JPH0243345A - 半導体装置用リードフレーム材 - Google Patents
半導体装置用リードフレーム材Info
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- JPH0243345A JPH0243345A JP19486688A JP19486688A JPH0243345A JP H0243345 A JPH0243345 A JP H0243345A JP 19486688 A JP19486688 A JP 19486688A JP 19486688 A JP19486688 A JP 19486688A JP H0243345 A JPH0243345 A JP H0243345A
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- Japan
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- lead frame
- chip
- frame material
- semiconductor device
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、Ｓｉチップをダイボンディングし、外部に
端子を取り出すのに用いられる半導体装置用リードフレ
ーム材に関するものである。
端子を取り出すのに用いられる半導体装置用リードフレ
ーム材に関するものである。
従来、半導体装置は、
リードフレーム素材よりプレス打抜き加工により製造せ
んとする半導体装置の形状に適したりドフレームを形成
し、 上記リードフレームの所定個所にＳｉチップをＡｇペー
ストなどの導電性樹脂を用いて加熱接着するか、あるい
はＡｕ合金ろう材、Ｐｂ−５ｎ系ハンダなどを介して接
合し、 上記ＳｉチップとリードフレームとにわたってＡｕ極細
線などによるワイヤボンディングを施し、引続いて、上
記Ｓｉチップ、Ａｕ極細線およびＳｉチップが取付けら
れた部分のリードフレームを、これらを保護する目的で
、プラスチックで封止し、最終的に上記リードフレーム
における相互に連なる部分を切除して半導体装置を形成
していた。
んとする半導体装置の形状に適したりドフレームを形成
し、 上記リードフレームの所定個所にＳｉチップをＡｇペー
ストなどの導電性樹脂を用いて加熱接着するか、あるい
はＡｕ合金ろう材、Ｐｂ−５ｎ系ハンダなどを介して接
合し、 上記ＳｉチップとリードフレームとにわたってＡｕ極細
線などによるワイヤボンディングを施し、引続いて、上
記Ｓｉチップ、Ａｕ極細線およびＳｉチップが取付けら
れた部分のリードフレームを、これらを保護する目的で
、プラスチックで封止し、最終的に上記リードフレーム
における相互に連なる部分を切除して半導体装置を形成
していた。
上記リードフレーム素材として、Ｃｕ合金、Ｎｉ−Ｆｅ
系合金、Ｎｉ −Ｃｏ −Ｆｅ系合金か用いられてい
た。
系合金、Ｎｉ −Ｃｏ −Ｆｅ系合金か用いられてい
た。
これらの合金のうち、Ｎｉ−Ｆｅ系合金およびＮｉ
−Ｃｏ−Ｆｅ系合金は、Ｃｕ合金よりもＳｉチップとの
熱膨張係数の相違による歪の発生が小さく、かかる歪発
生をおさえる必要のあるときは、上記Ｎｉ−Ｆｅ系合金
またはＮｉ −Ｃｏ −Ｆｅ系合金が用いられること
が多かった。
−Ｃｏ−Ｆｅ系合金は、Ｃｕ合金よりもＳｉチップとの
熱膨張係数の相違による歪の発生が小さく、かかる歪発
生をおさえる必要のあるときは、上記Ｎｉ−Ｆｅ系合金
またはＮｉ −Ｃｏ −Ｆｅ系合金が用いられること
が多かった。
上記Ｎｉ−Ｆｅ系合金のうち、代表的なものは、重量％
で（以下、％は重量％を示す） Ｎｉ ： ３４．５〜３７．５％、残り二Ｆｅおよび
不可避不純物からなる合金（以下、３６Ｎｉ−Ｆｅ合金
という）および Ｎｉ ： ４１．０〜４３．０％、残り二Ｆｅおよび
