JPH0243750A - 不活性化層の欠陥を識別する方法および腐食耐性ボンディング・パッドを製作する方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 関連出願の相互参照 本件出願は、次の出願、１９８８年４月２９日に出願さ
れ、本件出願の譲受人に譲渡された、米国特許出願節１
８８．２９４号、発明者オーエンＷ、バッチャ−ジュニ
ア（Ｏｗｅｎ　　Ｗ、Ｈａｔｃｈｅｒ）、「腐食耐性ポ
ンディングパッド」（ｃＯＲＲＯＳＩＯＮ　　ＴＯＬＥ
ＲＡＮＴ　　ＢＯＮＤＩＮＧ　　ＰＡＤ）に関連するも
のである。

発明の背景 発明の分野 この発明は、損傷した不活性化層を有する集積回路素子
の電気的拒絶選別を行なう方法に関する。

関連技術の説明 第１図の部分断面図で示されているように、従来の集積
回路では、相互接続１２は集積回路の個々の素子（示さ
れていない）の間に電気的接続を設け、ボンディング・
パッド１３と呼ばれる拡張された領域が設けられている
集積回路の端縁に延在する。金属の“リードワイヤ１４
は電力、信号、およびその他の電気的相互接続を集積回
路に与えるためにボンディング・パッド１３に装着され
ている。相互接続１２は普通９０％ないし１００％の純
アルミニウムで形成されており、リードワイヤ１４は普
通金で形成されているが、アルミニウムで形成されるこ
ともある。リードワイヤ１４は熱圧縮ボンディングによ
ってボンディング・パッド１３に装着されてボンド領域
１５を作る。

相互接続１２およびボンディング・パッド１３はＳｉＯ
２、ドープしたＳｉＯ２、Ｓｉ、Ｎ４、によって形成さ
れている不活性化層１６、またはこれらの材料で形成さ
れた層の組合わせによって覆われている。不活性化層１
６の何らかの欠陥１７、下にある相互接続１２を汚染物
質または腐食剤に露出する不活性化層１６のたとえば亀
裂、針穴、その他の属性は集積回路では致命的な傷とな
り得る。特に、相互接続１２の部分１２ａは、相互接続
１２に不連続を生じる、または相互接続１２の部分１２
ａを非導電性の材料、たとえば酸化アルミニウムまたは
水酸化アルミニウムに変える態様で酸化および／または
他の態様で腐食される。

どちらの場合でも、結果として、影響を受けた相互接続
１２は電気を通さないので正しく機能しない集積回路と
なる。不活性化層における欠陥による集積回路の故障は
、集積回路の製作から長く経ってからしか起こらないか
もしれない。しかし、このような素子を販売するのを避
けるために故障の可能性がある集積回路を製造途中で識
別することが望ましい。

不活性化層１６での欠陥は目視で検出するのが不可能で
なくても、難しく、意味のある視覚検査を行なう試みは
時間を消費して高価であり、決定の合格／不合格は主観
的であり、せいぜい欠陥のほんの少ししか検出できない
。このような視覚検査は視覚範囲が限定されている顕微
鏡やその他の光学装置を使う必要がある。意味のある検
査を行なうには少なくとも５００倍の拡大が必要であり
、多くの欠陥は走査型電子顕微鏡の援助なしで検出する
ことができない。しかしながら、今までは肉眼で見える
欠陥を有する集積回路のみが不合格素子としてウェーハ
分類やパッケージステップの前に見分けられている。

酸性のエッチを使ってその後で視覚検査を行なう破壊検
査が、完成された集積回路素子の不活性化層の完全性を
検査するために行なわれてきた。

これらの破壊検査は検査をした素子を壊すので、ウェー
ハ仝体に基づいては使用できない。代わりに、選択され
た素子が検査されて不良素子のロットを識別する試みが
なされている。

ボンディング・パッドの腐食も問題である。約１６ない
し２０ｍ１１２のアパーチャ１８は一般に２０ないし２
５ｍ１１２であるボンディング・パッド１３の中心部に
対応する不活性化層１６の部分を貫通して設けられる。

しかしボンド領域１５はアパーチャ１８によって露出さ
れたポンディングパッド１３のたった３０ないし７０％
の部分しか覆わない。このように、各ボンディング・パ
ッド１３の一部分はリード１４がそこに装着された後で
も露出されたままとなる。ボンド領域１５がボンディン
グ・パッド１３を覆わないアパーチャ１８の領域では、
アルミニウムボンディング・パッド１３は酸化、または
その他の腐食を受ける。

