JPH10195660A - 気相成長用縦型サセプター - Google Patents
気相成長用縦型サセプターInfo
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- JPH10195660A JPH10195660A JP9011789A JP1178997A JPH10195660A JP H10195660 A JPH10195660 A JP H10195660A JP 9011789 A JP9011789 A JP 9011789A JP 1178997 A JP1178997 A JP 1178997A JP H10195660 A JPH10195660 A JP H10195660A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 18
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims abstract description 14
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 22
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 40
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 条件出し時と実際の気相成長時の温度差を縮
小し得る気相成長用縦型サセプターを提供する。 【解決手段】 黒鉛基材からなる円板状のサセプター本
体２の片面に半導体ウエーハＷを収容する円形の多数の
ウエーハ収容凹部３を設けてなる気相成長用縦型サセプ
ターにおいて、前記ウエーハ収容回収部以外のサセプタ
ー本体の片面の表面粗さをＲmax ０．５μｍ以下とし
た。
小し得る気相成長用縦型サセプターを提供する。 【解決手段】 黒鉛基材からなる円板状のサセプター本
体２の片面に半導体ウエーハＷを収容する円形の多数の
ウエーハ収容凹部３を設けてなる気相成長用縦型サセプ
ターにおいて、前記ウエーハ収容回収部以外のサセプタ
ー本体の片面の表面粗さをＲmax ０．５μｍ以下とし
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウエーハ
等の半導体ウエーハにＣＶＤやエピタキシャル成長等の
気相成長を施す際に用いられる縦型サセプターに関す
る。
等の半導体ウエーハにＣＶＤやエピタキシャル成長等の
気相成長を施す際に用いられる縦型サセプターに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の気相成長用縦型サセプタ
ーは、高周波加熱によって半導体ウエーハを加熱するた
めに黒鉛を基材として表面をＣＶＤ−ＳｉＣ膜で被覆
し、図２に示すように、中央にガス導入口３１を設けた
円板状のサセプター本体３２の片面に、半導体ウエーハ
Ｗを収容する深さ数ｍｍの円形の多数のウエーハ収容凹
部３３を設けてなり、サセプター本体３２の片面の表面
粗さは、ウエーハ収容凹部３３をも含めてＲmax ５〜１
０μｍ程度とされている。
ーは、高周波加熱によって半導体ウエーハを加熱するた
めに黒鉛を基材として表面をＣＶＤ−ＳｉＣ膜で被覆
し、図２に示すように、中央にガス導入口３１を設けた
円板状のサセプター本体３２の片面に、半導体ウエーハ
Ｗを収容する深さ数ｍｍの円形の多数のウエーハ収容凹
部３３を設けてなり、サセプター本体３２の片面の表面
粗さは、ウエーハ収容凹部３３をも含めてＲmax ５〜１
０μｍ程度とされている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
気相成長用縦型サセプターでは、これを用いてエピタキ
シャルウエーハを生産する場合、エピタキシャル成長条
件を求めるため、数枚の半導体ウエーハをサセプター上
にセットし、サセプターを回転しながら条件出しを行
い、その後半導体ウエーハをフルチャージしてルーチン
エピタキシャル成長を行うのが一般的であるが、同一パ
ワーで条件出ししてルーチンエピタキシャル成長を行う
と、条件出しが数枚の半導体ウエーハのセット下で行わ
れるので、温度が低く、ルーチンエピタキシャル成長に
比べて１０〜２０℃の温度差を生ずる不具合がある。か
かる温度差を生ずるのは、サセプターと半導体ウエーハ
とでは表面の放射熱が異なるにもかかわらず、条件出し
の際、半導体ウエーハがセットされた同一円周上のサセ
プター表面の温度が測定され、殆んどがサセプター表面
の温度測定を行っていることになるからである。これに
より、膜厚、抵抗の不良が発生するので、条件出しによ
って求めた値にある係数を加え、ルーチンエピタキシャ
ル成長時のパワー設定を行っているのが現状である。そ
