JPH0246406A - 光導波路及びその製造方法 - Google Patents
光導波路及びその製造方法Info
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- JPH0246406A JPH0246406A JP19650088A JP19650088A JPH0246406A JP H0246406 A JPH0246406 A JP H0246406A JP 19650088 A JP19650088 A JP 19650088A JP 19650088 A JP19650088 A JP 19650088A JP H0246406 A JPH0246406 A JP H0246406A
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Landscapes
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、光集積回路或いは光電子集積回路等の構成要
素として用いられるＩＩ −ＶＩ族化合物半導体の光導
波路に関する。
素として用いられるＩＩ −ＶＩ族化合物半導体の光導
波路に関する。
［従来の技術］
従来報告されているＩＩ〜ＶＩ族化合物半導体の光導波
路は、トシャ・ヨコガワ、アプライド・フィジックス・
レター（Ｔｏｓｈｉｙａ Ｙｏｋｏｇａｗａ、Ａｐｐｌ
Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｆｆ） Ｖｏｌ、 ５２、Ｎｏ、２、
Ｆ１９８８） １２０に記載されている構造のものであ
る。第５図は該光導波路の概略図であり、６はＧａＡＳ
基板、７はＺｎＳより成るクラッド層、８はＺｎ５ｅ−
ＺｎＳ超格子より成る導波路層、９はＳｉＯ２のストラ
イブである。この光導波路はＳ ｉ ０２のストライブ
幅が６μｍ、導波路層の厚さが０４〜】２４Ｉ１ｍの時
、波長が０．６３３１１ｍの光に対してシングルモード
となり、又伝搬損失はｏ、７１ｄＢ／ｃｍであると報告
されている。
路は、トシャ・ヨコガワ、アプライド・フィジックス・
レター（Ｔｏｓｈｉｙａ Ｙｏｋｏｇａｗａ、Ａｐｐｌ
Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｆｆ） Ｖｏｌ、 ５２、Ｎｏ、２、
Ｆ１９８８） １２０に記載されている構造のものであ
る。第５図は該光導波路の概略図であり、６はＧａＡＳ
基板、７はＺｎＳより成るクラッド層、８はＺｎ５ｅ−
ＺｎＳ超格子より成る導波路層、９はＳｉＯ２のストラ
イブである。この光導波路はＳ ｉ ０２のストライブ
幅が６μｍ、導波路層の厚さが０４〜】２４Ｉ１ｍの時
、波長が０．６３３１１ｍの光に対してシングルモード
となり、又伝搬損失はｏ、７１ｄＢ／ｃｍであると報告
されている。
〔発明が解決しようとする課題）
しかし、前述の従来技術の光導波路は導波路層上にスト
ライブ状のＳｉＯ□を形成することにより、界面と平行
な方向の実効的な屈折率段差をつけている為、この方向
における導波路領域とクラッド域との屈折率の段差が小
さく光の閉じ込めが有効に行われないという課題を有す
る。そこで本発明はこの様な課題を解決するもので、そ
の目的とするところは光を有効に閉し込める構造のＩＩ
ＶＩ族化合物半導体の光導波路及びその製造方法を提供
するところにある。
ライブ状のＳｉＯ□を形成することにより、界面と平行