この酸化または腐食はアルミニウムボンディング・パッ
ド１３を非導通の材料に変える。ボンディング・パッド
１３の酸化が領域１３ｂで起こるなら、ボンディング・
パッド１３と相互接続１２との間に増大した抵抗を起こ
し、最悪の場合はボンディング・パッド１３と相互接続
１２の残りの部分との間が開路となる。

不活性層１６がドープした５ｉ０２である場合、集積回
路パッケージに入り込む湿気は不活性化層１６の中でド
ーパントとして存在するリンと化合して、露出したアル
ミニウムと反応する亜リン酸を形成してアルミニウムを
酸化アルミニウムまたは水酸化アルミニウムに変化させ
る。この現象はボンディング・パッド１３の露出した部
分、特に１３ｂの部分と不活性化層１６との間の直接接
触によって促進される。

他の腐食源が集積回路のパッケージ材料に相関している
かもしれない。一般に、パッケージは腐食を起こす成分
を有するかもしれないプラスチック材料である。さらに
、腐食材料のその他の源が集積回路自身に存在するかも
しれないし、製作またはパッケージ工程の結果として起
こるかもしれない。

発明の要約 したがって、この発明の目的は不活性化層に欠陥を有す
る集積回路を識別する方法を提Ｑｊすることである。

この発明のさらなる目的は、相互接続の上に設けられた
不活性化層の完全性の検査を含む相互接続のための腐食
耐性ボンディング・パッドを製作する方法を提供するこ
とである。

この発明の別の目的は、従来の硯覚検査と置き換わる、
不活性化層が損傷しているかどうかを決定する電気的検
査の方法を提供することである。

この発明の方法に従って、従来の集積回路は不活性化層
が何らかの欠陥を有するかどうかを決めるために検査で
き、また腐食耐性ボンディング・パッドを有する集積回
路は、不活性化層の欠陥を検出するステップを含む方法
によって製作することができる。特に、相互接続の部分
の上に設けられた腐食耐性ボンディング・パッドおよび
ト目互接続の残りの部分の上に設けられた不活性化層を
有する集積回路を検査して、不活性化層が損傷している
がとうかを決定する方法は、相互接続の一部分を不活性
化層の開口を通して露出し、不活性化層の開口に対応す
る相互接続の部分の上に障壁層を設け、障壁層の上にボ
ンディング層を設け、相互接続をエッチするエッチャン
トに集積回路をさらして、不活性化層の損傷部分の下に
ある相互接続の部分がエッチされて、このエツチングス
テップが相互接続に何らかの不連続を生じたかどうかを
決定するステップとを含む。

この発明の利点は、不活性化層に欠陥があるために故障
の可能性のある集積回路が製作中に識別できることであ
る。

好ましい発明の説明 腐食耐性ボンディング・パッドを製作し、集積回路が不
活性化層に何らかの欠陥を有するかどうかを決定する方
法は第２Ａ図ないし第２Ｅ図および第３図に関連して説
明される。従来のボンディング・パッドを有する集積回
路素子の不活性化層における欠陥を検出する方法は第４
図に関して説明される。この発明の好ましい実施例に関
して説明される材料、厚さ、構造、処理パラメータは例
示的であって、発明の範囲を限定するのを意図していな
いことを理解するべきである。［ボンディング・パッド
Ｊという言葉は相互接続とリードワイヤとの電気的相互
接続に役立つ単一のまたは多重層の構造を示す。不活性
化層に対して用いられる「欠陥」という言葉は、不活性
化層の露出表面がさらされる雰囲気に不活性化層の下に
ある層を露出する不活性化層のいかなる構造的様子をも
意味する。

完成された腐食耐性ボンディング・パッドを有する集積
回路は第２Ａ図および第２Ｅ図で示されている。集積回
路は１枚のウエーノ＼に同時に形成される多くの集積回
路の１つであり、したがってこの説明は１個の、および
複数個の集積回路を交互に指す。サブストレート１０は
その上に相互接続１２が設けられており、従来の半導体
素子のように、相互接続１２はアルミニウム、またはア
ルミニウムと銅および／またはシリコンの化合物、たと
えばアルミニウム銅、アルミニウムシリコン、アルミニ
ウム銅シリコンで形成することができる。