こで、本発明は、条件出し時と実際の気相成長時の温度
差を縮小し得る気相成長用縦型サセプターを提供するこ
とを目的とする。
気相成長用縦型サセプターでは、これを用いてエピタキ
シャルウエーハを生産する場合、エピタキシャル成長条
件を求めるため、数枚の半導体ウエーハをサセプター上
にセットし、サセプターを回転しながら条件出しを行
い、その後半導体ウエーハをフルチャージしてルーチン
エピタキシャル成長を行うのが一般的であるが、同一パ
ワーで条件出ししてルーチンエピタキシャル成長を行う
と、条件出しが数枚の半導体ウエーハのセット下で行わ
れるので、温度が低く、ルーチンエピタキシャル成長に
比べて１０〜２０℃の温度差を生ずる不具合がある。か
かる温度差を生ずるのは、サセプターと半導体ウエーハ
とでは表面の放射熱が異なるにもかかわらず、条件出し
の際、半導体ウエーハがセットされた同一円周上のサセ
プター表面の温度が測定され、殆んどがサセプター表面
の温度測定を行っていることになるからである。これに
より、膜厚、抵抗の不良が発生するので、条件出しによ
って求めた値にある係数を加え、ルーチンエピタキシャ
ル成長時のパワー設定を行っているのが現状である。そ
こで、本発明は、条件出し時と実際の気相成長時の温度
差を縮小し得る気相成長用縦型サセプターを提供するこ
とを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明の気相成長用縦型サセプターは、黒鉛基材か
らなる円板状のサセプター本体の片面に半導体ウエーハ
を収容する円形の多数のウエーハ収容凹部を設けてなる
気相成長用縦型サセプターにおいて、前記ウエーハ収容
凹部以外のサセプター本体の片面の表面粗さをＲmax
０．５μｍ以下としたことを特徴とする。
め、本発明の気相成長用縦型サセプターは、黒鉛基材か
らなる円板状のサセプター本体の片面に半導体ウエーハ
を収容する円形の多数のウエーハ収容凹部を設けてなる
気相成長用縦型サセプターにおいて、前記ウエーハ収容
凹部以外のサセプター本体の片面の表面粗さをＲmax
０．５μｍ以下としたことを特徴とする。
【０００５】ここで、ウエーハ収容凹部以外のサセプタ
ー本体の片面の表面粗さをＲmax ０．５μｍ以下の鏡面
とするには、ダイヤモンド研摩等による。好ましい表面
粗さは、Ｒmax ０．１μｍ以下である。
ー本体の片面の表面粗さをＲmax ０．５μｍ以下の鏡面
とするには、ダイヤモンド研摩等による。好ましい表面
粗さは、Ｒmax ０．１μｍ以下である。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図１は本発明に係る気相成
長用縦型サセプターの実施の形態の一例を示す平面図で
ある。この気相成長用縦型サセプターは、高周波加熱に
よる加熱によって半導体ウエーハを加熱するため、黒鉛
を基材とし、中央にガス導入口１を設けた円板状のサセ
プター本体２の片面に、半導体ウエーハＷを収容する深
さ１ｍｍ程度の円形の多数のウエーハ収容凹部３を設
け、該サセプターの表面に５０〜３００μｍの厚さでＣ
ＶＤ−ＳｉＣ膜のコーティングを行い、かつウエーハ収
容凹部３の表面粗さをＲmax ５〜１０μｍ、それ以外の
サセプター本体２の片面の表面粗さをＲmax ０．５μｍ
以下の鏡面として構成されている。上記気相成長用縦型
サセプターは、黒鉛基材からなる円板の中央にガス導入
口となる透孔を設けると共に、その片面にウエーハ収容
凹部となる円形の多数の凹部を座ぐり加工により形成
し、かつ円板の片面にダイヤモンドポリシングにより鏡
面加工を施して製造される。上記構成の気相成長用縦型
サセプターを用いて半導体ウエーハＷに気相成長を施す
場合、ウエーハ収容凹部３以外のサセプター本体２の片
面と半導体ウエーハＷの被処理面の表面粗さがＲmax
０．５μｍ以下とほぼ同様になり、両者からの放射熱が
ほぼ同様となるので、条件出し時と実際の気相成長時の
温度差を大幅に縮小することができる。
て図面を参照して説明する。図１は本発明に係る気相成
長用縦型サセプターの実施の形態の一例を示す平面図で
ある。この気相成長用縦型サセプターは、高周波加熱に
よる加熱によって半導体ウエーハを加熱するため、黒鉛
を基材とし、中央にガス導入口１を設けた円板状のサセ
プター本体２の片面に、半導体ウエーハＷを収容する深
さ１ｍｍ程度の円形の多数のウエーハ収容凹部３を設
け、該サセプターの表面に５０〜３００μｍの厚さでＣ
ＶＤ−ＳｉＣ膜のコーティングを行い、かつウエーハ収
容凹部３の表面粗さをＲmax ５〜１０μｍ、それ以外の
サセプター本体２の片面の表面粗さをＲmax ０．５μｍ
以下の鏡面として構成されている。上記気相成長用縦型
サセプターは、黒鉛基材からなる円板の中央にガス導入
口となる透孔を設けると共に、その片面にウエーハ収容
凹部となる円形の多数の凹部を座ぐり加工により形成
