JPH0246408A - 光導波路及びその製造方法 - Google Patents
光導波路及びその製造方法Info
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- JPH0246408A JPH0246408A JP19767288A JP19767288A JPH0246408A JP H0246408 A JPH0246408 A JP H0246408A JP 19767288 A JP19767288 A JP 19767288A JP 19767288 A JP19767288 A JP 19767288A JP H0246408 A JPH0246408 A JP H0246408A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 43
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 10
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 6
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 5
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 23
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001741 metal-organic molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenezinc Chemical compound [Zn]=S WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000009022 nonlinear effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 235000021110 pickles Nutrition 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、光集積回路或いは光電子集積回路等の構成要
素として用いられるＩＴ −ＶＩ族化合物半導体の光導
波路に関する。
素として用いられるＩＴ −ＶＩ族化合物半導体の光導
波路に関する。
［従来の技術］
従来報告されているＩＩ −ＶＩ族化合物半導体の光導
波路は、トシャ・ヨコガワ、アプライド・フィジックス
・レター（Ｔｏｓｈｉｙａ Ｙｏｋｏｇａｗａ、Ａｐｐ
ｌＰｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、） Ｖ ｏ １ 、 ５２、Ｎ
ｏ、２、（１９８８）１２０に記載されている構造のも
のである。
波路は、トシャ・ヨコガワ、アプライド・フィジックス
・レター（Ｔｏｓｈｉｙａ Ｙｏｋｏｇａｗａ、Ａｐｐ
ｌＰｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、） Ｖ ｏ １ 、 ５２、Ｎ
ｏ、２、（１９８８）１２０に記載されている構造のも
のである。
第５図は該光導波路の概略図であり、６はＧａＡｓ基板
、７はＺｎＳより成るクラッド層、８はＺｎ５ｅ−Ｚｎ
Ｓ超格子より成る導波路層、９は５ＩＯ２のストライブ
である。この先導波路は５１０２のストライブ幅が６ｇ
ｍ、導波路層の厚さが０ 、４〜１ 、２４４ｚ ｍの
８寺、ン皮長が０６３３Ｉｔｍの光に対してシングルモ
ードとなり、又伝搬損失は０． ７１ ｄ Ｂ／ｃｍで
あると報告されている。
、７はＺｎＳより成るクラッド層、８はＺｎ５ｅ−Ｚｎ
Ｓ超格子より成る導波路層、９は５ＩＯ２のストライブ
である。この先導波路は５１０２のストライブ幅が６ｇ
ｍ、導波路層の厚さが０ 、４〜１ 、２４４ｚ ｍの
８寺、ン皮長が０６３３Ｉｔｍの光に対してシングルモ