な方向の実効的な屈折率段差をつけている為、この方向
における導波路領域とクラッド域との屈折率の段差が小
さく光の閉じ込めが有効に行われないという課題を有す
る。そこで本発明はこの様な課題を解決するもので、そ
の目的とするところは光を有効に閉し込める構造のＩＩ
ＶＩ族化合物半導体の光導波路及びその製造方法を提供
するところにある。
［課題を解決するための手段１
本発明の光導波路は、基板上にＩＩ −ＶＩ族化合物半
導体より成るクラッド層と該クラッド層よりも大きな屈
折率を有するＩＴ−ＶＩ族化合物半導体より成る導波路
層を積層した構造を有し、かつ少なくとも導波路層がリ
ッジ型てあり、がっ導波路層は誘電体薄膜により完全に
覆われていることを特徴とする。さらに、該光導波路の
第１の製造方法は、基板上にクラッド層を形成する工程
と、該クラッド層上にマスクを形成する工程と、該マス
クを用いて導波路層をクララ１へ層上の一部に選択的に
形成する工程と、マスクを除去する工程と、該導波路層
の全面に誘電体薄月莫を形成する工程を含むことを特徴
とする。又第２の製造方法は、基板上にマスクを形成す
る工程と、該マスクを用いてクラッド層と導波路層を基
板上の一部に選択的に形成する工程と、マスクを除去す
る工程と、該導波層の全面に誘電体薄膜を形成する工程
を含もことを特徴とする。
導体より成るクラッド層と該クラッド層よりも大きな屈
折率を有するＩＴ−ＶＩ族化合物半導体より成る導波路
層を積層した構造を有し、かつ少なくとも導波路層がリ
ッジ型てあり、がっ導波路層は誘電体薄膜により完全に
覆われていることを特徴とする。さらに、該光導波路の
第１の製造方法は、基板上にクラッド層を形成する工程
と、該クラッド層上にマスクを形成する工程と、該マス
クを用いて導波路層をクララ１へ層上の一部に選択的に
形成する工程と、マスクを除去する工程と、該導波路層
の全面に誘電体薄月莫を形成する工程を含むことを特徴
とする。又第２の製造方法は、基板上にマスクを形成す
る工程と、該マスクを用いてクラッド層と導波路層を基
板上の一部に選択的に形成する工程と、マスクを除去す
る工程と、該導波層の全面に誘電体薄膜を形成する工程
を含もことを特徴とする。
［実施例１１
第１図は本発明の実施例におＬｄるＩＩ −ＶＩ族化合
物半導体の光導波路の概略断面図である。１はＧａＡｓ
基板、２はＺｎＳより成るクラッド層、３はＺｎ５ｅよ
り成る導波路層、４は５１０２膜である。この構造にお
いて、界面と垂直な方向は導波路層の屈折率が２．３４
に対して下部のクラッド層の屈折率が２．３１及び上部
は屈折率が１４６のＳｉＯ３膜である為屈折率の段差は
十分に大きく、又界面と平行な方向においても屈折率が
２３４の導波路層を屈折率が１４６のＳ１０□膜で挟ん
だ構造の為屈折率の段差は十分に大きい。この様に導波
路層とその周囲との屈折率の段差が大きい為、導波路層
への光の閉し込めが有効に行われる。０．６３２８＋１
ｍの波長の光を用いて該光導波路の伝搬損失を測定した
ところ０５ ｄＢ／ｃｍ以下と低損失なものであった。
物半導体の光導波路の概略断面図である。１はＧａＡｓ
基板、２はＺｎＳより成るクラッド層、３はＺｎ５ｅよ
り成る導波路層、４は５１０２膜である。この構造にお
いて、界面と垂直な方向は導波路層の屈折率が２．３４
に対して下部のクラッド層の屈折率が２．３１及び上部
は屈折率が１４６のＳｉＯ３膜である為屈折率の段差は
