JPS6252464B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6252464B2 JPS6252464B2 JP57183554A JP18355482A JPS6252464B2 JP S6252464 B2 JPS6252464 B2 JP S6252464B2 JP 57183554 A JP57183554 A JP 57183554A JP 18355482 A JP18355482 A JP 18355482A JP S6252464 B2 JPS6252464 B2 JP S6252464B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- alloy
- skin material
- content
- materials
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
- C22C9/04—Alloys based on copper with zinc as the next major constituent
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/01—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
- C22C9/05—Alloys based on copper with manganese as the next major constituent
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/922—Static electricity metal bleed-off metallic stock
- Y10S428/9265—Special properties
- Y10S428/929—Electrical contact feature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
- Y10T428/12903—Cu-base component
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Description
この発明は、すぐれた導電性と放熱性を有し、
かつ耐酸化性にもすぐれ、特にこれらの特性が要
求されるICやLSIなどの半導体装置のリード材と
して使用するのに適したCu合金クラツド材に関
するものである。 従来、一般にICやLSIなどの半導体装置は、 (a) まず、リード素材として、板厚：0.1〜0.3mm
を有する条材を用意し、 (b) ついで、上記リード素材よりプレス打抜き加
工により製造せんとする半導体装置の形状に適
合したリードフレームを形成し、 (c) 上記リードフレームの所定個所に高純度Siあ
るいはGeなどの半導体素子を、Agペーストな
どの導電性樹脂を用いて加熱接着するか、ある
いは予め上記リード素材の片面にメツキしてお
いたAu，Ag，Niあるいはこれらの合金層を介
して350℃以上の温度に加熱して拡散圧着する
か、さらにはAu―SiやAu―Geなどの二元共晶
合金の半田を用いて半田付けするかし、 (d) 上記半導体素子と上記リードフレームとに渡
つてAu線によるワイヤボンデイング（結線）
を施し、 (e) 引続いて、上記半導体素子、結線、および半
導体素子が取付けられた部分のリードフレーム
を、これらを保護する目的で、プラスチツクあ
るいはセラミツクスでパツク封止し、 (f) さらに、上記リードフレームにおける相互に
連なる部分を切除してリード材とし、 (g) 必要に応じて、上記リード材の脚部に、半導
体装置の基板への接続を可能とするために、半
田を被覆溶着する、 以上(a)〜(g)の主要工程によつて製造され、通常
上記リード材としては、Fe入り銅、りん青鋼、
さらにAg入り銅などのCu合金が使用されてい
る。 しかし、上記従来リード材用Cu合金は、すぐ
れた導電性および放熱性をもつものの、耐酸化性
に劣るものであるため、上記半導体装置の製造工
程における半導体素子の加熱接着時、およびプラ
スチツクパツク時に酸化皮膜を形成し、したがつ
てリード材脚部への半田材被覆溶着、あるいはリ
ード材脚部の半導体装置基板への半田付けに際し
ては、この酸化皮膜を除去する工程が不可欠であ
る。このリード材表面の酸化皮膜除去には、半導
体装置自体を腐食させてしまうために通常のフラ
ツクスを使用することができず、非腐食性フラツ
クスの使用を予儀なくされるが、この非腐食性フ
ラツクスは酸化皮膜の除去能力がきわめて低く、
酸化皮膜を完全に除去することができないので、
使用することができない。したがつて酸洗などの
化学的処理を施しているのが現状であるが、この
化学的処理は、リード材脚部のみの部分処理とな
るため、きわめて煩雑なものとなるばかりでな
く、品質管理、歩留、およびコストなどの面で問
題がある。 そこで、本発明者等は、上述のような観点か
ら、半導体装置のリード材に要求されるすぐれた
導電性と放熱性を具備することは勿論のこと、耐
酸化性にもすぐれたリード材用材料を開発すべく
研究を行なつた結果、半導体装置のリード材とし