ードとなり、又伝搬損失は０． ７１ ｄ Ｂ／ｃｍで
あると報告されている。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、前述の従来技術の先導波路は導波路層上にスト
ライプ状のＳ １０２を形成することにより、界面と平
行な方向の実効的な屈折率段差をつけている為、この方
向にお＆Ｊる導波路領域とクラッド域との屈折率の段差
が小さく光の閉じ込めが有効に行われないという課題を
有する。そこで本発明はこの様な課題を解決するもので
、その目的とするところは光を有効に閉じ込める構造の
ＩＩＶＩ族化合物半導体の光導波路及びその製造方法を
提供するところにある。
ライプ状のＳ １０２を形成することにより、界面と平
行な方向の実効的な屈折率段差をつけている為、この方
向にお＆Ｊる導波路領域とクラッド域との屈折率の段差
が小さく光の閉じ込めが有効に行われないという課題を
有する。そこで本発明はこの様な課題を解決するもので
、その目的とするところは光を有効に閉じ込める構造の
ＩＩＶＩ族化合物半導体の光導波路及びその製造方法を
提供するところにある。
［課題を解決するだめの手段］
本発明の先導波路は、基板状にＩｔ −ＶＩ族化合物半
導体より成る第１のクラッド層と該クラッド層よりも大
きな屈折率を有１−るＩＩ −ＶＩ族化合物半導体より
成る導波路層を積層した構造を有し、かつ少なくとも導
波路層がリッジ型であり、かつ導波路層は該導波路層よ
りも小さな屈折率を有するｊＩＶＩ族化合物半導体Ｊ：
り成る第２のクラッド層に完全に覆われていることを特
徴とする。さらに、該光導波路の第１の製造方法は、基
板上に第１のクラッド層を形成する工程と、該第１のク
ラッド層上にマスクを形成する工程と、該マスクを用い
て導波路層を第１のクラッド層上の一部に選択的に形成
する工程と、マスクを除去する工程と、該導波路層の全
面に第２のクラッド層を形成する工程を含むことを特徴
とする。又第２の製造方法は、基板上にマスクを形成す
る工程と、該マスクを用いて第１のクララ［・層と導波
路層を基板上の一部に選択的に形成する工程と、マスク
を除去する工程と、該導波路層の全面に第２のクラッド
層を形成する工程を含むことを特徴とする。
導体より成る第１のクラッド層と該クラッド層よりも大
きな屈折率を有１−るＩＩ −ＶＩ族化合物半導体より
成る導波路層を積層した構造を有し、かつ少なくとも導
波路層がリッジ型であり、かつ導波路層は該導波路層よ
りも小さな屈折率を有するｊＩＶＩ族化合物半導体Ｊ：
り成る第２のクラッド層に完全に覆われていることを特
徴とする。さらに、該光導波路の第１の製造方法は、基
板上に第１のクラッド層を形成する工程と、該第１のク
ラッド層上にマスクを形成する工程と、該マスクを用い
て導波路層を第１のクラッド層上の一部に選択的に形成
する工程と、マスクを除去する工程と、該導波路層の全
面に第２のクラッド層を形成する工程を含むことを特徴
とする。又第２の製造方法は、基板上にマスクを形成す
る工程と、該マスクを用いて第１のクララ［・層と導波
路層を基板上の一部に選択的に形成する工程と、マスク
を除去する工程と、該導波路層の全面に第２のクラッド
層を形成する工程を含むことを特徴とする。
［実 施 例１］
第１図は本発明の実施例におけるＩＴ −ＶＩ族化合物
半導体の先導波路の概略断面図である。１はＧａＡｓ基
板、２はＺｎＳより成るクラッド層３はＺｎ５ｅより成
る導波路層、４はＺｎＳより成るクラッド層である。こ
の構造において、屈折率が２３４の導波路層の周囲を屈
折率が２３１のクラッド層で覆っている為導波路層とク
ラッド層の屈折率段差が十分に大きい。この為導波路層
への光の閉し込めが有効に行われる。又導波路層とクラ
ッド層の屈折率の段差が比較的小さくてきる為、シング
ルモードとなる為の導波路層の厚さ及び幅の許容範囲が
広くなりシングルモードの光導波路の作製が容易である
。０．６３２８＋１ｍの波長の光を用いて該光導波路の
伝搬損失を測定したところ０．５ｄＢ／ｃｍ以下と低損
