JPH0245449B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の属する分野］ 本発明は、核磁気共鳴（nuclear magnetic
resonance）（以下これを「NMR」と略称する。）
現像を利用して、被検体内における特定原子核分
布等を被検体外部より知るようにした核磁気共鳴
による検査方法及びその装置に関するものであ
り、特に、医療用装置に適するNMR画像装置の
改良に関する。

［従来技術］ まず初めに、NMRの原理についてその概略を
説明する。

原子核は、陽子と中性子とからなつており、こ
れらは全体として、核スピン角運動量→で回転し
ているとみなされる。

第１図は、水素の原子核¹Hを示したもので、
イに示すように１個の陽子ｐからなり、スピン量
子数1/2で表される回転をしている。ここで、陽
子ｐは、ロに示すように正の電荷e⁺を持つている
ので、原子核の回転に従い磁気モーメントμ→が生
じる。すなわち、一つ一つの水素の原子核は、そ
れぞれ一つ一つの小さな磁石とみなせる。

第２図は、この点を模式的に示した説明図で、
鉄のような強磁性体では、この微小磁石の方向が
イに示すように揃つており、全体として磁化が観
測される。これに対して、水素等の場合は、微小
磁石の方向（磁気モーメントの向き）はロに示す
ようにランダムであつて、全体として磁化はみら
れない。

ここで、この様な物質に、ｚ方向の静磁場H₀
を印加すると、各原子核がH₀の方向に揃う。す
なわち、核のエネルギー準位がｚ方向に量子化さ
れる。

第３図イは水素原子核についてこの様子を示し
たものである。水素原子核のスピン量子数は1/2
であるから、第３図ロに示すように、−1/2と＋1/
２の２つのエネルギー準位に分かれる。２つのエ
ネルギー準位間のエネルギー差ΔEは、(1)式で表
される。

ΔE＝γ〓H₀ …(1) ただし、γは磁気回転比 〓＝ｈ／2π ｈはプランク定数 ここで各原子核には、静磁場Ｈ_０→によつて、 μ→×Ｈ_０→ なる力が加わるので、原子核はｚ軸の回りを(2)式
で示すような角速度ωで歳差運動する。

ω＝γH₀（ラーモア角速度） …(2) この状態の系に角速度ωに対応する周波数の電
磁波（通常ラジオ波）を印加すると、共鳴が起
り、原子核は(1)式で示されるエネルギー差ΔEに
相当するエネルギーを吸収して、高い方のエネル
ギー準位に遷移する。核スピン角運動量を持つ原
子核が数種類混在していても、各原子核によつて
磁気回転比γが異なるため、共鳴する周波数が異
なり、従つて特定の原子核の共鳴のみを取りだす
ことができる。また、その共鳴の強さを測定すれ
ば、原子核の存在量も知ることができる。また、
高い準位へ励起された原子核は、共鳴後、緩和時
間と呼ばれる時定数で定まる時間の後に、低い準
位へ戻る。

この緩和時間は、スピン−格子緩和時間（縦緩
和時間）T₁と、スピン−スピン緩和時間（横緩
和時間）T₂とに分類され、この緩和時間を観測
することにより物質分布のデータを得ることがで
きる。一般に固体では、スピンは結晶格子の上に
決まつた位置でほぼ固定されているので、スピン
同士の相互作用が起りやすい。従つて、緩和時間
T₂は短く、核磁気共鳴で得たエネルギーは、ま
ずスピン系にゆきわたつてから格子系に移つてゆ
く。従つて、時間T₁はT₂に比べて著しく大きい。
これに対して、液体では分子が自由に運動してい
るので、スピン同士と、スピンと分子系（格子）
とのエネルギー交換の起り易さは同程度である。
従つて、時間T₁とT₂はほぼ等しい値になる。特
に時間T₁は、各化合物の結合の仕方に依存して
いる時定数であり、正常組織と悪性腫瘍とでは、
値が大きく異なることが知られている。ここで
は、水素原子核¹Hについて説明したが、この他
にも核スピン角運動量をもつ原子核で同様の測定
を行うことが可能であり、水素原子核以外に、リ
ン原子核³¹P、炭素原子核¹³C、ナトリウム原子核
²³Na、フツ素原子核¹⁹F、酸素原子核¹⁷O等に適
用可能である。

