源のＣａＳとＣａ５ｅとの混合比を変化させ
たＥｕを含むペレットを用い５００°Ｃの基板温度で、
電子ビーム加熱蒸着法で発光層４を１００００人形成す
る。さらに、この真空状態を破らずにこれらの発光層４
の上からＡＱ２０．の第二絶縁体層５を３０００人形成
した。最後に、この第二絶縁体層５の上に上部ＡＱ電極
６を成膜してＥＬ素子を作製した。
である。以下、Ｃａ５１４Ｓ ｅ ｔを母体とし、０．
１ｍｏ１％のＥｕで付活された発光層を有する薄膜ＥＬ
素子を例にとって詳細を説明する。第１図に示すように
、まず真空蒸着法又はスパッタ法などによりガラス基板
１上に透明電極２及び２５００人のＡｌ１．Ｏ，からな
る第一絶縁体層３を成膜する。次に、この基板上に表１
に示すようなＳｅ濃度の母体を持つ発光層を形成するよ
うに、蒸発源のＣａＳとＣａ５ｅとの混合比を変化させ
たＥｕを含むペレットを用い５００°Ｃの基板温度で、
電子ビーム加熱蒸着法で発光層４を１００００人形成す
る。さらに、この真空状態を破らずにこれらの発光層４
の上からＡＱ２０．の第二絶縁体層５を３０００人形成
した。最後に、この第二絶縁体層５の上に上部ＡＱ電極
６を成膜してＥＬ素子を作製した。
表 １
第５図に表１に示した各素子の発光ピーク波長及び発光
効率を示す。各素子の発光色は表１に示しである。表１
及び第５図に明らかなとおり、発光層母体が混晶化し、
Ｓｅ濃度が増加するにしたがって発光ピーク波長が短波
長側に移動し色調が変化している。また、これにより発
光効率が５ｅｌ１度の増加とともに大きくなっている。
効率を示す。各素子の発光色は表１に示しである。表１
及び第５図に明らかなとおり、発光層母体が混晶化し、
Ｓｅ濃度が増加するにしたがって発光ピーク波長が短波
長側に移動し色調が変化している。また、これにより発
光効率が５ｅｌ１度の増加とともに大きくなっている。
Ｓｅのｍｏｌ濃度が０．６０以上では、赤色発光素子と
しての色純度が通常のカラーＣＲＴに用いられるものよ
り劣ってくる。また、０．０５以下では発光効率の改善
効果が小さい。Ｓｅがｌｌｌｏｌａ度で０．３０含まれ
るＣａＳ、 、 ７０ Ｓｅ、 、 ３ 。：Ｅｕを発
光層として有する素子Ｃはカラー素子としての良好な色
純度と素子Ａに比べ約３倍の効率改善がなされた。この
ように、本発明によるＥｕで付活されたＣ ａ ５ｌ−
ＸＳ ｅＸを発光層とするＥＬ素子は赤色発光素子とし
ての色純度を保ったまま、輝度・効率を、従来のＣａＳ
を母体とするものより改善することができ、総合的にみ
て従来素子より発光特性の優れたものを得ることができ
る。
しての色純度が通常のカラーＣＲＴに用いられるものよ
り劣ってくる。また、０．０５以下では発光効率の改善
効果が小さい。Ｓｅがｌｌｌｏｌａ度で０．３０含まれ
るＣａＳ、 、 ７０ Ｓｅ、 、 ３ 。：Ｅｕを発
光層として有する素子Ｃはカラー素子としての良好な色
純度と素子Ａに比べ約３倍の効率改善がなされた。この
ように、本発明によるＥｕで付活されたＣ ａ ５ｌ−
ＸＳ ｅＸを発光層とするＥＬ素子は赤色発光素子とし
ての色純度を保ったまま、輝度・効率を、従来のＣａＳ
を母体とするものより改善することができ、総合的にみ
て従来素子より発光特性の優れたものを得ることができ
る。
次に、０．１ｍｏ１％のＥｕで付活されたＣａｂｌ、、
７゜Ｓｅ、 、、。
７゜Ｓｅ、 、、。
薄膜成膜時にＳｅを同時供給した発光層を有する薄膜Ｅ
Ｌ素子を例にとって、この発光層形成技術の詳細を説明
する。まず、第１図に示す構造の薄膜ＥＬ素子を上述の
手順で作製した。但し発光層は、形成された薄膜のＳｅ
濃度が０．３０となるように蒸発源ペレットのＣａＳと
Ｃａ５ｅとの混合比を調整し、第２図に示す成膜装置を
用いて成膜している。第２図は電子ビームガン１０を備
えた真空槽１４内に基板８を設置し、蒸発源としてＣａ
Ｓ１−ｘｓ８ｘ ： Ｅｕ発光層材料ペレット１１と、
５ｅ１２とを別個にセットしたものである。上記ペレッ
ト１１を電子ビーム加熱で蒸発させ、別蒸着源より種々
の供給速度で５ｅ１２を抵抗加熱器１３により加熱して
同時に蒸発させ、１００００人の膜厚で形成した。この
ときＳｓの供給量の変動は±５％以下であった。また、
成膜時の真空度はＩ Ｘ １０−’ｔｏｒｒ以下である
。作製した素子のＳｅの相対的供給量と素子名を表２に
示す。
Ｌ素子を例にとって、この発光層形成技術の詳細を説明
する。まず、第１図に示す構造の薄膜ＥＬ素子を上述の
手順で作製した。但し発光層は、形成された薄膜のＳｅ
濃度が０．３０となるように蒸発源ペレットのＣａＳと
Ｃａ５ｅとの混合比を調整し、第２図に示す成膜装置を
