JPH0245480A - 置換アニライド類の製造方法 - Google Patents

置換アニライド類の製造方法

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JPH0245480A
JPH0245480A JP1160583A JP16058389A JPH0245480A JP H0245480 A JPH0245480 A JP H0245480A JP 1160583 A JP1160583 A JP 1160583A JP 16058389 A JP16058389 A JP 16058389A JP H0245480 A JPH0245480 A JP H0245480A
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ハンス―ピーター ブゼル
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ベノイト プギン
Wolfgang Eckhardt
ウオルフガング エックハルト
Felix Spindler
フェリックス スピンドラー
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、殺微生物的に有効な(as、1′R)−3−
[N−(アシル”)−N−(3−クロロフェニル)]−
アミノ−テトラヒドロー2−フラノンWおよび(aR,
1’ RHaS、1’ R)−3−[N−(アシル) 
−N−(3−クロロフェニル)コーアミノーテトラヒド
ロー2−フラノン類の製造方法、一部分のものが殺微生
物的に有効な新規な中間体、これらの有効な成分を含有
する殺微生物組成物、および植物の防御における殺微生
物剤としてこれらの組成物を使用する方法に関する。
〔従来の技術〕
殺微生物剤として知られている置換アユライド類のある
種のものは不斉中心を含有する。そして従って、立体異
性体として存在しえる。
式1a により表される3−[N−(メトキシアセチル)−N−
(3−クロロ−2,6−ジメチルフェニル)]−アミノ
−テトラヒドロー2−フラノは西独特許公開公報・DE
−O32,804,299(=GB−1,577.70
2)から殺微生物剤として知られ、構造式が示すように
*印の不斉中心を有する。ラセミ体として、これは常法
により光学的対掌体に光学分割でき、それらの殺微生物
的活性における強度は、配位の違いによって違う。
更に、西独特許公開公報・DE−O32,804,29
9によりその中で、広範囲に化学的に開示された範囲内
では、フラノン環の外側でも異性がさらに存在しえる可
能性については何も述べていない。
〔課題を解決するための手段〕
然しなから、通常に取得されるラセミ体として得られる
式Iにより表される化合物の中には、IC−原子によっ
て示された炭素原子における不斉置換による一対の異性
体だけに限らず、4種の異性体の混合物がある。換言す
れば、鏡像体の2種のジアステレオ異性体の対がある。
この理由は、下記のように考えられる。上述の不斉中心
を持つのに加えて、この分子はキラル軸(chiral
  axis)(p)上で存在しえる回転異性体〔アト
ロプ(atrop)異性〕も持ち、これは回転が妨害さ
れている2、6−シメチルフヱニル環の塩素の不斉置換
に起因する。
DE−O32,804,299の記載に従って合成され
た3−[N−(メトキシアセチル)−N−(3−クロロ
−2,6−ジメチルフェニル)]−アミノ−テトラヒド
ロー2−フラノは、ジアステレオ異性体混合物であり、
これは吸着クロマトマドグラフィーまたは結晶化により
分離ができ、各々140 ’Cと115℃で融解する2
種の鏡像体のジアステレオ異性体の対を含有する。そし
て、各々約50%の混合物を形成する。
これらの2種の鏡像体のジアステレオ異性体の対は、常
法により光学的対掌体に光学分割できる。
3−[N−(メトキシアセチル)−N−(3−クロロ−
2,6−ジメチルフェニル)]−アミノ−テトラヒドロ
ー2−フラノの(aS、1’ S)と(aR,1’ R
)の鏡像体は、140℃で融解する鏡像体のジアステレ
オ異性体の対から分離できる。そして(aR,1’ S
)と(aS、1’ R)の鏡像体は、115℃で融解す
る鏡像体のジアステレオ異性体の対から分離できる。こ
れらの分離は例えば、光学的に活性な棚上のクロマI・
マドグラフィーによる。
3− [N−(メトキシアセチル)−N−(3−クロロ
−2,6−ジメチルフェニル)コーチミノ−テトラヒド
ロ−2−フラノンの(aS、1’ R)の鏡像体は、弐
1aにより表されるジアステレオ異性体混合物と比較し
て、予想できない程度に長い持続性を伴って、非常に大
きく強化された殺微生物活性を持つ。
(aR,1’ R;as、L’ R)−3−[N−(メ
トキシアセチル)−N−(3−クロロ−2゜6−ジメチ
ルフェニル)]−アミノ−テトラヒドロー2−フラノの
ジアステレオ異性体混合物は、式IIa 〔以下、ラフI・ン環の3−位置にあり、かつN原子に
隣接している不斉炭素は、配置を示す場合は(1’ R
)または(1’ S)と云う〕により表される(1’ 
R) −3−[N−(メトキシアセチル)−N−(2,
6−ジメチルフェニル)]−アミノ−テトラヒドロー2
−フラノの塩素化により得られるが、このものもDE−
O32,804゜299の記載に従って得られるジアス
テレオ異性体混合物と比較して、実質的に増加した殺微
生物的活性を示し、その活性増加の程度は(as、1′
R)の場合より小さい。
然しながら、3− [N−(メトキシアセチル)−N−
(3−クロロ−2,6−ジメチルフェニル)]−アミノ
−テトラヒドロー2−フラノの(aS、1’ R)鏡像
体または(a R21’ R;aS、1’ R)ジアス
テレオ異性体混合物の合成のための、または(1’ R
)−3−[N−(メトキシアセチル)−N−(2,6−
シメチルフヱニル)]−アミノ−テトラヒドロー2−フ
ラノの合成のための如何なる工程も、文献からは知られ
ていない。従って、本発明の目的は、これら化合物の合
成のための優れた工程を提供することである。
更に、本発明の目的は新規な殺微生物有効物質の提供に
もある。
3− [N−(メトキシアセチル’)−N−(3クロロ
−2,6−ジメチルフェニル)]−アミノ−テトラヒド
ロー2−フラノの(aR,l’ R;aS、1’ R)
異性体混合物が多段階の鏡像選択的合成法によって合成
されることは見出されている。そして、この混合物が結
晶化によって(a S。
1′R)と(aR,1’ R)の2種の鏡像体に分離で
きることも見出されている。
鏡像選択性は、鏡像選択的に活性な触媒の存在下、進行
し得る環状エナミド中間体の不斉還元においてあり得る
ことである。
鏡像選択性とは、この場合水素化の反応生成物を指すの
であるが、二つの有り得る鏡像反応生成物の一方を選択
的に形成することとして定義される。
適切な触媒の選択により、本発明の観点からより有用な
鏡像体が選択的に生産される。
従って、本発明は式■ ラクトンを酸化して、弐■ (式中、R,とR2の各々は、他と独立して、メチル基
またはエチル基を表し;そして R3はメチル基、クロロメチル基、メトキシメチル基ま
たはシクロプロピル基を表す)により表される(a3.