このように、NMRによつて、特定原子核の存
在量及びその緩和時間を測定することができるの
で、物質内の特定原子核について種々の化学的情
報を得ることにより、被検体内に種々の検査を行
うことができる。

従来より、このようなNMRを利用した検査装
置として、Ｘ線CTと同様の原理で、被検体の仮
想輪切り部分のプロトンを励起し、各プロジエク
シヨンに対応するNMR共鳴信号を、被検体の数
多くの方向について求め、被検体の各位置におけ
るNMR共鳴信号強度を再構成法によつて求める
ものがある。

第４図は、このような従来装置における検査手
法の一例を説明するための動作波形図である。

被検体に、初めに第４図ロに示すようにｚ勾配
磁場Gz⁺と、イに示すように狭い周波数スペクト
ルのRFパルス（90゜パルス）を印加する。この
場合、ラーモア角速度 ω＝γ（H₀＋ΔGz） となる面だけのプロトンが励起され、磁化Ｍを第
５図イに示すような角速度ωで回転する回転座標
系上に示せば、y′軸方向に90゜向きを変えたもの
となる。続いて、第４図ハ，ニに示すようにｘ勾
配磁場Gxとｙ勾配磁場Gyを加え、これによつて
２次元勾配磁場を作り、ホに示すようなNMR共
鳴信号を検出する。ここで、磁化Ｍは第５図ロに
示すように、磁場の不均一性によつて、x′，−
y′面内で矢印方向に次第に分散してゆくので、や
がてNMR共鳴信号は減少し、第４図ホに示すよ
うにTs時間を経過してなくなる。このようにし
て得られたNMR共鳴信号をフーリエ変換すれ
ば、ｘ勾配磁場Gx、ｙ勾配磁場Gyにより合成さ
れた勾配磁場と直角方向のプロジエクシヨンとな
る。

その後、所定の時間Tdだけ待つて、上述と同
様の動作にて次のシーケンスを繰返す。各シーケ
ンスにおいては、Gx，Gyを少しずつ変える。こ
れによつて、各プロジエクシヨンに対応する
NMR共鳴信号を被検体の数多くの方向について
求めることができる。

ところで、この様な動作をなす従来装置におい
ては、第４図に示すように、NMR共鳴信号が無
くなるまでの時間Tsは、10〜20mSであるが、次
のシーケンスに移るまでの所定時間Tdは、緩和
時間T₁のため1sec程度は必要となる。それゆえ
に、一つの被検体断面を、例えば128プロジエク
シヨンで再構成するものとすれば、その測定には
少なくとも２分以上の長い時間を必要とし、高速
化を実現する際の大きな障害の一つとなつてい
る。

［発明の目的］ 本発明の目的は、この様な点に鑑み、磁界反転
による多数のエコー信号を観測した後、磁化を強
制的に熱平衡状態に戻し、短い待ち時間とするこ
とにより高速にデータを収録することのできる
NMRによる検査方法及び検査装置を提供するこ
とにある。

［発明の概要］ この様な目的を達成するために本発明では、被
検体の組織を構成する原子の原子核に核磁気共鳴
を生じさせるための第１の90゜パルスを印加する
工程と、前記90゜パルスの印加の後に前記原子核
に印加する勾配磁場を複数回反転させると共にそ
のときに発生する核磁気共鳴信号を測定する工程
と、核磁気共鳴信号を測定する前記工程の後第２
の90゜パルスを印加する工程と、この第２の90゜パ
ルスの印加後Td時間の経過を待つてから次の工
程に移るようにした待ち時間とを含むシーケンス
を繰返すとともに、前記核磁気共鳴信号に基づき
被検体の組織に関連する画像を再構成する工程と
を有することを特徴とする。