失なものであった。これは、前述した様に光が導波路層
内に有効に閉し込められている為、ＧａＡｓ基板中への
光のしみ出しが小さく ＧａＡｓ基板内での吸収が小さ
いことを示ず。又、後述する様に光導波路の製造工程に
おいて導波路層のエツチングをする必要がない為、導波
路層の表面が平坦であり散乱損が小さいことも低損失の
一部である。ＺｎＳ及びＺｎ５ｅ等のＩＴ−ＶＩ族化合
物半導体は、基板のＧａＡｓと同じ閃亜鉛鉱型の結晶構
造である為ＧａＡｓ基板上に容易にエピタキシャル成長
できる。又、発光素子及び受光素子等の光デバイスや電
子デバイスもＧａＡｓ基板上に作製することができる為
、本発明の光導波路はこれらのデバイスを集積化した光
集積回路或いは光電子集積回路等に容易に応用すること
ができる。又基板としてＧａＡｓ以外にもＩｎＰ等のＩ
ＩＩ −Ｖ族生導体基板も用いることができる。又導波
路層及びクラッド層の材料として表１に示した様なＩｔ
−ＶＩ族化合物半導体を用いることもてきる。
半導体の先導波路の概略断面図である。１はＧａＡｓ基
板、２はＺｎＳより成るクラッド層３はＺｎ５ｅより成
る導波路層、４はＺｎＳより成るクラッド層である。こ
の構造において、屈折率が２３４の導波路層の周囲を屈
折率が２３１のクラッド層で覆っている為導波路層とク
ラッド層の屈折率段差が十分に大きい。この為導波路層
への光の閉し込めが有効に行われる。又導波路層とクラ
ッド層の屈折率の段差が比較的小さくてきる為、シング
ルモードとなる為の導波路層の厚さ及び幅の許容範囲が
広くなりシングルモードの光導波路の作製が容易である
。０．６３２８＋１ｍの波長の光を用いて該光導波路の
伝搬損失を測定したところ０．５ｄＢ／ｃｍ以下と低損
失なものであった。これは、前述した様に光が導波路層
内に有効に閉し込められている為、ＧａＡｓ基板中への
光のしみ出しが小さく ＧａＡｓ基板内での吸収が小さ
いことを示ず。又、後述する様に光導波路の製造工程に
おいて導波路層のエツチングをする必要がない為、導波
路層の表面が平坦であり散乱損が小さいことも低損失の
一部である。ＺｎＳ及びＺｎ５ｅ等のＩＴ−ＶＩ族化合
物半導体は、基板のＧａＡｓと同じ閃亜鉛鉱型の結晶構
造である為ＧａＡｓ基板上に容易にエピタキシャル成長
できる。又、発光素子及び受光素子等の光デバイスや電
子デバイスもＧａＡｓ基板上に作製することができる為
、本発明の光導波路はこれらのデバイスを集積化した光
集積回路或いは光電子集積回路等に容易に応用すること
ができる。又基板としてＧａＡｓ以外にもＩｎＰ等のＩ
ＩＩ −Ｖ族生導体基板も用いることができる。又導波
路層及びクラッド層の材料として表１に示した様なＩｔ
−ＶＩ族化合物半導体を用いることもてきる。
表 １
又本発明の光導波路においてはＺｎ５ｅの導波路層はク
ラッド層のＺｎ５ｅに完全に覆われて保護されている為
、外界の影響を受けることなく長期間安定な動作が得ら
れ信頼性が高い。
ラッド層のＺｎ５ｅに完全に覆われて保護されている為
、外界の影響を受けることなく長期間安定な動作が得ら
れ信頼性が高い。
以下に本発明の光導波路の製造方法を第３図（ａ）〜（
ｄ）を用いて説明する。初めに、ＧａＡｓ基板上に下部
のクラッド層となるＺｎＳ層をＭＯＣＶＤ法によりエピ
タキシャル成長し、次に熱ＣＶＤ法等によりマスク５の
５１０２を堆積する。この状態が第３図（ａ）である。
ｄ）を用いて説明する。初めに、ＧａＡｓ基板上に下部
のクラッド層となるＺｎＳ層をＭＯＣＶＤ法によりエピ
タキシャル成長し、次に熱ＣＶＤ法等によりマスク５の
５１０２を堆積する。この状態が第３図（ａ）である。
ＺｎＳのエピタキシャル成長方法には、他にＭＢＥ法、
ＭＯＭＢＥ法或いはホラトウ１−ルエビタキシー法等が
有り、これ等の方法によってもＺｎＳのクラッド層を同
様に形成することが可能である。次にフォトリソグラフ
ィ技術によりＳｉＯ□のパターニングを行う。この場合
導波路層を形成する部分の８１０２膜をエツチングによ
り除去する。この状態が第３図（ｂ）である。パターニ
