JPH0245372B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0245372B2
JPH0245372B2 JP55078088A JP7808880A JPH0245372B2 JP H0245372 B2 JPH0245372 B2 JP H0245372B2 JP 55078088 A JP55078088 A JP 55078088A JP 7808880 A JP7808880 A JP 7808880A JP H0245372 B2 JPH0245372 B2 JP H0245372B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
capacitor
transistor
signal
transistors
charge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP55078088A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS573296A (en
Inventor
Takahisa Tsucha
Mitsuo Soneda
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP7808880A priority Critical patent/JPS573296A/en
Publication of JPS573296A publication Critical patent/JPS573296A/en
Publication of JPH0245372B2 publication Critical patent/JPH0245372B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/18—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages
    • G11C19/182—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages in combination with semiconductor elements, e.g. bipolar transistors, diodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Filters That Use Time-Delay Elements (AREA)
  • Networks Using Active Elements (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電荷転送素子(CTD)、例えばBBD
の出力回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a charge transfer device (CTD), such as a BBD.
The present invention relates to an output circuit.

BBDは一般に第1図に示すように構成される。
図において、入力端子1がnpn形のトランジスタ
2のベースに接続され、このトランジスタ2のエ
ミツタが定電流源3を通じて接地され、コレクタ
が電源端子4に接続される。このトランジスタ2
のエミツタが逆方向のダイオード5を通じてコン
デンサC0の一端に接続され、このコンデンサC0
を通じてクロツク端子6に接続される。またコン
デンサC0の一端がnpn形トランジスタQ1のエミツ
タに接続され、このトランジスタQ1のコレクタ
が次段のnpn形のトランジスタQ2のエミツタに接
続され、以下同様にnpn形のトランジスタQ2,Q3
……のコレクタとエミツタが順次接続され、終段
のトランジスタのコレクタが電源端子4に接続さ
れる。これらのトランジスタQ1,Q2……のコレ
クタとベースとの間にそれぞれコンデンサC1,
C2……が接続される。なおコンデンサC1,C2…
…の容量値は全てコンデンサC0に等しく、Cと
する。さらにサフイツクスが奇数のトランジスタ
Q1,Q3……のベースがクロツク端子7を通じて
クロツク信号発生回路8に接続され、サフイツク
スが偶数のトランジスタQ2,Q4……のベースが
クロツク端子6を通じて発生回路8に接続され
る。
The BBD is generally configured as shown in FIG.
In the figure, an input terminal 1 is connected to the base of an npn type transistor 2, the emitter of this transistor 2 is grounded through a constant current source 3, and the collector is connected to a power supply terminal 4. This transistor 2
The emitter of the capacitor C 0 is connected to one end of the capacitor C 0 through the reverse diode 5.
It is connected to the clock terminal 6 through. Also, one end of the capacitor C 0 is connected to the emitter of an npn transistor Q 1 , the collector of this transistor Q 1 is connected to the emitter of the next stage npn transistor Q 2 , and so on. Q 3
The collector and emitter of . . . are connected in sequence, and the collector of the final stage transistor is connected to the power supply terminal 4. Capacitors C 1 and C 1 are connected between the collector and base of these transistors Q 1 , Q 2 , respectively.
C 2 ... is connected. Note that capacitors C 1 , C 2 …
The capacitance values of ... are all equal to the capacitor C 0 and are set as C. In addition, the suffix is an odd number of transistors.
The bases of Q 1 , Q 3 , . . . are connected to the clock signal generation circuit 8 through the clock terminal 7, and the bases of the transistors Q 2 , Q 4 .

そしてクロツク端子6,7には、それぞれ第2
図A,Bに示すように、VDCとVDC+VPの電位を
取り、デユーテイー比が50%で、互いに、逆極性
になるクロツク信号φ1,φ2が供給される。なお
電圧VPは、電源端子4に供給される電源電圧VCC
に対して、 VCC>VDC+2VP とされる。
The clock terminals 6 and 7 each have a second
As shown in Figures A and B, clock signals φ 1 and φ 2 are supplied which have potentials of V DC and V DC +V P , have a duty ratio of 50%, and have opposite polarities. Note that the voltage V P is the power supply voltage V CC supplied to the power supply terminal 4.
For that, V CC > V DC + 2V P.

さらに入力端子1に供給される。入力信号の電
圧VSがVDC+VP≦VS≦VDC+2VPの範囲とされる。
Furthermore, it is supplied to input terminal 1. The voltage V S of the input signal is in the range of V DC +V P ≦V S ≦V DC +2V P.

この装置において、初期状態では、コンデンサ
C0,C1……はすべて端子電圧がVPに充電されて
いる。また入力端子の電圧VSを直流成分VSDCと
交流成分VSACとに分けると、初期状態では交流成
分VSACのみ0になつている。
In this device, in the initial state, the capacitor
All terminal voltages of C 0 , C 1 , and so on are charged to V P . Furthermore, when the voltage V S at the input terminal is divided into a DC component V SDC and an AC component V SAC , only the AC component V SAC is 0 in the initial state.

従つて初期状態において、サフイツクスが偶数
のコンデンサC0,C2……のホツトエンド側は、
第2図Cに示すように、信号φ1がVDC+VPの期間
に、一旦VDC+2VPまで上がつた後にVSDCになり、
信号φ2がVDC+VPの期間に、一旦VSDC−VPまで下
がつた後にVDC+VPになる。またサフイツクスが
奇数のコンデンサC1,C3……のホツトエンド側
は、第2図Dに示すように、信号φ1がVDC+VPの
期間に、一旦VSDC−VPまで下がつた後にVDC+VP
になり、信号φ2がVDC+VPの期間に、一旦VDC+
2VPまで上がつた後にVSDCになる。
Therefore, in the initial state, the hot end side of capacitors C 0 , C 2 . . . with an even number of suffixes is
As shown in Figure 2C, during the period of V DC +V P , the signal φ 1 once rises to V DC +2V P and then becomes V SDC ,
During the period when the signal φ 2 is V DC +V P , it once drops to V SDC −V P and then becomes V DC +V P. In addition , as shown in Fig . 2D, the hot end side of capacitors C 1 , C 3 . V DC +V P
Then, during the period when the signal φ 2 is V DC +V P , it once becomes V DC +
After rising to 2V P , it becomes V SDC .