1’ R)−3−[N−(アシル)−N−(3−クロロ
フェニル)]−アミノ−テトラヒドロー2−フラノンの
合成のための工程に関し、この工程は a)式V (式中、R5とR2は上述と同じに定義される)により
表される3−(フェニルアミノ)−2,5=ジヒドロ−
2−フラノンを与え、 b)後者を式■ R,−C−X    (VI) (式中、R1は式Iと同じに定義され、そしてXは塩素
原子、臭素原子またはRICOO−基を表す)により表
されるカルボン酸ハライドまたは無水カルボン酸と反応
せしめて、式■ (式中、R+ とR2は上述と同じに定義される)によ
り表されるα−フェニルアミノ−γ−ブチロ(式中、 
R,、R,とR1は上述と同じに定義される)により表
される3−[N−(アシル)−N−(フェニル)]−ア
ミノ−2,5−ジヒドロ−2−フラノを与え、 C)生成した取得物を、鏡像選択的活性触媒の存在下、
水素で水素化して弐■ 特徴とする工程である。
本発明はこの全工程に係わるだけでなく、それの各個別
の工程の段階にも係わり、もし所望ならば、式■、■、
■およびVにより表される中間体を分離することができ
る。また本発明は式■および■によって表される新規の
中間体にも係わる。
式■a により表される(1’ R)3− CN−(アシル)−
N−(フェニル)]−アミノ−テトラヒドロー2−フラ
ノを与え、 d)水素化生成物を塩素化することにより、弐■により
表される3−[N−(アシル)−N−(3−クロロ−フ
ェニル)]−アミノ−テトラヒドロー2−フラノンの(
a R11’ R; a S1′R)ジアステレオ異性
体混合物にし;e)そしてこの混合物から、(aS、1
’ R)鏡像体を溶媒からの結晶化により分離すること
をにより表される中間体は殺微生物の性質を持ち、従っ
て有効物質としても顕著である。
R,とR2がメチル基を表し;R3がメトキシメチル基
を表し;そしてXが塩素原子を表す式■から■に至る化
合物によりこの工程は好ましく行われる。この工程の結
果できる化合物は式Iaにより表される化合物である。
本発明に従って、式Vにより表される化合物を酸化して
弐Nにより表される化合物を与えるのに好ましい実施態
様は、溶媒中、40−140℃で、酸化剤として二酸化
マンガンを用いて酸化反応を行うことである。トルエン
中の85−112℃での酸化、またはジエチルエーテル
中での酸化は、この場合特に好ましい。
酸化剤としてセリウム(IV)化合物を用いて酸化反応
を行う実施態様も好ましい。
弐Vにより表される化合物の酸化反応の好ましい実施態
様は、常圧下、 −10”Cから+40℃で、溶媒中、
酸化剤としての過酸化物または過酸により酸化して、対
応する[N−(ヒドロキシ)−N−(2,6−ジアルキ
ルフェニル)]−アミノ−テトラヒドロー2−フラノを
与えることである。後者の化合物は、水の要素を除去さ
れて、式IVにより表される化合物に変換される。水の
要素の除去は、例えば塩基性酸化アルミニウム(bas
ic  alminium  oxide)のような脱
水剤の存在下行える。
比較的大きな規模で、m−クロロ過安息香酸による酸化
反応を行うときは、テトラヒドロフランを他の適切な溶
媒に変換して有利に行える。そのような溶媒は、ハロゲ
ン化炭化水素、特にハロゲン化脂肪族炭化水素、例えば
ジクロロメタンである。
溶媒の不存在下または例えばトルエンのような溶媒の存
在下、副生成物として発生する塩化水素を40−60℃
で、減圧下、沸騰させながら除去しつつ、式IVaによ
り表される化合物を、式Vlaにより表される化合物の
理論量の50−500%過剰量を用いてアシル化して、
式IIIaにより表される化合物を与えるアシル化反応
は、本発明に従った工程のアシル化段階の好ましい実施
態様である。
本発明に従って、式IIIaにより表される化合物を鏡
像選択的に水素化して、弐Uaにより表される化合物の
(1’ R)鏡像体を与える反応の好ましい実施態様は
、溶媒としてのアルコール中、20℃から+70℃で、
0.1−150バール(bar)の圧下、式■または式
■a [XRhYZ]      (■)、 [XRhYZ]eAe  (VI[a)(式中、Xは2
ケのオレフィン配位子または1ケのジエン配位子を表し
; Yは、キラル(chiral)なジホスフィン基を表し
、そしそのジホスフィン基中の第2ホスフイン基が2〜
4ケの炭素原子と結合し、そしてその結合したものがロ
ジウム(Rh)原子と共に、5−6−または7−員環を
形成するものを表すか; またはYはキラル((hiral)なジホスフィナイト
基を表し、そのジホスフィナイト基中のホスフィナイト
基が2ケの炭素原子と結合し、そしてその結合したもの
がロジウム(Rh)原子と共に、7−員環を形成するも
のを表し;Zはクロライド基、ブロマイド基またはイオ
ダイド基を表し;そして Aeは酸素原子または錯塩酸のアニオンを表す]により
表されるロジウム化合物の触媒量の存在下、水素化する
ものである。
この場合特に好ましいものは、メタノール中、0−50
℃で、1−70バール(bar)の圧下、式IIIaの
化合物を基準にして、各々の場合、0.002−10モ
ル%のビス−ノルボルナジエニル−ロジウム(1)テト
ラフルオロ硼酸および(4R25R)−(−)−4,5
−ビス−(ジフェニルホスフィノメチル)−2,2−ジ
メチル−1,3−ジオキソランの存在下、水素化反応を
行うものである。 この鏡像選択的水素化反応の同様に
好ましい実施態様は、溶媒としてのアルコール中、20
℃から+70℃で、0.1−150バール(bar)の
圧下、式■a (■a) (式中、R4は未置換のまたは炭素原子数1ないし4の
アルキル基またはメトキシ基によって単置換されたフェ
ニル基、または1−もしくは2−ナフチル基を表し;そ
して Z−はどちらも、式R6COO−(式中、R3は炭素原
子数1ないし6のアルキル基またはCF、基を表す)に
より表される基のアニオンを表すか;またはトリフルオ
ロメタンスルホネート・アニオンを表す〕により表され
る ルテニウム(R)−2,2’−ビス(ジアリールホ
スフィノ)−1,1’−ビナフチル塩または式■b(■
b) (式中、R4とZは式■aと同じに定義される)により
表される ルテニウム (S)−2,2’−ビス(ジア
リールホスフィノ)−1,1’ −ビナフチル塩の触媒
量の存在下、行われるものである。
この場合における特に好ましいものは、メタノール中、
0−50 ”Cで、1−70バール(bar)の圧下、
式■aにより表される化合物を基準にして0.002−
10モル%の ルテニウム (R)−または (S)−
2,2’−ビス(ジフェニルホスフィノ)−1,1’−
ビナフチルジアセテートの存在下、反応を行うものであ