不可避不純物からなる合金（以下、４２Ｎｉ−Ｆｅ合金
という）があり、 上記Ｎｉ −Ｃｏ−Ｆｅ系合金のうち、代表的なもの
は、 Ｎｊ：２５．０〜３１，０％、Ｃｏ：１３．０〜２０．
０％でかツＮＩ ＋Ｃｏ ： ４３．０−４８．０％で
あり、残り・Ｆｅおよび不可避不純物からなる合金（以
下、２９Ｎｉ −１７ｃｏ −Ｆｅ合金という）が知
られている。
で（以下、％は重量％を示す） Ｎｉ ： ３４．５〜３７．５％、残り二Ｆｅおよび
不可避不純物からなる合金（以下、３６Ｎｉ−Ｆｅ合金
という）および Ｎｉ ： ４１．０〜４３．０％、残り二Ｆｅおよび
不可避不純物からなる合金（以下、４２Ｎｉ−Ｆｅ合金
という）があり、 上記Ｎｉ −Ｃｏ−Ｆｅ系合金のうち、代表的なもの
は、 Ｎｊ：２５．０〜３１，０％、Ｃｏ：１３．０〜２０．
０％でかツＮＩ ＋Ｃｏ ： ４３．０−４８．０％で
あり、残り・Ｆｅおよび不可避不純物からなる合金（以
下、２９Ｎｉ −１７ｃｏ −Ｆｅ合金という）が知
られている。
上記合金の中でも４２Ｎｉ−Ｆｅ合金は、熱膨張係数が
室温から３５０℃の範囲で４〜５Ｘ１０−６／’Ｃと他
の金属材料に比べて小さく、Ｓｔの熱膨張係数＝３〜４
Ｘ１０６／℃と比較的近似しているために従来最も信頼
性の高い材料として用いられてきた。
室温から３５０℃の範囲で４〜５Ｘ１０−６／’Ｃと他
の金属材料に比べて小さく、Ｓｔの熱膨張係数＝３〜４
Ｘ１０６／℃と比較的近似しているために従来最も信頼
性の高い材料として用いられてきた。
ところが、近年、半導体装置は、高集積化、多機能化、
大容量化が進み、中でもメモリーの容量の増大化の傾向
は著しいものがある。
大容量化が進み、中でもメモリーの容量の増大化の傾向
は著しいものがある。
それにともなって、Ｓｉチップのサイズも大きくなって
きており、最近ではＩ００＋ｎｍ以上のものや一辺の長
さが１５ｍｍを越えるものも現われている。
きており、最近ではＩ００＋ｎｍ以上のものや一辺の長
さが１５ｍｍを越えるものも現われている。
かかる大きなサイズのＳｉチップと従来のりドフレーム
からなる半導体装置は、Ｓｉチップの熱膨張係数と従来
のリードフレーム材の熱膨張係数の差による歪が大きく
現われ、半導体装置に反りが発生して故障を起すことが
多くなってきた。
からなる半導体装置は、Ｓｉチップの熱膨張係数と従来
のリードフレーム材の熱膨張係数の差による歪が大きく
現われ、半導体装置に反りが発生して故障を起すことが
多くなってきた。
また、Ｓｉチップが大きくなるほどリードフレームとの
ろう付は部分の接合欠陥の発生率が多くなっており、さ
らに、半導体装置を製造する過程で、リードフレーム上
へＳｉチップを固着する場合、ろう拐では２６０〜４３
０℃、樹脂では１８０〜２００℃の温度が加わる。半導
体素子は一般的には７５〜−６０℃の環境下で用いられ
ることが多く、特にＳｉチップの寸法が大きくなるほど
、半導体装置を製造する過程で加わる熱と使用時の環境
温度の差が反り等のＳｉチップに加わる応力の増加につ
ながってくる。このため高温から低温の温度領域にわた
ってＳｉチップとの熱膨張率の差の少ないリードフレー
ム材が望まれるようになってきた。
ろう付は部分の接合欠陥の発生率が多くなっており、さ
らに、半導体装置を製造する過程で、リードフレーム上
へＳｉチップを固着する場合、ろう拐では２６０〜４３
０℃、樹脂では１８０〜２００℃の温度が加わる。半導
体素子は一般的には７５〜−６０℃の環境下で用いられ
ることが多く、特にＳｉチップの寸法が大きくなるほど
、半導体装置を製造する過程で加わる熱と使用時の環境
温度の差が反り等のＳｉチップに加わる応力の増加につ
ながってくる。このため高温から低温の温度領域にわた
ってＳｉチップとの熱膨張率の差の少ないリードフレー
ム材が望まれるようになってきた。
そこで、本発明者等は、上記要求をみたすリードフレー