そして入力信号が供給された直後の最初の信号
φ1がVDC+VPの期間において、このときの入力信
号の電圧をVS=VS1とするとコンデンサC0のホツ
トエンド側の電位は一旦VDC+2VPまで上がつた
後にVS1になる。すなわちコンデンサC0は放電し
て、{VS1−(VDC+VP)}Cの電荷を蓄える。この
ときトランジスタQ1はオフなので、コンデンサ
C1,C2……には変化はない。
Then, during the period when the first signal φ 1 is V DC +V P immediately after the input signal is supplied, if the voltage of the input signal at this time is V S = V S1 , the potential on the hot end side of the capacitor C 0 is temporarily set to V DC After rising to +2V P , it becomes V S1 . That is, the capacitor C 0 is discharged and stores the charge of {V S1 −(V DC +V P )}C. At this time, transistor Q1 is off, so the capacitor
There is no change in C 1 , C 2 ....

次に、続く信号φ2がVDC+VPの期間において、
まず信号φ1の電位がVDCになるので、コンデンサ
C0のホツトエンド側の電位はVS1−(VDC+VP)+
VDC=VS1−VPになる。そしてトランジスタQ1が
オンするので、コンデンサC0のホツトエンド側
の電位は最終的にトランジスタQ1のベース電位
(VDC+VP)まで上昇する。このときトランジス
タQ1は能動領域で動作しているので、コンデン
サC0の充電は、端子7→コンデンサC1→トラン
ジスタQ1のコレクタ・エミツタ→コンデンサC0
の経路で行われる。そしてコンデンサC0のホツ
トエンド側の電位がVS1−VPからVDC+VPに変化
するので、コンデンサC1のホツトエンド側から
コンデンサC0のホツトエンド側への電荷の移動
は、 {(VDC+VP)−VS1 −VP)}C=(VDC+2VP−VS1)C で与えられる。これに対してコンデンサC1には
最初VP・Cの電荷が蓄えられていたので、コン
デンサC1の最終電荷量は、 VP・C−(VDC+2VP −VS1)C={VS1−(VDC+VP)}C となる。すなわち、信号φ1がVDC+VPの期間にコ
ンデンサC0がVS1−(VDC+VP)であつたものが、
信号φ2がVDC+VPの期間にコンデンサC1に移動
し、コンデンサC0はVDC+VPに戻る。なおトラン
ジスタQ2がオフであるので、コンデンサC2,C3
……には変化はない。
Next, during the period when the following signal φ 2 is V DC +V P ,
First, the potential of signal φ1 becomes V DC , so the capacitor
The potential on the hot end side of C0 is V S1 − (V DC + V P ) +
V DC =V S1 −V P. Then, since the transistor Q 1 is turned on, the potential on the hot end side of the capacitor C 0 eventually rises to the base potential (V DC +V P ) of the transistor Q 1 . At this time, transistor Q 1 is operating in the active region, so charging of capacitor C 0 is as follows: terminal 7 → capacitor C 1 → collector/emitter of transistor Q 1 → capacitor C 0
This is done through the following route. Then, the potential on the hot end side of capacitor C 0 changes from V S1 -V P to V DC +V P , so the transfer of charge from the hot end side of capacitor C 1 to the hot end side of capacitor C 0 is as follows: {(V DC +V P )−V S1 −V P )}C=(V DC +2V P −V S1 )C. On the other hand, since the capacitor C1 initially stored a charge of V P・C, the final charge amount of the capacitor C1 is V P・C−(V DC +2V P −V S1 )C={V S1 − (V DC +V P )}C. In other words, if the capacitor C 0 was at V S1 − (V DC + V P ) during the period when the signal φ 1 was at V DC + V P ,
Signal φ 2 moves to capacitor C 1 during V DC +V P , and capacitor C 0 returns to V DC +V P. Note that since transistor Q 2 is off, capacitors C 2 and C 3
There is no change in...

さらに、次の信号φ1がVDC+VPの期間におい
て、入力信号の電圧がVS=VS2とすると、コンデ
ンサC0はVS2−(VDC+VP)に充電され、コンデン
サC1はVDC+VPに戻され、コンデンサC2はVS1−
(VDC+VP)に充電される。なおトランジスタQ3
がオフなのでコンデンサC3以降は変化しない。
Furthermore, in the period when the next signal φ 1 is V DC +V P , if the input signal voltage is V S = V S2 , capacitor C 0 is charged to V S2 − (V DC + V P ), and capacitor C 1 is charged to V S2 − (V DC + V P ). V DC +V P and capacitor C 2 is returned to V S1 −
It is charged to (V DC +V P ). Note that transistor Q 3
Since is off, capacitor C3 and subsequent capacitors do not change.

以上の動作がくり返されて、信号は図面の左か
ら右へと、信号φ1,φ2に同期して移動される。
The above operation is repeated, and the signal is moved from left to right in the drawing in synchronization with the signals φ 1 and φ 2 .

このような装置において、例えば伝達関数H(z) H(z)=0.5Z-1−0.5Z-2 但し、Z-1=e-s〓 s=jω=j2πf fは入力信号の周波数 τ=1/fc fcはクロツク周波数 の、いわゆるくし形特性を有する非巡回形トラン
スバーサルフイルタを構成する場合に、本願出願
人は先に次のような回路を提案した。
In such a device, for example, the transfer function H (z) H (z) = 0.5Z -1 −0.5Z -2 However, Z -1 = e -s 〓 s = jω = j2πf f is the frequency of the input signal τ = When 1/f c f c constitutes an acyclic transversal filter having a so-called comb-shaped characteristic of the clock frequency, the applicant of the present application previously proposed the following circuit.

すなわち、第3図において、コンデンサCo、
Co+3(nは偶数)が分割され、それぞれCo′、
Co″、Co+3′、Co+3″とされると共に、これらの容
量値が0.5Cとされる。これらの分割された他方の
コンデンサCo″のコールドエンド側が端子6に接
続され、他方のコンデンサCo+3″のコールドエン
ド側が端子7に接続される。
That is, in FIG. 3, capacitor C o ,
C o+3 (n is an even number) is divided into C o ′,
C o ″, C o+3 ′, and C o+3 ″, and their capacitance values are 0.5C. The cold end side of the other divided capacitor C o ″ is connected to the terminal 6 , and the cold end side of the other divided capacitor C o+3 ″ is connected to the terminal 7 .