る。
式IIにより表される化合物から式Iにより表される化
合物を与える場合に使われる塩素化剤は、好ましくは元
素の塩素(elementalchlorine)であ
る。
式1aにより表される鏡像体(aS、1’ R)の分離
をする際には、溶媒としてメチルエチルケトンが好まし
い。
本発明は式■により表される(aR,1’ RiaS、
1’ R)の1:1の比率のジアステレオ異性体混合物
の合成のための工程も包含する。この工程は、前述の工
程では(aS、1’ R)鏡像体が分離されるのに代わ
って、ジアステレオ異性体混合物が弐IIにより表され
る化合物の塩素化のあとで(aR,1’ R;aS、1
’ R)のジアステレオ異性体混合物の形で取れるとい
う点が違うという理由だけで、前述の工程と異なる。
この場合の好ましいものは、式1aにより表される3−
[N−(メトキシアセチル) −N−(3−クロロ−2
,6−ジメチルフェニル)1−アミノ−テトラヒドロ−
2−フラノンの(aR,1′R; a s、  1 ’
 R)ジアステレオ異性体混合物の合成の場合である。
本発明は、また式Iaにより表される(a R。
1′R)鏡像体を160−180℃で、1−3時間加熱
することによる、該化合物の(as、l′R; a R
,1’ R)ジアステレオマー混合物の合成のための工
程にも係わる。
この工程は、本発明に従って、テトラブチルアンモニウ
ムブロマイドの存在下行うのが好ましい。
本発明に従って、式Vにより表される既知の化合物を酸
化して式IVにより表される化合物を与えるのもやはり
新規であり、この酸化反応はアミンの脱水素反応とも見
做され、その式IVにより表される反応生成物も新規で
ある。
本発明に従って、この反応生成物を式VIにより表され
るカルボン酸誘導体によりアシル化して、弐IIIによ
り表され葛新規のエナミド類を与える反応は今まで記載
されていない。
好ましいカルボン酸誘導体は、塩化メトキシアセチルで
ある。
アシル化は、通常行われるように、例えば第3アミンの
ような塩基の等当量の存在下でも行える。
然しなから、このようにして行った場合の得られる収率
は中程度である。
第3アミンに代えて、例えばジメチルホルムアミドのよ
うなカルボン酸のジアルキルアミドの触媒量の存在も、
収率を無視し得る程に増やすのみである。
本発明に従って、塩基またはアミドが無い条件で、過剰
の酸クロライドにより、副生成物として発生する塩化水
素を、反応混合物が沸騰する温度で(所望により減圧下
で)、反応混合物から除去すると最良の結果が達成され
る。
式IVにより表される中間体は新規であり、本発明はこ
れらにも係わる。
式IIIにより表される同様な新規の化合物は、驚くべ
きことに殺菌剤であることが証明され、本発明はこれに
も係わる。
これらの化合物の中で、式IIIaにより表される3−
[N−(メトキシアセチル) −N−(2,6ジメチル
フエニル)1−アミノ−2,5−ジヒドロ−2−フラノ
ンが好ましい。
本発明の工程中の弐VおよびVIにより表される出発物
質は既知であり、公知の方法と同様に合成される。
本発明の工程の核心部に、式Vにより表されるα−フェ
ニル−アミノ−T−ブチロラクトン類から出発して、対
応する式IIにより表される化合物である(1’ R)
3− [N−(アシル)−N−(フェニル)]−アミノ
−テトラヒドロー2−フラノンの鏡像選択的合成がある
この合成のために、本発明に従って、先ず該当の対応す
る式IVにより表される3−(フェニルアミノ)−2,
5−ジヒドロ−2〜フラノンに酸化(または脱水素化)
される。これにより3−位の不斉中心は除かれる。式I
Vにより表されるエナミドをアシル化して弐IIIによ
り表されるエナミドを与えてから、後者を、本発明に従
って、水素化して(1’ R)3− [N−(アシル)
−N−(フェニル)]−アミノ−テトラヒドロー2−フ
ラノを与える。この不斉水素化の結果、3−位の不斉中
心は再生される。この場合、適切な手段によって、望ま
しくない(1’ S)鏡像体の生成は抑制されるので望
ましい(1′R)鏡像体の生成には好都合である。
式■および■aでも定義されたようなロジウム触媒の存
在下、または式■aおよび■bでも定義されたようなル
テニウム触媒の存在下での不斉水素化は文献から公知(
参考文献を参照)である。
〔参考文献: [1コケ−、グー−1−フヒ(K、Koenig)。
不斉合成における不斉均一触媒水素化反応の通用性、第
5巻、モリノン編集、アカデミツク出版ニューヨーク社
(Academic  PressN、Y、、Inc、
、)pp、71  ff。
[2]ニス、ハルパーン(S、Halpern)。
不斉触媒水素化反応、同上文献、pp、41ff。
[3]エツチ、ビー、カガン(HoB。
Kagan)、不斉触媒のためのキラル(Chiral
)な配位子、同上文献、pp。
13−23.                )本発
明に従っての、弐IIIにより表されるN−フェニル−
エナミドのC=C二重結合の不斉水素化反応は新規であ
る。
この水素化の変形は、好ましくは、使用される弐■によ
って表される化合物を基準にして、各々の場合、0.0
02−10モル%の式■もしくは■aにより表されるロ
ジウム触媒、または式■aもしくは■bにより表される
ルテニウム触媒の存在下、行われる。
この反応は、好ましくは、例えばメチル、エチル、プロ
ピルもしくはブチルアルコールのようなアルコール類;
例エバヘキサン、トルエン、シクロヘキサン、メチルシ
クロヘキサンのような炭化水素類;例えばジエチルエー
テル、テトラヒドロフラン、ジオキサンのようなエーテ
ル類;または例えば酢酸エチルのようなエステル類の如
き溶媒中で行われる。
式■および■aにより表される触媒は文献から公知であ
る(上述の参考文献を参照)。
ビス−ノルボルナジエニル−ロジウム(I)テトラフル
オロ硼酸および(4R,5R)−(−)4.5−ビス−
(ジフェニルホスフィノメチル)−2,2−ジメチル−
1,3−ジオキソランは商業的に入手可能である。
式■aおよび■bにより表される触媒も文献から公知で
ある〔チー、オオタ、エッチ、タカヤ。
エム、キタムラ、ケー、ナガイ、アール、ノヨリ(T、
0kta、H,Takaya、M、Kitamura、
に、Nagai、R,Noyori)。
ジャーナル オフ オーガニック ケミストリー(J、
Org、Chem、)1987. 52.3174−3
176;チー、オオタ、エッチ、タカヤ、アール、ノヨ
リ(T、0kta、H,Takaya、R8Noyor
i)、インオーガニックケミストリー(Inorg、 
 Chem、)上主主工、27,566−569)。
本発明に従う不斉水素化は、水素雰囲気下行われ、0.