代わりとして、相互接続１２は、電気半導体であり、か
つ半導体産業において既知である技術に従った半導体素
子の製作で有用である他の材料または化合物で形成され
ることもできる。さらに、相互接続１２は直接サブスト
レート１０の上に、またはサブストレート１０の上に設
けられた他の層の上に、形成することができる。たとえ
ば、相互接続１２は、たとえば二重メタライゼーション
構造において、他の下にある相互接続（示されていない
）から分離する絶縁層の上に設けられることができる。

従来の技術によって形成された不活性化層１６は、相互
接続１２の上に設けられ、相互接続１２の拡張されたボ
ンディング領域２６を露出するためにアパーチャ（また
は開口）１８を有する。相互接続１２のボンディング領
域２６の酸化または他の腐食を防ぐために、耐食性の導
通の障壁層２８が不活性化層１６のアパーチャ１８のボ
ンディング領域２６の上に設けられる。障壁層２８を形
成するために使用することができる材料の例としては、
タングステンとチタン、およびこれらの材料の化合物、
またはパッケージされた集積回路にある亜リン酸やその
他の薬剤に露出されたときに重大な酸化または腐食を受
けない他の材料がある。

障壁層は厚さ約１０００ないし２０００人を有するチタ
ンとタングステンの化合物（チタンゲステンまたはＴｉ
Ｗ）で形成されることができる。

相互接続１２のボンディング領域２６が酸化またはその
他の腐食環境に露出されるのを防ぐために、障壁層２８
はアパーチャ１８の全部、そしてアパーチャ１８を囲む
不活性化層１４の部分１４ａの両方に設けられる。障壁
層２８はチタンとタングステンターゲットの同時スパッ
タリングによって、または電子ビーム（Ｅビーム）溶着
によって形成することができる。障壁層は相互接続１２
とオーミック接触を作る。したがって障壁層２８の溶着
の前の相互接続１２の酸化は避けなければならず、そし
てもし何らかの酸化が起これば、酸化物は、たとえば逆
スパツタリングによって、取り除かれなければならない
。

たとえばアルミニウムで形成されているボンディング層
３０が障壁層２８の上に設けられ、リードワイヤ１４は
従来のボンド技術たとえば熱圧着ボンディングを使って
ボンディング層３０に装着される。ボンディング層３０
は金で形成されることもできる。ボンディング層３０が
金なら、一般のりフトオフ技術によって製作されること
ができる。好ましい実施例において、ボンディング層３
０は９０％ないし１００％の純アルミニウムで形成され
ており、厚さは約１μｍである。しかし０゜２５から２
μｍの厚さを有することができる。ボンディング層３０
は障壁層２８を設けるのに使った同じ技術を使って設け
ることができる。再び、障壁層２８とボンディング層３
０との間にオーミック接触が与えられなければならない
。

障壁層２８のために選択された材料のもう１つの特性は
、後の製作ステップ中、または集積回路の動作で経験さ
れる温度において、ボンディング層３０の材料によって
浸透されてはならないということである。

この構造は相互接続１２のボンディング領域２６の腐食
を防止し、たとえポンディングパッド３０が腐食したと
しても、ボンド１８の下にあるボンディング・パッド３
０の部分は腐食から保護され、それによってリードワイ
ヤ１４と相互接続１２との間の増大した抵抗および／ま
たは開路を防ぐ、または実質的に遅らせる。

腐食耐性ボンディング・パッドを製作し、不活性化層１
６の欠陥を検出する方法は第２Ｂ図ないし第２Ｅ図に関
して説明される。まず、拡張されたボンディング領域２
６を有する相互接続１２はサブストレート１０の上に設
けられていて、上記で説明したようにサブストレートは
い（つかの異なる層の組合わせであるかもしれない。次
に、不活性化層１６か相互接続１２の上に設けられ、不
活性化層１６にアパーチャ１８かあけられる。

次に、第２Ｃ図で示されているように、障壁層２８とボ
ンディング層３０は連続する層として生成される。マス
キング層がボンディング層３０に設けられ、ボンディン
グ・パッドの形を有するマスク３２か残るように、標準
のフォトリソグラフィック技術を使ってパターンされる
。

第２Ｄ図で示されているように、マスク３２はイく活性
化層２８およびボンディング層３０の不要な部分か除去
される間、ボンディング・パッドの形を規定するために
使われる。マスク３２か適切な場所にあるこの処理のこ
の時点では、集積回路は不活性化層１６にある欠陥に侵
入し、相互接続１２を形成する材料をエッチするエッチ
ャントに露出される。不活性化層１６に何らかの欠陥が
あれば、エッチャントは相互接続１２を腐食し、それに
よって相互接続１２に不連続を作る。次にマスク３２が
除去される。