またコンプリメンタリーなトランジスタ11,
12のエミツタが互いに接続され、この接続点が
コンデンサCo′のコールドエンド側に接続され
る。さらにトランジスタ11,12のベースが互
いに接続され、この接続点が端子6′を通じて発
生回路8に接続される。この発生回路8からは信
号φ1と同位相で、VDC−VBEとVDC+VP+VBE(但
しVBEはトランジスタのベース・エミツタ間電
圧)の電位を取る信号φ1′が端子6′を通じて供給
される。そしてnpn形のトランジスタ11のコレ
クタが、電源端子4に接続され、pnp形トランジ
スタ12のコレクタが、カレントミラー回路M1
を構成する入力側のnpn形のトランジスタ13の
コレクタ及びベースに接続され、トランジスタ1
3のエミツタが接地される。このカレントミラー
回路M1を構成する出力側のnpn形のトランジス
タ14のベースがトランジスタ13のベースに接
続され、トランジスタ14のエミツタが接地され
る。
Also, complementary transistor 11,
The twelve emitters are connected together and this connection point is connected to the cold end of the capacitor C o '. Further, the bases of transistors 11 and 12 are connected to each other, and this connection point is connected to generation circuit 8 through terminal 6'. From this generation circuit 8, a signal φ 1 ' which has the same phase as the signal φ 1 and takes the potentials of V DC −V BE and V DC +V P +V BE (where V BE is the voltage between the base and emitter of the transistor) is sent to the terminal 6 . ’. The collector of the npn transistor 11 is connected to the power supply terminal 4, and the collector of the pnp transistor 12 is connected to the current mirror circuit M1.
It is connected to the collector and base of the input side npn type transistor 13 that constitutes
No. 3 emitter is grounded. The base of an npn type transistor 14 on the output side constituting the current mirror circuit M1 is connected to the base of the transistor 13, and the emitter of the transistor 14 is grounded.

さらにコンプリメンタリーなトランジスタ1
5,16のエミツタが互いに接続され、この接続
点がコンデンサCo+3′のコールドエンド側に接続
される。またトランジスタ15,16のベースが
互いに接続され、この接続点が端子7′を通じて
発生回路8に接続される。この発生回路8からは
信号φ2と同位相で、VDC−VBEとVDC+VP+VBEの
電位を取る信号φ2′が供給される。そしてpnp形
のトランジスタ16のコレクタが接地され、npn
形のトランジスタ15のコレクタが、カレントミ
ラー回路M2を構成する入力側のpnp形のトラン
ジスタ17のコレクタ及びベースに接続され、ト
ランジスタ17のエミツタが電源端子4に接続さ
れる。このカレントミラー回路M2を構成する出
力側のpnp形のトランジスタ18のベースがトラ
ンジスタ17のベースに接続され、トランジスタ
18のエミツタが電源端子4に接続される。
More complementary transistor 1
The 5 and 16 emitters are connected to each other, and this connection point is connected to the cold end of the capacitor C o+3 '. Further, the bases of transistors 15 and 16 are connected to each other, and this connection point is connected to generation circuit 8 through terminal 7'. This generating circuit 8 supplies a signal φ 2 ' which has the same phase as the signal φ 2 and takes the potentials of V DC −V BE and V DC +V P +V BE . Then, the collector of the pnp transistor 16 is grounded, and the npn
The collector of the type transistor 15 is connected to the collector and base of a PNP type transistor 17 on the input side constituting the current mirror circuit M 2 , and the emitter of the transistor 17 is connected to the power supply terminal 4 . The base of the output side PNP type transistor 18 constituting the current mirror circuit M 2 is connected to the base of the transistor 17 , and the emitter of the transistor 18 is connected to the power supply terminal 4 .

また入力信号VSの直流成分VSDCがその入力端
子1bに供給される第2のBBD(BBDb)が設け
られる。そして上述のトランジスタ14,18の
コレクタが接続され、この接続点がBBDbを構成
するコンデンサCb1のホツトエンド側に接続され
る。
A second BBD (BBDb) is also provided to which the DC component V SDC of the input signal V S is supplied to its input terminal 1b. The collectors of the transistors 14 and 18 described above are connected, and this connection point is connected to the hot end side of the capacitor Cb1 constituting BBDb.

この回路において、入力信号が供給されていな
いときは、コンデンサは全ての端子電圧がVPに
なつている。
In this circuit, when no input signal is supplied, all terminal voltages of the capacitor are at V P.

これに対して入力信号が供給された直後の信号
φ1がVDC+VPの期間において、この期間に供給さ
れた信号の電圧をVS=VS1とすると、コンデンサ
C0の端子電圧はVPからVS1−(VDC+VP)に変化
される。さらに0.5τ後の信号φ2がVDC+VPの期間
にコンデンサC0の端子電圧はVS1−VPから(VDC
+VP)に変化される。
On the other hand, in the period when the signal φ 1 is V DC +V P immediately after the input signal is supplied, if the voltage of the signal supplied during this period is V S = V S1 , then the capacitor
The terminal voltage of C0 is changed from V P to V S1 − (V DC + V P ). Furthermore, after 0.5τ , the terminal voltage of capacitor C 0 changes from V S1 −V P to (V DC
+V P ).

そしてn+1/2τ後の信号φ2がVDC+VPの期間 において、コンデンサCn′,Cn″の端子電圧が共
にVS1−VPから(VDC+VP)に変化され、この間
にコンデンサCn′から 0.5C(VS1−VP)−0.5C(VDC+VP) =0.5C{(VDC+2VP)−VS1} の電荷がトランジスタ12のコレクタを通じて放
電される。
Then, during the period when the signal φ 2 after n+1/2τ is V DC +V P , the terminal voltages of both capacitors Cn' and Cn'' are changed from V S1 −V P to (V DC +V P ), and during this period, the terminal voltage of capacitors Cn' A charge of 0.5C (V S1 −V P ) −0.5 C (V DC +V P ) = 0.5 C {(V DC +2V P )−V S1 } is discharged through the collector of the transistor 12 .

さらにn+3/2τ後の信号φ2がVDC+VPの期間 に、コンデンサCo+3′が放電され、このときの放
電電荷は、 0.5CVP−0.5C{VS1−(VDC+VP)} =0.5C{(VDC+2VP)−VS1} となり、この電荷がトランジスタ15のコレクタ
を通じて放電される。
Furthermore, during the period when the signal φ 2 is V DC +V P after n+3/2τ, the capacitor C o+3 ' is discharged, and the discharged charge at this time is 0.5CV P −0.5C{V S1 −(V DC +V P )}=0.5C{(V DC +2V P )−V S1 }, and this charge is discharged through the collector of the transistor 15.