［実施例］ 以下図面を用いて本発明を詳細に説明する。第
７図は本発明の手法を実現するための装置の一実
施例の構成を示すブロツク図である。同図におい
て、１は一様静磁場H₀（この場合の方向をｚ方向
とする。）を発生させるための静磁場用コイル、
２はこの静磁場用コイル１の制御回路で、例えば
直流安定化電源を含んでいる。静磁場用コイル１
によつて発生する磁束の密度H₀は、0.1T程度で
あり、また均一度は10^-4以上であることが望まし
い。

３は勾配磁場用コイルを総括的に示したもの、
４はこの勾配磁場用コイル３の制御回路である。

第６図イは勾配磁場用コイル３の一例を示す構
成図で、ｚ勾配磁場用コイル３１、ｙ勾配磁場用
コイル３２，３３、図示してはいないがｙ勾配磁
場用コイル３２，３３と同じ形であつて、90゜回
転して設置されるｘ勾配磁場用コイルを含んでい
る。

この勾配磁場用コイルは、一様静磁場H₀と同
一方向で、ｘ，ｙ，ｚ軸方向にそれぞれ直線勾配
をもつ磁場を発生する。制御回路４はコントロー
ラ２０（詳細は後述する）によつて制御される。

５は被検体に狭い周波数スペクトルのRFパ
ルスを電磁波として与える励磁コイルで、その構
成を第８図ロに示す。

６は測定しようとする原子核のNMR共鳴条件
に対応する周波数（例えばプロトンでは、42.6M
Hz／Ｔ）の信号を発生する発振器で、その出力
は、コントローラ２０からの信号によつて開閉が
制御されるゲート回路３０（詳細を後述する）更
にパワーアンプ７を介して励磁コイル５に印加さ
れている。８は被検体におけるNMR共鳴信号を
検出するための検出コイルで、その構成は第８図
ロに示す励磁コイルと同じで、励磁コイル５に対
して90゜回転して設置されている。なお、この検
出コイルは、被検体にできるだけ接近して設置さ
れることが望ましいが必要に応じて、励磁コイル
と兼用させてもよい。

９は検出コイル８から得られるNMR共鳴信号
を増幅する増幅器、１０は位相検波回路、１１は
位相検波された増幅器９からの波形信号を記憶す
るウエーブメモリ回路１１からの信号を例えば光
フアイバで構成される伝送路１２を介して入力
し、所定の信号処理を施して断層像を得るコンピ
ユータ、１４は得られた断層像を表示するテレビ
ジヨンモニタのような表示器である。

コントローラ２０は、勾配磁場Gz，Gx，Gyお
よび変調信号を制御するために必要な信号（アナ
ログ信号）及びRFパルスの送信やNMR信号の
受信に必要な制御信号（デイジタル信号）を出力
することができるように構成されたものである。

