JPH0246050Y2 - - Google Patents
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- JPH0246050Y2 JPH0246050Y2 JP12505084U JP12505084U JPH0246050Y2 JP H0246050 Y2 JPH0246050 Y2 JP H0246050Y2 JP 12505084 U JP12505084 U JP 12505084U JP 12505084 U JP12505084 U JP 12505084U JP H0246050 Y2 JPH0246050 Y2 JP H0246050Y2
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- silicon
- crucible
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本考案は、太陽電池その他の光電変換素子等に
用いられている多結晶シリコンウエハの製造に供
される溶融シリコン供給装置に関する。
用いられている多結晶シリコンウエハの製造に供
される溶融シリコン供給装置に関する。
[従来の技術]
従来から、多結晶シリコンウエハは各種の方法
によつて製造されており、最も一般的には、シリ
コン母材より一旦所定形状のインゴツトを鋳造
し、これをスライスすることによりウエハを得る
ようにしているが、これではスライス作業に大変
な時間をかけなければならないだけでなく、イン
ゴツトの約50%がスライス時のロスとなつてしま
うため、製品がコスト高につき大量生産も不可能
である。
によつて製造されており、最も一般的には、シリ
コン母材より一旦所定形状のインゴツトを鋳造
し、これをスライスすることによりウエハを得る
ようにしているが、これではスライス作業に大変
な時間をかけなければならないだけでなく、イン
ゴツトの約50%がスライス時のロスとなつてしま
うため、製品がコスト高につき大量生産も不可能
である。
そこで、スライスによらない方法としてリボン
法とキヤステイング法(鋳造法)が既に実施され
ているが、大型の太陽電池素材等が得られない難
点があり、更にキヤステイング法では、シリコン
結晶粒が非常に細かくなつて大きな結晶粒が得ら
れない為、当該ウエハによつて得られる太陽電池
の光電変換効率も2〜3%と極度に悪くなる欠点
をもつている。
法とキヤステイング法(鋳造法)が既に実施され
ているが、大型の太陽電池素材等が得られない難
点があり、更にキヤステイング法では、シリコン
結晶粒が非常に細かくなつて大きな結晶粒が得ら
れない為、当該ウエハによつて得られる太陽電池
の光電変換効率も2〜3%と極度に悪くなる欠点
をもつている。
そこで、本出願人は、上記諸法の欠陥を改善す
ることができる多結晶シリコンウエハの製造方法
として既に、シリコン母材を溶融し、この融液を
石英またはカーボンで形成され、かつ回転状態に
ある製造皿上に滴下するなどして、遠心力を有効
利用することにより所望拡径状態の融液薄層を層
成し、これを固化後、製造皿から剥離する方法
(以下これをスピン法という)を提案した。
ることができる多結晶シリコンウエハの製造方法
として既に、シリコン母材を溶融し、この融液を
石英またはカーボンで形成され、かつ回転状態に
ある製造皿上に滴下するなどして、遠心力を有効
利用することにより所望拡径状態の融液薄層を層
成し、これを固化後、製造皿から剥離する方法
(以下これをスピン法という)を提案した。
本考案はこの新規なるスピン法による多結晶シ
リコンウエハの製造に際し、溶融シリコンを回転
する製造皿に適量だけ供給するため創案された従
来例のない溶融シリコン供給装置に関する。
リコンウエハの製造に際し、溶融シリコンを回転
する製造皿に適量だけ供給するため創案された従
来例のない溶融シリコン供給装置に関する。
[考案が解決しようとする問題点]
上記スピン法の実施にあつては、アルゴン等の
所望不活性雰囲気内にてシリコン原料を溶融し、
この溶融シリコンを回転する製造皿へ供給しなけ
ればならないが、この際シリコン原料を次々と不
活性雰囲気内に供与していくとき、簡易な操作で
しかも当該雰囲気中に外気が侵入する如きことの
ないようにして、連続的な生産を可能とし、かつ
上記溶融シリコンを製造皿に供給するための坩堝
傾倒操作を、外部から簡易な操作で、しかも同じ
く上記雰囲気を害することなしに確実に行い得る
ようにするのが、その目的である。
所望不活性雰囲気内にてシリコン原料を溶融し、
