JPH0243743A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0243743A JPH0243743A JP19376088A JP19376088A JPH0243743A JP H0243743 A JPH0243743 A JP H0243743A JP 19376088 A JP19376088 A JP 19376088A JP 19376088 A JP19376088 A JP 19376088A JP H0243743 A JPH0243743 A JP H0243743A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- bottom plate
- semiconductor device
- container
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、両面に電極を有する半導体基板が容器内に収
容され、導電性の容器底板には一面の電極面において固
着され、他面の電極に接続される電極体は容器上方の外
部において外部接続体と加圧接触することにより使用さ
れる半導体装置に関する。
容され、導電性の容器底板には一面の電極面において固
着され、他面の電極に接続される電極体は容器上方の外
部において外部接続体と加圧接触することにより使用さ
れる半導体装置に関する。
半導体装１を外部回路と接続する場合、外部導体板への
ねじ込み、ねじ止め、ろう付け、外部接続導線とのねし
止め、ろう付け、かしめなどの方法が用いられる。その
ほかに平面的な加圧接触を利用する場合がある。第２図
はそのような半導体装置の一例で、半導体基板１を冷却
体を兼ねる金属製底板２と樹脂製側壁３よりなる容器内
に収容し、基板１の下面の電極を底板２と、上面の電極
を電極体４とはんだ付けし、電極体４の上部が露出する
ように樹脂５を注型したものである。この半導体装置を
使用する際は、下部接続導体板と上部接続導体の間には
さみ、上部接続導体を介して、例えば１５０ｋｇ／ｃａ
＋”の圧力を電極体４に加えることにより、上下の接続
導体と加圧接触により接続させる。
ねじ込み、ねじ止め、ろう付け、外部接続導線とのねし
止め、ろう付け、かしめなどの方法が用いられる。その
ほかに平面的な加圧接触を利用する場合がある。第２図
はそのような半導体装置の一例で、半導体基板１を冷却
体を兼ねる金属製底板２と樹脂製側壁３よりなる容器内
に収容し、基板１の下面の電極を底板２と、上面の電極
を電極体４とはんだ付けし、電極体４の上部が露出する
ように樹脂５を注型したものである。この半導体装置を
使用する際は、下部接続導体板と上部接続導体の間には
さみ、上部接続導体を介して、例えば１５０ｋｇ／ｃａ
＋”の圧力を電極体４に加えることにより、上下の接続
導体と加圧接触により接続させる。
しかし、第２図に示した半導体装置を、例えば断続的な
通電を行う半導体装置として使用する場合、電力Ｉ置火
により温度の上昇する半導体基板ｌと底板２の間、ある
いは半導体基板ｌとｆｉ導体の間のはんだ付部分に疲労
が生じ、特性の劣化が生しやすい欠点があった。この欠
点を避けるためには内部の各部品間も加圧接触させれば
よいが、特別な材料、高い加工精度を必要とするので、
低価格の半導体装置には採用不可能である。さらに第２
図に示した半導体装置では、電橋体４を加圧する圧力が
直接半導体基板１の中央部にかかるので、底板２の上面
と電橋体４の下面との間の平行度が十分でないときには
半導体基板に偏荷重が加ねり、それによっても特性劣化
が起こる可能性があった。
通電を行う半導体装置として使用する場合、電力Ｉ置火
により温度の上昇する半導体基板ｌと底板２の間、ある
いは半導体基板ｌとｆｉ導体の間のはんだ付部分に疲労
が生じ、特性の劣化が生しやすい欠点があった。この欠
点を避けるためには内部の各部品間も加圧接触させれば
よいが、特別な材料、高い加工精度を必要とするので、
低価格の半導体装置には採用不可能である。さらに第２
図に示した半導体装置では、電橋体４を加圧する圧力が
直接半導体基板１の中央部にかかるので、底板２の上面
と電橋体４の下面との間の平行度が十分でないときには
半導体基板に偏荷重が加ねり、それによっても特性劣化
が起こる可能性があった。
本発明の課題は、上記の欠点を除き外部導体との接続の
ために加える圧力により半導体基板に偏荷重が生ずるこ
とがなく、また内部のろう件部の熱疲労も少ない半導体
装置を堤供することにある。
ために加える圧力により半導体基板に偏荷重が生ずるこ
とがなく、また内部のろう件部の熱疲労も少ない半導体
装置を堤供することにある。
（課題を解決するための手段〕
上記の課題の解決のため、本発明の半導体装１は、導電
性底板と側壁よりなる容器の底板上に複数の半導体基板
が間隔を介して平行な二列をなして配置され、半導体基
板の下面の電極は底板に、上面の電極は対向する他の列
の半導体基板の上面の電極と共通で基板の配列方向に垂
直な方向に並ぶ電極板にそれぞれ固着され、両列の半導
体基板間の間隔の直上に位置する一つの加圧体が各１ｉ
掻体の中央部に固着され、容器内にはその加圧体の上部
を露出させて樹脂が充填されているものとする。
性底板と側壁よりなる容器の底板上に複数の半導体基板
が間隔を介して平行な二列をなして配置され、半導体基
板の下面の電極は底板に、上面の電極は対向する他の列
の半導体基板の上面の電極と共通で基板の配列方向に垂
直な方向に並ぶ電極板にそれぞれ固着され、両列の半導