ム材を開発すべく研究を行なった結果、Ｎｉ：３９．０
％以上４１．０％未満、残部二Ｆｅおよび不可避不純物
からなる組成を有する合金であって、上記不可避不純物
を、Ｓ ｉ、 ： ０．００５〜０．０５％、Ｍｎ
： ０．００１ 〜０．０１％、Ｓ ： ５０ｐｐｍ
以下Ｉ Ｃ＋ Ｎ ： １１０００ｐｐ以下、 に限定することにより、０〜３５０℃の温度領域におけ
る熱膨張率がＳｉチップの熱膨張率と極めて近似し、氷
点下においても従来の４２Ｎｊ−Ｆｅ合金と比べて一層
Ｓｔチップの熱膨張率に近い値を示し、さらにろう付は
性のすぐれたリードフレー。
ム材を開発すべく研究を行なった結果、Ｎｉ：３９．０
％以上４１．０％未満、残部二Ｆｅおよび不可避不純物
からなる組成を有する合金であって、上記不可避不純物
を、Ｓ ｉ、 ： ０．００５〜０．０５％、Ｍｎ
： ０．００１ 〜０．０１％、Ｓ ： ５０ｐｐｍ
以下Ｉ Ｃ＋ Ｎ ： １１０００ｐｐ以下、 に限定することにより、０〜３５０℃の温度領域におけ
る熱膨張率がＳｉチップの熱膨張率と極めて近似し、氷
点下においても従来の４２Ｎｊ−Ｆｅ合金と比べて一層
Ｓｔチップの熱膨張率に近い値を示し、さらにろう付は
性のすぐれたリードフレー。
ム材が得られるという知見を得たのである。
この発明は、かかる知見にもとづいてなされたものであ
って、 Ｎｉ ：３９．０％以上４１，０％未満、Ｓ ｉ
： ０．００５〜０．０５％、Ｍｎ ： ０．００１〜
０．０１％、 Ｓ ： ５０ｐｐｍ以下、 Ｃ十Ｎ ： １１０００ｐｌ）以下、 残部二Ｆｅと不可避不純物からなる組成を有する半導体
装置用リードフレーム月に特徴を有するものである。
って、 Ｎｉ ：３９．０％以上４１，０％未満、Ｓ ｉ
： ０．００５〜０．０５％、Ｍｎ ： ０．００１〜
０．０１％、 Ｓ ： ５０ｐｐｍ以下、 Ｃ十Ｎ ： １１０００ｐｌ）以下、 残部二Ｆｅと不可避不純物からなる組成を有する半導体
装置用リードフレーム月に特徴を有するものである。
つぎに、この発明の半導体装置用リードフレら
ム材の組成を上記の如く限定した理由について述べる。
（ａ） Ｎｊ
Ｎ１成分を３９．０％以上４１．０％未満としたのは、
３９．０％未満とすると特に低温での熱膨張係数か８１
の値と大きく異なってくるからであり、また４１．０％
以上とすると高温になるに従いＳｉの熱膨張係数より大
きくなり、ハンダ付は温度でＳｉチップの反り現象か顕
著になるからである。
３９．０％未満とすると特に低温での熱膨張係数か８１
の値と大きく異なってくるからであり、また４１．０％
以上とすると高温になるに従いＳｉの熱膨張係数より大
きくなり、ハンダ付は温度でＳｉチップの反り現象か顕
著になるからである。
（ｂ） ５ｔ
Ｓｔ酸成分０．００５〜０，０５％としたのは、０．０
０５％未満では十分な脱酸効果か得られず、加工性を損
うばかりでなくハンダ付は性も劣化させ、一方０．０５
％を越えて含まれるとオーステナイトの安定化を妨げ、
合金の熱膨張係数を下げ過ぎるからである。
０５％未満では十分な脱酸効果か得られず、加工性を損
うばかりでなくハンダ付は性も劣化させ、一方０．０５
％を越えて含まれるとオーステナイトの安定化を妨げ、
合金の熱膨張係数を下げ過ぎるからである。
（ｃ） Ｍｎ
Ｍｎ成分を０．００１〜０．０１％としたのは、０．０
１％を越えるとハンダ濡れ性が低下するばかりでなく粗
加工工程で熱間鍛造性も低下してくるからであり、一方
、０．０旧％未満では十分な脱硫効果か得られず熱間加
工性を損うからである。
１％を越えるとハンダ濡れ性が低下するばかりでなく粗
加工工程で熱間鍛造性も低下してくるからであり、一方
、０．０旧％未満では十分な脱硫効果か得られず熱間加
工性を損うからである。
（ｄ） Ｓ
Ｓ成分を５０ｐｐｍ以下としたのは、５０ｐｐｍを越え
ると熱間加工性改善のためにＭｎの添加量を増加させる