ングされた５ｉＯ７をマスクとして選択エピタキシャル
成長によりＺｎ５ｅの導波路層を形成し第３図（ｃ）の
様にする。Ｚｎ５ｅの選択エピタキシャル成長は以下の
様な方法で行うことができる。原料としてＺｎ及びＳｅ
の有機化合物を用い、成長圧力を１００Ｔｏｒｒ以下、
成長温度を４００℃以上７００℃以下、ＶＩ族原料とＩ
Ｉ族原料の原料供給モル比を６以下の条件の下で減圧Ｍ
ＯＣＶＤ法或いはＭＯＭＢＥ法により行う。導波路層で
あるＺｎ５ｅを形成した後、沸酸系のエッチャントによ
りＳｉＯ２を除去し、導波路層のＺｎ５ｅの全面を覆う
様に上部のクラッド層のＺｎＳを前記したＺｎＳの成長
方法により形成し第３図（ｄ）の様に光導波路が完成す
る。上記の例ではマスクとしてＳｉＯ□を用いた例につ
いて示したが、５ｉ３Ｎ４等の他の誘電体薄膜或いはＷ
等も同様に用いることができる。又、ＣｄＳ、ＺｎＴｅ
、ＣｄＳｅ等の選択エピタキシャル成長する場合、Ｃｄ
、Ｓ、Ｚｎ、Ｔｅ、Ｓｅのそれぞれの有機化合物を原料
として用いる。
ＭＯＭＢＥ法或いはホラトウ１−ルエビタキシー法等が
有り、これ等の方法によってもＺｎＳのクラッド層を同
様に形成することが可能である。次にフォトリソグラフ
ィ技術によりＳｉＯ□のパターニングを行う。この場合
導波路層を形成する部分の８１０２膜をエツチングによ
り除去する。この状態が第３図（ｂ）である。パターニ
ングされた５ｉＯ７をマスクとして選択エピタキシャル
成長によりＺｎ５ｅの導波路層を形成し第３図（ｃ）の
様にする。Ｚｎ５ｅの選択エピタキシャル成長は以下の
様な方法で行うことができる。原料としてＺｎ及びＳｅ
の有機化合物を用い、成長圧力を１００Ｔｏｒｒ以下、
成長温度を４００℃以上７００℃以下、ＶＩ族原料とＩ
Ｉ族原料の原料供給モル比を６以下の条件の下で減圧Ｍ
ＯＣＶＤ法或いはＭＯＭＢＥ法により行う。導波路層で
あるＺｎ５ｅを形成した後、沸酸系のエッチャントによ
りＳｉＯ２を除去し、導波路層のＺｎ５ｅの全面を覆う
様に上部のクラッド層のＺｎＳを前記したＺｎＳの成長
方法により形成し第３図（ｄ）の様に光導波路が完成す
る。上記の例ではマスクとしてＳｉＯ□を用いた例につ
いて示したが、５ｉ３Ｎ４等の他の誘電体薄膜或いはＷ
等も同様に用いることができる。又、ＣｄＳ、ＺｎＴｅ
、ＣｄＳｅ等の選択エピタキシャル成長する場合、Ｃｄ
、Ｓ、Ｚｎ、Ｔｅ、Ｓｅのそれぞれの有機化合物を原料
として用いる。
［実 施 例２１
第２図は本発明の実施例におけるＩＩ −ＶＩｌ族化合
物半導体の光導波路の概略断面図である。１はＧａＡｓ
基板、２はＺｎＳより成るクラッド層、３はＺｎ５ｅよ
り成る導波路層、４はＺｎＳより成るクラッド層である
。この構造において、屈折率が２．３４の導波路層の周
囲を屈折率が２．３１のクラッド層で覆っている為導波
路層とクラッド層の屈折率段差が十分に大きい。この為
導波路層への光の閉じ込めが有効に行われる。又導波路
層とクラッド層の屈折率の段差が比較的小さくできる為
、シングルモードとなる為の導波路層の厚さ及び幅の許
容範囲が広くなりシングルモードの光導波路の作製が容
易である。０．．６３２８μｍの波長の光を用いて該光
導波路の伝ｔｌＩｉｌ損失を測定したところ０．５ｄＢ
／ｃｍ以下と低損失なものであった。これは、前述した
様に光が導波路層内に有効に閉じ込められている為、Ｇ
ａＡｓ基板中への光のしみ出しが小さく ＧａＡｓ基板
内での吸収が小さいことを示す。又、後述する様に光導
波路の製造工程において導波路層のエツチングをする必
要がない為、導波路層の表面が平坦であり散乱損が小さ
いことも低損失の一因である。ＺｎＳ及びＺｎ５ｅ等の
ＩＩ −ＶＩ族化合物半導体は、基板のＧａＡｓと同し
閃亜鉛鉱型の結晶構造である為ＧａＡＳ基板上に容易に
エピタキシャル成長できる。又、発光素子及び受光素子
等の光デバイスや電子デバイスもＧａＡｓ基板上に作製
することができる為、本発明の光導波路はこれらのデバ
イスを集積化した光集積回路或いは光電子集積回路等に