体基板間の間隔の直上に位置する一つの加圧体が各１ｉ
掻体の中央部に固着され、容器内にはその加圧体の上部
を露出させて樹脂が充填されているものとする。
半導体基板が複数に分割されているので、各基板のろう
付面積は小さくなり、熱疲労も起こりにり（、また加圧
体への直下には半導体基板はなく、加圧体への加圧力は
、中央部の下側に弾性をもつ樹脂のある電橋体の両端部
で各半導体基板に加わるため、加圧体の下面と底板の上
面との間の平行度が十分でなくても、大きな偏荷重が半
導体Ｖｉ仮に生ずることはない。
付面積は小さくなり、熱疲労も起こりにり（、また加圧
体への直下には半導体基板はなく、加圧体への加圧力は
、中央部の下側に弾性をもつ樹脂のある電橋体の両端部
で各半導体基板に加わるため、加圧体の下面と底板の上
面との間の平行度が十分でなくても、大きな偏荷重が半
導体Ｖｉ仮に生ずることはない。
第１図は本発明の一実施例の半導体装置の断面図、７ｇ
３図はその容器底板上の部分の斜視図で、第２図と共通
の部分には同一の符号が付されている。この半導体装置
では半導体基板ｌは６個に分割され、二列に配置されて
容器の金属製底板２の上に下面！橋がはんだ付けされて
いる。一方上面電橋には対向している半導体基板の上面
電極と共通の厚さ０．５ ｌｕの電極板６がはんだ付け
されている。従って、３本のｔｉ板６が半導体基板ｌの
配列方向に垂直な方向に平行に並んでいる。さらにこの
各電極板６の中央部の上に１本の高さ５鶴の柱状加圧体
７がはんだ付けされている。この加圧体７は両列の半導
体基板１の間隔の直上にある。
３図はその容器底板上の部分の斜視図で、第２図と共通
の部分には同一の符号が付されている。この半導体装置
では半導体基板ｌは６個に分割され、二列に配置されて
容器の金属製底板２の上に下面！橋がはんだ付けされて
いる。一方上面電橋には対向している半導体基板の上面
電極と共通の厚さ０．５ ｌｕの電極板６がはんだ付け
されている。従って、３本のｔｉ板６が半導体基板ｌの
配列方向に垂直な方向に平行に並んでいる。さらにこの
各電極板６の中央部の上に１本の高さ５鶴の柱状加圧体
７がはんだ付けされている。この加圧体７は両列の半導
体基板１の間隔の直上にある。
従って、容器内に充填された注型樹脂５の上に露出して
いる加圧体７の上面に下方に向けて加圧しても、その力
は直接半導体基板１には加わらず、！掻板６を介して樹
脂層５および半導体基板１に分散して加わり、さらに底
板２に加わる。この構造において各半導体基板１は加圧
体７と底板２の間に並列接続され、同種の半導体基板を
用いれば面積の大きい半導体基板１枚の場合と同じ機能
の半導体装置が得られる。しかし、異なる種類の半導体
素子基板を用いて異なる半導体素子を並列接続した半導
体装置を製作することもできる。ただし、その場合も各
基板の厚さは同一であることが必要である。
いる加圧体７の上面に下方に向けて加圧しても、その力
は直接半導体基板１には加わらず、！掻板６を介して樹
脂層５および半導体基板１に分散して加わり、さらに底
板２に加わる。この構造において各半導体基板１は加圧
体７と底板２の間に並列接続され、同種の半導体基板を
用いれば面積の大きい半導体基板１枚の場合と同じ機能
の半導体装置が得られる。しかし、異なる種類の半導体
素子基板を用いて異なる半導体素子を並列接続した半導
体装置を製作することもできる。ただし、その場合も各
基板の厚さは同一であることが必要である。
本発明によれば、複数個の半導体基板を容器底板上に二
列配置とし、各列の向かい合う基板の上面電極に電極板
を固着し、さらに各電極板のｈ ｔＭｉ中央部を一つの
加圧体に固着することにより、容器外で加圧体に加わる
圧力は直接半導体基板に加わらない構造となった。この
構造により、発熱部分が分散され、半導体基板の両面の
電極に対するろう付部分のろうの熱疲労による劣化が生
じにくく、半導体基板への偏荷重による特性劣化も防１
１−。
列配置とし、各列の向かい合う基板の上面電極に電極板
を固着し、さらに各電極板のｈ ｔＭｉ中央部を一つの
加圧体に固着することにより、容器外で加圧体に加わる
圧力は直接半導体基板に加わらない構造となった。この
構造により、発熱部分が分散され、半導体基板の両面の
電極に対するろう付部分のろうの熱疲労による劣化が生
じにくく、半導体基板への偏荷重による特性劣化も防１
１−。
された信頼性の高い半導体装置が得られる。
第１図は本発明の一実施例の半導体装置の断面図、第２
図は従来の半導体装置の断面図、第３図は第１図の装置
の容器底板上の部分の斜視図である。 ｌ 半導体基板、 ：容器底板、 ３ ： 容器側壁、 ５ ： 注型樹脂、 ６ ： 電極板、 加圧体。 第１図 第２図 第３図
図は従来の半導体装置の断面図、第３図は第１図の装置
の容器底板上の部分の斜視図である。 ｌ 半導体基板、 ：容器底板、 ３ ： 容器側壁、 ５ ： 注型樹脂、 ６ ： 電極板、 加圧体。 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- １）導電性底板と側壁よりなる容器の底板上に複数の半
導体基板が間隔が平行な二列をなして配置され、半導体
基板の下面の電極は底板に、上面の電極は対向する他の
列の半導体基板の上面の電極と共通で基板の配列方向に
垂直な方向に並ぶ電極板にそれぞれ固着され、両列の半
導体基板間の間隔の直上に位置する一つの加圧体が各電
極体の中央部に固着され、容器内にはその加圧体の上部