そしてこれらの放電電荷がそれぞれカレントミ
ラー回路M1,M2で反転されてコンデンサCb1か
ら抽出、注入され、これによつてコンデンサ
Cn′,Cn″のホツトエンド側(タツプT1)からコ
ンデンサCb2のホツトエンド側(タツプT2)まで
の伝達関数H(z)は H(z)=0.5Z-1−0.5Z-2 になる。
These discharged charges are inverted by current mirror circuits M 1 and M 2 respectively, extracted and injected from capacitor Cb 1 , and thereby
The transfer function H (z) from the hot end side (tap T 1 ) of Cn', Cn'' to the hot end side (tap T 2 ) of capacitor Cb 2 is H ( z) = 0.5Z -1 -0.5Z -2. .

ところがこの回路において、信号を取り出す部
分にそれぞれコンプリメンタリーなトランジスタ
11,12,15,16を設けているので、素子
数が増加すると共に消費電力も大きくなる。これ
は特に回路をIC化する場合において問題であつ
た。
However, in this circuit, since complementary transistors 11, 12, 15, and 16 are provided in the signal extraction portions, the number of elements increases and power consumption also increases. This was a problem especially when converting the circuit into an IC.

本発明はこのような点にかんがみ、簡単な構成
で複数の出力信号が得られるようにしたものであ
る。以下図面を参照しながら本発明の一実施例に
ついて説明しよう。
In view of these points, the present invention is designed to enable a plurality of output signals to be obtained with a simple configuration. An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第4図において、コンデンサCn′のコールドエ
ンド側がコンプリメンタリーなトランジスタ2
1,22のエミツタに接続される。このトランジ
スタ21,22のベースが端子6′に接続される。
そしてnpn形のトランジスタ21のコレクタがカ
レントミラー回路M3を構成する入力側のpnp形
のトランジスタ23のコレクタ及びベースに接続
され、トランジスタ23のエミツタが電源端子4
に接続される。このカレントミラー回路M3を構
成する出力側のpnp形のトランジスタ24のベー
スがトランジスタ23のベースに接続され、トラ
ンジスタ24のエミツタが電源端子4に接続さ
れ、コレクタがコンデンサCb0のホツトエンド側
に接続される。
In Figure 4, the cold end of capacitor Cn′ is complementary transistor 2.
Connected to emitters 1 and 22. The bases of these transistors 21 and 22 are connected to terminal 6'.
The collector of the npn type transistor 21 is connected to the collector and base of the input side pnp type transistor 23 constituting the current mirror circuit M3 , and the emitter of the transistor 23 is connected to the power supply terminal 4.
connected to. The base of the output side pnp type transistor 24 constituting this current mirror circuit M3 is connected to the base of the transistor 23, the emitter of the transistor 24 is connected to the power supply terminal 4, and the collector is connected to the hot end side of the capacitor Cb0 . be done.

さらにpnp形のトランジスタ22のコレクタが
カレントミラー回路M4を構成する入力側のnpn
形のトランジスタ25のコレクタ及びベースに接
続され、トランジスタ25のエミツタが接地され
る。このカレントミラー回路M4を構成する出力
側のnpn形のトランジスタ26のベースがトラン
ジスタ25のベースに接続され、トランジスタ2
6のエミツタが接地され、コレクタがコンデンサ
Cb3のホツトエンド側に接続される。
Furthermore, the collector of the pnp transistor 22 is the npn on the input side that constitutes the current mirror circuit M4 .
The emitter of the transistor 25 is grounded. The base of the output side npn type transistor 26 constituting this current mirror circuit M4 is connected to the base of the transistor 25, and the transistor 2
The emitter of 6 is grounded and the collector is a capacitor.
Connected to the hot end side of Cb 3 .

この回路において、入力信号が供給されてから
n/2τ後の信号φ1がVDC+VPの期間に、コンデン サCn′,Cn″の端子電圧がVPからVS1−(VDC+VP)
に変化され、この間にコンデンサCn′から 0.5C{VDC+2VP)−VS1} の電荷がトランジスタ21のコレクタを通じて放
電される。この電荷がカレントミラー回路M3で
反転され、コンデンサCb0に注入される。
In this circuit, the terminal voltage of capacitors Cn' and Cn'' changes from V P to V S1 - (V DC + V P ) during the period when the signal φ 1 is V DC + V P after n/2τ after the input signal is supplied .
During this time, a charge of 0.5C {V DC +2V P )-V S1 } is discharged from the capacitor Cn' through the collector of the transistor 21. This charge is inverted by current mirror circuit M3 and injected into capacitor Cb0 .

また入力信号が供給されてからn+1/2τ後の 信号φ2がVDC+VPの期間に、コンデンサCn′,
Cn″の端子電圧がVS1−VPからVDC+VPに変化さ
れ、この間にコンデンサCn′から 0.5C{(VDC+2VP)−VS1} の電荷がトランジスタ22のコレクタを通じて放
電される。この電荷がカレントミラー回路M4で
反転され、コンデンサCb3から抽出される。
Also, during the period when the signal φ 2 after n+1/2τ after the input signal is supplied is V DC +V P , the capacitor Cn′,
The terminal voltage of Cn'' is changed from V S1 −V P to V DC +V P , and during this time, a charge of 0.5C {(V DC +2V P )−V S1 } is discharged from the capacitor Cn′ through the collector of the transistor 22. .This charge is inverted by current mirror circuit M4 and extracted from capacitor Cb3 .

そしてこの回路において、コンデンサCb3から
信号VS1に関連した信号が抽出される時点に、コ
ンデンサCb0に注入された信号はコンデンサCb1
に転送されており、さらに1τ後にコンデンサCb3
に転送される。すなわちコンデンサCb3には、コ
ンデンサCb0に注入された信号が、コンデンサ
Cb3から抽出された信号より1τ遅延されて転送さ
れる。
And in this circuit, at the time when the signal related to the signal V S1 is extracted from the capacitor Cb 3 , the signal injected into the capacitor Cb 0 is transferred to the capacitor Cb 1
and after another 1τ the capacitor Cb 3
will be forwarded to. In other words, the signal injected into capacitor Cb 0 is transferred to capacitor Cb 3 .
It is transmitted with a delay of 1τ from the signal extracted from Cb 3 .