容易に応用することができる。又基板としてＧａＡｓ以
外にもＩｎＰ等のＩＩＩ −Ｖ族生導体基板も用いるこ
とができる。又導波路層及びクラッド層の材料として表
１に示した様なＩＩ −ＶＩ族化合物半導体を用いるこ
ともてきる。
物半導体の光導波路の概略断面図である。１はＧａＡｓ
基板、２はＺｎＳより成るクラッド層、３はＺｎ５ｅよ
り成る導波路層、４はＺｎＳより成るクラッド層である
。この構造において、屈折率が２．３４の導波路層の周
囲を屈折率が２．３１のクラッド層で覆っている為導波
路層とクラッド層の屈折率段差が十分に大きい。この為
導波路層への光の閉じ込めが有効に行われる。又導波路
層とクラッド層の屈折率の段差が比較的小さくできる為
、シングルモードとなる為の導波路層の厚さ及び幅の許
容範囲が広くなりシングルモードの光導波路の作製が容
易である。０．．６３２８μｍの波長の光を用いて該光
導波路の伝ｔｌＩｉｌ損失を測定したところ０．５ｄＢ
／ｃｍ以下と低損失なものであった。これは、前述した
様に光が導波路層内に有効に閉じ込められている為、Ｇ
ａＡｓ基板中への光のしみ出しが小さく ＧａＡｓ基板
内での吸収が小さいことを示す。又、後述する様に光導
波路の製造工程において導波路層のエツチングをする必
要がない為、導波路層の表面が平坦であり散乱損が小さ
いことも低損失の一因である。ＺｎＳ及びＺｎ５ｅ等の
ＩＩ −ＶＩ族化合物半導体は、基板のＧａＡｓと同し
閃亜鉛鉱型の結晶構造である為ＧａＡＳ基板上に容易に
エピタキシャル成長できる。又、発光素子及び受光素子
等の光デバイスや電子デバイスもＧａＡｓ基板上に作製
することができる為、本発明の光導波路はこれらのデバ
イスを集積化した光集積回路或いは光電子集積回路等に
容易に応用することができる。又基板としてＧａＡｓ以
外にもＩｎＰ等のＩＩＩ −Ｖ族生導体基板も用いるこ
とができる。又導波路層及びクラッド層の材料として表
１に示した様なＩＩ −ＶＩ族化合物半導体を用いるこ
ともてきる。
又本発明の先導波路においてはＺｎ５ｅの導波路層はク
ラッド層のＺｎ５ｃに完全に覆われて保護されている為
、外界の影響を受けることなく長期間安定な動作が得ら
れ信頼性が高い。
ラッド層のＺｎ５ｃに完全に覆われて保護されている為
、外界の影響を受けることなく長期間安定な動作が得ら
れ信頼性が高い。
以下に本発明の先導波路の製造方法を第４図（ａ）〜（
ｄ）を用いて説明する。初めに、ＧａＡｓ基板上に熱Ｃ
ＶＤ法等によりマスク５の５ｉ０２を堆積する。この状
態が第４図（ａ）である。次にフォトリングラフィ技術
によりＳｉＯ□のパクーニングを行う。この場合導波路
層を形成する部分の３４０２をエツチングにより除去す
る。この状態が第４図（１〕）である。バクーニングさ
れた５ｊ０２をマスクとして選択エピタキシャル成長に
よりクラッド層のＺｎＳ及び導波路層のＺｎ５ｅを同一
の成長炉内で連続して形成する。この時マスクの５１０
２上にけＪｌ「漬物がなく第４図（Ｃ）の様な状態とな
る。ＺｎＳ及びＺｎ５ｅの選択エピタキシャル成長は以
下の様な方法て行うことができる。原料１としてＺｎ及
びＳ及びＳｅの有機化合物を用い、成長圧力が］００Ｔ
。
ｄ）を用いて説明する。初めに、ＧａＡｓ基板上に熱Ｃ
ＶＤ法等によりマスク５の５ｉ０２を堆積する。この状
態が第４図（ａ）である。次にフォトリングラフィ技術
によりＳｉＯ□のパクーニングを行う。この場合導波路
層を形成する部分の３４０２をエツチングにより除去す
る。この状態が第４図（１〕）である。バクーニングさ
れた５ｊ０２をマスクとして選択エピタキシャル成長に
よりクラッド層のＺｎＳ及び導波路層のＺｎ５ｅを同一
の成長炉内で連続して形成する。この時マスクの５１０
２上にけＪｌ「漬物がなく第４図（Ｃ）の様な状態とな
る。ＺｎＳ及びＺｎ５ｅの選択エピタキシャル成長は以
下の様な方法て行うことができる。原料１としてＺｎ及
びＳ及びＳｅの有機化合物を用い、成長圧力が］００Ｔ
。
ｒｒ以下、成長温度が４． ＯＯ″Ｃ以上７００℃以下
