JPH0245910A - レティクルの検査方法 - Google Patents
レティクルの検査方法Info
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- JPH0245910A JPH0245910A JP63196954A JP19695488A JPH0245910A JP H0245910 A JPH0245910 A JP H0245910A JP 63196954 A JP63196954 A JP 63196954A JP 19695488 A JP19695488 A JP 19695488A JP H0245910 A JPH0245910 A JP H0245910A
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- reticle
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
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Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造工程で用いられるレティク
ルの検査方法に関する。
ルの検査方法に関する。
従来、この種の検査方法には、レティクル自体にレーザ
ー光をあて、その反射光を検出して異物を検査するもの
、及び第３図に示すように、レティクルのパターンを石
英ガラス板に転写し、間接的に検査するものがある。
ー光をあて、その反射光を検出して異物を検査するもの
、及び第３図に示すように、レティクルのパターンを石
英ガラス板に転写し、間接的に検査するものがある。
すなわち第３図（ａ）に示すように、石英ガラス板１上
にアルミニウム膜またはクロム膜１１とフォトレジスト
膜１２を形成する。次に第３図（ｂ）に示すように、対
象とするレティクル３をマスクとしてフォトレジスト膜
１２をパターニングする。
にアルミニウム膜またはクロム膜１１とフォトレジスト
膜１２を形成する。次に第３図（ｂ）に示すように、対
象とするレティクル３をマスクとしてフォトレジスト膜
１２をパターニングする。
次に第３図（ｃ）に示すように、パターニングされたフ
ォトレジスト膜をマスクとしてクロム膜１１をエツチン
グし、レティクルのパターン４を転写する。そしてこの
パターン４が転写されたクロム膜１１Ａを有する石英ガ
ラス板１を透過方式のマスク検査方法を用いて検査を行
う。
ォトレジスト膜をマスクとしてクロム膜１１をエツチン
グし、レティクルのパターン４を転写する。そしてこの
パターン４が転写されたクロム膜１１Ａを有する石英ガ
ラス板１を透過方式のマスク検査方法を用いて検査を行
う。
上述した従来のレティクル検査方法のうち、レーザー光
を用いるものは異物の検出サイズに限界がある事や、半
導体ウェーハへの焼き付はパターンとの相違等があるた
め、半導体ウェーハに焼き付けたパターンにより近い、
第３図て説明した間接的な検査方法が主に用いられてい
た。しかしながらアルミニウム膜やクロム膜１１をエツ
チングしなくてはならない為、そのプロセス及び装置を
必要とする事や、焼き付けて異物有無の確認がとれるま
での時間が１〜２時間必要となるなどの欠点がある。
を用いるものは異物の検出サイズに限界がある事や、半
導体ウェーハへの焼き付はパターンとの相違等があるた
め、半導体ウェーハに焼き付けたパターンにより近い、
第３図て説明した間接的な検査方法が主に用いられてい
た。しかしながらアルミニウム膜やクロム膜１１をエツ
チングしなくてはならない為、そのプロセス及び装置を
必要とする事や、焼き付けて異物有無の確認がとれるま
での時間が１〜２時間必要となるなどの欠点がある。
またクロム膜１］のエツチングを行う為、レジスト上で
作られた０、５〜１．０μｍ程度の微少の欠陥は、サイ
ドエツチング等によって消えてしまい、このような微少
欠陥の検出は不可能であるといった欠点がある。
作られた０、５〜１．０μｍ程度の微少の欠陥は、サイ
ドエツチング等によって消えてしまい、このような微少
欠陥の検出は不可能であるといった欠点がある。
本発明のレティクルの検査方法は、石英ガラス板上に吸
光剤入りのレジスト膜またはＣＥＬ膜を形成する工程と
、レティクルをマスクとして露光し前記レジスト膜また
はＣＥ Ｌ 膜にレティクルのパターンを転写する工程
と、転写されたパターンを有する前記石英ガラス板を透
過方式のマスク検査装置を用いて検査する工程とを含ん
で構成されれる。
光剤入りのレジスト膜またはＣＥＬ膜を形成する工程と
、レティクルをマスクとして露光し前記レジスト膜また
はＣＥ Ｌ 膜にレティクルのパターンを転写する工程
と、転写されたパターンを有する前記石英ガラス板を透
過方式のマスク検査装置を用いて検査する工程とを含ん
で構成されれる。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例を説明す
るための石英ガラス板及びレティクルの断面図である。
るための石英ガラス板及びレティクルの断面図である。
まず、第１図（ａ）に示すように、石英ガラス板１の表
面に５００ｎｍ以上の波長を有する光を９０％以上吸収
する吸光剤入りのフォトレジスト膜２を塗布法により形
成する。
面に５００ｎｍ以上の波長を有する光を９０％以上吸収
する吸光剤入りのフォトレジスト膜２を塗布法により形
成する。
次に第１図（ｂ）に示すように、検査すべきレティクル
３をマスクとし露光・パターニングを行ない、レティク
ル３のパターン４を転写する。この時の露光波長は４３
６ｎｍを使用した。
３をマスクとし露光・パターニングを行ない、レティク
ル３のパターン４を転写する。この時の露光波長は４３
６ｎｍを使用した。
次にこのように処理した石英ガラス板１を、５００ｎｍ
以下の波長をフィルターを用いて除去した光源を有する
透過方式マスク検査装置にセットし、パターン欠陥の検
査を行う。
以下の波長をフィルターを用いて除去した光源を有する
透過方式マスク検査装置にセットし、パターン欠陥の検
査を行う。
水弟１の実施例では露光波長をＧ線（４３６ｎｍ）に限
って説明したが、露光波長とレジストの吸光波長が異っ
ている事で検査が可能である事から、■線やＨ線等を使
用した場合も実施可能である。
って説明したが、露光波長とレジストの吸光波長が異っ
