JPH0244187B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0244187B2 JPH0244187B2 JP57229686A JP22968682A JPH0244187B2 JP H0244187 B2 JPH0244187 B2 JP H0244187B2 JP 57229686 A JP57229686 A JP 57229686A JP 22968682 A JP22968682 A JP 22968682A JP H0244187 B2 JPH0244187 B2 JP H0244187B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transfer
- charge
- section
- state imaging
- solid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明は固体撮像装置に係り、特に並列入力部
と電荷転送部を結ぶ移送通路の電荷移送効率の良
好なハイブリツド型の固体撮像装置に関する。
と電荷転送部を結ぶ移送通路の電荷移送効率の良
好なハイブリツド型の固体撮像装置に関する。
(b) 技術の背景
近年固体撮像装置は著しい発達を遂げるに至つ
たが、これに伴つてアレイ状に配列された光電変
換素子（受光素子）からの信号をパラレルイン・
シリアルアウト型のシフトレジスタで読み出す技
術が実用の段階に達して来ている。
たが、これに伴つてアレイ状に配列された光電変
換素子（受光素子）からの信号をパラレルイン・
シリアルアウト型のシフトレジスタで読み出す技
術が実用の段階に達して来ている。
(c) 従来技術と問題点
第１図は従来の固体撮像装置の構造を示す平面
図であり、第１の半導体基板１上にアレイ状に配
列された受光素子２により光電変換に基づいて生
じた電荷は例えば第２の半導体基板すなわちシリ
コンSi基板３上に作られた入力ダイオード１１中
へいつせいに流入する。これらの電荷はそれぞれ
蓄積ゲートSG直下に蓄えられた後に移送ゲート
TG直下のチヤンネルが開けば、矢印イで示した
ようにCCD１２の各単位ピツト中の１転送電極
７の直下に並列に入力される。このように並列入
力された電荷はCCD１２の長手方向に例えば矢
印ロで示したように転送された後、図示しない出
力ダイオードから時系列信号として読み出され
る。ちなみに斜線１０の部分は電荷堰であり、
４，５，６はCCD１２を構成する他の転送電極、
φ1〜φ4はCCD１２の駆動パルスである。その他
にこの第１図では便宜上、受光素子列の部分を光
電変換部２１と、また入力ダイオード例と蓄積電
極および移送電極からなる部分を電荷並列入力部
２２と、そしてさらにCCD１２の部分を電荷転
送部２３とを示してある。
図であり、第１の半導体基板１上にアレイ状に配
列された受光素子２により光電変換に基づいて生
じた電荷は例えば第２の半導体基板すなわちシリ
コンSi基板３上に作られた入力ダイオード１１中
へいつせいに流入する。これらの電荷はそれぞれ
蓄積ゲートSG直下に蓄えられた後に移送ゲート
TG直下のチヤンネルが開けば、矢印イで示した
ようにCCD１２の各単位ピツト中の１転送電極
７の直下に並列に入力される。このように並列入
力された電荷はCCD１２の長手方向に例えば矢
印ロで示したように転送された後、図示しない出
力ダイオードから時系列信号として読み出され
る。ちなみに斜線１０の部分は電荷堰であり、
４，５，６はCCD１２を構成する他の転送電極、
φ1〜φ4はCCD１２の駆動パルスである。その他
にこの第１図では便宜上、受光素子列の部分を光
電変換部２１と、また入力ダイオード例と蓄積電
極および移送電極からなる部分を電荷並列入力部
２２と、そしてさらにCCD１２の部分を電荷転
送部２３とを示してある。
ところがこのような固体撮像装置では上記のよ
うに１つの転送電極直下にのみ電荷が入力される
構造となつているために電荷移送通路が転送電極
の幅ｄしなく、実質的に狭い移送通路となつて、
それゆえに並列入力部２２から電荷転送部２３へ
の電荷の転送効率が悪く、したがつて電荷は部分
的に並列入力部２２にとり残されることがあつ
た。こうしたことが起こると結局は撮像画像の解
像度が著しく低下してしまうことになる。
うに１つの転送電極直下にのみ電荷が入力される
構造となつているために電荷移送通路が転送電極
の幅ｄしなく、実質的に狭い移送通路となつて、
それゆえに並列入力部２２から電荷転送部２３へ
の電荷の転送効率が悪く、したがつて電荷は部分
的に並列入力部２２にとり残されることがあつ
た。こうしたことが起こると結局は撮像画像の解
像度が著しく低下してしまうことになる。
(d) 発明の目的
本発明は上記従来の欠点に鑑みてなされたもの
で、再生画像の解像度が劣化しない固体撮像装置
の提供を目的とする。
で、再生画像の解像度が劣化しない固体撮像装置
の提供を目的とする。
(e) 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、第１の半導
体基板上に複数の受光素子からなる光電変換部を