集積回路がウェーハ分類を受けるとき、電気的検査を含
めて、エツチングステップ中に作られた不連続の存在に
よって導通にならない相互接続１２があれば、集積回路
は検査に不合格となる。相互接続１２が他の理由で非導
通であっても、この発明の処理を受ける集積回路は不活
性化層１６に欠陥かあれば検査に合格しない。ウェーハ
分類検査に合格した集積回路はウェーハの個々のダイの
分類、パッケージング、リードワイヤ２０のボンディン
グを含む次の処理に送られる。重要なのは、ウェーハの
すべての素子は、不活性化層］６に欠陥を持たない素子
を損傷することなく検査かできることである。

不活性化層３０の欠陥を検出するために使われる主要エ
ッチャントは亜リン酸であってもよい。

亜リン酸が主要エッチャントとして、エツチング溶液の
約９０°６を含み、硝酸および／または酸性酸をエツチ
ング溶液に加えることかできる。他のウェットエッチャ
ントおよびウェットエツチング以外のエツチング方法を
使うことかできる。たとえば等方性プラズマエツチング
を使うことができる。もちろん、側面エツチングを行な
うエツチング方法ならどれでも使うことかできる。側面
エツチングは、不活性化層１６の欠陥が相互接続１２の
全体の幅を越えなくても…互接続１２の全体の幅をエッ
チさせる。

しかし、相ｎ接続１２の全体の幅がエッチされる必要か
ないということが注目される。相互接続１２に沿って増
大した抵抗を計ることによって、またはＸ線のような他
の検出手段を使うことによって、相互接続１２の部分エ
ツチングを検出することができる。

エツチング工程の速度を上げ、亀裂やその他の欠陥の浸
透を促進するために、エッチャントを加熱することがで
きる。７０ないし８０°Ｃ以上の温度を使うことかでき
るが、４０ないし５０℃の温度がこの目的のために有用
であると考えられる。

エツチング時間は温度および相互接続の幅と厚さに依存
する。一般に、相互接続１２の全体の幅かエッチされる
ようにエツチング時間は十分に長くなければならない。

したかって相互接続１２の一方の側面に不活性化層１６
の欠陥が存在すれば、相互接続１２に不連続がまだ生じ
る。厚さ０，５ないし１，５μｍおよび幅５ないし７５
μｍの相互接続において、エッチャントの気温が４０な
いし５０℃ならエツチング時間は１０ないし１５分、エ
ッチャントの温度が７０ないし８０℃なら５分以下のエ
ツチング時間を要する。

腐食耐性ポンディングパッドの代替の実施例は第３図に
関して説明される。代替の実施例ではボンディング層３
０′は障壁層２８よりも小さい領域を有する。たとえば
、障壁層２８とボンディング層３０′が正方形であり、
それぞれ寸法Ｘとｙを有するなら、障壁層２８の面積Ｘ
２はボンディング層３０′の面積ｙ２よりも大きい。ボ
ンディング層３０′の領域を障壁層２８の領域に関して
減じる目的は、アルミニウムボンディング層３０′と不
活性化層１６との物理的分離を増大することであり、そ
れによって不活性化層のリンドーパントイオンから形成
された亜リン酸がボンディング層３０′のアルミニウム
と反応する可能性を減じるまたはなくす。

ボンディング層３０′の減じられたサイズは２つの方法
によって達成することができる。前述のように障壁層２
８とボンディング層３０′は標亭のフォトリソグラフィ
ック技術によってパターンされた連続した層として生成
される。障壁層２８とボンディング層３０′の両方のパ
ターンをエッチするために１枚のマスクが使われるなら
、集積回路は最初にアルミニウムボンディング層３０′
をエッチするエッチャントにさらされ、次に障壁層２８
の材料をエッチするエッチャントにさらされ、その後に
ボンディング層３０′の側面のエツチングを起こすため
にアルミニウム用のエッチャントを使った第２のエツチ
ングにさらされる。この方法では、アルミニウム用のエ
ッチャントは障壁層２８の材料をエッチしない選択的エ
ッチャントでなければならない。エッチャントの選択性
は適当なエッチャントを選択することによって、または
同じエッチャントによって影響されない障壁層２８とボ
ンディング層３０′のための材料を選択することによっ
て、得ることができる。