従つてこの回路において、タツプT1からコン
デンサCb4のホツトエンド側(タツプT2′)まで
の伝達関数H(z)は H(z)=0.5Z-1−.5Z-2 となり、上述と同様のくし形特性のフイルタが形
成される。
Therefore, in this circuit, the transfer function H (z) from tap T 1 to the hot end side (tap T 2 ') of capacitor Cb 4 is H (z) = 0.5Z -1 -. 5Z -2 , and a filter with the same comb-shaped characteristics as described above is formed.

こうしてBBDから出力が取り出されるわけで
あるが、本発明によれば一対のコンプリメンタリ
ーなトランジスタ21,22から2つの出力信号
を取り出しているでで、素子数が削減され、消費
電力も小さくなる。
In this way, the output is taken out from the BBD, and according to the present invention, two output signals are taken out from the pair of complementary transistors 21 and 22, which reduces the number of elements and reduces power consumption.

特に本発明は、大規模なフイルタ装置を形成す
る場合に、コンプリメンタリーなトランジスタの
数が半減し、消費電力も大幅に減少させることが
でき、回路をIC化する場合において有効である。
In particular, the present invention can reduce the number of complementary transistors by half when forming a large-scale filter device, and can significantly reduce power consumption, which is effective when converting the circuit into an IC.

さらに第5図は、本発明を一般的な非巡回形の
トランスバーサルフイルタに適用した場合であ
る。
Furthermore, FIG. 5 shows a case where the present invention is applied to a general acyclic transversal filter.

図において、コンデンサCo+1のコールドエンド
側が端子7から切り離され、このコンデンサCo+1
のコールドエンド側がトランジスタ21,22の
エミツタに接続され、トランジスタ21,22の
ベースが端子7′に接続される。
In the figure, the cold end of capacitor C o+1 is disconnected from terminal 7, and this capacitor C o+1
The cold end sides of the transistors 21 and 22 are connected to the emitters of the transistors 21 and 22, and the bases of the transistors 21 and 22 are connected to the terminal 7'.

それと共に、カレントミラー回路M3のトラン
ジスタ23のエミツタに抵抗値RXの抵抗器27
が設けられる。またカレントミラー回路M3の出
力側のトランジスタが2個〔241,245〕設け
られ、これらのトランジスタ241,245のベー
スがトランジスタ23のベースに接続される。さ
らにこれらのトランジスタ241,245のエミツ
タにそれぞれ抵抗値R1,R5の抵抗器281,28
5が設けられる。そしてこれらのトランジスタ2
41,245のコレクタがそれぞれコンデンサCb1,
Cb5のホツトエンド側に接続される。
At the same time, a resistor 27 with a resistance value RX is connected to the emitter of the transistor 23 of the current mirror circuit M3 .
will be provided. Further, two transistors [24 1 , 24 5 ] are provided on the output side of the current mirror circuit M 3 , and the bases of these transistors 24 1 , 24 5 are connected to the base of the transistor 23 . Furthermore, resistors 28 1 and 28 with resistance values R 1 and R 5 are connected to the emitters of these transistors 24 1 and 24 5 , respectively.
5 is provided. and these transistors 2
The collectors of 4 1 and 24 5 are capacitors Cb 1 and 24 5 , respectively.
Connected to the hot end side of Cb 5 .

またカレントミラー回路M4のトランジスタ2
5のエミツタに抵抗値RYの抵抗器29が設けら
れる。またカレントミラー回路M4の出力側のト
ランジスタが2個〔264,268〕設けられ、こ
れらのトランジスタ264,268のベースがトラ
ンジスタ25のベースに接続される。さらにこれ
らのトランジスタ264,268のエミツタにそれ
ぞれ抵抗値R4,R8の抵抗器304,308が設け
られる。そしてこれらのトランジスタ264,2
68のコレクタがそれぞれコンデンサCb4,Cb8の
ホツトエンド側に接続される。
Also, transistor 2 of current mirror circuit M4
A resistor 29 having a resistance value R Y is provided at the emitter 5. Further, two transistors [26 4 , 26 8 ] are provided on the output side of the current mirror circuit M 4 , and the bases of these transistors 26 4 and 26 8 are connected to the base of the transistor 25 . Furthermore, resistors 30 4 and 30 8 having resistance values R 4 and R 8 are provided at the emitters of these transistors 26 4 and 26 8 , respectively. And these transistors 26 4 , 2
The collectors of 6 and 8 are connected to the hot end sides of capacitors Cb 4 and Cb 8 , respectively.

さらにコンデンサCb0のコールドエンド側が端
子6から切り離され、このコンデンサCb0のコー
ルドエンド側がコンプリメンタリーなトランジス
タ31,32のエミツタに接続され、トランジス
タ31,32のベースが端子6′に接続される。
Further, the cold end side of the capacitor Cb 0 is disconnected from the terminal 6, the cold end side of the capacitor Cb 0 is connected to the emitters of complementary transistors 31 and 32, and the bases of the transistors 31 and 32 are connected to the terminal 6'.

そしてpnp形のトランジスタ32のコレクタが
カレントミラー回路M6を構成する入力側のトラ
ンジスタ35のコレクタ及びベースに接続され、
このトランジスタ35のエミツタが抵抗値RX′の
抵抗器39を通じて接地される。このカレントミ
ラー回路M6の出力側のトランジスタが2個〔3
61,365〕設けられ、これらのトランジスタ3
61,365のベースがトランジスタ35のベース
に接続される。さらにこれらのトランジスタ36
1,365のエミツタがそれぞれ抵抗値R1′,R5′の
抵抗器401,405を通じて接地される。ここ
で、 RX′/R1′=RX/R1、RX′/R5′=RX/R5 とする。そしてこれらのトランジスタ361,3
65のコレクタがそれぞれコンデンサCb1,Cb5の
ホツトエンド側に接続される。
The collector of the pnp type transistor 32 is connected to the collector and base of the input side transistor 35 constituting the current mirror circuit M6 .
The emitter of this transistor 35 is grounded through a resistor 39 having a resistance value R X '. There are two transistors on the output side of this current mirror circuit M6 [3
6 1 , 36 5 ] are provided, and these transistors 3
The bases of 6 1 and 36 5 are connected to the base of transistor 35 . Furthermore, these transistors 36
The emitters 1 and 365 are grounded through resistors 401 and 405 having resistance values R1 ' and R5 ', respectively. Here, it is assumed that R X ′/R 1 ′=R X /R 1 and R X ′/R 5 ′=R X /R 5 . And these transistors 36 1 , 3
The collectors of 6 5 are connected to the hot end sides of capacitors Cb 1 and Cb 5 , respectively.