この溶融シリコンを回転する製造皿へ供給しなけ
ればならないが、この際シリコン原料を次々と不
活性雰囲気内に供与していくとき、簡易な操作で
しかも当該雰囲気中に外気が侵入する如きことの
ないようにして、連続的な生産を可能とし、かつ
上記溶融シリコンを製造皿に供給するための坩堝
傾倒操作を、外部から簡易な操作で、しかも同じ
く上記雰囲気を害することなしに確実に行い得る
ようにするのが、その目的である。
[問題点を解決するための手段]
本考案は上記の目的を達成するため、炉体内の
所望不活性ガス雰囲気にあつて、原料供給口から
供与されたシリコン原料を坩堝に収納して溶融さ
せ、当該溶融シリコンを回転する製造皿に適量滴
下するシリコンウエハの製造に供されるもので、
仕切弁によつて炉体内と遮断自在とした供給空所
に、前記不活性ガスを導入自在となし、かつ前記
原料供給口を開閉自在なるよう臨設すると共に、
当該空所から炉体内に昇降動自在なるよう気密に
貫装した昇降杆の下端には、供給空所にあつて原
料供給口から供与されるシリコン原料を受容する
と共に、所定降下位置にて昇降杆の下動により転
動用固定ピンとの係合により転動することで、受
容されたシリコン原料が坩堝内に落入する原料カ
ツプを設けるようにした原料導入部と、上記シリ
コン原料を受容した坩堝と、これを加熱溶融する
ヒーターと、操作杆の下動により炉体と坩堝とを
連結する転動索の緊張により当該坩堝を転動し、
当該シリコン母材融液を製造皿に滴下供給可能と
した坩堝の枢支機構とを備えた母材融液供給部と
から構成されている溶融シリコン供給装置を提供
したものである。
所望不活性ガス雰囲気にあつて、原料供給口から
供与されたシリコン原料を坩堝に収納して溶融さ
せ、当該溶融シリコンを回転する製造皿に適量滴
下するシリコンウエハの製造に供されるもので、
仕切弁によつて炉体内と遮断自在とした供給空所
に、前記不活性ガスを導入自在となし、かつ前記
原料供給口を開閉自在なるよう臨設すると共に、
当該空所から炉体内に昇降動自在なるよう気密に
貫装した昇降杆の下端には、供給空所にあつて原
料供給口から供与されるシリコン原料を受容する
と共に、所定降下位置にて昇降杆の下動により転
動用固定ピンとの係合により転動することで、受
容されたシリコン原料が坩堝内に落入する原料カ
ツプを設けるようにした原料導入部と、上記シリ
コン原料を受容した坩堝と、これを加熱溶融する
ヒーターと、操作杆の下動により炉体と坩堝とを
連結する転動索の緊張により当該坩堝を転動し、
当該シリコン母材融液を製造皿に滴下供給可能と
した坩堝の枢支機構とを備えた母材融液供給部と
から構成されている溶融シリコン供給装置を提供
したものである。
[作用]
仕切弁の開閉により供給空所における原料シリ
コンの供給が炉体内と隔絶状態下で行い得ると共
に、当該空所には別個にアルゴン等を供給できる
ので、炉体内全体へのアルゴン供給を、原料シリ
コンの供給毎に実施する如きことが不要となり、
かつ坩堝の作動も手動または動力により確実に行
うことができ、製造皿へシリコン融液が正確に流
下供給され、不本意な流失も発生しない。
コンの供給が炉体内と隔絶状態下で行い得ると共
に、当該空所には別個にアルゴン等を供給できる
ので、炉体内全体へのアルゴン供給を、原料シリ
コンの供給毎に実施する如きことが不要となり、
かつ坩堝の作動も手動または動力により確実に行
うことができ、製造皿へシリコン融液が正確に流
下供給され、不本意な流失も発生しない。
[実施例]
次に、本考案を図示の一実施例について説示す
ると、Aが多結晶シリコンウエハの製造に供され
る溶融シリコン供給装置であり、後述のようにシ
リコン原料を坩堝に供給するための原料導入部1
と、当該坩堝で上記原料を加熱溶融した後、多結
晶シリコンウエハを成形する製造皿に母材融液を
滴下供給する母材融液供給部2とから構成され、
これらを構成する部材は、シリコンとの反応性が
少なく、高温に耐える石英SiO2やカーボンC等
で形成される。
ると、Aが多結晶シリコンウエハの製造に供され
る溶融シリコン供給装置であり、後述のようにシ
リコン原料を坩堝に供給するための原料導入部1
と、当該坩堝で上記原料を加熱溶融した後、多結
晶シリコンウエハを成形する製造皿に母材融液を
滴下供給する母材融液供給部2とから構成され、
これらを構成する部材は、シリコンとの反応性が
少なく、高温に耐える石英SiO2やカーボンC等
で形成される。
上記原料導入部1は、後に詳述する炉体3の上
面中央に立設された中空の筒体11にあつて、そ
の上部側壁に中空筒状の原料供給口12が突設さ