第８図はそのようなコントローラで、特に高速
制御が可能で制御シーケンスやアナログ波形の変
更等が容易なコントローラの一例を示す構成図で
ある。同図において、２２１は操作卓２１０また
は操作卓を介してコンピユータ１３から送られて
くるデータを各メモリに書込む書込み制御回路、
２２２，２２５，２２８，２３１はこの書込み制
御回路から与えられるｘ，ｙ，ｚ勾配信号及び変
調信号の波形データがそれぞれ書込まれる波形記
憶メモリ、２２３，２２６，２２９，２３２はこ
の波形記憶メモリ２２２，２２５，２２８，２３
１からの波形データ出力をそれぞれ一時保持する
ラツチ回路、２２４，２２７，２３０，２３３は
このラツチ回路２２３，２２６，２２９，２３２
からの出力をそれぞれDA変換するDA変換回路
である。x₂，y₂，z₂，M₂は前記DA変換回路２２
４，２２７，２３０，２３３から出力されるそれ
ぞれｘ，ｙ，ｚ勾配信号出力及び変調信号出力で
ある。２３４，２３６，２３８，２４０は、送受
信回路制御信号すなわちAD変換制御信号、送信
ゲート制御信号、受信ゲート制御信号、位相選択
信号（互いに位相の異なる４種のRFパルスの中
からいずれか１種のパルスを選択するための信号
である。ただし、ここでは単に２種のRFパルス
のみを選択して使用している）のデータが前記書
込み制御回路２２１からそれぞれ書込まれる波形
記憶メモリ、２３５，２３７，２３９，２４１は
この波形記憶メモリ２３４，２３６，２３８，２
４０からのデータ出力を一時保持するラツチ回
路、T₂，S₂，R₂，PSはこのラツチ回路２３５，
２３７，２３９，２４１から出力されるAD変換
制御信号、送信ゲート制御信号出力、受信ゲート
制御信号出力、位相選択信号である。２４３は前
記の各波形記憶メモリ２２２，２２５，２２８，
２３１，２３４，２３６，２３８，２４０の内容
を前記ラツチ回路へ読出す読出し制御回路、２４
２は前記操作卓またはコンピユータから（以下単
にコンピユータからという）の書込み／読出し開
始アドレスの値をセツトするとともに、そのアド
レスの値に書込み／読出し制御回路から与えられ
る値＋１を順次に加算し、これを書込み／読出し
アドレスとして出力するメモリアドレスレジス
タ、２４４は前記コンピユータから与えられる出
力ステツプ数がセツトされ出力終了を前記読出し
制御回路２４３に知らせる出力カウントレジス
タ、２４５は前記コンピユータから与えられる１
ステツプの時間長さ（１ステツプ長）がセツトさ
れて１ステツプ長のパルスを発生する１ステツプ
長パルス発生回路である。

このような構成のコントローラの動作は次の通
りである。

(イ) 書込み動作 書込み動作ではコンピユータから送られて来る
波形データをコンピユータが指定する波形記憶メ
モリの指定番地に書込む。すなわち、まずメモリ
アドレスレジスタ２４２に書込み開始アドレスが
セツトされる。書込み指令と共にコンピユータか
ら送られてきたデータは、書込み制御回路２２１
により選択された波形記憶メモリ（例えば波形記
憶メモリ２２２）内の、メモリアドレスレジスタ
２４２により指定された番地に書込まれる。この
後書込み制御回路２２１は自動的にメモリアドレ
スレジスタ２４２に１を加算して次の書込みのメ
モリアドレスにしておく。他の波形記憶メモリに
対しても上述と同様な動作により順次書込んでゆ
く。

(ロ) 読出し動作 読出し動作では各メモリを並列に読出す。第９
図に、読出した信号波形のタイムチヤートの一例
を示す。コンピユータは、まず波形記憶メモリの
読出し開始番地をメモリアドレスレジスタ２４２
にセツトする。次に読出しステツプ数を出力カウ
ントレジスタ２４４にセツトする。また１ステツ
プ長（読出し時の１ステツプ当たりの時間）を１
ステツプ長パルス発生回路２４５にセツトする。
次にコンピユータからの読出し開始指令でメモリ
アドレスレジスタ２４２が示す番地における波形
記憶メモリ２２２，２２５，２２８，２３１，２
３４，２３６，２３８，２４０の各内容を同時に
読出し、データが出揃つたところで読出し制御回
路２４３からラツチ回路２２３，２２６，２２
９，２３２，２３５，２３７，２３９，２４１に
ラツチパルスを出力しデータをラツチする。次に
メモリアドレスレジスタ２４２の値に１を加算す
る。出力カウントレジスタ２４４が終了を示して
いれば、読出し制御回路２４３からラツチ回路２
２３，２２６，２２９，２３２，２３５，２３
７，２３９，２４１にクリアパルスを出力し読出
し動作を終了する。出力カウントレジスタ２４４
が終了していない時は、出力カウントレジスタ２
４４から１だけ減算し、１ステツプ長パルス発生
回路２４５からの出力によつて１ステツプの時間
長だけ待つた後次の読出しステツプに移る。以下
同様に繰返し、例えば第９図のような波形を読出
すことができる。ｘ，ｙ，ｚ勾配信号x₂，y₂，z₂
及び変調信号M₂は、ラツチ回路出力を更にDA変
換器２２４，２２７，２３０，２３３において
DA変換して得たアナログ信号であり、変調信号
M₂はゲート回路３０に、またｘ，ｙ，ｚ勾配信
号は勾配磁場用の制御回路４にそれぞれ導かれ
る。