十分に大きく、又界面と平行な方向においても屈折率が
２３４の導波路層を屈折率が１４６のＳ１０□膜で挟ん
だ構造の為屈折率の段差は十分に大きい。この様に導波
路層とその周囲との屈折率の段差が大きい為、導波路層
への光の閉し込めが有効に行われる。０．６３２８＋１
ｍの波長の光を用いて該光導波路の伝搬損失を測定した
ところ０５ ｄＢ／ｃｍ以下と低損失なものであった。
これは、前述した様に光が導波路層内に有効に閉し込め
られている為、ＧａＡｓ基板中への光のしみ出しが小さ
（ＧａＡｓ基板内での吸収が小さいことを示す。又、後
述する様に光導波路の製造工程において導波路層のエツ
チングをする必要がない為、導波路層の表面が平坦であ
り散乱損が小さいことも低損失の一因である。ＺｎＳ及
びＺｎ５ｅ等のＩＩＶＩ族化合物半導体は、基板のＧａ
Ａｓと同し閃亜鉛鉱型の結晶構造である為ＧａＡｓ基板
上に容易にエピタキシャル成長できる。又、発光素子及
び受光素子等の光デバイスや電子デバイスもＧａＡｓ基
板上に作製することができる為、本発明の光導波路はこ
れらのデバイスを集積化した光集積回路或いは光電子集
積回路等に容易に応用することができる。又基板として
ＧａＡｓ以外にもＩｎＰ等の１ｌｌ−Ｖ族生導体基板も
用いることができる。又導波路層及びクララ）へ層の材
料として表１に示した様なＴＩ −ＶＩ族化合物半導体
を用いることもてきる。
られている為、ＧａＡｓ基板中への光のしみ出しが小さ
（ＧａＡｓ基板内での吸収が小さいことを示す。又、後
述する様に光導波路の製造工程において導波路層のエツ
チングをする必要がない為、導波路層の表面が平坦であ
り散乱損が小さいことも低損失の一因である。ＺｎＳ及
びＺｎ５ｅ等のＩＩＶＩ族化合物半導体は、基板のＧａ
Ａｓと同し閃亜鉛鉱型の結晶構造である為ＧａＡｓ基板
上に容易にエピタキシャル成長できる。又、発光素子及
び受光素子等の光デバイスや電子デバイスもＧａＡｓ基
板上に作製することができる為、本発明の光導波路はこ
れらのデバイスを集積化した光集積回路或いは光電子集
積回路等に容易に応用することができる。又基板として
ＧａＡｓ以外にもＩｎＰ等の１ｌｌ−Ｖ族生導体基板も
用いることができる。又導波路層及びクララ）へ層の材
料として表１に示した様なＴＩ −ＶＩ族化合物半導体
を用いることもてきる。
表］
又本発明の光導波路においてはＺｎ５ｅの導波路層は５
１０２膜に完全に覆われて保護されてぃる為、外界の影
響を受けることなく長期間安定な動作が得られ信頼性が
高い。導波路層の保護膜としてＳｉＯ□以外にもＳｉ３
Ｎ４又はＡｌ２Ｏ３等の他の誘電体薄膜を用いることが
できる。
１０２膜に完全に覆われて保護されてぃる為、外界の影
響を受けることなく長期間安定な動作が得られ信頼性が
高い。導波路層の保護膜としてＳｉＯ□以外にもＳｉ３
Ｎ４又はＡｌ２Ｏ３等の他の誘電体薄膜を用いることが
できる。
以下に本発明の光導波路の製造方法を第３図（ａ）〜（
ｄ）を用いて説明する。初めに、ＧａＡｓ基板上に下部
のクラッド層となるＺｎＳ層をＭＯＣＶＤ法によりエピ
タキシャル成長し、次に熱ＣＶＤ法等によりマスク５の
ＳｉＯ□を堆積する。この状態が第３図（ａ）である。
ｄ）を用いて説明する。初めに、ＧａＡｓ基板上に下部
のクラッド層となるＺｎＳ層をＭＯＣＶＤ法によりエピ
タキシャル成長し、次に熱ＣＶＤ法等によりマスク５の
ＳｉＯ□を堆積する。この状態が第３図（ａ）である。
ＺｎＳのエピタキシャル成長方法ぽは、他にＭＢＥ法、