れ、その開口端には開閉蓋13が開閉自在に設け
られていると共に、該供給口12の下位には、筒
体11を軸線と直角方向に遮断閉塞する図示例で
はバタフライ状の仕切弁14が設けられており、
この筒体11内の軸線位置には、昇降杆15が挿
通されて、同杆15の上端が筒体11の上端を閉
塞する蓋16を貫通して上方に突出しており、同
蓋16のOリング16′,16′と気密に摺動する
ことで、昇降杆15が手動または図示しない動力
により昇降自在となつている。
面中央に立設された中空の筒体11にあつて、そ
の上部側壁に中空筒状の原料供給口12が突設さ
れ、その開口端には開閉蓋13が開閉自在に設け
られていると共に、該供給口12の下位には、筒
体11を軸線と直角方向に遮断閉塞する図示例で
はバタフライ状の仕切弁14が設けられており、
この筒体11内の軸線位置には、昇降杆15が挿
通されて、同杆15の上端が筒体11の上端を閉
塞する蓋16を貫通して上方に突出しており、同
蓋16のOリング16′,16′と気密に摺動する
ことで、昇降杆15が手動または図示しない動力
により昇降自在となつている。
さらに、この昇降杆15の炉体3内部に突出さ
れた下端には、上記原料供給口12から供給され
たシリコン原料を受容し、これを後述の如く坩堝
に供給する原料カツプ17が、カーボン繊維によ
る糸条などの吊下索18を介して連結されるか、
仮想線のように同杆15の下端に枢支ピン18′
にて枢着されている。
れた下端には、上記原料供給口12から供給され
たシリコン原料を受容し、これを後述の如く坩堝
に供給する原料カツプ17が、カーボン繊維によ
る糸条などの吊下索18を介して連結されるか、
仮想線のように同杆15の下端に枢支ピン18′
にて枢着されている。
この原料カツプ17は、中空有底の筒状に形成
されるとと共に、外底隅部に係合片17aが下突
され、炉体3に横向きに設けられている転動用固
定ピン19に外底が当接し、さらに、昇降杆15
が下動されることにより、係合片17aが同ピン
19に係合し、これを中心として傾倒状態まで転
動する構成となつている。
されるとと共に、外底隅部に係合片17aが下突
され、炉体3に横向きに設けられている転動用固
定ピン19に外底が当接し、さらに、昇降杆15
が下動されることにより、係合片17aが同ピン
19に係合し、これを中心として傾倒状態まで転
動する構成となつている。
さらに、上記筒体11の上部側壁すなわち仕切
弁14により区画される供給空所11′には夫々
開閉弁21,22を有し、アルゴン等の不活性ガ
スを供給するガス供給管23、真空排気管24が
設けられている。
弁14により区画される供給空所11′には夫々
開閉弁21,22を有し、アルゴン等の不活性ガ
スを供給するガス供給管23、真空排気管24が
設けられている。
一方、前記母材融液供給部2は、前記筒体11
と平行に炉体3の上面に立設された支承筒31の
軸心に、操作杆32が昇降自在に設けられ、該操
作杆32の下端に固着された二股状の支持脚33
に枢支ピン34を介して坩堝35が転動可能に軸
支された構成となつている。
と平行に炉体3の上面に立設された支承筒31の
軸心に、操作杆32が昇降自在に設けられ、該操
作杆32の下端に固着された二股状の支持脚33
に枢支ピン34を介して坩堝35が転動可能に軸
支された構成となつている。
また、上記操作杆32は、上端が上記支承筒3
1の上端閉塞部よりも上方まで突出されていると
共に、下端が上記炉体3内に延出され、かつ上記
支承筒31の上下端に設けたOリング36,36
と気密に当接している。
1の上端閉塞部よりも上方まで突出されていると
共に、下端が上記炉体3内に延出され、かつ上記
支承筒31の上下端に設けたOリング36,36
と気密に当接している。
さらに、上記坩堝35は、その内壁をシリコン
との反応性の少ない石英SiO2により形成し、カ
ーボン等よりなる外壁の外底隅部に設けた係止ピ
ン35′と、上記炉体3内の上位所定箇所とがカ
ーボンCやモリブデンMoからなる糸状の転動索
37によつて連結されており、該転動索37が操
作杆32の下降に伴つて緊張し、さらに同杆32
を下降させることで当該底部を持ち上げ、仮想線
の如く傾倒状態まで転動可能に構成されている。
との反応性の少ない石英SiO2により形成し、カ
ーボン等よりなる外壁の外底隅部に設けた係止ピ
ン35′と、上記炉体3内の上位所定箇所とがカ
ーボンCやモリブデンMoからなる糸状の転動索
37によつて連結されており、該転動索37が操
作杆32の下降に伴つて緊張し、さらに同杆32
を下降させることで当該底部を持ち上げ、仮想線