有し、かつ第２の半導体基板上に前記光電変換部
と接続された転送部電極ゲートを含む電荷並列入
力部と電荷転送部とを備えてなるハイブリツド構
成の固体撮像装置において、 前記電荷並列入力部と電荷転送部との間を結ぶ
各受光素子対応の電荷移送通路を、前記電荷転送
部を形成するCCDの単位ビツトの中の少なくと
も１個の転送部電極で隔てられた２個以上の転送
電極に対応して設け、前記転送電極が開状態のと
き一旦前記２個以上の転送部電極下に電荷を移送
してから転送する構成としたことを特徴とする固
体撮像装置によつて達成される。
体基板上に複数の受光素子からなる光電変換部を
有し、かつ第２の半導体基板上に前記光電変換部
と接続された転送部電極ゲートを含む電荷並列入
力部と電荷転送部とを備えてなるハイブリツド構
成の固体撮像装置において、 前記電荷並列入力部と電荷転送部との間を結ぶ
各受光素子対応の電荷移送通路を、前記電荷転送
部を形成するCCDの単位ビツトの中の少なくと
も１個の転送部電極で隔てられた２個以上の転送
電極に対応して設け、前記転送電極が開状態のと
き一旦前記２個以上の転送部電極下に電荷を移送
してから転送する構成としたことを特徴とする固
体撮像装置によつて達成される。
(f) 発明の実施例
本願出願人は特願昭56−121221号（特開昭58−
21980号公報）において、ハイブリツド型でない
固体撮像装置における同様の問題点を解決するた
めに、類似の発明をすでに提案しており、本願発
明はハイブリツド型の固体撮像装置を対象とする
ものである。
21980号公報）において、ハイブリツド型でない
固体撮像装置における同様の問題点を解決するた
めに、類似の発明をすでに提案しており、本願発
明はハイブリツド型の固体撮像装置を対象とする
ものである。
以下本発明の実施例を図面によつて詳述する。
第２図は本発明による固体撮像装置の構造を示
す平面図であるが、前記第１図と同等部位には同
一符号を付してある。この第２図から容易に理解
されるように、本発明の固体撮像装置では電荷並
列入力部２２と電荷転送部２３の間の電荷移送通
路はCCDの転送電極の単位ビツトに対応してＤ
なる広さ（第２図では３電極分の幅）となされて
おり、これは電荷蓄積部１４の間口とほとんど変
るところがない。
す平面図であるが、前記第１図と同等部位には同
一符号を付してある。この第２図から容易に理解
されるように、本発明の固体撮像装置では電荷並
列入力部２２と電荷転送部２３の間の電荷移送通
路はCCDの転送電極の単位ビツトに対応してＤ
なる広さ（第２図では３電極分の幅）となされて
おり、これは電荷蓄積部１４の間口とほとんど変
るところがない。
したがつて蓄積ゲートSG直下の電荷堰１０で
囲まれた部分すなわち電荷蓄積部１４に蓄えられ
た電荷は、移送ゲートTGを開き、同時に駆動パ
ルスφ1をロールとし、Φ2，Φ3，Φ4をハイとした
時には、残らず電荷転送部２３の単位ビツト中に
移しかえ得ることになり、電荷蓄積部１４中にと
り残される電荷はほとんどなくなる。このために
この固体撮像装置で写し取られた像信号を再生し
て見た場合には、その撮像画像の解像度の劣化は
ほとんど起こらないことになる。
囲まれた部分すなわち電荷蓄積部１４に蓄えられ
た電荷は、移送ゲートTGを開き、同時に駆動パ
ルスφ1をロールとし、Φ2，Φ3，Φ4をハイとした
時には、残らず電荷転送部２３の単位ビツト中に
移しかえ得ることになり、電荷蓄積部１４中にと
り残される電荷はほとんどなくなる。このために
この固体撮像装置で写し取られた像信号を再生し
て見た場合には、その撮像画像の解像度の劣化は
ほとんど起こらないことになる。
(g) 発明の効果
以上、詳細に説明したように、本発明の固体撮
像装置を用いると良質の撮像画像が得られるため
に、実用上多大の効果が期待できる。
像装置を用いると良質の撮像画像が得られるため
に、実用上多大の効果が期待できる。
第１図は従来の固体撮像装置の構造を示す平面
図、第２図は本発明に係る固体撮像装置の構造を
示す平面図である。 図面において、１は多元半導体基板、２は受光
素子、３はシリコン基板、４〜７はCCD１２の
転送部電極、１０は電荷堰をそれぞれ示す。
図、第２図は本発明に係る固体撮像装置の構造を
示す平面図である。 図面において、１は多元半導体基板、２は受光
素子、３はシリコン基板、４〜７はCCD１２の
転送部電極、１０は電荷堰をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第１の半導体基板１上に複数の受光素子から
なる光電変換部２１を有し、かつ第２の半導体基
板３上に前記光電変換部と接続された転送ゲート
TGを含む電荷並列入力部２２と電荷転送部２３
とを備えてなるハイブリツド構成の固体撮像装置
において、 前記電荷並列入力部２２と電荷転送部２３との
間を結ぶ各受光素子対応の電荷移送通路を、前記
電荷転送部を形成するCCD１２の単位ビツトの
中の少なくとも１個の転送電極で隔てられた２個
以上の転送電極に対応して設け、前記転送ゲート
TGが開状態のとき一旦前記２個以上の転送電極
下に電荷を移送してから転送する構成としたこと