ている事で検査が可能である事から、■線やＨ線等を使
用した場合も実施可能である。
第２図＜ａ）、（ｂ）は、本発明の第２の実施例を説明
するための石英ガラス板及びレティクルの断面図である
。
するための石英ガラス板及びレティクルの断面図である
。
まず第２図（ａ）に示すように、石英ガラス板１上に、
露光波長で光反応を起すＣＥ Ｌ （Ｃｏｎｔｒａｓｔ
ｅｎｈａｎｃｅｄ ＬｉｔｈｏＩ！ｒａｐｈＶ）膜５を
塗布法により形成する。
露光波長で光反応を起すＣＥ Ｌ （Ｃｏｎｔｒａｓｔ
ｅｎｈａｎｃｅｄ ＬｉｔｈｏＩ！ｒａｐｈＶ）膜５を
塗布法により形成する。
次に、第２図（ｂ）に示すように、レティクル３を用い
て露光し、パターン４をＣＥＬ膜５に転写する。ＣＥＬ
膜は露光された部分は透明なＣＥＬ膜５Ａとなる。
て露光し、パターン４をＣＥＬ膜５に転写する。ＣＥＬ
膜は露光された部分は透明なＣＥＬ膜５Ａとなる。
次で、露光波長域と同じ波長域に限定された光源を有す
る透過式マスク検査装置にこの石英ガラス板をセットし
て検査を行う。
る透過式マスク検査装置にこの石英ガラス板をセットし
て検査を行う。
この第２の実施例では、フォトレジスト膜のかわりにＣ
ＥＬ膜を用いる事により、フォトレジストの持つ解像特
性以上のより小さい欠陥や異物の検査が可能である。
ＥＬ膜を用いる事により、フォトレジストの持つ解像特
性以上のより小さい欠陥や異物の検査が可能である。
このように本実施例によれば、レティクルのパターンを
フォトレジスト膜やＣＥＬ膜に直接転写し検査を行うこ
とができるため、従来必要としていたアルミニウムやク
ロム膜のエツチング工程が不要となるばかりでなく、よ
り小さな欠陥や異物の検査を行うことができる。
フォトレジスト膜やＣＥＬ膜に直接転写し検査を行うこ
とができるため、従来必要としていたアルミニウムやク
ロム膜のエツチング工程が不要となるばかりでなく、よ
り小さな欠陥や異物の検査を行うことができる。
以上説明したように本発明は、石英ガラス板上に形成し
た吸光剤入りのレジスト膜またはＣＥＬ膜にレティクル
のパターンを転写し、この転写されたパターンを有する
石英ガラス板を透過方式のマスク検査装置を用いて検査
することにより、実際のフォトグラフィ工程により近い
状態でレティクルの微少の異物や欠陥を迅速に検査でき
る。
た吸光剤入りのレジスト膜またはＣＥＬ膜にレティクル
のパターンを転写し、この転写されたパターンを有する
石英ガラス板を透過方式のマスク検査装置を用いて検査
することにより、実際のフォトグラフィ工程により近い
状態でレティクルの微少の異物や欠陥を迅速に検査でき
る。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）、（ｂ）及び第２図（ａ）、（ｂ）は本発
明の第１及び第２の実施例を説明するための石英ガラス
板及びレティクルの断面図、第３図（ａ）〜（Ｃ）は従
来のレティクルの検査方法の一例を説明するための石英
ガラス板及びレティクの断面図である。 １・・・石英ガラス板、２・・・吸光剤入りフォトレジ
スト膜、３・・・レティクル、４・・・パターン、５・
・・ＣＥ Ｌ膜、１１・・・クロム膜、１２・・・フォ
トレジスト膜。
明の第１及び第２の実施例を説明するための石英ガラス
板及びレティクルの断面図、第３図（ａ）〜（Ｃ）は従
来のレティクルの検査方法の一例を説明するための石英
ガラス板及びレティクの断面図である。 １・・・石英ガラス板、２・・・吸光剤入りフォトレジ
スト膜、３・・・レティクル、４・・・パターン、５・
・・ＣＥ Ｌ膜、１１・・・クロム膜、１２・・・フォ
トレジスト膜。
Claims (1)
- 石英ガラス板上に吸光剤入りのレジスト膜またはＣＥＬ
膜を形成する工程と、レティクルをマスクとして露光し
前記レジスト膜またはＣＥＬ膜にレティクルのパターン
を転写する工程と、転写されたパターンを有する前記石
英ガラス板を透過方式のマスク検査装置を用いて検査す
る工程とを含むことを特徴とするレティクルの検査方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63196954A JPH0245910A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | レティクルの検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63196954A JPH0245910A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | レティクルの検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0245910A true JPH0245910A (ja) | 1990-02-15 |
Family
ID=16366420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63196954A Pending JPH0245910A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | レティクルの検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0245910A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103115928A (zh) * | 2013-02-05 | 2013-05-22 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 玻璃表面异物检查装置、检查机及其检查方法 |
-
1988
- 1988-08-05 JP JP63196954A patent/JPH0245910A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103115928A (zh) * | 2013-02-05 | 2013-05-22 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 玻璃表面异物检查装置、检查机及其检查方法 |
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