この様なコントローラによれば、波形記憶メモ
リ等の専用ハードウエアを備えているので多数の
データを高速に読出し出力することができる。ま
た、波形記憶メモリの内容は必要に応じて書換え
ができるので、任意のアナログ・デイジタル信号
波形を出力することができる。更に、読出し開始
番地や読出しステツプ数を適当に与えることによ
り、信号波形の一部使用（実際に使われることが
多い）をすることも容易である。

ゲート回路３０は、発振器６からの信号を受
け、これに対して90゜ずつ位相の異なる４種の信
号を作り、コントローラ２０の指示に基づき４種
の信号の中の１つを選択し、これを更にRF変調
信号で変調して励磁コイル５用の駆動信号を得る
もので、第１０図にその詳細な構成を示す（本発
明においてはこの内の２種のみ使用する）。同図
において、３１１は入力されるRF信号に対して
位相のずれが0゜と90゜の２つの信号が得られる90゜
位相器、３１２，３２３は入力信号に対し位相の
ずれが0゜と180゜の２つの信号が同時に得られる
180゜位相器である。図示のように90゜位相器３１
１の各出力を180゜位相器の各々に与えることによ
り、RF信号に対して0゜，180゜，270゜の位相差を有
する信号が得られる。これらの信号はそれぞれ高
周波スイツチ（例えばダブルバランスドミキサ
ー：DBMを使用することができる。）３１４〜
３１７を通つて結合器３２１に導かれ、４つの信
号は加え合わされる。この場合、高周波スイツチ
はデコーダドライバ３２０の出力によつて個別に
駆動されるようになつており、コントローラ２０
から与えられる位相選択信号PSをデコードして
なるデコーダドライバ３２０の４つの出力（Ｘ，
Ｙ，−Ｘ，−Ｙ）はいずれか１つがアクテイブとな
る。これにより、その対応するスイツチのみが導
通状態となる（他の３個のスイツチは非導通）。
従つて、結合器３２１には１つの信号のみ入力さ
れた結果となる。

結合器３２１の出力は増幅器３２２を経由した
後変調器３２３に入力され、ここで、コントロー
ラ２０より与えられるRF変調信号（パルス信号
で、そのパルス幅及びピーク値で磁化Ｍの回転が
決まる。）により変調され、例えば第４図のイに
示すガウシアン波形に変調されて出力される。

このような構成のゲート回路によれば、１つの
RF信号をもとに0°，90゜，180゜，270゜の位相差を
呈するRF信号を得、これらの信号の中から所望
のものを択一的に選択し、更に適宜のタイミング
に所望の波形でその信号を変調することが極めて
容易にできる利点がある。

この様に構成された本発明の装置の動作を、第
１１図を参照しつつ段階を追つて順次説明する。

１ 第１の90゜パルスとGzで被検体を選択励起す
る（第１１図のイ，ロ）。これによりFID信号
が発生する。

２ t_n1時間の間g_x1g_y1の大きさの磁界Gx，Gyを
加える（第１１図のハ及びニ）。

３ その後t′_n1時間の間次式を満足するよう磁界
の符号を反転する。これによりエコー信号が発
生する。

g_x1×g′_x1＜０ g_y1×g′_y1＜０ ４ 前記t′_n1時間の終了時にエコー信号は最大と
なる。ただし、 g_x1×t_n1＝−g′_x1×t′_n1 g_y1×t_n1＝−g′_y1×t′_n1 ５ 上記２から４をｎ−１回（ｎ＞１）繰返す。
ただし、 g_xp×t_np＝−g′_xp×t′_np g_yp×t_np＝−g′_yp×t′_np ここにｐ＝１，２，……，ｎ ６ エコー信号が最大のところで、第２の90゜_-x
パルスとGzを加え、磁化を上に向ける。