を特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57229686A JPS59123372A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57229686A JPS59123372A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59123372A JPS59123372A (ja) | 1984-07-17 |
| JPH0244187B2 true JPH0244187B2 (ja) | 1990-10-03 |
Family
ID=16896103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57229686A Granted JPS59123372A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59123372A (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5820504B2 (ja) * | 1975-08-01 | 1983-04-23 | 日本電気株式会社 | コタイサツゾウソウチ |
| JPS5232693A (en) * | 1975-09-08 | 1977-03-12 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS6043031B2 (ja) * | 1978-10-26 | 1985-09-26 | 富士通株式会社 | 赤外線検知装置 |
| JPS55121780A (en) * | 1979-03-14 | 1980-09-19 | Nec Corp | Solid state pickup device |
-
1982
- 1982-12-29 JP JP57229686A patent/JPS59123372A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59123372A (ja) | 1984-07-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3814846A (en) | High density photodetection array | |
| JPH0575783A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP3102557B2 (ja) | 固体撮像素子およびその駆動方法 | |
| US4862487A (en) | Solid-state imaging device | |
| JPH0645576A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH06151803A (ja) | 正常像及び鏡像のための固体撮像素子 | |
| JP3155877B2 (ja) | 固体撮像装置及びその電荷転送方法 | |
| JPS60134675A (ja) | 固体撮像デバイスおよびその製造方法 | |
| JPH0521773A (ja) | Ｃｃｄ撮像素子 | |
| JPH0377669B2 (ja) | ||
| JPS6329872B2 (ja) | ||
| JP3241828B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0666346B2 (ja) | 電荷結合素子およびその駆動方法 | |
| JP2699895B2 (ja) | イメージセンサの駆動方法 | |
| JP4269701B2 (ja) | 固体撮像装置の駆動方法 | |
| JPH0748828B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH05244340A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS59123372A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH06268923A (ja) | 固体撮像装置の駆動方法 | |
| JPH05300435A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS6281184A (ja) | 固体撮像装置の駆動方法 | |
| US7440018B2 (en) | Driving method of solid-state imaging apparatus and solid-state imaging apparatus | |
| JP2987844B2 (ja) | 固体撮像装置及びその駆動方法 | |
| JPH10214957A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2002198509A (ja) | 固体撮像装置及び固体撮像装置におけるラインセンサ |