障壁層２８とボンディング層３０′のパターンをエッチ
するために別々のマスクを使うなら、障壁層２８の領域
において望ましい違いをもたらすために、エツチング処
理中に障壁層２８とボンディング層３０を保護するため
のマスクのエリアか選択される。発明の第２の実施例で
使イ〕れているどちらの技術においても、アルミニウム
ボンディング層３０の側面のエツチングを行なうために
使われたエッチャント、障壁層２８が不活性化層１６の
大部分から除去された後、不活性化層１６および不活性
化層１６の欠陥の下にある相互接続１２の部分はボンデ
ィング層３０の側面のエツチング中にエッチャントに露
出される。

この発明の方法は、相互接続１２をエッチするエッチャ
ントに集積回路をさらす前に、不活性化層１６を通して
意図的に露出された集積回路のいかなる部分（たとえば
、後で説明されるように従来のボンディング・パッド）
もマスクすることによって実施することができる。第４
図は集積回路をエッチャントにさらすことができるよう
に、従来のボンディング・パッド１３を有し、そのボン
ディング・パッド１３の上にマスク３４か設けられた集
積回路を示す。エッチャントは不活性化層１６の欠陥の
下にある相互接続１２の部分に不連続３６を作る。この
ように、不活性化層１６に欠陥を有する集積回路はウェ
ー１１分類工程中に１別することができる。

ウェーハ探査の方法として知られているいかなる方法、
すなわち集積回路がパッケージされる前の機能検査を行
なう方法も、この発明のエツチングステップによって相
互接続１２に不連続が生じたかどうかを決定するために
使用することができる。ウェーハ探査方法の例は、各ボ
ンディング・パッドを物理的に接続する機械的探査を使
った電気探査、および集積回路を電子光線やレーザ光線
によって照射することによって相互接続に電流が誘導さ
れる様々な種類のビーム探査を含む。さらに、相互接続
の不連続はＸ線を使って検出することができる。

この発明に従って腐食耐性ボンディング・パッドを製作
し、不活性化層の欠陥を同時に検出する方法の多くの特
徴と利点は、当業者にとって明白であろう。したがって
前述の特許請求の範囲はこの発明の範囲内にあるすべて
の修正および均等物を網羅することが意図されている。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のボンディング・パッドの断面図である。 第２Ａ図はこの発明に従った腐食耐性ボンディング・パ
ッドの平面図である。 第２Ｂ図ないし第２Ｅ図はこの発明の詳細な説明するだ
めの断面図であり、第２Ｅ図は第２Ａ図の線Ｅ−Ｅ’　
に沿ってとられた断面である。 第３図はこの発明に従った腐食耐性ボンディング・パッ
ドの代替実施例の断面図である。 第４図は従来のボンディング・パッドを有する集積回路
で用いられた際のこの発明の詳細な説明するための断面
図である。 図において、１０はサブストレート、１２は相互接続、
１３はボンディング・パッド、１４はリードワイヤ、１
５はボンド領域、１６は不活性化層、１８はアパーチャ
、２６はボンディング領域、２８は障壁層、３０はボン
ディング層、３４はマスクである。 特許出願人　アドバンスト・マイクロ・ディμＦＩＧ、
−２Ｃ ＦＩＧ、−１ ＦＩＧ、−２Ａ ＦＩＧ、−２Ｅ