さらに、npn形のトランジスタ31のコレクタ
がカレントミラー回路M5を構成する入力側のト
ランジスタ33のコレクタ及びベースに接続さ
れ、このトランジスタ33のエミツタが抵抗値
RY′の抵抗器37を通じて電源端子4に接続され
る。このカレントミラー回路M5の出力側のトラ
ンジスタが2個〔344,348〕設けられ、これ
らのトランジスタ344,348のベースがトラン
ジスタ33のベースに接続される。さらにこれら
のトランジスタ344,348のエミツタがそれぞ
れ抵抗値R4′,R8′の抵抗器384,388を通じて
電源端子4に接続される。ここで RY′/R4′=RY/R4,RY′/R8′=RY/R8 とする。そしてこれらのトランジスタ344,3
48のコレクタがそれぞれコンデンサCb4,Cb8の
ホツトエンド側に接続される。
Further, the collector of the npn type transistor 31 is connected to the collector and base of the input side transistor 33 constituting the current mirror circuit M5 , and the emitter of this transistor 33 has a resistance value of
It is connected to the power supply terminal 4 through the resistor 37 of R Y '. Two transistors [34 4 , 34 8 ] are provided on the output side of the current mirror circuit M 5 , and the bases of these transistors 34 4 , 34 8 are connected to the base of the transistor 33 . Furthermore, the emitters of these transistors 34 4 and 34 8 are connected to the power supply terminal 4 through resistors 38 4 and 38 8 having resistance values R 4 ′ and R 8 ′, respectively. Here, it is assumed that R Y ′/R 4 ′=R Y /R 4 and R Y ′/R 8 ′=R Y /R 8 . And these transistors 34 4 , 3
The collectors of 4 and 8 are connected to the hot end sides of capacitors Cb 4 and Cb 8 , respectively.

この回路において、任意の信号φ2がVDC+VPの
期間に、コンデンサCnの端子電圧VDC+2VPから
VSに変化すると、この間に (VDC+2VP−VS)C=X の電荷量Xがトランジスタ21のコレクタを流さ
れる。
In this circuit, any signal φ 2 changes from the terminal voltage of capacitor Cn V DC +2V P during the period of V DC +V P.
When the voltage changes to V S , a charge amount X of (V DC +2V P -V S )C=X is passed through the collector of the transistor 21 during this period.

この電荷量Xはトランジスタ23及び抵抗器2
7を通じて流される。そしてトランジスタ23を
流れる電荷量Xの RX/R1(=a1),RX/R5(=a5) 倍の電荷がそれぞれトランジスタ241,245及
び抵抗器281,285を通じて流される。このた
め各コンデンサC1,C5にこれらの電荷が注入さ
れる。
This amount of charge X is the transistor 23 and resistor 2
7. Charges R X /R 1 (=a 1 ) and R X /R 5 (=a 5 ) times the amount of charge X flowing through the transistor 23 are then passed through the transistors 24 1 , 24 5 and the resistors 28 1 , 28 5 , respectively. be swept away. Therefore, these charges are injected into each capacitor C 1 and C 5 .

さらに続く信号φ1がVDC+VPの期間に、コンデ
ンサCnの端子電圧がVS−VPからVDC+VPに変化
すると、この間に (VDC+2VP−VS)C=X の電荷量Xがトランジスタ22のコレクタを流さ
れる。
When the terminal voltage of the capacitor Cn changes from V S −V P to V DC +V P during the period when the subsequent signal φ 1 is V DC +V P , the charge of (V DC +2V P −V S )C= X during this period A quantity X is passed through the collector of transistor 22.

この電荷量Xはトランジスタ25及び抵抗器2
9を通じて流される。そしてトランジスタ25を
流れる電荷量Xの RX/R4(=a4),RX/R8(=a8) 倍の電荷がそれぞれトランジスタ264,268及
び抵抗器304,308を通じて流される。このた
め各コンデンサC4,C8からこれらの電荷が抽出
される。
This amount of charge X is the transistor 25 and the resistor 2
It flows through 9. Charges R x /R 4 (=a 4 ) and R x /R 8 (=a 8 ) times the amount of charge X flowing through the transistor 25 flow through the transistors 26 4 and 26 8 and the resistors 30 4 and 30 8 , respectively. be swept away. Therefore, these charges are extracted from each capacitor C 4 and C 8 .

そしてこれらの注入、抽出されたことによる信
号が、クロツク信号φ1,φ2に同期して転送され、
トランジスタ21に信号VSが流れた時点を基準
にして、4τ後にコンデンサCb1に注入されたこと
による信号がコンデンサCb9に転送され、3τ後
にコンデンサCb4から抽出されたことによる信号
がコンデンサCb9に転送され、2τ後にコンデンサ
Cb5に注入されたことによる信号がコンデンサ
Cb9に転送され、1τ後にコンデンサCb8から抽出
されたことによる信号がコンデンサCb9に転送さ
れる。
The signals resulting from these injections and extractions are transferred in synchronization with the clock signals φ 1 and φ 2 ,
Based on the time when the signal V S flows through the transistor 21, the signal injected into the capacitor Cb 1 after 4τ is transferred to the capacitor Cb 9 , and the signal extracted from the capacitor Cb 4 after 3τ is transferred to the capacitor Cb. transferred to 9 and capacitor after 2τ
The signal caused by being injected into Cb5 is sent to the capacitor
Cb 9 , and after 1τ the signal extracted from capacitor Cb 8 is transferred to capacitor Cb 9 .