７ 続いて、第１１図のロ，ハ及びニに示すよう
にGx，Gy，Gzにホモジニテイ・スポイル・パ
ルスａ，ｂ，ｃを加える。これにより磁化ベク
トルを静磁場方向に完全に戻し、次のシーケン
スとの相関をなくすことができる。

８ Td時間だけ待つて次のシーケンスに移る。
次のシーケンスでは上記１〜７を繰返す。

このようにしてNMR信号をエコー信号として
多数得ると同時に、短い待ち時間Tdでは次のシ
ーケンスを繰返していて、多数方向の投影を短時
間に得ることができる。また、画質向上のため平
均化処理を行なうこともできる。このようにして
得たNMR信号はウエーブメモリ１１を介してコ
ンピユータ１３に送られ、ここで像再構成演算に
より再構成像を得る。得られた像は表示器１４に
表示される。

なお、本発明は上記実施例に限定されるもので
はなく、次のような各種の方式のものに適用し得
るものである。

イ 第１１図の実施例において、ｎ＝２とし、 g_x1＞＞g′_x1，g_y1＞＞g′_y1，g_x2＜＜g′_x2，g_y2
＜＜g′_y2g′_x1＝g_x2，g′_y1＝g_y2 となる条件にて第１２図のようにする。

t′_n1とt_n2期間に生ずるエコー信号を使用し、
t_n1やt′_n2期間で発生する信号はRFパルスや
Gx，Gy，Gzからのスイツチング・ノイズ等の
影響を受けるので測定データとしては使わな
い。

上記条件により、t_n1＜＜t′_n1およびt_n2＞＞
t′_n2であるから、信号採取の時間が長くＳ／Ｎ
の良い信号を収録することができる。

ロ スピンワープ法（第１３図）に適用すること
ができる。この場合は、t_kp（ｐ＝１，２，……
ｎ）は一定で、g_xp（ｐ＝１，２，……ｎ）を変
化させてゆく。

ハ フーリエ法（第１３図）に適用することがで
きる。この場合は、t_knp（ｐ＝１，２，……ｎ）
を変化させてゆき、g_xp（ｐ＝１，２，……ｎ）
は一定とする。

ニ エコープレーナー法（第１４図）に適用する
ことができる。

ホ セレクテイブ・エクサイテーシヨン・ライン
法（第１５図）に適用することができる。

ヘ インバージヨン・リカバリ法（第１６図）に
適用することができる。

ト 画像間演算にて、T₁像、T₂像、スピン密度
像及びこれらを組みあわせた画像を得るように
する方式のもの。

チ Tdの待ち時間を利用して他の面を励起し、
そこからの情報を得るようにしたマルチスライ
ス法に適用することができる。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、一連の
スキヤンの後に磁化を強制的に上に向けるので、
僅かな待ち時間Tdで次のスキヤンに移行するこ
とができる。また、磁界を反転して短時間に多数
のエコーを信号得ている。従つて、全体としての
スキヤン時間を短縮することができる。

更に、多数のデータが短時間に得られるので、
信号の平均または複数画像の平均を行なうことが
でき、高品質の画像が得られる。

また、ホモジニテイ・スポイル・パルスによ
り、前後のシーケンスについての相関が切れ、磁
化が正しく動くようになる。

前記第１２図のような方式の場合には、エコー
信号を観測するので、RFパルスやGx，Gy，Gz
の悪影響が極めて小さくなる。同時に、無駄な
T_s1，T′_s2が短く、信号が大となる。