、ＶＩ族原料とＩ［厚相の供給モル比が６以下の条件の
下て減圧ＭＯＣＶＤ法或いｆｉｌ： Ｍ ＯＭ Ｂ Ｅ
法により行う。クラッド層のＺｎＳ及び導波路層のＺｎ
５ｅを形成した後、沸酸系の工ｙ−Ｊヤントにより５１
０２を除去し、導波路層である２、 ｎ Ｓ Ｃの全面
を覆う様に上部のクラッド層のＺｎＳをＭＯＣＶＤ法に
よりエピタキシャル成長する。Ｚ ｎＳのエピタキシャ
ル方法には、他にＭＢＥ法、ＭＯＭＢＥ法或いはホラ１
ヘウ１−ルエビタキシー法等があり、これ等の方法によ
ってもＺｎＳのクラッド層を同様に形成することが可能
である。以上の様にして第４図（ｄ）の様に先導波路が
完成する。上記の例ではマスクとして５１０２を用いた
例について示したが、Ｓｉ３Ｎ４等の他の誘電体薄膜或
いはＷ等も同様に用いることがてきる。
、ＶＩ族原料とＩ［厚相の供給モル比が６以下の条件の
下て減圧ＭＯＣＶＤ法或いｆｉｌ： Ｍ ＯＭ Ｂ Ｅ
法により行う。クラッド層のＺｎＳ及び導波路層のＺｎ
５ｅを形成した後、沸酸系の工ｙ−Ｊヤントにより５１
０２を除去し、導波路層である２、 ｎ Ｓ Ｃの全面
を覆う様に上部のクラッド層のＺｎＳをＭＯＣＶＤ法に
よりエピタキシャル成長する。Ｚ ｎＳのエピタキシャ
ル方法には、他にＭＢＥ法、ＭＯＭＢＥ法或いはホラ１
ヘウ１−ルエビタキシー法等があり、これ等の方法によ
ってもＺｎＳのクラッド層を同様に形成することが可能
である。以上の様にして第４図（ｄ）の様に先導波路が
完成する。上記の例ではマスクとして５１０２を用いた
例について示したが、Ｓｉ３Ｎ４等の他の誘電体薄膜或
いはＷ等も同様に用いることがてきる。
又、ＣｄＳ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳｅ等の選択エピタキシャ
ル成長する場合、Ｃｄ、Ｓ、Ｚｎ、Ｔｅ、】 ２ Ｓｅのそれぞれの有機化合物を原料として用いる。
ル成長する場合、Ｃｄ、Ｓ、Ｚｎ、Ｔｅ、】 ２ Ｓｅのそれぞれの有機化合物を原料として用いる。
［発明の効果］
以上述べた様に本発明のＩｔ −ＶＩ族化合物半導体の
光導波路は下記の効果を有する。
光導波路は下記の効果を有する。
１）本発明の光導波路の構造において光の閉じ込めを有
効に行うことができる。
効に行うことができる。
１ｉ）ｉ）により光学的な非線形効果を有効に使うこと
が可能になる。
が可能になる。
１１１）可視の光に対して低１ｉ１３失である。
ｉｖ）発光素子及び受光素子を構成するＩＩ＋−族化合
物半導体と同し結晶構造を有する為、これ等の光デバイ
スと同一基板上に本発明の光導波路を容易に作製するこ
とが可能である。これは、本発明の光導波路が光集積回
路或いは光電子集積回路等の構成要素として適している
ことを意味する。
物半導体と同し結晶構造を有する為、これ等の光デバイ
スと同一基板上に本発明の光導波路を容易に作製するこ
とが可能である。これは、本発明の光導波路が光集積回
路或いは光電子集積回路等の構成要素として適している
ことを意味する。
■）導波路層が外界から保護されている為、経時変化が
小さく信頼性が高い。
小さく信頼性が高い。
ｖｊ）シングルモードとなる為の導波路の厚さ及び幅の
許容範囲が広い為、シングルモードの先導波路が容易に
作製できる。
許容範囲が広い為、シングルモードの先導波路が容易に
作製できる。
又、本発明の光導波路の製造方法は以下の様な効果を有
する。
する。
ｖ】１）上記の構造の先導波路をセルファラインプロセ
スで容易に作製することができる。
スで容易に作製することができる。
ｖｉｉｉ）導波路層のエッヂング工程が不要である為エ
ツチングによって必然的に起る表面の荒れを防ぐことが
でき散乱損失の小さい光導波路を作製することができる
。
ツチングによって必然的に起る表面の荒れを防ぐことが
でき散乱損失の小さい光導波路を作製することができる
。
第１図は本発明の実施例におｉｄるＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体の先導波路の概略断面図。 第２図は本発明の実施例におけるＩＩ −ＶＩ族化合物