すなわちこの回路において、コンデンサCb9に
は、トランジスタ21を流れる信号を−a1,a4,
−a5,a8で重みづけし、それぞれ4τ遅延、3τ遅
延、2τ遅延、遅延した信号の合成信号が得られ、
これによつてコンデンサCn+1のホツトエンド側
(タツプT3)からコンデンサCb9のホツトエンド
側(タツプT4)までの伝達関数H(z)は H(z)=(a8−a5Z-1+a4Z-2 −a1Z-3)Z-1 となる。
That is, in this circuit, the signals flowing through the transistor 21 are connected to the capacitor Cb 9 at −a 1 , a 4 ,
Weighted by −a 5 and a 8 , a composite signal of 4τ delay, 3τ delay, 2τ delay, and delayed signals is obtained, respectively.
As a result, the transfer function H (z ) from the hot end side (tap T 3 ) of capacitor Cn +1 to the hot end side (tap T 4 ) of capacitor Cb 9 is H (z) = (a 8 − a 5 Z − 1 +a 4 Z -2 −a 1 Z -3 )Z -1 .

さらにBBDbにおいて、信号φ2がVDC+VPの期
間に、コンデンサCb0の端子電圧がVSDC−VPから
VDC+VPに変化すると、この間に (VDC+2VP−VSDC)C=XDC の電荷量XDCがトランジスタ32のコレクタを流
される。
Furthermore, at BBDb, during the period when signal φ 2 is V DC +V P , the terminal voltage of capacitor Cb 0 changes from V SDC −V P.
When the voltage changes to V DC +V P , the amount of charge X DC (V DC +2V P -V SDC )C=X DC is passed through the collector of the transistor 32 during this period.

この電荷量XDCはトランジスタ35及び抵抗器
39を通じて流される。そしてトランジスタ35
を流れる電荷量XDCの RX′/R1′(=a1),RX′/R5′(=a5) 倍の電荷がそれぞれトランジスタ361,365及
び抵抗器401,405を通じて流される。
This amount of charge X DC is passed through transistor 35 and resistor 39. and transistor 35
The charges flowing through the transistors 36 1 and 36 5 and the resistors 40 1 and 40 are R X ′ /R 1 ′ (=a 1 ), R Flowed through 5 .

このため各コンデンサCb1,Cb5からこれらの
電荷が抽出される。ここでこの抽出電荷は信号の
直流成分をa1,a5で重み付けしたものであつて、
上述のトランジスタ241,245からコンデンサ
Cb1,Cb5に注入される信号電荷の直流成分に一
致している。
Therefore, these charges are extracted from each capacitor Cb 1 and Cb 5 . Here, this extracted charge is the DC component of the signal weighted by a 1 and a 5 , and
From the above transistors 24 1 , 24 5 to the capacitor
This corresponds to the DC component of the signal charge injected into Cb 1 and Cb 5 .

また同様にして、信号φ1がVDC+VPの期間に、
コンデンサCb0の端子電圧がVDC+2VPからVSDCに
変化すると、この間に (VDC+2VP−VSDC)C=XDC の電荷量XDCがトランジスタ31のコレクタを流
される。
Similarly, during the period when the signal φ 1 is V DC +V P ,
When the terminal voltage of the capacitor Cb 0 changes from V DC +2V P to V SDC , the amount of charge X DC of (V DC +2V P -V SDC )C=X DC is passed through the collector of the transistor 31 during this period.

この電荷量XDCはトランジスタ33及び抵抗器
37を通じて流される。そしてトランジスタ33
を流れる電荷量XDCの RX′/R4′(=a4),RX′/R8′(=a8) 倍の電荷がそれぞれトランジスタ344,348及
び抵抗器384,388を通じて流される。
This amount of charge X DC is passed through the transistor 33 and the resistor 37. and transistor 33
The charges flowing through the transistors 34 4 , 34 8 and the resistors 38 4 , 38 are R Streamed through 8 .

このため各コンデンサCb4,Cb8からこれらの
電荷が抽出される。ここでこの抽出電荷は信号の
直流成分をa4,a8で重み付けしたものであつて、
上述のトランジスタ264,268にてコンデンサ
Cb4,Cb8から抽出される信号電荷の直流成分に
一致している。
Therefore, these charges are extracted from each capacitor Cb 4 and Cb 8 . Here, this extracted charge is the DC component of the signal weighted by a 4 and a 8 , and is
A capacitor is connected to the transistors 26 4 and 26 8 described above.
This corresponds to the DC component of the signal charge extracted from Cb 4 and Cb 8 .

従つてこの回路において、トランジスタ241,
245,264,268にて注入、抽出される信号
電荷の直流成分VSDCが相殺され、コンデンサCb1
〜Cb8には交流成分VSACのみが注入される。
Therefore, in this circuit, the transistors 24 1 ,
The DC component V SDC of the signal charge injected and extracted at 24 5 , 26 4 , 26 8 is canceled out, and the capacitor Cb 1
~Cb 8 is injected with only the AC component V SAC .

こうして非巡回形のトランスバーサルフイルタ
が形成されるわけであるが、本発明によれば、コ
ンプリメンタリーなトランジスタが2対でよく、
素子数が削減されると共に消費電力も小さくな
る。
In this way, an acyclic transversal filter is formed, and according to the present invention, only two pairs of complementary transistors are required.
The number of elements is reduced and power consumption is also reduced.

さらに第6図は巡回形トランスバーサルフイル
タを構成する場合である。図において、コンデン
サC8のコールドエンド側がトランジスタ21,
22のエミツタに接続され、このトランジスタ2
1,22のベースが端子6′に接続されると共に、
カレントミラー回路M3がトランジスタ242,2
46を通じてコンデンサC2,C6のホツトエンド側
に接続され、またカレントミラー回路M4のトラ
ンジスタ261,265を通じてコンデンサC1,C5
のホツトエンド側に接続される。またコンデンサ
Cb1のコールドエンド側がトランジスタ31,3
2のエミツタに接続され、このトランジスタ3
1,32のベースが端子7′に接続されると共に、
カレントミラー回路M6のトランジスタ362,3
66を通じてコンデンサC2,C6のホツトエンド側
に接続され、またカレントミラー回路M6のトラ
ンジスタ341,345を通じてコンデンサC1,C5
のホツトエンド側に接続される。他は第5図と同
等にされる。
Furthermore, FIG. 6 shows a case where a cyclic transversal filter is constructed. In the figure, the cold end side of capacitor C8 is transistor 21,
This transistor 2 is connected to the emitter of 22.
1 and 22 are connected to the terminal 6', and
Current mirror circuit M 3 is transistor 24 2 , 2
The capacitors C 1 and C 5 are connected through transistors 26 1 and 26 5 of the current mirror circuit M 4 to the hot end sides of the capacitors C 2 and C 6 through 4 6 .
connected to the hot end side of the Also capacitor
The cold end side of Cb 1 is transistor 31,3
This transistor 3 is connected to the emitter of 2.
1 and 32 are connected to terminal 7', and
Transistor 36 2 , 3 of current mirror circuit M 6
The capacitors C 1 and C 5 are connected to the hot end sides of the capacitors C 2 and C 6 through the transistors 34 1 and 34 5 of the current mirror circuit M 6 .
connected to the hot end side of the Others are the same as in FIG.