1−150バール(bar)の加圧(exess  p
ressure)が好ましい。
1−70バール(bar)の圧範囲が特に好ましい。−
20″Cから+70℃の温度範囲、特に0℃から50℃
の範囲が反応温度として好ましい。
3− [N−(アシル)−N−(フェニル)コーアミノ
ーテトラヒドロー2−フラノン類からは、塩素化により
、そのどちらもそれ自身殺微生物剤として使え、または
(aR,1’ R)および(aS、1’ R)鏡像体に
分離できる式Iにより表される3−[N−(アシル)−
N−(3−クロロフェニル)]−アミノ−テトラヒドロ
ー2〜フラノンの(aR,1’ R;aS、1’ R)
のジアステレオ異性体混合物を得ることが可能である。
本発明の工程は、活性の高い立体異性体およびそれらの
混合物への到達、特に3− [N−(アシル)−N−(
3−クロロ−2,6−ジメチルフェニル)〕−〕アミノ
ーテトラヒドロー2−フラノンの(aR,1’ R;a
S、1’ R)のジアステレオ異性体混合物および(a
s、1’ R)鏡像体への到達法を提供し、かつ、工業
的規模の生産に関する経済的観点から興味あるものであ
る。
本発明の工程の副生成物として得られるより活性の低い
(as、1’ R)鏡像体は、本発明に従って、熱的に
再異性化して、3−[N−(アシル)N−(3−クロロ
フェニル)]−アミノ−テトラヒドロー2−フラノの有
益な(aR,1’ R;as、1’ R)のジアステレ
オ異性体混合物を与えることができ、そして上述した方
法(再循環)のごとくして再使用できる。
合成のための鏡像選択的手法が欠如していたので、現在
名は、工業的応用には適さない経費のかかる方法のみに
よって、その殺微生物的な活性によって価値の高い、上
述のジアステレオ異性体混合物と鏡像体を合成すること
が可能であった。
本発明の範囲内で成された、式IVによって表される3
−(フェニルアミノ)−2,5−ジヒドロ2−フラノン
類の化合物の驚異的な殺微生物活性の発見も顕著である
〔実施例と発明の効果〕
本発明の工程を、下記の実施例によって詳細に説明する
戒。
[参照、ジャーナル オブ オルガニック ケミストリ
ー(Journal of Organic Chem
istry)、29+1540(1964) ] 330gの水に溶解した過マンガン酸カリウム53gの
溶液に、75℃で、45分間以上をかけて、84mfの
水に溶解した48.6gの硫酸マンガン(II)−水塩
と40%苛性ソーダ水65m1!。
を同時に滴下して添加し、そして混合物を次ぎに1時間
にわたって、80℃で撹拌する。
沈澱を濾取し、熱水で中性になるまで洗浄し、真空中1
25℃で乾燥する。得られた4 8.3 gの二酸化マ
ンガンを300mj2のトルエンに懸濁して水分離器を
用いて3時間煮沸する。
そして、13.6 gの2− (2’ 、6’−ジメチ
ルフェニル)−アミノ−γ−ブチロラクトンを添加して
、全体を水分離器を用いて、夜通し煮沸する。溶液を濾
過し、蒸発により濃縮する。溶離液としてエーテル/ヘ
キサン 1:1 を使ってシリカゲル上クロマトマドグ
ラフィーして、茶色の結晶(m、p、  80℃)状の
5.7g(理論収量の42%)の3− [N−(2,6
−ジメチルフェニル)]]アミノー2.5−ジヒドロ−
2−フラノを得る。
エーテル/ヘキサンから再結晶して m、p、  84
−85℃。
ミリモル)の硝酸セリウム(IV)アンモニウムの懸濁
液に添加する。室温で、18時間撹拌した後、オレンジ
色の反応混合物を濾過し、濾液を蒸発により濃縮する。
残留分を、溶離液としてヘキサン/酢酸エチル 2:1
 を使ってシリカゲル上クロマトマドグラフィーして、
黄褐色の結晶状の取得物として190■(理論収量の4
4%)の3−[N−(2,6−ジメチルフェニル)]−
アミノ−2.5−ジヒドロ−2−フラノを得る。
この結晶をヘキサン/酢酸エチル 3:1から再結晶し
て 鋼、p、  85−86℃。
433■ (2,1ミリモル) の2−(2’、6’ 
 −ジメチルフェニル)アミノ−γ−ブチロラクトンを
メチレンクロライド20m/!中の3.47g(6,3
0℃で、30分から60分の時間の範囲内で、200m
lの無水テトラヒドロフラン中の61.5g(0,3モ
ル)の2− (2’ 、6’−ジメチルフェニル)アミ
ノ−γ−ブチロラクトンの溶液に、200mj2の無水
テトラヒドロフラン中の60.9g(0,35モル)の
m−クロロ過安息香酸の溶液を添加する。
反応混合物を、0℃で80分間撹拌し、受容器を氷で冷
却しながら、1kgの塩基性酸化アルミニウム(bas
ic alminium oxide) (I CN 
; A k t 。
■)を通して濾過する。酸化アルミニウムをテトラヒド
ロフランで溶離する。最初の600mfの溶離液が生成
した3−[N−(2,6−ジメチルフェニル)]−アミ
ノ−2.5−ジヒドロ−2−フラノの大部分を含有して
いる。
35.15g(理論収量の57.6%)の白色結晶を得
る。
ヘキサンから再結晶してm、p、  85−86℃。
アミノ−γ−ブチロラクトンの溶液に、200m2のジ
クロロメタン中の60.9g(0,35モル)のm−ク
ロロ過安息香酸の溶液を添加する。
反応混合物を、0℃で80分間撹拌する。少量の塩基性
酸化アルミニウム(basic alminiumox
ide) (I CN ; Ak t、  I )を通
して濾過した後、溶媒を真空中蒸発し、残留分を400
m/!のテトラヒドロフランに溶解する。この溶液を、
1kgの塩基性酸化アルミニウム(ICN;Akt。
■)を通して濾過する。そして、実施例3aと同様に処
理する。
結果:35.15g(理論収量の57.6%)の白色結
晶を得る。
ヘキサンから再結晶してm、p、  85−86℃ゆ0
℃で、30分から60分の時間の範囲内で、200mf
のジクロロメタン中の61..5 g (0,3モル)
の2− (2’ 、6’−ジメチルフェニル)10.2
g(50,2ミリモル) の3−  [N−(2,6−
ジメチルフェニル)]−アミノ−2.5−ジヒドロ−2
−フラノン40m1  (439ミリモル)の塩化メト
キシアセチルとトルエン40m1を混合して、50−7
0℃、100−150ミリバー(mbar)で48時間
にわたって、還流下、煮沸する0反応溶液を次いで蒸発
により濃縮し、そして残留分をヘキサン/酢酸エチル(
2:1)の混合溶媒に溶解し、そしてシリカゲル上クロ
マトマドグラフィーする。溶離はヘキサン/酢酸エチル
(1:2)の混合溶媒を使用して行う。溶媒を蒸発して
得られた3−[N−(メトキシアセチル)−N−(2,
6−ジメチルフェニル)〕−〕アミノー2.5−ジヒド
ロ−2−フラノをヘキサン/酢酸エチル(2:1)の混
合溶媒から2回再結晶した。  m、p、  106−
107℃アミツー−−ヒドロ−2−ツーノンのへ メタノール10mff1に溶解した0、9g(4ミリt
ル)の3− [N−(メトキシアセチル)−N−(2゜
6−ジメチルフェニル)]−アミノ−2.5−ジヒドロ
−2−フラノを60ml1の鋼鉄製のオートクレーブに
導入し、そして次いで10m/!のメタノールに溶解し
た29■(0,08ミリモル)のビス−ノルボルナジエ
ニル−ロジウム(1)テトラフルオロ硼酸および44■
(0,088mmol)の(4R,5R) −(−)−
4,5−ビス−(ジフェニルホスフィノメチル)−2,
2−ジメチル−1゜3−ジオキソランを添加する。初期
水素ガス圧33バー(bar)、20−22℃で水素に
よる水素化触媒反応を、吸収が止むまで(約1時間)行
う。
濾過と蒸発による濃縮の後に得られる残留分をメチレン
クロライド/メタノール 98:2に溶解し、シリカゲ