の如く傾倒状態まで転動可能に構成されている。
尚、4は上記坩堝35の直下に設けられたター
ンテーブルであり、その上面に載置された製造皿
5を所要速度で回転しつゝ、上記製造皿5を構成
する上皿6の中心に開口した図示されていない流
入通口よりシリコン母材融液が注入されるもので
あり、図中7は上皿6と図示されていない螺子に
より重積状態にて締着される製造皿5の下皿を示
し、両皿6,7の間に、上記シリコン母材融液
が、回転遠心力によつて流入する複数個のキヤビ
テイが形成され、こゝに流入した融液の固化によ
り製品が得られる。
ンテーブルであり、その上面に載置された製造皿
5を所要速度で回転しつゝ、上記製造皿5を構成
する上皿6の中心に開口した図示されていない流
入通口よりシリコン母材融液が注入されるもので
あり、図中7は上皿6と図示されていない螺子に
より重積状態にて締着される製造皿5の下皿を示
し、両皿6,7の間に、上記シリコン母材融液
が、回転遠心力によつて流入する複数個のキヤビ
テイが形成され、こゝに流入した融液の固化によ
り製品が得られる。
また、前記炉体3内の坩堝35の外側には、所
定間隔を隔てゝヒーター39が設けられており、
坩堝35内のシリコン原料を加熱溶融する。
定間隔を隔てゝヒーター39が設けられており、
坩堝35内のシリコン原料を加熱溶融する。
尚、41は坩堝35内のシリコン母材融液の溶
融状態等炉体3内部を透視可能な透視窓を示す。
融状態等炉体3内部を透視可能な透視窓を示す。
次に、上記実施例に係る溶融シリコン供給装置
Aを用いてシリコン原料を溶融し、これを製造皿
5に供給するには、先ず、昇降杆15を原料カツ
プ17が原料供給口12の位置に来るまで上昇さ
せる。
Aを用いてシリコン原料を溶融し、これを製造皿
5に供給するには、先ず、昇降杆15を原料カツ
プ17が原料供給口12の位置に来るまで上昇さ
せる。
次に、仕切弁14により供給空所11′を閉成
した後、同口12を開いて原料カツプ17内へシ
リコン原料を投入し、同口12を開閉蓋13にて
閉塞する。
した後、同口12を開いて原料カツプ17内へシ
リコン原料を投入し、同口12を開閉蓋13にて
閉塞する。
つづいて、開閉弁22を開放して真空排気管2
4を通して上記空所11′内の真空排気を行つた
後、開閉弁22を閉塞し、次いで開閉弁21を開
成して仕切弁14上部の筒体11内にガス供給管
23を通してアルゴンガス等を導入する。
4を通して上記空所11′内の真空排気を行つた
後、開閉弁22を閉塞し、次いで開閉弁21を開
成して仕切弁14上部の筒体11内にガス供給管
23を通してアルゴンガス等を導入する。
次に、仕切弁14を開成した後、昇降杆15を
下降させていくと、原料カツプ17の底部が転動
用固定ピン19の上部に当接すると共に、係合片
17aが係合して、同ピン19を中心として原料
カツプ17が転動し、その中のシリコン原料が下
方の坩堝35内へ流入される。
下降させていくと、原料カツプ17の底部が転動
用固定ピン19の上部に当接すると共に、係合片
17aが係合して、同ピン19を中心として原料
カツプ17が転動し、その中のシリコン原料が下
方の坩堝35内へ流入される。
この坩堝35内のシリコン原料は、ヒーター39
により、1400℃程度で約10分位加熱溶融されるこ
とで、シリコン母材融液となる。
により、1400℃程度で約10分位加熱溶融されるこ
とで、シリコン母材融液となる。
つづいて、手動または図示しない自動昇降装置
によつて操作杆32を下降させると、転動索37
が緊張状態となり、坩堝35は、その底部を持ち
上げられて転動し、シリコン母材融液は製造皿5
へ流下供給される。
によつて操作杆32を下降させると、転動索37
が緊張状態となり、坩堝35は、その底部を持ち
上げられて転動し、シリコン母材融液は製造皿5
へ流下供給される。
そして、製造皿5内へ流入したシリコン母材融
液は、ターンテーブル4の回転によつて回転する
製造皿5の遠心力によつて、拡径方向へ流動さ
れ、当該融液による融液薄層が前記キヤビテイ内
にて形成されるので、これを固化することで多結
晶シリコンウエハが製造できる。
液は、ターンテーブル4の回転によつて回転する
製造皿5の遠心力によつて、拡径方向へ流動さ
れ、当該融液による融液薄層が前記キヤビテイ内
にて形成されるので、これを固化することで多結
晶シリコンウエハが製造できる。
[考案の効果]
昇降杆15と操作杆32の昇降および仕切弁1
4、開閉弁21,22の開閉といつた簡易な操作
により、製造皿5に供給する定量のシリコン母材
融液に見合つたシリコン原料を連続的に供与でき