半導体の光導波路の概略断面図。 第３図（ａ）〜（ｄ）ｉ：ｊ本発明の実施例における第
１図の構造の光導波路の製造工程を示す概略断面図。 第４図（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施例における第２図
の構造の光導波路の製造工程を示す概略断面図。 第５図は従来技術のＩＩ −ＶＩ族化合物半導体の先導
波路の概略図。 ・ＧａＡｓ基板 ・ＺｎＳクラッド層 ・Ｚｎ５ｅ導波路層 ・ＺｎＳクラッド層 ・Ｓ ｉ ０２マスク ・ＧａＡｓ基板 ・ＺｎＳクラッド層 ・Ｚｎ５ｅ−ＺｎＳ超格子導波路層 ・ＳｉＯ□ 以上
半導体の先導波路の概略断面図。 第２図は本発明の実施例におけるＩＩ −ＶＩ族化合物
半導体の光導波路の概略断面図。 第３図（ａ）〜（ｄ）ｉ：ｊ本発明の実施例における第
１図の構造の光導波路の製造工程を示す概略断面図。 第４図（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施例における第２図
の構造の光導波路の製造工程を示す概略断面図。 第５図は従来技術のＩＩ −ＶＩ族化合物半導体の先導
波路の概略図。 ・ＧａＡｓ基板 ・ＺｎＳクラッド層 ・Ｚｎ５ｅ導波路層 ・ＺｎＳクラッド層 ・Ｓ ｉ ０２マスク ・ＧａＡｓ基板 ・ＺｎＳクラッド層 ・Ｚｎ５ｅ−ＺｎＳ超格子導波路層 ・ＳｉＯ□ 以上
Claims (3)
- （１）基板上にII−VI族化合物半導体より成る第１のク
ラッド層と該クラッド層よりも大きな屈折率を有するI
I−VI族化合物半導体より成る導波路層を積層した構造
を有し、かつ少なくとも導波路層がリッジ型であり、か
つ導波路層は該導波路層よりも小さな屈折率を有するI
I−VI族化合物半導体より成る第２のクラッド層に完全
に覆われていることを特徴とする光導波路。 - （２）基板上に第１のクラッド層を形成する工程と、該
第１のクラッド層上にマスクを形成する工程と、該マス
クを用いて導波路層を第１のクラッド層上の一部に選択
的に形成する工程と、マスクを除去する工程と、該導波
路層の全面に第２のクラッド層を形成する工程を含むこ
とを特徴とする光導波路の製造方法。 - （３）基板上にマスクを形成する工程と、該マスクを用
いて第１のクラッド層と導波路層を基板上の一部に選択
的に形成する工程と、マスクを除去する工程と、該導波
路層の全面に第２のクラッド層を形成する工程を含むこ
とを特徴とする第２項記載の光導波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19767288A JPH0246408A (ja) | 1988-08-08 | 1988-08-08 | 光導波路及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19767288A JPH0246408A (ja) | 1988-08-08 | 1988-08-08 | 光導波路及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0246408A true JPH0246408A (ja) | 1990-02-15 |
Family
ID=16378416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19767288A Pending JPH0246408A (ja) | 1988-08-08 | 1988-08-08 | 光導波路及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0246408A (ja) |
-
1988
- 1988-08-08 JP JP19767288A patent/JPH0246408A/ja active Pending
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