し、かつ円板の片面にダイヤモンドポリシングにより鏡
面加工を施して製造される。上記構成の気相成長用縦型
サセプターを用いて半導体ウエーハＷに気相成長を施す
場合、ウエーハ収容凹部３以外のサセプター本体２の片
面と半導体ウエーハＷの被処理面の表面粗さがＲmax
０．５μｍ以下とほぼ同様になり、両者からの放射熱が
ほぼ同様となるので、条件出し時と実際の気相成長時の
温度差を大幅に縮小することができる。
【０００７】ここで、ウエーハ収容凹部以外のサセプタ
ー本体の片面の表面粗さを変えた本発明に係る縦型サセ
プターの具体的な実施例１〜４の条件出し時と実際の気
相成長時の温度は、比較例１〜２及び従来例の縦型サセ
プターのそれを併記する表１に示すようになった。な
お、サセプター（５インチウエーハ用の場合）の寸法
は、下記の通りである。 径 ：６００〜７００ｍｍ 厚み： ８〜 １４ｍｍ ウエーハ収容凹部径：１２７ｍｍ ウエーハ収容凹部個数：２０個
ー本体の片面の表面粗さを変えた本発明に係る縦型サセ
プターの具体的な実施例１〜４の条件出し時と実際の気
相成長時の温度は、比較例１〜２及び従来例の縦型サセ
プターのそれを併記する表１に示すようになった。な
お、サセプター（５インチウエーハ用の場合）の寸法
は、下記の通りである。 径 ：６００〜７００ｍｍ 厚み： ８〜 １４ｍｍ ウエーハ収容凹部径：１２７ｍｍ ウエーハ収容凹部個数：２０個
【０００８】
【表１】
【０００９】表１から、ウエーハ収容凹部以外のサセプ
ター本体の片面の表面粗さをＲｍａｘ０．５μｍ以下と
することにより、条件出し時と実際の気相成長時との温
度差を５℃以下とし得、さらにＲmax ０．１μｍ以下と
することにより、温度差を一層縮小することができ、係
数を加えることなく、条件出し時と同一のパワーで実際
の気相成長を行い得ることがわかる。
ター本体の片面の表面粗さをＲｍａｘ０．５μｍ以下と
することにより、条件出し時と実際の気相成長時との温
度差を５℃以下とし得、さらにＲmax ０．１μｍ以下と
することにより、温度差を一層縮小することができ、係
数を加えることなく、条件出し時と同一のパワーで実際
の気相成長を行い得ることがわかる。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の気相成長
用縦型サセプターによれば、ウエーハ収容凹部以外のサ
セプター本体の片面と半導体ウエーハの被処理面の表面
粗さがＲmax ０．５μｍ以下とほぼ同様になり、両者か
らの放射熱がほぼ同様となるので、条件出し時と実際の
気相成長時の温度差を大幅に縮小することができ、ひい
ては条件出し時と同一のパワーで実際の気相成長を行う
ことができる。
用縦型サセプターによれば、ウエーハ収容凹部以外のサ
セプター本体の片面と半導体ウエーハの被処理面の表面
粗さがＲmax ０．５μｍ以下とほぼ同様になり、両者か
らの放射熱がほぼ同様となるので、条件出し時と実際の
気相成長時の温度差を大幅に縮小することができ、ひい
ては条件出し時と同一のパワーで実際の気相成長を行う
ことができる。
【図１】本発明に係る気相成長用縦型サセプターの実施
の形態の一例を示す平面図である。
の形態の一例を示す平面図である。
【図２】従来の気相成長用縦型サセプターの平面図であ
る。
る。
１ ガス導入口 ２ サセプター本体 ３ ウエーハ収容凹部 Ｗ 半導体ウエーハ
Claims (1)
- 【請求項１】 黒鉛基材からなる円板状のサセプター本
体の片面に半導体ウエーハを収容する円形の多数のウエ
ーハ収容凹部を設けてなる気相成長用縦型サセプターに
おいて、前記ウエーハ収容凹部以外のサセプター本体の
片面の表面粗さをＲmax ０．５μｍ以下としたことを特
徴とする気相成長用縦型サセプター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01178997A JP3853453B2 (ja) | 1997-01-06 | 1997-01-06 | 気相成長用縦型サセプター |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01178997A JP3853453B2 (ja) | 1997-01-06 | 1997-01-06 | 気相成長用縦型サセプター |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10195660A true JPH10195660A (ja) | 1998-07-28 |
| JP3853453B2 JP3853453B2 (ja) | 2006-12-06 |
Family