て、芯材が純銅、りん青銅、Ag入り銅、Cr入り
銅、Zr入り銅、あるいはFe入り銅などのCuおよ
びCu合金で構成され、かつ皮材または部分皮材
（すなわち、少なくとも半田付けされる表面部
分）が、重量％で、Mn：７〜15％、Zn：10〜30
％、Ni：0.2〜10％、Al：0.1〜３％を含有し、さ
らに必要に応じてFe，CoおよびSnのうちの１種
または２種以上：0.2〜３％を含有し、残りがCu
と不可避不純物からなる組成を有するCu合金で
構成されたCu合金クラツドド材においては、前
記芯材によつてリード材に要求されるすぐれた導
電性および放熱性が確保され、一方前記皮材はす
ぐれた耐酸化性をもつことから、半導体素子の加
熱溶着時およびプラスチツクパツク時に酸化皮膜
の形成が著しく少なく、したがつてリード材脚部
への半田材被覆溶着、あるいはリード材脚部の半
導体装置基板への半田付けに際しては、酸化皮膜
除去のための化学的処理が不必要となり、単に非
腐食性フラツクスを使用するだけでリード材脚部
への半田材被覆およびこれの基板への半田付けが
可能となるという知見を得たのである。 この発明は、上記知見にもとづいてなされたも
のであつて、以下に皮材の成分組成を上記の通り
に限定した理由を説明する。 (a) Mn Mn成分には、皮材の強度を向上させると共
に、Zn成分との共存において酸化皮膜の形成を
著しく抑制する作用があるが、その含有量が、７
％未満では前記作用に所望の効果が得られず、一
方15％を越えて含有させると、合金製造時の溶解
が困難となるばかりでなく、冷間加工性も低下す
るようになることから、その含有量を７〜15℃と
定めた。 (b) Zn 上記のようにZn成分には、Mnとの共存におい
て酸化皮膜の形成を抑制し、かつ強度を向上さ
せ、さらに溶解時の脱水素効果によつて鋳造欠陥
を低減させる作用があるが、その含有量が10％未
満では前記作用に所望の効果が得られず、一方30
％を越えて含有させると、強度が著しく向上する
反面、延性の低下がはげしく、圧延などの加工性
が劣化するようになることから、その含有量を10
〜30％と定めた。 (c) Ni Ni成分には、皮材の強度と耐熱性を向上させ
る作用があるが、その含有量が0.2％未満では所
望の強度および耐熱性を確保することができず、
一方10％を越えて含有させると、圧延などの加工
性が劣化するようになることから、その含有量を
0.2〜10％と定めた。 (d) Al Al成分には、皮材の強度および耐熱性を著し
く向上させ、かつ溶解時に強力な脱酸剤として働
いて健全な鋳塊を製造せしめる作用があるが、そ
の含有量が0.1％未満では前記作用に所望の効果
が得られず、一方３％を越えて含有させると、圧
延などの加工性が劣化するようになることから、
その含有量を0.1〜３％と定めた。 (e) Fe，CoおよびSn これらの成分には、皮材の強度をさらに一段と
向上させる作用があるので、より高い強度が要求
される場合に必要に応じて含有されるが、その含
有量が0.2％未満では所望の強度向上効果が得ら
れず、一方３％を越えて含有させると、圧延など
の加工性が劣化するようになることから、その含
有量を0.2〜３％と定めた。 つぎに、この発明のリード材用Cu合金クラツ
ド材を実施例により具体的に説明する。 実施例 通常の高周波炉を用い、大気中、黒鉛るつぼに
てそれぞれ第１表に示される成分組成をもつた芯
材用および皮材用CuおよびCu合金溶湯を調製し
た後、同じく通常の連続鋳造法にて縦：40mm×
横：200mm×長さ：3000mmの寸法をもつたス
かつ耐酸化性にもすぐれ、特にこれらの特性が要
求されるICやLSIなどの半導体装置のリード材と
して使用するのに適したCu合金クラツド材に関
するものである。 従来、一般にICやLSIなどの半導体装置は、 (a) まず、リード素材として、板厚：0.1〜0.3mm
を有する条材を用意し、 (b) ついで、上記リード素材よりプレス打抜き加
工により製造せんとする半導体装置の形状に適
合したリードフレームを形成し、 (c) 上記リードフレームの所定個所に高純度Siあ
るいはGeなどの半導体素子を、Agペーストな
どの導電性樹脂を用いて加熱接着するか、ある
いは予め上記リード素材の片面にメツキしてお
いたAu，Ag，Niあるいはこれらの合金層を介
して350℃以上の温度に加熱して拡散圧着する
か、さらにはAu―SiやAu―Geなどの二元共晶
合金の半田を用いて半田付けするかし、 (d) 上記半導体素子と上記リードフレームとに渡
つてAu線によるワイヤボンデイング（結線）
を施し、 (e) 引続いて、上記半導体素子、結線、および半
導体素子が取付けられた部分のリードフレーム
を、これらを保護する目的で、プラスチツクあ
るいはセラミツクスでパツク封止し、 (f) さらに、上記リードフレームにおける相互に
連なる部分を切除してリード材とし、 (g) 必要に応じて、上記リード材の脚部に、半導
体装置の基板への接続を可能とするために、半
田を被覆溶着する、 以上(a)〜(g)の主要工程によつて製造され、通常
上記リード材としては、Fe入り銅、りん青鋼、
さらにAg入り銅などのCu合金が使用されてい
る。 しかし、上記従来リード材用Cu合金は、すぐ
れた導電性および放熱性をもつものの、耐酸化性
に劣るものであるため、上記半導体装置の製造工