るので、多結晶シリコンウエハの連続的製造が可
能となり、大量生産に好適である。
4、開閉弁21,22の開閉といつた簡易な操作
により、製造皿5に供給する定量のシリコン母材
融液に見合つたシリコン原料を連続的に供与でき
るので、多結晶シリコンウエハの連続的製造が可
能となり、大量生産に好適である。
また、仕切弁14と弁操作よりシリコンウエハ
製造に際して、炉体3内をアルゴンガス等の不活
性ガスによつて不活性状態に維持したまゝの原料
シリコンの供与が可能となり、この点からも生産
性の向上に資するところ大である。
製造に際して、炉体3内をアルゴンガス等の不活
性ガスによつて不活性状態に維持したまゝの原料
シリコンの供与が可能となり、この点からも生産
性の向上に資するところ大である。
図は本考案に係る溶融シリコン供給装置の一例
を示す縦断正面図である。 1……原料導入部、2……母材融液供給部、3
……炉体、5……製造皿、11′……供給空所、
12……原料供給口、14……仕切弁、15……
昇降杆、17……原料カツプ、19……転動用固
定ピン、21,22……開閉弁、23……ガス供
給管、32……操作杆、35……坩堝、37……
転動索、39……ヒーター。
を示す縦断正面図である。 1……原料導入部、2……母材融液供給部、3
……炉体、5……製造皿、11′……供給空所、
12……原料供給口、14……仕切弁、15……
昇降杆、17……原料カツプ、19……転動用固
定ピン、21,22……開閉弁、23……ガス供
給管、32……操作杆、35……坩堝、37……
転動索、39……ヒーター。
Claims (1)
- 炉体内の所望不活性ガス雰囲気にあつて、原料
供給口から供与されたシリコン原料を坩堝に収納
して溶融させ、当該溶融シリコンを回転する製造
皿に適量滴下するシリコンウエハの製造に供され
るもので、仕切弁によつて炉体内と遮断自在とし
た供給空所に、前記不活性ガスを導入自在とな
し、かつ前記原料供給口を開閉自在なるよう臨設
すると共に、当該空所から炉体内に昇降動自在な
るよう気密に貫装した昇降杆の下端には、供給空
所にあつて原料供給口から供与されるシリコン原
料を受容すると共に、所定降下位置にて昇降杆の
下動により転動用固定ピンとの係合により転動す
ることで、受容されたシリコン原料が坩堝内に落
入する原料カツプを設けるようにした原料導入部
と、上記シリコン原料を受容した坩堝と、これを
加熱溶融するヒーターと、操作杆の下動により炉
体と坩堝とを連結する転動索の緊張により当該坩
堝を転動し、当該シリコン母材融液を製造皿に滴
下供給可能とした坩堝の枢支機構とを備えた母材
融液供給部とから構成されている溶融シリコン供
給装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12505084U JPS6139934U (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | 溶融シリコン供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12505084U JPS6139934U (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | 溶融シリコン供給装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6139934U JPS6139934U (ja) | 1986-03-13 |
| JPH0246050Y2 true JPH0246050Y2 (ja) | 1990-12-05 |
Family
ID=30683735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12505084U Granted JPS6139934U (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | 溶融シリコン供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6139934U (ja) |
-
1984
- 1984-08-17 JP JP12505084U patent/JPS6139934U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6139934U (ja) | 1986-03-13 |
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