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. （１）相互接続上に設けられた不活性化層の欠陥を識別
   する方法であって、 （ａ）不活性化層によって意図的に露出された集積回路
   の部分の上にマスクを設けるステップと、 （ｂ）不活性化層をエッチャントに露出して、不活性化
   層の損傷した部分の下にある相互接続の部分をエッチン
   グするステップと、 （ｃ）前記ステップ（ｂ）の後で相互接続のいかなるエ
   ッチングも検出するために相互接続を検査するステップ
   とを含む、方法。
2. （２）前記ステップ（ｃ）がウェハ分類を含む、請求項
   １に記載の方法。
3. （３）前記ステップ（ａ）が相互接続の上に設けられた
   ボンディング・パッドのマスキングを含む、請求項１に
   記載の方法。
4. （４）前記ステップ（ｃ）が相互接続のいかなる不連続
   をも検出するために相互接続を電気的に検査することを
   も含む、請求項１に記載の方法。
5. （５）相互接続の上に設けられた不活性化層に欠陥を有
   する集積回路を識別するために検査する方法であって、 （ａ）不活性化層のアパーチャを通して相互接続の部分
   を露出するステップと、 （ｂ）不活性化層のアパーチャによって露出された相互
   接続の部分の上に腐食耐性ボンディング・パッドを設け
   るステップと、 （ｃ）不活性化層をエッチャントに露出して、不活性化
   層の損傷した部分の下にある相互接続の部分をエッチン
   グするステップと、 （ｄ）前記ステップ（ｃ）の後で相互接続の不連続を検
   出するために相互接続を検査するステップとを含む、方
   法。
6. （６）前記（ｃ）がウェーハ分類を含む、請求項５に記
   載の方法。
7. （７）前記ステップ（ａ）が相互接続の上に設けられた
   ボンディング・パッドのマスキングを含む、請求項５に
   記載の方法。
8. （８）前記ステップ（ｃ）が相互接続を電気的に検査す
   ることを含む、請求項５に記載の方法。
9. （９）相互接続の部分の上に設けられた腐食耐性ボンデ
   ィング・パットおよび相互接続の上に設けらたれ不活性
   化層を有する集積回路を検査して、不活性化層が損傷を
   受けているかどうかを決定する方法であって、 （ａ）不活性化層の開口を通して相互接続のある部分を
   露出し、 （ｂ）不活性化層の開口に対応する相互接続の部分の上
   に障壁層を設けるステップと、 （ｃ）障壁層の上にボンディング層を設けるステップと
   、 （ｄ）不活性化層の損傷部分の下にある相互接続の部分
   がエッチされるように、相互接続をエッチするエッチャ
   ントに集積回路をさらすステップと、 （ｅ）前記ステップ（ｄ）が相互接続に不連続を生じた
   かどうかを決定するステップとを含む、方法。
10. （１０）前記ステップ（ｂ）が不活性化層の開口を囲む
    不活性化層の部分の上に障壁層を設けることをさらに含
    む、請求項９に記載の方法。
11. （１１）前記ステップ（ｂ）がチタンおよびタングステ
    ンの障壁層を設けることを含む、請求項１０に記載の方
    法。
12. （１２）前記ステップ（ｃ）がアルミニウムボンディン
    グ層を提供することを含む、請求項１１に記載の方法。
13. （１３）前記ステップ（ｄ）がボンディング層の領域を
    減じるためにボンディング層を側面にエッチングするこ
    とを含む、請求項９に記載の方法。
14. （１４）前記ステップ（ｃ）がウェハの分類を含む、請
    求項９に記載の方法。
15. （１５）前記ステップ（ａ）が相互接続の上に設けられ
    たボンディング・パッドのマスキングを含む、請求項９
    に記載の方法。
16. （１６）前記ステップ（ｃ）が相互接続を電気的に検査
    することを含む、請求項９に記載の方法。
17. （１７）サブストレートの上に形成された相互接続のた
    めに腐食耐性ボンディング・パッドを製作し、相互接続
    の上に設けられた不活性化層の完全性を検査する方法で
    あって、 （ａ）不活性化層のアパーチャを通して相互接続の部分
    を露出するステップと、 （ｂ）不活性化層のアパーチャを通して露出された相互
    接続の部分の上に障壁層を設けるステップと、 （ｃ）障壁層の上にボンディング層を設けるステップと
    、 （ｄ）障壁層およびボンディング層をマスキングするス
    テップと、 （ｅ）障壁層とボンディング層をマスクした後で相互接
    続をエッチするエッチャントに不活性化層を露出するス
    テップと、 （ｆ）前記ステップ（ｅ）によって作られた相互接続の
    不連続を検出するために相互接続を検査するステップと
    を含む、方法。
18. （１８）サブストレートの上に形成された相互接続のた
    めに腐食耐性ボンディング・パッドを製作し、相互接続
    の上に設けられた不活性化層の完全性を電気的に検査す
    る方法であって、 （ａ）不活性化層のアパーチャを通して相互接続の部分
    を露出するステップと、 （ｂ）不活性化層のアパーチャを通して露出された相互
    接続の部分の上に、および不活性化層の上に障壁層を設
    けるステップと、 （ｃ）障壁層の上にボンディング層を設けるステップと
    、 （ｄ）不活性化層のアパーチャおよび不活性化層のアパ
    ーチャを囲む不活性化層の選択された部分に対応する障
    壁層およびボンディング層の部分の上にマスクを設ける
    ステップと、 （ｅ）マスクの下にある障壁層およびボンディング層の
    部分以外の障壁層およびボンディング層の部分を除去す
    るステップと、 （ｆ）相互接続をエッチするエッチャントに不活性化層
    を露出するステップと、 （ｇ）前記ステップ（ｆ）によって生じた相互接続の不
    連続を検出するために相互接続に電流を与えるステップ
    とを含む、方法。