また、前記トで述べたような画像間演算方式に
よれば、目的に合つた画像が容易に得られるとい
う利点がある。

また、マルチスライス法を用いれば見掛け上更
に高速化を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は水素原子のスピンを説明する図、第２
図は水素原子の磁気モーメントを模式化した図、
第３図は水素原子の原子核が磁場の方向に揃う状
態を説明する図、第４図は従来のNMRによる検
査パルス波形の一例を示す図、第５図は磁化Ｍを
回転座標に表示する図、第６図及び第７図は本発
明の実施例装置の構成図、第８図はコントローラ
の一例を示す構成図、第９図は本発明に係る動作
を説明するための動作波形図、第１０図はゲート
回路の一例を示す図、第１１図は本発明に係るシ
ーケンスを説明するための動作波形図、第１２図
ないし第１６図は本発明に係る他の実施例を示す
動作波形図である。 １……静磁場用コイル、２，４……磁場制御回
路、３……勾配磁場用コイル、５……励磁コイ
ル、６……発振器、８……検出コイル、１０……
位相検波回路、１１……ウエーブメモリ回路、１
３……コンピユータ、２０……コントローラ、３
０……ゲート回路。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 被検体の組織を構成する原子の原子核に核磁
   気共鳴を生じさせるための第１の90゜パルスを印
   加する工程と、前記90゜パルスの印加の後に前記
   原子核に印加する勾配磁場を複数回反転させると
   共にそのときに発生する核磁気共鳴信号を測定す
   る工程と、核磁気共鳴信号を測定する前記工程の
   後第２の90゜パルスを印加する工程と、この第２
   の90゜パルスの印加後Td時間の経過を待つてから
   次の工程に移るようにした待ち時間とを含むシー
   ケンスを繰返すとともに、前記核磁気共鳴信号に
   基づき被検体の組織に関連する画像を再構成する
   工程とを有することを特徴とする核磁気共鳴によ
   る検査方法。 ２ 前記90゜パルスの印加の後に前記原子核に印
   加する勾配磁場を複数回反転させると共にそのと
   きに発生する核磁気共鳴信号を測定する工程にお
   いて、前記反転する磁界の一方を他方よりも強く
   し、これにより生ずる核磁気共鳴信号のエコー信
   号のみ観測するようにしたことを特徴とする特許
   請求の範囲第１項記載の核磁気共鳴による検査方
   法。 ３ 前記90゜パルスの印加の後に前記原子核に印
   加する勾配磁場を少なくとも１回反転させると共
   にそのときに発生する核磁気共鳴信号を測定する
   工程において、与えるべき勾配磁場を適宜に定
   め、２次元PR法またはスピンワープ法またはエ
   コープレーナー法またはセレクテイブ・エクサイ
   テーシヨン・ライン法の中のいずれかで像再構成
   ができるようにしたことを特徴とする特許請求の
   範囲第１項記載の核磁気共鳴による検査方法。 ４ 前記第１の90゜パルスを印加する工程におい
   て、インバージヨン・リカバリのための180゜パル
   スを第１の90゜パルスに先だつて印加するように
   したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   の核磁気共鳴による検査方法。 ５ 前記第２の90゜パルスを印加する工程におい
   て、この第２の90゜パルスの後に勾配磁場でホモ
   ジニテイ・スポイル・パルスを加えるようにした
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の核
   磁気共鳴による検査方法。 ６ 前記核磁気共鳴信号に基づき被検体の組織に
   関連する画像を再構成する工程において、時間パ
   ラメータを変化させて得た複数の画像から画像間
   演算にてT₁像またはT₂像またはスピン密度像ま
   たはこれらの組合せ像を得るようにしたことを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載の核磁気共鳴
   による検査方法。 ７ 前記待ち時間の間に、他の面を選択励起し、
   面情報を得るようにしてマルチスライスを行なう
   ようにしたことを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の核磁気共鳴による検査方法。 ８ 被検体の組織を構成する原子の原子核に核磁
   気共鳴を生じさせるための高周波パルスを印加す
   る手段と、前記原子核に生ずる核磁気共鳴信号を
   測定する手段を備えた核磁気共鳴信号による検査
   装置において、前記高周波パルスを印加する手段
   は第１の90゜パルスを印加するとともにこの90゜パ
   ルスの印加の後に前記原子核に印加する勾配磁場
   を複数回反転させることができ、また前記高周波
   パルスを印加する手段は第２の90゜パルスを印加
   しその後所定の時間だけ待つて次のシーケンスへ
   移行できるように構成され、更に前記原子核に生
   ずる核磁気共鳴信号を測定する手段は前記反転す
   るようにして印加する磁界を与えている期間に生
   ずる核磁気共鳴信号を測定するように構成された
   ことを特徴とする核磁気共鳴による検査装置。