必要が生じ、この時上記ハンダ濡れ性か問題となるから
であり、Ｓ成分の含有量は少なければ少ないほど好まし
い。
ると熱間加工性改善のためにＭｎの添加量を増加させる
必要が生じ、この時上記ハンダ濡れ性か問題となるから
であり、Ｓ成分の含有量は少なければ少ないほど好まし
い。
（ｃ） Ｃ＋Ｎ
Ｃ成分およびＮ成分は、極微量でもＭ８点に影響を与え
、合金の熱膨張係数に大きく関係してくる成分であるか
、Ｃ＋Ｎ成分を１１００ｐｐを越えて含ませると合金の
熱膨張係数か小さくなりすぎるばかりでなくハンダ付は
性も低下し、良好なＳｉチップとのダイボンディングか
行なえなくなるために１１００ｐｐ以下と定めた。これ
らの成分はＳ成分と同様に少ない程好ましい。
、合金の熱膨張係数に大きく関係してくる成分であるか
、Ｃ＋Ｎ成分を１１００ｐｐを越えて含ませると合金の
熱膨張係数か小さくなりすぎるばかりでなくハンダ付は
性も低下し、良好なＳｉチップとのダイボンディングか
行なえなくなるために１１００ｐｐ以下と定めた。これ
らの成分はＳ成分と同様に少ない程好ましい。
つぎに、この発明を実施例にもとづいて具体的に説明す
る。
る。
通常の真空溶解法により第１表の実施例１〜７および比
較例１〜８に示される成分組成を有し、直径：［ｉ０ｍ
ｍＸ長さ： １００ｍｍのビレットを鋳造した。
較例１〜８に示される成分組成を有し、直径：［ｉ０ｍ
ｍＸ長さ： １００ｍｍのビレットを鋳造した。
これらビレットを温度：１．０００°Ｃの熱間鍛造によ
り厚さ＋２０ｍｍｘ幅：１００ｍｍの厚板とし、さらに
温度＋１．０００℃にて熱間圧延を行ない厚さ １０丁
Ｘ幅：１００ｍｍＸ長さ： ２５０ｍｍの板とした。
り厚さ＋２０ｍｍｘ幅：１００ｍｍの厚板とし、さらに
温度＋１．０００℃にて熱間圧延を行ない厚さ １０丁
Ｘ幅：１００ｍｍＸ長さ： ２５０ｍｍの板とした。
この板の両面を厚さ：１ｍｍづつフライス盤にて面側し
、冷間圧延素材とした。総減面率５０％の冷間圧延を行
なった後、温度： １０００℃のＮ２＋２５％Ｈ２ガス
雰囲気中で中間焼鈍を行ない、上記冷間圧延および中間
焼鈍を縁り返して、最終冷間圧延のみ総減面率；３０％
の冷間圧延を行ない、厚さ二０．２５ｍｍの平坦な薄板
に仕上げた。
、冷間圧延素材とした。総減面率５０％の冷間圧延を行
なった後、温度： １０００℃のＮ２＋２５％Ｈ２ガス
雰囲気中で中間焼鈍を行ない、上記冷間圧延および中間
焼鈍を縁り返して、最終冷間圧延のみ総減面率；３０％
の冷間圧延を行ない、厚さ二０．２５ｍｍの平坦な薄板
に仕上げた。
幅方向と長さ方向の切断を行ない、厚さ ０．２５ｍ１
ｎＸ幅：９０ｍｍＸ長さ：３００＋ｎ＋ｎとし、これに
よりエツチング加工にてリードフレーム状に仕上げた。
ｎＸ幅：９０ｍｍＸ長さ：３００＋ｎ＋ｎとし、これに
よりエツチング加工にてリードフレーム状に仕上げた。
このリードフレームを温度 ３５０℃、Ｎ２＋３０％Ｈ
２雰囲気中で加熱し、上記加熱されたリードフレームの
上に厚さ ０．１ｍｍＸ幅：２＋ｎ＋ｎＸ長さ９＋＋＋
ｍのＰｂ−５％Ｓｎハンダを載せ、ついで厚さ０．２５
ｍｍＸ幅ニアｍｍＸ長さ：１５ｍｍのＳｉチップを上か
らかぶせハンダ接合を行なった。常温に戻してからソフ
トＸ線を上記Ｓｉチップの上からあて、ソフＩ−Ｘ線写
真により全８１チップ面積に対するホイド面積を測定し
、その比率をボイド発生率として第１表に示した。
２雰囲気中で加熱し、上記加熱されたリードフレームの
上に厚さ ０．１ｍｍＸ幅：２＋ｎ＋ｎＸ長さ９＋＋＋
ｍのＰｂ−５％Ｓｎハンダを載せ、ついで厚さ０．２５
ｍｍＸ幅ニアｍｍＸ長さ：１５ｍｍのＳｉチップを上か
らかぶせハンダ接合を行なった。常温に戻してからソフ
トＸ線を上記Ｓｉチップの上からあて、ソフＩ−Ｘ線写
真により全８１チップ面積に対するホイド面積を測定し
、その比率をボイド発生率として第１表に示した。
上記Ｓｉチップをリードフレームにハンダ接合すると、