従つてこの回路において、コンデンサC8から
検出された電荷がカレントミラー回路M3,M4で
重み付けされ、この電荷がコンデンサC1,C2,
C5,C6に注入、抽出されると共に、各電荷の直
流成分がカレントミラー回路M5,M6から注入さ
れて、各コンデンサC1,C2,C5,C6には交流成
分のみが抽出注入される。
Therefore, in this circuit, the charges detected from the capacitor C 8 are weighted by the current mirror circuits M 3 , M 4 , and this charge is transferred to the capacitors C 1 , C 2 ,
At the same time, the DC component of each charge is injected from the current mirror circuit M 5 , M 6 , and only the AC component is injected into each capacitor C 1 , C 2 , C 5 , C 6 . is extracted and injected.

そしてこの回路において、コンデンサC0のホ
ツトエンド側からコンデンサC8のホツトエンド
側までの伝達関数H(z)は、RX/R1=RX′R1′=a1, RX′/R2=RX′/R2′=a2,RX/R5=RX′/R5′=a5,
RX/R6= RX′/R6′=a6として H(z)=Z-5/1+a6Z-1−a5Z-2+a2Z-3−a1Z-4 となる。なお他の作用効果は第5図と同等であ
る。
In this circuit, the transfer function H (z) from the hot end side of capacitor C 0 to the hot end side of capacitor C 8 is R X /R 1 = R X ′R 1 ′=a 1 , R X ′/R 2 =R X ′ / R 2 ′ = a 2 , R
Assuming that R X / R 6 = R _ _ _ _ _ _ . Note that the other functions and effects are the same as those shown in FIG.

なお本発明はBBDに限らずCCDにも適用でき
る。
Note that the present invention is applicable not only to BBD but also to CCD.

また本願の技術思想の核心はクロツクが供給さ
れるコンプリメンタリーなトランジスタから一対
の出力を得る点にあるので、この技術思想がトラ
ンスバーサルフイルタのみならず、遅延回路等の
電荷転送素子の出力回路にも適用できることは自
明である。
Furthermore, since the core of the technical idea of this application is to obtain a pair of outputs from complementary transistors to which a clock is supplied, this technical idea applies not only to transversal filters but also to output circuits of charge transfer elements such as delay circuits. It is obvious that this can also be applied.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図、第2図はBBDの説明のための図、第
3図は従来の装置の説明のための図、第4図は本
発明の一例の接続図、第5図、第6図は他の例の
構成図である。 1は入力端子、21,22はコンプリメンタリ
ーなトランジスタ、M3,M4はカレントミラー回
路である。
Figures 1 and 2 are diagrams for explaining the BBD, Figure 3 is a diagram for explaining the conventional device, Figure 4 is a connection diagram of an example of the present invention, and Figures 5 and 6 are diagrams for explaining the conventional device. It is a block diagram of another example. 1 is an input terminal, 21 and 22 are complementary transistors, and M 3 and M 4 are current mirror circuits.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 電荷転送素子のクロツク信号と同位相の信号
を相補的な一対の能動素子の制御端子に共通に供
給し、これらの一対の能動素子の被制御端子を互
いに接続し、この接続点を上記電荷転送素子の容
量のコールドエンド側に接続し、上記一対の能動
素子の出力電極よりそれぞれ出力電流を得るよう
にした電荷転送素子の出力回路。
1. A signal having the same phase as the clock signal of the charge transfer element is commonly supplied to the control terminals of a pair of complementary active elements, the controlled terminals of the pair of active elements are connected to each other, and this connection point is connected to the charge transfer element. An output circuit for a charge transfer element, which is connected to a cold end side of a capacitor of the transfer element, and obtains an output current from each of the output electrodes of the pair of active elements.
JP7808880A 1980-06-10 1980-06-10 Output circuit of charge transfer element Granted JPS573296A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7808880A JPS573296A (en) 1980-06-10 1980-06-10 Output circuit of charge transfer element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7808880A JPS573296A (en) 1980-06-10 1980-06-10 Output circuit of charge transfer element

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS573296A JPS573296A (en) 1982-01-08
JPH0245372B2 true JPH0245372B2 (en) 1990-10-09

Family

ID=13652085

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7808880A Granted JPS573296A (en) 1980-06-10 1980-06-10 Output circuit of charge transfer element

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS573296A (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0724891Y2 (en) * 1989-04-03 1995-06-05 積水化学工業株式会社 Wiring protection cover
JPH0497419U (en) * 1991-03-19 1992-08-24

Also Published As

Publication number Publication date
JPS573296A (en) 1982-01-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0822478B1 (en) Voltage converting circuit and multiphase clock generating circuit for driving the same
US5408422A (en) Multiplication circuit capable of directly multiplying digital data with analog data
JPS60254815A (en) Filter unit
US4124806A (en) Electronic device for the production of signals of an amplitude greater than the amplitude of a given periodic signal
JP3132064B2 (en) Switched capacitor circuit
JPS5922433A (en) Bias circuit for temperature compensation
JPS58131811A (en) Electric element simulator
US4331944A (en) Switched-capacitor resistor simulation circuits
JPS628046B2 (en)
EP0192652A1 (en) Frequency comparator circuits
JPS6359315B2 (en)
JPS6324328B2 (en)
JPS6322487B2 (en)
JPS6317248B2 (en)
US4513265A (en) 3-Phase switched capacitor circuit having an inductive characteristic
JPS63879B2 (en)
JPS6043594B2 (en) Charge transfer device output circuit
JPH0230204B2 (en)
JPS6043596B2 (en) Charge transfer device output circuit
JPS6346606B2 (en)
JPS63242018A (en) monostable multivibrator
JPS6221411B2 (en)
JPS63878B2 (en)
JPS6043595B2 (en) Charge transfer device output circuit
Maheshwari et al. Switched-Capacitor Phase Shifter Circuit with High Input Impedance and Grounded Capacitors