ル上クロマトマドグラフィーする。
溶媒を留去した後に得られる生産物の混合物は定量的に
得られ、その90%は3− [N−(メトキシアセチル
)−N−(2,6−ジメチルフェニル)]−アミノ−テ
トラヒドロー2−フラノの(1′R)鏡像体であり、1
0%はその対掌体である。
純粋な(1’ R)鏡像体は、ヘキサン/メチルエチル
ケトン 1:1から再結晶して、収率75%で純粋な状
態で得られる。
メタノール10m!に溶解した0、45g(2ミリ干ル
)の3− [N−(メトキシアセチル)−N−(2,6
−ジメチルフェニル)]−アミノ−25−ジヒドロ−2
−フラノンを60mfの鋼鉄製のオートクレーブに導入
し、そして次いでルテニウム(R)−または(S)−2
,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)−1,1’−ビナ
フチル ジアセテートを添加する。初期水素ガス圧33
バー(bar)、20−22℃で水素による水素化触媒
反応を、吸収が止むまで(約1時間)行う。
濾過と蒸発によるRwiの後に得られる残留分をメチレ
ンクロライド/メタノール 98:2に溶解し、シリカ
ゲル上クロマトマドグラフィーする。
溶媒を留去した後に得られる生産物の混合物は定量的に
得られ、その83%は3−[N−(メトキシアセチル)
−N−(2,6−ジメチルフェニル)〕〕テアミノ−テ
トラヒドロ−2−フラノの(1′R)鏡像体であり、1
7%はその対掌体である。
純粋な(1’ R)鏡像体は、再結晶後、収率65.7
%で純粋な状態で得られる。
0、222 gの(1’  R)−3−[N−(メトキ
シアセチル)−N−(2,6−ジメチルフェニル)]]
テアミノ−テトラヒドロ−2−フラノを30m1の蟻酸
に溶解する。室温で、5■の塩化鉄(I[I)の存在下
、0.06 gの塩素を溶液に導入する。溶液を約1時
間室温で撹拌し、溶媒を減圧上留去する。残留分を酢酸
エチルに溶解し、そしてその溶液を水で抽出し、硫酸ナ
トリウム上乾燥し、濾過し、蒸発により濃縮する。乾個
した混合物は79−82℃で融解する。表題化合物の各
異性体は、この混合物の約50%を構成する。
ルケトンに溶解する。そして、温度を下げて、(as、
1’ R)−3−[N−(メトキシアセチル) −N−
(3−クロロ−2,6−ジメチルフェニル)]−アミノ
−テトラヒドロー2−フラノの結晶の種を植えつける。
0℃で3日間放置した後、析出した結晶を濾取し、乾燥
する。この結晶生成物は純粋な(as、  1’ R)
 −3−[N −(メトキシアセチル)−N−(3−ク
ロロ−2゜6−ジメチルフェニル)]−アミノ−テトラ
ヒドロー2−フラノである。
0.5gの混合比約1:1の(aR,1’ R)および
(as、1’ R)の3− [N−(メトキシアセチル
)−N−(3−クロロ−2,6−ジメチルフェニル)コ
ーアミノーテトラヒドロー2−フラノン混合物を、高い
温度で0.25 gのメチルエチ0、2 gの(a R
,ビR)3− EN−(メトキシアセチル) −N−(
3−クロロ−2,6−ジメチルフェニル)]−アミノ−
テトラヒドロー2−フラノを0.01gの臭化テトラブ
チルアンモニウムと混合し、この混合物を160−18
0”Cに2時間保つ。冷却して結晶化した反応混合物を
、1mfの水で冷時すりつぶす。そして、濾過し、乾燥
する。定量的に得られた結晶性の生成物は、混合比1:
1の(aR,1’ R)および(a S。
1’ R)3− [N−(メトキシアセチル)−N−(
3−クロロ−2,6−ジメチルフェニル)]−アミノ−
テトラヒドロー2−フラノである。
製剤 例 (すべて重量係) a) 式111aにより表わされる化合物 25チドデンルベ
ンゼンスルホ/酸カル7 ウム 5チ ヒマ°/油ホリエチレンクリコール エーテル(エチレンオキシド36モル)5%トリブチル
フェノールポリエチレ/ グリコールエーテル(エチレンオキ シド30モル) シクロヘキサノン ギンレン混合物      65チ この乳剤濃厚液を水で希釈するこ 所望の濃度のエマルジョンをiるこ b) 40チ C) 50% 8襲 6チ 12チ    4襲 15チ   20チ 25俤   20悌 とによシ、 とができる。
a) 式11aにより表わされる化合物 80%エチレングリ
コールモノメチルエー テル             20%ポリエチレング
リコール (分子量400 ) b)  リ  の lOチ 5チ 95チ ア0チ N−メチル−2−ピロドリン エポキシ化ココナツツ油 20チ 1チ 5チ これらの溶液は微小滴の形態で施用するのに適している
23粒剤 a)      b) 式111aによυ表わされる化合物  5%   10
%カオリン          94% 高分散ケイ酸        1襲   −アダパルジ
ャイト      −9oチ有有効分を塩化メチレン中
に溶がし、この溶液を担体上に噴霧し、次いで溶媒を真
空中で蒸発させる。
F4@削 a)     b) 式nlaによシ表わされる化合物  2チ5%高分散ケ
イ醗        1%   5%タルク     
       97チカオリン ー90% 有効成分又は有効成分混合物を担体と混練することによ
り、そのまま使用することのできる粉剤を得る。
F5水和剤 a)    b)   c) 式11[aによシ表わされる化合物 25%  501
 75’ltリグノスルホン酸ナトリウム      
5%  5チラウリル硫酸ナトリウム     3慢5
チ 高分散ケイ酸 5チ 10チ  10俤 カオリ/ 62チ 27チ 有効成分を助剤とともに十分に混合した後、該混合物を
適当なミルで良く磨砕すると、水で希釈して所望の濃度
の懸濁液を得ることのできる水利剤が得られる。
注j4幻腹医 トマト植物を3週間成育した後、このトマト植物に、試
験化合物の水和剤から上述したように調製した散布液(
有効成分含有ffi:0.02%)を散布する。
24時間後に、薬剤処理した植物をカビ(病原菌)の胞
子の!Q?r7J液で感染せしめる。
感染した植物を、相対湿度90−100%および温度2
0℃で、5日間成育した後、病原菌による感染度の評価
をした。
b)侵透生瓦 トマト植物を3週間成育した後、このトマト植物に試験
化合物の水利剤から上述のように調製した散布液〔有効
成分含有量: 0.002%(土壌の体積基準)〕で注
水した。注水の際、土壌上の植物部分に、散布液が接触
しないように注意する。
薬剤処理した植物を、48時間後に、カビ(病原菌)の
胞子の懸濁液で感染させる。
感染した植物を、相対湿度90−100%および20℃
で5日間成育してから、カビ(病原菌)感染度の評価を
行った。
弐■゛aにより表される化合物は充分に有効で有ること
が見出された。感染度は0−5%であった。
5週令のぶどうの若木に、試験化合物の製剤から調製し
た散布液を散布した。1日後に、処理した植物をP、v
iticolaの胞子の懸濁液(200,000胞子/
 m l )で感染させた。温室内で、20℃に保持し
た。14時間100%の相対湿度、次いで4日間75−
85%の相対湿度、最後にカビ(病原菌)の胞子の繁殖
を促進するためにさらに一夜相対湿度100%に保持す
る。
6日間の保持期間後に、感染度を評価した。
b)侵透作■ 5週令のぶどうの若木に、試験化合物の製剤から調製し
た散布液を注水した。3日後に、薬剤処理した植物をP
、viticolaの胞子の懸濁液(200,000胞
子/ m 1 )で感染させた。
試験はa)に記述したのと同様に行われる。
弐IIIaにより表される化合物の場合、感染度は0−
5%に抑制された。
壌の湿気をいつも保持した。