第１図に示されるように、Ｓｉチップ１の熱膨張率とリ
ードフレーム２の熱膨張率の差による歪のために、Ｓｉ
チップ１、ろう祠３およびリードフレーム２からなる積
層体に反りが発生する。上記反り量 Ｄを水平面からの
高さで測定し、その結果を第１表に示した。
第１図に示されるように、Ｓｉチップ１の熱膨張率とリ
ードフレーム２の熱膨張率の差による歪のために、Ｓｉ
チップ１、ろう祠３およびリードフレーム２からなる積
層体に反りが発生する。上記反り量 Ｄを水平面からの
高さで測定し、その結果を第１表に示した。
さらに、比較のために、上記第１表の実施例４のこの発
明の合金、Ｓｉチップ、従来のリードフレーム材である
３６Ｎｊ−Ｆｅ合金、４２Ｎｉ−Ｆｃ合金、および２９
Ｎｉ −１７Ｃｏ −Ｆｃ合金について、温度：３０
℃における線膨張率をＯとして、長さしの３０℃からの
伸び量をΔＬとし、温度を横軸にとり、線膨張率：ΔＬ
／Ｌを縦軸にとってグラフに表わした。このグラフを第
２図に示す。ここでＳｉチップは結晶方位が（１００，
）の面指数で表わされるＳｔ ウェハの［１００］方向
の線膨張率を用いた。
明の合金、Ｓｉチップ、従来のリードフレーム材である
３６Ｎｊ−Ｆｅ合金、４２Ｎｉ−Ｆｃ合金、および２９
Ｎｉ −１７Ｃｏ −Ｆｃ合金について、温度：３０
℃における線膨張率をＯとして、長さしの３０℃からの
伸び量をΔＬとし、温度を横軸にとり、線膨張率：ΔＬ
／Ｌを縦軸にとってグラフに表わした。このグラフを第
２図に示す。ここでＳｉチップは結晶方位が（１００，
）の面指数で表わされるＳｔ ウェハの［１００］方向
の線膨張率を用いた。
第１表の結果から、この発明の条件をみたす成分組成の
半導体リードフレーム材は、ボイド発生率が極めて少な
く、また反り量も小さな値を示すに対し、この発明の条
件を外れた比較例（第１表の比較例における※印は、こ
の発明の条件を外れた値を示す）では、ボイド発生率お
よび反り量のうちのいずれか一方または両方か大きな値
を示し、また、第２図の熱膨張曲線にみられるように、
温度；３０℃以上の高温域では、この発明の半導体装置
用リードフレーム材（第２図の実施例４）は、Ｓｉチッ
プの曲線と極めて近似しており、さらに温度；３０℃以
下の低温域でも従来の半導体装置用リードフレーム材（
３６Ｎｊ −Ｆｅ合金、４２ＮｉＦｅ合金および２９
Ｎｉ −１７Ｃｏ −Ｆｅ合金）よりもＳｉチップに
近い曲線を示すことがわかる。
半導体リードフレーム材は、ボイド発生率が極めて少な
く、また反り量も小さな値を示すに対し、この発明の条
件を外れた比較例（第１表の比較例における※印は、こ
の発明の条件を外れた値を示す）では、ボイド発生率お
よび反り量のうちのいずれか一方または両方か大きな値
を示し、また、第２図の熱膨張曲線にみられるように、
温度；３０℃以上の高温域では、この発明の半導体装置
用リードフレーム材（第２図の実施例４）は、Ｓｉチッ
プの曲線と極めて近似しており、さらに温度；３０℃以
下の低温域でも従来の半導体装置用リードフレーム材（
３６Ｎｊ −Ｆｅ合金、４２ＮｉＦｅ合金および２９
Ｎｉ −１７Ｃｏ −Ｆｅ合金）よりもＳｉチップに
近い曲線を示すことがわかる。
したがって、この発明の半導体装置用リードフレーム材
は、サイズの大きなＳｉチップをハンダ付けしても反り
が少なく、ろう付は性がすくれ、しかも、寒冷地での使
用に十分耐える材料であり、産業上すぐれた効果を奏す
るものである。
は、サイズの大きなＳｉチップをハンダ付けしても反り
が少なく、ろう付は性がすくれ、しかも、寒冷地での使
用に十分耐える材料であり、産業上すぐれた効果を奏す
るものである。
第１図は、Ｓｉチップを半導体装置用リードフレームに
ハンダ付けした時に生ずる反りを示す概略図、 第２図は、半導体装置用リードフレーム祠の熱膨張曲線
。 １：Ｓｉチップ ２：リードフレーム３：ろう
材 Ｄ＝反り量