程における半導体素子の加熱接着時、およびプラ
スチツクパツク時に酸化皮膜を形成し、したがつ
てリード材脚部への半田材被覆溶着、あるいはリ
ード材脚部の半導体装置基板への半田付けに際し
ては、この酸化皮膜を除去する工程が不可欠であ
る。このリード材表面の酸化皮膜除去には、半導
体装置自体を腐食させてしまうために通常のフラ
ツクスを使用することができず、非腐食性フラツ
クスの使用を予儀なくされるが、この非腐食性フ
ラツクスは酸化皮膜の除去能力がきわめて低く、
酸化皮膜を完全に除去することができないので、
使用することができない。したがつて酸洗などの
化学的処理を施しているのが現状であるが、この
化学的処理は、リード材脚部のみの部分処理とな
るため、きわめて煩雑なものとなるばかりでな
く、品質管理、歩留、およびコストなどの面で問
題がある。 そこで、本発明者等は、上述のような観点か
ら、半導体装置のリード材に要求されるすぐれた
導電性と放熱性を具備することは勿論のこと、耐
酸化性にもすぐれたリード材用材料を開発すべく
研究を行なつた結果、半導体装置のリード材とし
て、芯材が純銅、りん青銅、Ag入り銅、Cr入り
銅、Zr入り銅、あるいはFe入り銅などのCuおよ
びCu合金で構成され、かつ皮材または部分皮材
（すなわち、少なくとも半田付けされる表面部
分）が、重量％で、Mn：７〜15％、Zn：10〜30
％、Ni：0.2〜10％、Al：0.1〜３％を含有し、さ
らに必要に応じてFe，CoおよびSnのうちの１種
または２種以上：0.2〜３％を含有し、残りがCu
と不可避不純物からなる組成を有するCu合金で
構成されたCu合金クラツドド材においては、前
記芯材によつてリード材に要求されるすぐれた導
電性および放熱性が確保され、一方前記皮材はす
ぐれた耐酸化性をもつことから、半導体素子の加
熱溶着時およびプラスチツクパツク時に酸化皮膜
の形成が著しく少なく、したがつてリード材脚部
への半田材被覆溶着、あるいはリード材脚部の半
導体装置基板への半田付けに際しては、酸化皮膜
除去のための化学的処理が不必要となり、単に非
腐食性フラツクスを使用するだけでリード材脚部
への半田材被覆およびこれの基板への半田付けが
可能となるという知見を得たのである。 この発明は、上記知見にもとづいてなされたも
のであつて、以下に皮材の成分組成を上記の通り
に限定した理由を説明する。 (a) Mn Mn成分には、皮材の強度を向上させると共
に、Zn成分との共存において酸化皮膜の形成を
著しく抑制する作用があるが、その含有量が、７
％未満では前記作用に所望の効果が得られず、一
方15％を越えて含有させると、合金製造時の溶解
が困難となるばかりでなく、冷間加工性も低下す
るようになることから、その含有量を７〜15℃と
定めた。 (b) Zn 上記のようにZn成分には、Mnとの共存におい
て酸化皮膜の形成を抑制し、かつ強度を向上さ
せ、さらに溶解時の脱水素効果によつて鋳造欠陥
を低減させる作用があるが、その含有量が10％未
満では前記作用に所望の効果が得られず、一方30
％を越えて含有させると、強度が著しく向上する
反面、延性の低下がはげしく、圧延などの加工性
が劣化するようになることから、その含有量を10
〜30％と定めた。 (c) Ni Ni成分には、皮材の強度と耐熱性を向上させ
る作用があるが、その含有量が0.2％未満では所
望の強度および耐熱性を確保することができず、
一方10％を越えて含有させると、圧延などの加工
性が劣化するようになることから、その含有量を
0.2〜10％と定めた。 (d) Al Al成分には、皮材の強度および耐熱性を著し
く向上させ、かつ溶解時に強力な脱酸剤として働
いて健全な鋳塊を製造せしめる作用があるが、そ
の含有量が0.1％未満では前記作用に所望の効果
が得られず、一方３％を越えて含有させると、圧
延などの加工性が劣化するようになることから、
その含有量を0.1〜３％と定めた。 (e) Fe，CoおよびSn これらの成分には、皮材の強度をさらに一段と
向上させる作用があるので、より高い強度が要求
される場合に必要に応じて含有されるが、その含
有量が0.2％未満では所望の強度向上効果が得ら
れず、一方３％を越えて含有させると、圧延など
の加工性が劣化するようになることから、その含
有量を0.2〜３％と定めた。 つぎに、この発明のリード材用Cu合金クラツ
ド材を実施例により具体的に説明する。 実施例 通常の高周波炉を用い、大気中、黒鉛るつぼに
てそれぞれ第１表に示される成分組成をもつた芯
材用および皮材用CuおよびCu合金溶湯を調製し
た後、同じく通常の連続鋳造法にて縦：40mm×
横：200mm×長さ：3000mmの寸法をもつたス
【表】
ラブとし、面削後、熱間圧延にて板厚：10mmの熱
延板とし、ついでこの熱延板に冷間圧延と光輝焼
鈍を１サイクルとする冷間圧延を繰り返し施し
て、それぞれ所定厚さをもつた冷延板とし、引続
いてこれらの冷延板をそれぞれ第１表に示される
組合せにて重ね合わせ、通常の条件でクラツド
し、かつ1/2Ｈ材とすることによつて、幅：30mm
×厚さ：0.25mmの全体寸法を有し、かつ同じく第
１表に示される形態（ただし、Ａは芯材の上下両
面全体に厚さ：0.025mmの皮材を配したもの、Ｂ
は芯材の片面全体に厚さ：0.03mmの皮材を配した
もの、Ｃは芯材の片面における両側部に幅：7.5