試験を評価するに当たっては、発芽したトウモロコシ植
物の数、そして健全および罹病植物の数を決定した。
発芽した植物および健全な植物の数は90%以上であっ
た。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)a)式V ▲数式、化学式、表等があります▼(V) (式中、R_1とR_2は下述と同じに定義される)に
    より表されるα−フェニルアミノ−γ−ブチロラクトン
    を酸化して、式IV ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) (式中、R_1とR_3は下述と同じに定義される)に
    より表される3−(フェニルアミノ)−2,5−ジヒド
    ロ−2−フラノンを与え、 b)後者を式VI (式中、R_3は式 I と同じに定義され、そしてXは
    塩素原子、臭素原子またはR_3COO−基を表す)に
    より表されるカルボン酸ハライドまたは無水カルボン酸
    と反応せしめて、式III ▲数式、化学式、表等があります▼(III) (式中、R_1、R_2とR_3は下述と同じに定義さ
    れる)により表される3−[N−(アシル)−N−(フ
    ェニル)]−アミノ−2,5−ジヒドロ−2−フラノン
    を与え、 c)生成した取得物を、鏡像選択的活性触媒の存在下、
    水素で水素化して式II ▲数式、化学式、表等があります▼(II) により表される(1′R)3−[N−(アシル)−N−
    (フェニル)]−アミノ−テトラヒドロ−2−フラノン
    を与え、 d)水素化生成物を塩素化することにより、式 I によ
    り表される3−[N−(アシル)−N−(3−クロロ−
    フェニル)]−アミノ−テトラヒドロ−2−フラノン類
    の(aR、1′R;aS、1′R)ジアステレオ異性体
    混合物にし; e)そしてこの混合物から、(aS、1′R)鏡像体を
    溶媒からの結晶化により分離することを特徴とする式(
    I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、R_1とR_2の各々は、他と独立して、メチ
    ル基またはエチル基を表し;そしてR_3はメチル基、
    クロロメチル基、メトキシメチル基またはシクロプロピ
    ル基を表す)により表される(aS、1′R)−3−[
    N−(アシル)−N−(3−クロロフェニル)]−アミ
    ノ−テトラヒドロ−2−フラノン類の製造方法。 (2)R_1とR_2がメチル基を表し;R_3がメト
    キシメチル基を表し;そしてXが塩素原子を表す請求項
    (1)記載の方法。 (3)溶媒中、40−140℃で、酸化剤として二酸化
    マンガンを用いて、式Va ▲数式、化学式、表等があります▼(Va) により表される化合物を、酸化して、式IVa▲数式、化
    学式、表等があります▼(IVa) により表される化合物を与えることを特徴とする請求項
    (2)記載の方法。 (4)トルエン中、85−112℃で酸化反応を行うこ
    とを特徴とする請求項(3)記載の方法。 (5)酸化剤としてセリウム(IV)化合物を用いて酸化
    反応を行うことを特徴とする請求項(2)記載の方法。 (6)a)請求項(3)記載の式Vaの化合物を、常圧
    下、−10℃から+40℃で、溶媒中、過酸化物または
    過酸により酸化して、[N−(ヒドロキシ)−N−(2
    ,6−ジメチルフェニル)]−アミノ−テトラヒドロ−
    2−フラノンを与え、そして後者の化合物から水の要素
    を除去して式IVaの化合物に変換し、 b)副生成物として発生する塩化水素を40−60℃で
    、減圧下、沸騰させながら除去しつつ、式IVaにより表
    される化合物を、式VIa CH_3OCH_2CCl(VIa) により表される化合物の理論量の50−500%過剰量
    を用いてアシル化して、式IIIa ▲数式、化学式、表等があります▼(IIIa) により表される化合物を与え、 c)式IIIaにより表される化合物を、溶媒としてのア
    ルコール中、−20℃から+70℃で、0. 1−150バール(bar)の圧下、 式VIIまたは式VIIa [XRhYZ](VII)、 [XRhYZ]^■A^■(VIIa) 〔式中、Xは2ヶのオレフィン配位子または1ヶのジエ
    ン配位子を表し; Yは、キラル(chiral)なジホスフィン基を表し
    、そしそのジホスフィン基中の第2ホスフィン基が2〜
    4ヶの炭素原子と結合し、そしてその結合したものがロ
    ジウム(Rh)原子と共に、5−、6−または7−員環
    を形成するものを表すか; またはYはキラル(chiral)なジホスフィナイト
    基を表し、そのジホスフィナイト基中のホスフィナイト
    基が2ヶの炭素原子と結合し、そしてその結合したもの
    がロジウム(Rh)原子と共に、7−員環を形成するも
    のを表し; Zはクロライド基、ブロマイド基またはイオダイド基を
    表し;そして A^■は酸素原子または錯塩酸のアニオンを表す〕によ
    り表されるロジウム化合物の触媒量の存在下、水素化し
    て、式IIa ▲数式、化学式、表等があります▼(IIa) により表される化合物の(1′R)鏡像体を与え、d)
    元素の塩素(elementalchlorine)に
    より、式IIaにより表される化合物を塩素化して式 I
    a ▲数式、化学式、表等があります▼( I a) により表される化合物を与え;そして e)溶媒としてメチルエチルケトンから、式 I aによ
    り表される(aS、1′R)鏡像体の分離をすることを
    特徴とする請求項(2)記載の方法。 (7)テトラヒドロフラン中、0−10℃で、酸化剤と
    してm−クロロ過安息香酸を用いて酸化反応を行い; そしてメタノール中、0−50℃で、1−70バール(
    bar)の圧下、式IIIaの化合物を基準にして、各々
    の場合、0.002−10モル%のビス−ノルボルナジ
    エニル−ロジウム( I )テトラフルオロ硼酸および(
    4R、5R)−(−)−4,5−ビス−(ジフェニルホ
    スフィノメチル)−2,2−ジメチル−1,3−ジオキ
    ソランの存在下、水素化反応を行うことを特徴とする請
    求項(6)記載の方法。 (8)ジクロロメタン中、0−10℃で、酸化剤として
    m−クロロ過安息香酸を用いて酸化反応を行い; そしてメタノール中、0−50℃で、1−70バール(
    bar)の圧下、式IIIaの化合物を基準にして、各々
    の場合、0.002−10モル%のビス−ノルボルナジ
    エニル−ロジウム( I )テトラフルオロ硼酸および(
    4R、5R)−(−)−4,5−ビス−(ジフェニルホ
    スフィノメチル)−2,2−ジメチル−1,3−ジオキ
    ソランの存在下、水素化反応を行うことを特徴とする請
    求項(6)記載の方法。 (9)a)請求項(3)記載の式Vaの化合物を、常圧
    下、−10℃から+40℃で、溶媒中、過酸化物または
    過酸により酸化して、[N−(ヒドロキシ)−N−(2
    ,6−ジメチルフェニル)]−アミノ−テトラヒドロ−
    2−フラノンを与え、そして後者の化合物から水の要素
    を除去して式IVaの化合物に変換し、 b)副生成物として発生する塩化水素を40−60℃で
    、減圧下、沸騰させながら除去しつつ、式IVaにより表