ＭＯＭＢＥ法或いはホットウォールエピタキシー法等が
有り、これ等の方法によってもＺｎＳのクラッド層を同
様に形成することが可能である。次にフォトリングラフ
ィ技術によりＳ ｉ ０２のパターニングを行う。この
場合導波路層を形成する部分の５ｉｎ２膜をエツチング
により除去する。この状態が第３図（ｂ）である。パタ
ーニングされたＳｉＯ３をマスクとして選択エピタキシ
ャル成長によりＺｎ５ｅの導波路層を形成し第３図（ｃ
）の様にする。Ｚｎ５ｅの選択エピタキシャル成長は以
下の様な方法で行うことができる。原料としてＺｎ及び
Ｓｅの有機化合物を用い、成長圧力を１００Ｔｏｒｒ以
下、成長温度を４００℃以上７００℃以下、ＶＩ族原料
とＩＩ族原料の原料供給モル比を６以下の条件の下で減
圧ＭＯＣＶＤ法或いはＭＯＭＢＥ法により行う。導波路
層であるＺｎ５ｅを形成した後、沸酸系のエッチャント
によりＳｉＯ２を除去し、導波路層であるＺｎ５ｅの全
面を覆う様にＳｉＯ□膜を形成し第３図（ｄ）の様に光
導波路が完成する。上記の例ではマスクとしてＳ ｉ
Ｏ２を用いた例について示したが、Ｓ ｉ ３Ｎ４等の
他の誘電体薄膜或いはＷ等も同様に用いることができる
。又、ＣｄＳ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳｅ等の選択エピタキシ
ャル成長する場合、Ｃｄ、Ｓ、Ｚｎ、Ｔｅ、Ｓｅのそれ
ぞれの有機化合物を原料として用いる。又導波路層を保
護膜と６のマスクの材質が同一の場合、マスクを除去す
る工程を省（ことも可能である。
ＭＯＭＢＥ法或いはホットウォールエピタキシー法等が
有り、これ等の方法によってもＺｎＳのクラッド層を同
様に形成することが可能である。次にフォトリングラフ
ィ技術によりＳ ｉ ０２のパターニングを行う。この
場合導波路層を形成する部分の５ｉｎ２膜をエツチング
により除去する。この状態が第３図（ｂ）である。パタ
ーニングされたＳｉＯ３をマスクとして選択エピタキシ
ャル成長によりＺｎ５ｅの導波路層を形成し第３図（ｃ
）の様にする。Ｚｎ５ｅの選択エピタキシャル成長は以
下の様な方法で行うことができる。原料としてＺｎ及び
Ｓｅの有機化合物を用い、成長圧力を１００Ｔｏｒｒ以
下、成長温度を４００℃以上７００℃以下、ＶＩ族原料
とＩＩ族原料の原料供給モル比を６以下の条件の下で減
圧ＭＯＣＶＤ法或いはＭＯＭＢＥ法により行う。導波路
層であるＺｎ５ｅを形成した後、沸酸系のエッチャント
によりＳｉＯ２を除去し、導波路層であるＺｎ５ｅの全
面を覆う様にＳｉＯ□膜を形成し第３図（ｄ）の様に光
導波路が完成する。上記の例ではマスクとしてＳ ｉ
Ｏ２を用いた例について示したが、Ｓ ｉ ３Ｎ４等の
他の誘電体薄膜或いはＷ等も同様に用いることができる
。又、ＣｄＳ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳｅ等の選択エピタキシ
ャル成長する場合、Ｃｄ、Ｓ、Ｚｎ、Ｔｅ、Ｓｅのそれ
ぞれの有機化合物を原料として用いる。又導波路層を保
護膜と６のマスクの材質が同一の場合、マスクを除去す
る工程を省（ことも可能である。
〔実施例２１
第１図は本発明の実施例におけるＩＩ −ＶＩ族化合物
半導体の光導波路の概略断面図である。１はＧａＡｓ基
板、２はＺｎＳより成るクラッド層、３はＺｎ５ｅより
成る導波路層、４はＳ ｉ Ｏ２膜である。この構造に
おいて、界面と垂直な方向は導波路層の屈折率が２．３