用いて成膜している。第２図は電子ビームガン１０を備
えた真空槽１４内に基板８を設置し、蒸発源としてＣａ
Ｓ１−ｘｓ８ｘ ： Ｅｕ発光層材料ペレット１１と、
５ｅ１２とを別個にセットしたものである。上記ペレッ
ト１１を電子ビーム加熱で蒸発させ、別蒸着源より種々
の供給速度で５ｅ１２を抵抗加熱器１３により加熱して
同時に蒸発させ、１００００人の膜厚で形成した。この
ときＳｓの供給量の変動は±５％以下であった。また、
成膜時の真空度はＩ Ｘ １０−’ｔｏｒｒ以下である
。作製した素子のＳｅの相対的供給量と素子名を表２に
示す。
表 ２
Ｆ−Ｇ各素子のＸ線回折によるＮａＣＱ構造（２００）
ピークの半値幅Δ２θを測定したところ、第６図に示す
ように供給Ｓｅの量が増加するにしたがってΔ２θは単
調に減少し、結晶性の改善効果が認められた。素子■及
びＪではＳｅの供給のない場合（素子Ｆ）に比べ２１５
に減少した。また、第５図に示すように発光効率も供給
Ｓｅの量が増加するにつれて増加し、Ｓｓの供給がない
場合（素子Ｆ）に比べ、素子Ｊで約２倍に改善された。
ピークの半値幅Δ２θを測定したところ、第６図に示す
ように供給Ｓｅの量が増加するにしたがってΔ２θは単
調に減少し、結晶性の改善効果が認められた。素子■及
びＪではＳｅの供給のない場合（素子Ｆ）に比べ２１５
に減少した。また、第５図に示すように発光効率も供給
Ｓｅの量が増加するにつれて増加し、Ｓｓの供給がない
場合（素子Ｆ）に比べ、素子Ｊで約２倍に改善された。
比較のためにＳの同時供給を行ったところ、成膜真空度
１０−’ ｔｏｒｒ付近で供給量を制御することは困難
であり、成膜の再現性や雰囲気真空度の劣化、更には成
膜装置のＣｕ部品の腐食、ポンプオイルの急激な劣化と
いう症状が発生した。Ｓｅの同時供給ではこのような顕
著な症状は発生しなかった。
１０−’ ｔｏｒｒ付近で供給量を制御することは困難
であり、成膜の再現性や雰囲気真空度の劣化、更には成
膜装置のＣｕ部品の腐食、ポンプオイルの急激な劣化と
いう症状が発生した。Ｓｅの同時供給ではこのような顕
著な症状は発生しなかった。
蒸発源にＥｕを含むＣａＳのみを用いたものも、発光層
母体を混晶化することが可能であり、上記改善効果が認
められた。
母体を混晶化することが可能であり、上記改善効果が認
められた。
以上説明したように、本発明の薄膜ＥＬ素子はＥｕで付
活された発光層材料として、Ｃａ５ｌ−１ｓｅ）（：
Ｅｕを用いることにより、赤色発光素子としての色調を
保ったまま高い発光効率を有する薄膜ＥＬ素子を得るこ
とができる。更に、上記発光層形成時にＳｅを同時供給
する製造工程により、発光層薄膜の結晶性が改善され、
ひいては薄膜ＥＬ素子の発光特性を改善することができ
た。また、この工程による成膜条件や成膜装置の急激な
劣化はない。
活された発光層材料として、Ｃａ５ｌ−１ｓｅ）（：
Ｅｕを用いることにより、赤色発光素子としての色調を
保ったまま高い発光効率を有する薄膜ＥＬ素子を得るこ
とができる。更に、上記発光層形成時にＳｅを同時供給
する製造工程により、発光層薄膜の結晶性が改善され、
ひいては薄膜ＥＬ素子の発光特性を改善することができ
た。また、この工程による成膜条件や成膜装置の急激な
劣化はない。
本発明は、上述の発光層や製造工程を用いることにより
、良好な発光特性を有する赤色発光薄膜ＥＬ素子を得る
ことを可能にしたものである。
、良好な発光特性を有する赤色発光薄膜ＥＬ素子を得る
ことを可能にしたものである。
第１図は本発明の一実施例を示す薄膜ＥＬ素子の断面図
、第２図は本発明の薄膜ＥＬ素子の発光層形成工程可能
な成膜装置の略示図、第３図は従来の薄膜ＥＬ素子の断
面図、第４図（ａ）、 （ｂ）はそれぞれ従来の発光層
形成工程に用いる成膜装置の略示図、第５図はＥｕで付
活したＣａＳとＣａＳｅの混晶母体におけるＳｅ濃度に
対する発光ピーク波長と発光効率を示す図、第６図は発
光層形成時のＳｅ供給量に対するΔ２θく２゜。）と発
光効率を示す図である。 １・・・ガラス基板 ２・・・透明電極３・・
・第−絶縁体層 ４・・・Ｃａ５ｌ−ＩＳｅｚ ：
Ｅｕ発光層５・・・第二絶縁体層 ６・・・上
部ＡＱ電極１０・・・電子ビームガン １１ｒ・・Ｃａ５ｌ−ＩＳｅｚ ： Ｅｕ発光層材料ペ
レット１２・・・Ｓｅ １３・・・抵抗
加熱器１４・・・真空槽
、第２図は本発明の薄膜ＥＬ素子の発光層形成工程可能
な成膜装置の略示図、第３図は従来の薄膜ＥＬ素子の断
面図、第４図（ａ）、 （ｂ）はそれぞれ従来の発光層
形成工程に用いる成膜装置の略示図、第５図はＥｕで付
活したＣａＳとＣａＳｅの混晶母体におけるＳｅ濃度に
対する発光ピーク波長と発光効率を示す図、第６図は発