    される化合物を、式VIa ▲数式、化学式、表等があります▼(VIa) により表される化合物の理論量の50−500%過剰量
    を用いてアシル化して、式IIIa ▲数式、化学式、表等があります▼(IIIa) により表される化合物を与え、 式IIIaにより表される化合物を、溶媒としてのアルコ
    ール中、−20℃から+70℃で、0.1−150バー
    ル(bar)の圧下、 式VIIIa ▲数式、化学式、表等があります▼(VIIIa) 〔式中、R_4は未置換のまたは炭素原子数1ないし4
    のアルキル基またはメトキシ基によって単置換されたフ
    ェニル基、または1−もしくは2−ナフチル基を表し;
    そして Z^−は、式R_5COO^−(式中、R_5は炭素原
    子数1ないし6のアルキル基またはCF_3基を表す)
    により表される基のアニオンを表すか;またはトリフル
    オロメタンスルホネート・アニオンを表す〕により表さ
    れるルテニウム(R)−2,2′−ビス(ジアリールホ
    スフィノ)−1,1′−ビナフチル塩または式VIIIb ▲数式、化学式、表等があります▼(VIIIb) (式中、R_4とZは式VIIIaと同じに定義される)に
    より表されるルテニウム(S)−2,2′−ビス(ジア
    リールホスフィノ)−1,1′−ビナフチル塩の触媒量
    の存在下、水素化して、請求項(6)記載の式IIaによ
    り表される化合物の(1′R)鏡像体を与え、そして 式IIaにより表される化合物を、元素の塩素(elem
    entalchlorine)により塩素化して請求項
    (6)記載の式 I aにより表される化合物を与えるこ
    とを特徴とする請求項(2)に記載の方法。 (10)メタノール中、0−50℃で、1−70バール
    (bar)の圧下、式IIIaにより表される化合物を基
    準にして0.002−10モル%のルテニウム(R)−
    または(S)−2,2′−ビス(ジフェニルホスフィノ
    )−1,1′−ビナフチルジアセテートの存在下、水素
    化することを特徴とする請求項(9)記載の方法。 (11)a)請求項(1)記載の式Vにより表される2
    −フェニル−アミノ−γ−ブチロラクトンを酸化して、
    請求項(1)記載の式IVにより表される3−(フェニル
    −アミノ)−2,5−ジヒドロ−2−オキソフランを与
    え、 b)後者を請求項(1)記載の式VIにより表されるカル
    ボン酸ハライドまたは無水カルボン酸により、請求項(
    1)記載の式IIIにより表される3−[N−(メトキシ
    アセチル)−N−(フェニル)]−アミノ−2,5−ジ
    ヒドロ−2−フラノンに変換し、c)反応生成物を選択
    的に活性な触媒の存在下、水素により水素化して、請求
    項(1)記載の式IIにより表される(1′R)3−[N
    −(アシル)−N−(フェニル)]−アミノ−テトラヒ
    ドロ−2−フラノンを与え、 d)水素化生成物を塩素化し、次いで得られた式 I に
    より表される(aR、1′R;aS、1′R)ジアステ
    レオ異性体混合物を分離することを特徴とする請求項(
    1)記載の式 I により、表される3−[N−(アシル
    )−N−(3−クロロ−フェニル)]−アミノ−テトラ
    ヒドロ−2−フラノン類の(aR、1′R;aS、1′
    R)ジアステレオ異性体混合物の製造方法。 (12)R_1とR_2はメチル基を表し;R_3はメ
    トキシメチル基を表し:そしてXは塩素原子を表す請求
    項(11)記載の方法。 (13a)請求項(3)記載の式Vaにより表される化
    合物を、0−10℃でテトラヒドロフラン中、酸化剤と
    してのm−クロロ過安息香酸により酸化し、次いで生成
    したN−ヒドロキシ誘導体から水の要素を除去し、 b)副生成物として発生する塩化水素を40−60℃で
    、減圧下、沸騰させながら除去しつつ、式IVaにより表
    される化合物を、請求項(6)記載の式VIaの化合物の
    理論量の50−500%過剰量を用いてアシル化して、
    請求項(6)記載の式IIIaにより表される化合物を与
    え、 c)式IIIaにより表される化合物を、請求項(6)記
    載の式VIIまたは式VIIaにより表されるロジウム化合物
    の触媒量の存在下、水素化して、式IIaにより表される
    化合物の(1′R)鏡像異性体を与え、 d)式IIaにより表される化合物を、元素の塩素(el
    ementalchlorine)により塩素化して、
    請求項(6)記載の式 I aにより表される化合物を与
    えることを特徴とする請求項(12)記載の方法。 (14)0−10℃でジクロロメタン中、酸化剤として
    のm−クロロ過安息香酸により酸化し、次いで生成した
    N−ヒドロキシ誘導体から水の要素を除去することを特
    徴とする請求項(12)記載の方法。 (15)メタノール中、0−50℃で、1−70バール
    (bar)の圧下、式IIIaにより表される化合物を基
    準にして、各々の場合、0.002−10モル%のビス
    −ノルボルナジエニル−ロジウム( I )テトラフルオ
    ロ硼酸および(4R、5R)−(−)−4,5−ビス−
    (ジフェニルホスフィノメチル)−2,2−ジメチル−
    1,3−ジオキソランの存在下、水素化反応を行う請求
    項(13)および(14)記載の方法。 (16)a)式Vaにより表される化合物を、0−10
    ℃でテトラヒドロフラン中、酸化剤としてのm−クロロ
    過安息香酸により酸化し、次いで生成したN−ヒドロキ
    シ誘導体から水の要素を除去し、b)副生成物として発
    生する塩化水素を40−60℃で、減圧下、沸騰させな
    がら除去しつつ、請求項(6)記載の式IVaにより表さ
    れる化合物を、請求項(6)記載の式VIaの化合物の理
    論量の50−500%過剰量を用いてアシル化して、請
    求項(6)記載の式IIIaにより表される化合物を与え
    、c)式IIIaにより表される化合物を、溶媒としての
    アルコール中、−20℃から+70℃で、0.1−15
    0バール(bar)の圧下、 式VIIIa ▲数式、化学式、表等があります▼(VIIIa) (式中、R_4は未置換のまたはまたは炭素原子数1な
    いし4のアルキル基またはメトキシ基によって単置換さ
    れたフェニル基、または1−または2−ナフチル基を表
    し;そしてZ−は、式R_5COO^−(式中、R_5
    は炭素原子数1ないし6のアルキル基またはCF_3基
    を表す)により表される基のアニオンを表すか;または
    トリフルオロメタンスルホネート・アニオンを表す)に
    より表されるルテニウム(R)−2,2′−ビス(ジア
    リールホスフィノ)−1,1′−ビナフチル塩または式
    VIIIb ▲数式、化学式、表等があります▼(VIIIb) (式中、R_4とZは式VIIIaと同じに定義される)に
    より表されるルテニウム(S)−2,2′−ビス(ジア
    リールホスフィノ)−1,1′−ビナフチル塩の触媒量
    の存在下、水素化して、請求項(6)記載の式IIaによ
    り表される化合物の(1′R)鏡像体を与え、そして d)式IIaにより表される化合物を、元素の塩素(el