mm×厚さ：0.05mmの皮材をそれぞれ配したもの、
Ｄは芯材の上下両面における両側部に幅：7.5mm
×厚さ：0.05mmの皮材をそれぞれ配したもの、Ｅ
は芯材の片面全体に厚さ：0.05mmの皮材を配した
もの、Ｆは芯材の上下両面全体に厚さ：0.05mmの
皮材を配したもの）をもつた本発明Cu合金クラ
ツド材１〜16をそれぞれ製造した。 ついで、この結果得られた本発明Cu合金クラ
ツド材１〜16の引張強さおよび伸び、さらに導電
率を測定すると共に、芯材と皮材の硬さ（ビツカ
ース硬さ）も測定し、この結果を第１表に示し
た。 また、上記本発明Cu合金クラツド材１〜16に
対して、半導体装置の製造工程におけるプラスチ
ツクパツク処理に相当する条件、すなわち大気
中、温度：250℃に10分間、20分間、および30分
間保持の条件で加熱を行ない、加熱後、非腐食性
フラツクスであるロジンを用いて、皮材の半田ぬ
れ性を観察した。半田ぬれ性は、半田が完全に溶
着した場合を〇印、半田の溶着が不完全な場合を
×印で評価した。これらの結果も第１表に示し
た。 さらに比較の目的で、第１表には、上記の芯
材、すなわち従来Cu合金材の同一条件での測定
結果も合せて示した。 第１表に示される結果から明らかなように、本
発明Cu合金クラツド材１〜16は、いずれも半導
体装置のリード材に要求される特性、すなわち引
張強さ：28Kg／mm2以上、硬さ：ビツカース硬さ80
以上、伸び：２％以上、導電率（放熱性、すなわ
ち熱伝導性は導電率で換算評価される）：IACS
％で２％以上を有し、かつすぐれた耐酸化性をも
つことから、半田付け性もきわめて良好であるの
に対して、従来Cu合金材１〜４においては、リ
ード材に要求される特性は具備するものの耐酸化
性の劣るものであるため、半田付け性のきわめて
悪いものになつている。 上述のように、この発明のCu合金クラツド材
は、半導体装置のリード材に要求される引張強
さ、硬さ、伸び、および導電率（放熱性）を有
し、かつ少なくとも半田付け部分が耐酸化性のす
ぐれた皮材で構成されているので、半導体装置の
製造工程におけるリード材脚部への半田材の被覆
溶着、あるいはリード材脚部の半導体装置基板へ
の半田付けに際しては、煩雑な化学的処理を必要
とすることなく、単に非腐食性フラツクスを使用
するだけで完全に行なうことができるのである。
延板とし、ついでこの熱延板に冷間圧延と光輝焼
鈍を１サイクルとする冷間圧延を繰り返し施し
て、それぞれ所定厚さをもつた冷延板とし、引続
いてこれらの冷延板をそれぞれ第１表に示される
組合せにて重ね合わせ、通常の条件でクラツド
し、かつ1/2Ｈ材とすることによつて、幅：30mm
×厚さ：0.25mmの全体寸法を有し、かつ同じく第
１表に示される形態（ただし、Ａは芯材の上下両
面全体に厚さ：0.025mmの皮材を配したもの、Ｂ
は芯材の片面全体に厚さ：0.03mmの皮材を配した
もの、Ｃは芯材の片面における両側部に幅：7.5
mm×厚さ：0.05mmの皮材をそれぞれ配したもの、
Ｄは芯材の上下両面における両側部に幅：7.5mm
×厚さ：0.05mmの皮材をそれぞれ配したもの、Ｅ
は芯材の片面全体に厚さ：0.05mmの皮材を配した
もの、Ｆは芯材の上下両面全体に厚さ：0.05mmの
皮材を配したもの）をもつた本発明Cu合金クラ
ツド材１〜16をそれぞれ製造した。 ついで、この結果得られた本発明Cu合金クラ
ツド材１〜16の引張強さおよび伸び、さらに導電
率を測定すると共に、芯材と皮材の硬さ（ビツカ
ース硬さ）も測定し、この結果を第１表に示し
た。 また、上記本発明Cu合金クラツド材１〜16に
対して、半導体装置の製造工程におけるプラスチ
ツクパツク処理に相当する条件、すなわち大気
中、温度：250℃に10分間、20分間、および30分
間保持の条件で加熱を行ない、加熱後、非腐食性
フラツクスであるロジンを用いて、皮材の半田ぬ
れ性を観察した。半田ぬれ性は、半田が完全に溶
着した場合を〇印、半田の溶着が不完全な場合を
×印で評価した。これらの結果も第１表に示し
た。 さらに比較の目的で、第１表には、上記の芯
材、すなわち従来Cu合金材の同一条件での測定
結果も合せて示した。 第１表に示される結果から明らかなように、本
発明Cu合金クラツド材１〜16は、いずれも半導
体装置のリード材に要求される特性、すなわち引
張強さ：28Kg／mm2以上、硬さ：ビツカース硬さ80
以上、伸び：２％以上、導電率（放熱性、すなわ
ち熱伝導性は導電率で換算評価される）：IACS
％で２％以上を有し、かつすぐれた耐酸化性をも
つことから、半田付け性もきわめて良好であるの
に対して、従来Cu合金材１〜４においては、リ
ード材に要求される特性は具備するものの耐酸化
性の劣るものであるため、半田付け性のきわめて
悪いものになつている。 上述のように、この発明のCu合金クラツド材
は、半導体装置のリード材に要求される引張強
さ、硬さ、伸び、および導電率（放熱性）を有
し、かつ少なくとも半田付け部分が耐酸化性のす
ぐれた皮材で構成されているので、半導体装置の
製造工程におけるリード材脚部への半田材の被覆
溶着、あるいはリード材脚部の半導体装置基板へ
の半田付けに際しては、煩雑な化学的処理を必要
とすることなく、単に非腐食性フラツクスを使用