ハンダ付けした時に生ずる反りを示す概略図、 第２図は、半導体装置用リードフレーム祠の熱膨張曲線
。 １：Ｓｉチップ ２：リードフレーム３：ろう
材 Ｄ＝反り量
Claims (1)
- （１）Ｎｉ：３９％以上４１％未満、 Ｓｉ：０．００５〜０．０５％、 Ｍｎ：０．００１〜０．０１％、 Ｓ：５０ｐｐｍ以下、 Ｃ＋Ｎ：１０００ｐｐｍ以下、 残部：Ｆｅと不可避不純物からなる組成（以上重量％）
を有することを特徴とする半導体装置用リードフレーム
材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19486688A JPH0243345A (ja) | 1988-08-04 | 1988-08-04 | 半導体装置用リードフレーム材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19486688A JPH0243345A (ja) | 1988-08-04 | 1988-08-04 | 半導体装置用リードフレーム材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0243345A true JPH0243345A (ja) | 1990-02-13 |
Family
ID=16331605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19486688A Pending JPH0243345A (ja) | 1988-08-04 | 1988-08-04 | 半導体装置用リードフレーム材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0243345A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04157136A (ja) * | 1990-10-22 | 1992-05-29 | Nkk Corp | Ａｇメッキ性に優れたリードフレーム素材用Ｆｅ―Ｎｉ合金およびその製造方法 |
| JP2014090104A (ja) * | 2012-10-31 | 2014-05-15 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
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| JPS5715656A (en) * | 1980-06-23 | 1982-01-27 | Toyoda Mach Works Ltd | Rotary indexing unit |
| JPS6058779A (ja) * | 1983-09-09 | 1985-04-04 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
| JPS60159151A (ja) * | 1984-01-30 | 1985-08-20 | Nippon Yakin Kogyo Co Ltd | 溶接性のすぐれたＦｅ−Νｉ合金 |
| JPS60251227A (ja) * | 1984-05-29 | 1985-12-11 | Nippon Steel Corp | 低熱膨張Ｆｅ−Ｎｉ系鋼板の製造方法 |
| JPS61179849A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-08-12 | Daido Steel Co Ltd | リ−ドフレ−ム材料の製造法 |
-
1988
- 1988-08-04 JP JP19486688A patent/JPH0243345A/ja active Pending
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