を露出させて樹脂が充填されたことを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19376088A JPH0243743A (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19376088A JPH0243743A (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0243743A true JPH0243743A (ja) | 1990-02-14 |
Family
ID=16313352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19376088A Pending JPH0243743A (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0243743A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5258522A (en) * | 1991-08-01 | 1993-11-02 | Nippon Mining Co., Ltd. | Imidazole-silane compounds and metal surface finishing agent containing the same |
-
1988
- 1988-08-03 JP JP19376088A patent/JPH0243743A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5258522A (en) * | 1991-08-01 | 1993-11-02 | Nippon Mining Co., Ltd. | Imidazole-silane compounds and metal surface finishing agent containing the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5402313A (en) | Electronic component heat sink attachment using a canted coil spring | |
| US5027191A (en) | Cavity-down chip carrier with pad grid array | |
| US5258887A (en) | Electrical device cooling system using a heat sink attached to a circuit board containing heat conductive layers and channels | |
| US5321582A (en) | Electronic component heat sink attachment using a low force spring | |
| US4156458A (en) | Flexible thermal connector for enhancing conduction cooling | |
| DE3486256T2 (de) | Halbleiteranordnung in Druckpackung. | |
| JPH0770641B2 (ja) | 半導体パッケージ | |
| US4106052A (en) | Semiconductor rectifier unit having a base plate with means for maintaining insulating wafers in a desired position | |
| US20010004135A1 (en) | Flip-chip bonded semiconductor device | |
| CN1316606C (zh) | 半导体器件 | |
| JPH02146757A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0243743A (ja) | 半導体装置 | |
| US4536825A (en) | Leadframe having severable fingers for aligning one or more electronic circuit device components | |
| JP2936845B2 (ja) | 集積回路の実装構造 | |
| JPH03191554A (ja) | 半導体装置 | |
| CN112490202A (zh) | 功率器件封装结构 | |
| JPH05315485A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0650358U (ja) | 複合半導体装置 | |
| JPH0631723Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02139976A (ja) | 熱電変換モジュール | |
| JPH051076Y2 (ja) | ||
| JPH04350958A (ja) | 半導体集積回路の放熱装置 | |
| JPH04237154A (ja) | 半導体パッケージ | |
| JPH01228139A (ja) | 二端子半導体の平形構造 | |
| JPS6164186A (ja) | 電子部品リ−ドレスパツケ−ジの実装構造 |