するだけで完全に行なうことができるのである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 芯材を、導電性および放熱性のすぐれたCu
およびCu合金で構成し、皮材または部分皮材
を、Mn：７〜15％、Zn：10〜30％、Ni：0.2〜10
％、Al：0.1〜３％を含有し、残りがCuと不可避
不純物からなる組成（以上重量％）を有する耐酸
化性のすぐれたCu合金で構成したことを特徴と
する半導体装置のリード材用Cu合金クラツド
材。 ２ 芯材を、導電性および放熱性のすぐれたCu
およびCu合金で構成し、皮材または部分皮材
を、Mn：７〜15％、Zn：10〜30％、Ni：0.2〜10
％、Al：0.1〜３％を含有し、さらにFe，Co、お
よびSnのうちの１種または２種以上：0.2〜３％
を含有し、残りがCuと不可避不純物からなる組
成（以上重量％）を有する耐酸化性のすぐれた
Cu合金で構成したことを特徴とする半導体装置
のリード材用Cu合金クラツド材。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57183554A JPS5976453A (ja) | 1982-10-19 | 1982-10-19 | 半導体装置のリ−ド材用Ｃｕ合金クラツド材 |
| GB08323876A GB2131831B (en) | 1982-10-19 | 1983-09-06 | Copper alloy having high resistance to oxidation for use in leads of semiconductor devices and clad material containing said alloy |
| US06/529,593 US4525434A (en) | 1982-10-19 | 1983-09-06 | Copper alloy having high resistance to oxidation for use in leads on semiconductor devices and clad material containing said alloy |
| DE19833332482 DE3332482A1 (de) | 1982-10-19 | 1983-09-08 | Kupferlegierung mit hoher oxidationsbestaendigkeit, die sich fuer leiter in halbleitervorrichtungen eignet, und diese legierung enthaltendes verbundmaterial |
| US06/682,374 US4632806A (en) | 1982-10-19 | 1984-12-17 | Copper alloy having high resistance to oxidation for use in leads on semiconductor devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57183554A JPS5976453A (ja) | 1982-10-19 | 1982-10-19 | 半導体装置のリ−ド材用Ｃｕ合金クラツド材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5976453A JPS5976453A (ja) | 1984-05-01 |
| JPS6252464B2 true JPS6252464B2 (ja) | 1987-11-05 |
Family
ID=16137831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57183554A Granted JPS5976453A (ja) | 1982-10-19 | 1982-10-19 | 半導体装置のリ−ド材用Ｃｕ合金クラツド材 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4525434A (ja) |
| JP (1) | JPS5976453A (ja) |
| DE (1) | DE3332482A1 (ja) |
| GB (1) | GB2131831B (ja) |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5976453A (ja) * | 1982-10-19 | 1984-05-01 | Mitsubishi Metal Corp | 半導体装置のリ−ド材用Ｃｕ合金クラツド材 |
| JPS601853A (ja) * | 1983-06-17 | 1985-01-08 | Hitachi Cable Ltd | 半導体用リ−ドフレ−ム |
| JPS6015457A (ja) * | 1983-07-08 | 1985-01-26 | Toray Silicone Co Ltd | 室温硬化性オルガノポリシロキサン組成物 |
| GB8419490D0 (en) * | 1984-07-31 | 1984-09-05 | Gen Electric Co Plc | Solderable contact materials |