ID=11787699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01178997A Expired - Fee Related JP3853453B2 (ja) | 1997-01-06 | 1997-01-06 | 気相成長用縦型サセプター |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3853453B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004507619A (ja) * | 2000-09-01 | 2004-03-11 | アイクストロン、アーゲー | Ｃｖｄコーティング装置 |
| JP2006237498A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Rohm Co Ltd | サセプタ |
| JP2006237499A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Toyo Tanso Kk | サセプタ |
| WO2009075747A1 (en) * | 2007-12-12 | 2009-06-18 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier with hub |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6447019A (en) * | 1987-08-18 | 1989-02-21 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Glassy carbon coated susceptor |
| JPH03146672A (ja) * | 1989-11-02 | 1991-06-21 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Ｃｖｄ用サセプター |
| JPH0653139A (ja) * | 1992-07-30 | 1994-02-25 | Nec Corp | サセプタ |
| JPH07335572A (ja) * | 1994-06-08 | 1995-12-22 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体ウエハの熱処理用サセプタ及びその製造方法 |
| JPH10167886A (ja) * | 1996-12-13 | 1998-06-23 | Toyo Tanso Kk | 気相成長用サセプター |
-
1997
- 1997-01-06 JP JP01178997A patent/JP3853453B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
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| WO2009075747A1 (en) * | 2007-12-12 | 2009-06-18 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier with hub |
| US8021487B2 (en) | 2007-12-12 | 2011-09-20 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier with hub |
| US8231940B2 (en) | 2007-12-12 | 2012-07-31 | Veeco Instruments Inc. | Wafer processing method with carrier hub removal |
| CN101897003B (zh) | 2007-12-12 | 2013-02-13 | 威科仪器有限公司 | 具有毂的晶片载具 |
| TWI396247B (zh) * | 2007-12-12 | 2013-05-11 | 維克儀器公司 | 具有轂盤之晶圓載體 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3853453B2 (ja) | 2006-12-06 |
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| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20041129 |
|
| A521 | Written amendment |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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