光層形成時のＳｅ供給量に対するΔ２θく２゜。）と発
光効率を示す図である。 １・・・ガラス基板 ２・・・透明電極３・・
・第−絶縁体層 ４・・・Ｃａ５ｌ−ＩＳｅｚ ：
Ｅｕ発光層５・・・第二絶縁体層 ６・・・上
部ＡＱ電極１０・・・電子ビームガン １１ｒ・・Ｃａ５ｌ−ＩＳｅｚ ： Ｅｕ発光層材料ペ
レット１２・・・Ｓｅ １３・・・抵抗
加熱器１４・・・真空槽
Claims (3)
- （１）ＣａＳとＣａＳｅとの混晶からなる母体にＥｕを
付活した薄膜蛍光体を発光層としたことを特徴とする薄
膜ＥＬ素子。 - （２）ＣａＳとＣａＳｅの混晶からなる母体にＥｕを付
活した薄膜蛍光体を発光層として有し、該発光層母体を
なすＣａＳ＿１＿−＿ｘＳｅ＿ｘの濃度ｘの値を０．０
５≦Ｘ≦０．６５の範囲内に設定したことを特徴とする
請求項第１項に記載の薄膜ＥＬ素子． - （３）ＣａＳとＣａＳｅの混晶からなる母体にＥｕを付
活した薄膜蛍光体を発光層とし、真空蒸着法で該発光層
を形成するに際し、発光層材料からなる蒸発源とＳｅか
らなる発光層材料とは別の蒸発源から、同時に基板上に
蒸発物質を供給して該発光層を基板上に形成することを
特徴とする薄膜ＥＬ素子の製造方法． 〔産業上の利用分野〕 本発明は表示デバイスなどに用いる薄膜ＥＬ素子及びそ
の製造方法に関するものである．更に詳しくは、良好な
発光特性を有する赤色発光薄膜ＥＬ素子の発光層材料及
び発光層薄膜形成方怯に関するものである． 〔従来の技術〕 従来より薄膜ＥＬ素子の発光層材料にはＭｎや希土類元
素で付活されたＺｎＳが主に用いられており、赤色発光
材料としてはＺｎＳ：Ｓｍが知られている．近年、新し
い赤色発光材料としてＣａＳ：Ｅｕなどアルカリ土類硫
化物を母体とし、Ｅｕで付活された発光層材料が検討さ
れている． アルカリ土類硫化物を母体とする発光層を有する薄膜Ｅ
Ｌ素子は、第３図に示すようにガラス基板１上に透明電
極２、第一絶縁体層３、アルカリ土類硫化物を母体とす
る発光層７、第二絶縁体層５、上部Ａｌ電極６を順次形
成して製造され、このようなアルカリ土類硫化物を母体
とし発光層薄膜は、
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63215521A JPH0265094A (ja) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | 薄膜ｅｌ素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63215521A JPH0265094A (ja) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | 薄膜ｅｌ素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0265094A true JPH0265094A (ja) | 1990-03-05 |
Family
ID=16673794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63215521A Pending JPH0265094A (ja) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | 薄膜ｅｌ素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0265094A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996001549A1 (en) * | 1994-07-04 | 1996-01-18 | Nippon Hoso Kyokai | Ternary compound film and manufacturing method therefor |
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| JP2016033202A (ja) * | 2014-07-29 | 2016-03-10 | デクセリアルズ株式会社 | 蛍光体、及びその製造方法 |
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1988
- 1988-08-29 JP JP63215521A patent/JPH0265094A/ja active Pending
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