| GB2162545B (en) * | 1984-07-31 | 1987-07-01 | Gen Electric Co Plc | Solderable contact materials |
| EP0241721B1 (en) * | 1986-03-18 | 1992-09-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Conductor and method of producing the same |
| US4818634A (en) * | 1986-12-24 | 1989-04-04 | Texas Instruments Incorporated | Composite metal spring material, method of making, and spring members formed therefrom |
| KR910003882B1 (ko) * | 1988-12-21 | 1991-06-15 | 풍산금속공업주식회사 | 전기 및 전자부품용 동합금과 그 제조방법 |
| JPH08941B2 (ja) * | 1992-03-31 | 1996-01-10 | 大同メタル工業株式会社 | 耐摩耗性摺動合金、摺動部材およびその製造方法 |
| US5489417A (en) * | 1992-09-02 | 1996-02-06 | Olin Corporation | Spray cast copper-manganese-zirconium alloys having reduced porosity |
| US5344606A (en) * | 1993-05-07 | 1994-09-06 | Brimmer Thomas E | Fluid treatment alloy casting of Cu-Sn-Ni-Zn |
| KR0179822B1 (ko) * | 1995-04-01 | 1999-04-15 | 문정환 | 반도체 장치의 배선 구조 및 그 제조 방법 |
| US5916695A (en) * | 1995-12-18 | 1999-06-29 | Olin Corporation | Tin coated electrical connector |
| US6149739A (en) * | 1997-03-06 | 2000-11-21 | G & W Electric Company | Lead-free copper alloy |
| US6010960A (en) * | 1997-10-29 | 2000-01-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and system for providing an interconnect having reduced failure rates due to voids |
| JP3396658B2 (ja) * | 1999-05-05 | 2003-04-14 | オリン コーポレイション | 金色外観の銅合金 |
| EP1281789B1 (en) * | 2001-07-31 | 2006-05-31 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | A plated copper alloy material and process for production thereof |
| US7032400B2 (en) | 2004-03-29 | 2006-04-25 | Hussmann Corporation | Refrigeration unit having a linear compressor |
| US7928541B2 (en) * | 2008-03-07 | 2011-04-19 | Kobe Steel, Ltd. | Copper alloy sheet and QFN package |
| CA2736881A1 (en) | 2008-09-10 | 2010-03-18 | Pmx Industries Inc. | White-colored copper alloy with reduced nickel content |
| US20100117252A1 (en) * | 2008-11-10 | 2010-05-13 | John Bourque | Solid composition having enhanced physical and electrical properties |
| US7767121B2 (en) | 2008-11-10 | 2010-08-03 | Kryron Global, Llc | Solid composition having enhanced physical and electrical properties |
| AU2009313307B2 (en) * | 2008-11-10 | 2015-09-24 | Kryron Global, Llc | Solid composition having enhanced physical and electrical properties |