    ementalchlorine)により塩素化して請
    求項(6)記載の式 I aにより表される化合物を与え
    ることを特徴とする請求項(12)記載の方法。 (17)溶媒中、0−50℃で、1−70バール(ba
    r)の圧下、式IIIaの化合物を基準にして0.002
    −10モル%のルテニウム(R)−または(S)−2,
    2′−ビス(ジフェニルホスフィノ)−1,1′−ビナ
    フチルジアセテートの触媒量の存在下、水素化反応を行
    う請求項(16)記載の方法。 (18)請求項(1)記載の式 I により表される化合
    物の(aR、1′R)鏡像体を160−180℃で1な
    いし3時間加熱することを特徴とする、該化合物の(a
    R、1′R)鏡像体からの該化合物の(aS、1′R;
    aR、1′R)ジアステレオ異性体混合物の製造方法。 (19)テトラブチルアンモニウムブロマイドの存在下
    加熱することを特徴とする請求項(18)記載の方法。 (20)請求項(1)記載の式Vにより表される2−フ
    ェニル−アミノ−γ−ブチロラクトンを酸化剤により酸
    化し、次いで反応生成物を分離することを特徴とする請
    求項(1)記載の式IVにより表される3−(フェニルア
    ミノ)−2,5−ジヒドロ−2−フラノンの合成のため
    の製造方法。 (21)テトラヒドロフラン中、0−10℃で、酸化剤
    としてのm−クロロ過安息香酸により酸化し、次いで生
    成したN−ヒドロキシ誘導体から水の要素を除去するこ
    とを特徴とする請求項(20)記載の方法。 (22)請求項(3)記載の式IVaにより表される3−
    [N−(2,6−ジメチルフェニル)]−アミノ−2,
    5−ジヒドロ−2−フラノンの合成のための請求項(2
    1)記載の方法。 (23)請求項(1)記載の式IVにより表される化合物
    。 (24)請求項(23)記載の、請求項(6)記載の式
    IVaにより表される3−[N−(2,6−ジメチルフェ
    ニル)]−アミノ−2,5−ジヒドロ−2−フラノン。 (25)ジクロロメタン中、0−10℃で、酸化剤とし
    てのm−クロロ過安息香酸により酸化し、次いで生成し
    たN−ヒドロキシ誘導体から水の要素を除去することを
    特徴とする請求項(20)記載の方法。 (26)請求項(1)記載の式IVに表される化合物を請
    求項(1)記載の式VIにより表される化合物と反応させ
    て、反応生成物を分離することを特徴とする請求項(1
    )記載の式IIIにより表される3−[N−(メトキシア
    セチル)−N−(フェニル)]−アミノ−2,5−ジヒ
    ドロ−2−フラノンの製造方法。 (27)R_1とR_2がメチル基を表し;Xが塩素原
    子を表す請求項(26)記載の方法。 (28)副生成物として発生する塩化水素を40−60
    ℃で、減圧下、沸騰させながら除去しつつ、式IVaによ
    り表される化合物を、式VIaの化合物の理論量の50−
    500%過剰量を用いて反応させることを特徴とする請
    求項(27)記載の方法。 (29)請求項(1)記載の式IIIにより表される化合
    物。 (30)請求項(29)記載の、式IIIa ▲数式、化学式、表等があります▼(IIIa) により表される3−[N−(メトキシアセチル)−N−
    (2,6−ジメチルフェニル)]−フミノ−2,5−ジ
    ヒドロ−2−フラノン。 (31)選択的活性触媒の存在下、水素により、請求項
    (1)記載の式IIIにより表される化合物を水素化する
    ことを特徴とする、請求項(1)記載の式IIにより表さ
    れる(1′R)−3−[N−(アシル)−N−(フェニ
    ル)−アミノ−テトラヒドロ−2−フラノン誘導体の製
    造方法。 (32)R_1とR_2がメチル基を表し;R_3がメ
    トキシメチル基を表す請求項(31)記載の方法。 (33)請求項(6)記載の式VIIまたはVIIaにより表
    されるロジウム化合物の触媒量の存在下、水素化するこ
    とを特徴とする請求項(31)記載の方法。 (34)溶媒中、0−50℃で、1−70バール(ba
    r)の圧下、ビス−ノルボルナジエニル−ロジウム(
    I )テトラフルオロ硼酸および(4R、5R)−(−)
    −4,5−ビス−(ジフェニルホスフィノメチル)−2
    ,2−ジメチル−1,3−ジオキソランの触媒量の存在
    下、水素化することを特徴とする請求項(33)記載の
    方法。 (35)溶媒としてのアルコール中、−20℃から+7
    0℃で、0.1−150バール(bar)の圧下、式V
    IIIa ▲数式、化学式、表等があります▼(VIIIa) (式中、R_4は未置換のまたはまたは炭素原子数1な
    いし4のアルキル基またはメトキシ基によって単置換さ
    れたフェニル基、または1−もしくはまたは2−ナフチ
    ル基を表し;そして Z^−は、式R_5COO^−(式中、R_5は炭素原
    子数1ないし6のアルキル基またはCF_3基を表す)
    により表される基のアニオンを表すか;またはトリフル
    オロメタンスルホネート・アニオンを表す により表されるルテニウム(R)−2, 2′−ビス(ジアリールホスフィノ)−1,1′−ビナ
    フチル塩または式VIIIb ▲数式、化学式、表等があります▼(VIIIb) (式中、R_4とZは式VIIIaと同じに定義される)に
    より表されるルテニウム(S)−2,2′−ビス(ジア
    リールホスフィノ)−1,1′−ビナフチル塩の触媒量
    の存在下、水素化し、次いで式IIaにより表される化合
    物を元素の塩素 (elementalchlorine)により塩素化
    して請求項(6)記載の式 I aにより表される化合物
    を与えることを特徴とする請求項(31)記載の方法。 (36)溶媒中、0−50℃で、1−70バール(ba
    r)の圧下、式IIIaの化合物を基準にして0.002
    −10モル%のルテニウム(R)−または(S)−2,
    2′−ビス(ジアリールホスフィノ)−1,1′−ビナ
    フチルジアセテートの存在下、水素化反応を行う請求項
    (35)記載の方法。 (37)式IIにより表される化合物を元素の塩素(el
    ementalchlorine)と反応させることを
    特徴とする請求項(1)記載の式 I により表される(
    aS、1′R;aR、1′R)ジアステレオ異性体混合
    物の製造方法。 (38)塩素化剤として塩素を使用することを特徴とす
    る請求項(37)記載の方法。 (39)有効成分として、請求項(30)記載の式III
    aにより表される3−[N−(メトキシアセチル)−N
    −(2,6−ジメチルフェニル)]−アミノ−2,5−
    ジヒドロ−2−フラノンを0. 1−95%、適当な担体と共に含有することを特徴とす
    る殺菌組成物 (40)請求項(30)記載の式IIIaにより表される
    3−[N−(メトキシアセチル)−N−(2,6−ジメ
    チルフェニル)]−アミノ−2,5−ジヒドロ−2−フ
    ラノンの殺微生物的に有効な量を、植物または植物病原
    性の微生物の生息箇所に通用することを特徴とする植物
    病原性の微生物の防除法。
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