| DE102009032371A1 (de) * | 2009-07-08 | 2011-01-13 | Berkenhoff Gmbh | Zusatzwerkstoff zum Löten von Stahlblechen |
| US8097208B2 (en) * | 2009-08-12 | 2012-01-17 | G&W Electric Company | White copper-base alloy |
| US8375840B2 (en) * | 2009-11-06 | 2013-02-19 | Kryron Global, Llc | Ballistic strike plate and assembly |
| KR20120099254A (ko) * | 2009-11-10 | 2012-09-07 | 지비씨 메탈즈, 엘엘씨 | 내변색성, 항균성 구리 합금과, 상기 합금으로 제조된 표면 |
| CN102560368A (zh) * | 2010-12-28 | 2012-07-11 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 壳体及其制造方法 |
| MX370072B (es) * | 2012-10-26 | 2019-11-29 | Sloan Valve Co | Aleacion de cobre antimicrobiana blanca. |
| CN103849795A (zh) * | 2012-11-29 | 2014-06-11 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 用于半导体装置的铜合金导线 |
| EP2981500B1 (de) * | 2013-04-05 | 2020-05-27 | HERM. SPRENGER GmbH & Co. KG | Kupferlegierung zur herstellung von pferdegebissen oder pferdegebissteilen |
| JP6135275B2 (ja) * | 2013-04-22 | 2017-05-31 | 三菱マテリアル株式会社 | 保護膜形成用スパッタリングターゲット |
| CN103555994B (zh) * | 2013-10-18 | 2015-10-07 | 苏州天兼新材料科技有限公司 | 一种锻造而成的具有优越塑性的合金锭及其制造方法 |
| US10513768B2 (en) * | 2016-10-19 | 2019-12-24 | Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of Commerce | Coinage cladding alloy and processing for making coinage cladding alloy |
| CN114616352B (zh) * | 2019-10-03 | 2024-01-02 | 先进合金控股私人有限公司 | 铜合金 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB402796A (en) * | 1932-05-03 | 1933-12-04 | Henry Winder Brownsdon | Improvements in or relating to the manufacture of metal articles |
| GB756884A (en) * | 1954-01-28 | 1956-09-12 | Manganese Bronze And Brass Com | Copper-base electrical resistance alloys |
| GB868276A (en) * | 1958-10-18 | 1961-05-17 | Eugen Vaders | Improvements in or relating to bearing metal alloys |
| BE757610A (fr) * | 1969-10-17 | 1971-04-16 | Olin Corp | Nouveaux alliages a base se cuivre, de nickel et de manganese |
| GB1327260A (en) * | 1970-02-09 | 1973-08-22 | Olin Corp | Copper base alloys |
| DE2344764A1 (de) * | 1973-09-05 | 1975-03-06 | Olin Corp | Flach- und hohlzeug aus einer kupferlegierung mit silberauflage |
| JPS53139173A (en) * | 1977-05-11 | 1978-12-05 | Alps Electric Co Ltd | Composite contact material |
| JPS54134424A (en) * | 1978-04-11 | 1979-10-18 | Olympus Optical Co Ltd | Automatic focusing device for single lens reflex camera |
| JPS5952223B2 (ja) * | 1979-04-23 | 1984-12-18 | 三菱マテリアル株式会社 | 養殖生け「す」用銅合金 |
| US4242132A (en) * | 1979-09-11 | 1980-12-30 | Olin Corporation | Copper base alloy containing manganese and nickle |
| JPS5834536B2 (ja) * | 1980-06-06 | 1983-07-27 | 日本鉱業株式会社 | 半導体機器のリ−ド材用の銅合金 |
| JPS6013416B2 (ja) * | 1980-09-16 | 1985-04-06 | 三菱マテリアル株式会社 | 展伸加工性および耐候性にすぐれた白色Ｃｕ合金 |
| JPS5976453A (ja) * | 1982-10-19 | 1984-05-01 | Mitsubishi Metal Corp | 半導体装置のリ−ド材用Ｃｕ合金クラツド材 |
-
1982
- 1982-10-19 JP JP57183554A patent/JPS5976453A/ja active Granted
-
1983
- 1983-09-06 GB GB08323876A patent/GB2131831B/en not_active Expired
- 1983-09-06 US US06/529,593 patent/US4525434A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-09-08 DE DE19833332482 patent/DE3332482A1/de active Granted
-
1984
- 1984-12-17 US US06/682,374 patent/US4632806A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5976453A (ja) | 1984-05-01 |
| US4525434A (en) | 1985-06-25 |
| US4632806A (en) | 1986-12-30 |
| GB2131831B (en) | 1986-06-18 |
| DE3332482C2 (ja) | 1988-11-24 |
| DE3332482A1 (de) | 1984-04-19 |
| GB2131831A (en) | 1984-06-27 |
| GB8323876D0 (en) | 1983-10-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5976453A (ja) | 半導体装置のリ−ド材用Ｃｕ合金クラツド材 | |
| US6132529A (en) | Leadframe made of a high-strength, high-electroconductivity copper alloy | |
| US4908078A (en) | Material for conductive parts of electronic or electric devices | |
| JPS6314056B2 (ja) | ||
| JP4197718B2 (ja) | 酸化膜密着性に優れた高強度銅合金板 | |
| JPH05306421A (ja) | 半導体装置用Ｃｕ合金リ−ド素材 | |
| JPS6389640A (ja) | 電子電気機器導電部品材料 | |
| JP3459520B2 (ja) | リードフレーム用銅合金 | |
| JP2797846B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置のＣｕ合金製リードフレーム材 | |
| JPS6239218B2 (ja) | ||
| JPS6215622B2 (ja) | ||
| JP3014673B2 (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPS64449B2 (ja) | ||
| JPS6396239A (ja) | リードフレーム、コネクタもしくはスイッチ用導電圧延材料 | |
| JP2662209B2 (ja) | メッキ密着性及びハンダ接合性に優れた電子機器用銅合金とその製造法 | |
| JPS6245299B2 (ja) | ||
| JPS6314832A (ja) | メッキ密着性及びハンダ接合性に優れた電子機器用銅合金とその製造法 | |
| JPS58147140A (ja) | 半導体装置のリ−ド材 | |
| JPH0480103B2 (ja) | ||
| JP2994230B2 (ja) | Ａｇめっき性が優れた半導体リードフレーム用銅合金 | |
| JPS6396236A (ja) | リードフレーム、コネクタもしくはスイッチ用導電圧延材料 | |
| JP3273193B2 (ja) | 半田耐熱剥離性に優れた高強度高導電性銅基合金 | |
| JPS61242052A (ja) | 半導体装置用銅合金リ−ド材 | |
| JPS59140342A (ja) | リ−ドフレ−ム用銅合金 | |
| JPH0788546B2 (ja) | 電子機器用銅合金とその製造法 |