４に対して下部のクラッド層の屈折率が２．３１及び上
部は屈折率が１４６のＳｉＯ□膜である為屈折率の段差
は十分に大きく、又界面と平行な方向においても屈折率
が２．３４の導波路層を屈折率が１４６のＳｉＯ２膜で
挟んだ構造の為屈折率の段差は十分に大きい。この様に
導波路層とその周囲との屈折率の段差が大きい為、導波
路層への光の閉じ込めが有効に行われる。０．６３２８
ｕｍの波長の光を用いて該光導波路の伝搬損失を測定し
たところ０ 、５ ｄＢ／ｃｍ以下と低損失なものであ
った。これは、前述した様に光が導波路層内に有効に閉
じ込められている為、ＧａＡｓ基板中への光のしみ出し
が小さ（ＧａＡｓ基板内での吸収が小さいことを示す。
半導体の光導波路の概略断面図である。１はＧａＡｓ基
板、２はＺｎＳより成るクラッド層、３はＺｎ５ｅより
成る導波路層、４はＳ ｉ Ｏ２膜である。この構造に
おいて、界面と垂直な方向は導波路層の屈折率が２．３
４に対して下部のクラッド層の屈折率が２．３１及び上
部は屈折率が１４６のＳｉＯ□膜である為屈折率の段差
は十分に大きく、又界面と平行な方向においても屈折率
が２．３４の導波路層を屈折率が１４６のＳｉＯ２膜で
挟んだ構造の為屈折率の段差は十分に大きい。この様に
導波路層とその周囲との屈折率の段差が大きい為、導波
路層への光の閉じ込めが有効に行われる。０．６３２８
ｕｍの波長の光を用いて該光導波路の伝搬損失を測定し
たところ０ 、５ ｄＢ／ｃｍ以下と低損失なものであ
った。これは、前述した様に光が導波路層内に有効に閉
じ込められている為、ＧａＡｓ基板中への光のしみ出し
が小さ（ＧａＡｓ基板内での吸収が小さいことを示す。
又、後述する様に先導波路の製造工程において導波路層
のエツチングをする必要がない為、導波路層の表面が平
坦であり散乱損が小さいことも低損失の一因である。又
、クラッド層のＺｎＳと導波路層のＺｎ５ｅは同一炉内
で連続して形成できる為、これらの界面における不純物
濃度或いは欠陥濃度が低くなる。これにより導波路層の
Ｚｎ５ｅ中の不純物或いは欠陥濃度が低くなる。この様
に本発明の構造の光導波路においては、導波路層及び導
波路層とクラッド層との界面における不純物或いは欠陥
濃度が低くなる為、該不純物或いは欠陥が形成する深い
準位に関する光吸収が減少し低損失の光導波路となる。
のエツチングをする必要がない為、導波路層の表面が平
坦であり散乱損が小さいことも低損失の一因である。又
、クラッド層のＺｎＳと導波路層のＺｎ５ｅは同一炉内
で連続して形成できる為、これらの界面における不純物
濃度或いは欠陥濃度が低くなる。これにより導波路層の
Ｚｎ５ｅ中の不純物或いは欠陥濃度が低くなる。この様
に本発明の構造の光導波路においては、導波路層及び導
波路層とクラッド層との界面における不純物或いは欠陥
濃度が低くなる為、該不純物或いは欠陥が形成する深い
準位に関する光吸収が減少し低損失の光導波路となる。
ＺｎＳ及びＺｎ５ｅ等のＩＩ −ＶＴ族化合物半導体は
、基板のＧａＡｓと同じ閃亜鉛鉱型の結晶構造である為
ＧａＡｓ基板上に容易にエピタキシャル成長できる。又
、発光素子及び受光素子等の光デバイスや電子デバイス
もＧａＡｓ基板上に作製することができる為、本発明の
光導波路はこれらのデバイスを集積化した光集積回路或
いは光電子集積回路等に容易に応用することができる。
、基板のＧａＡｓと同じ閃亜鉛鉱型の結晶構造である為
ＧａＡｓ基板上に容易にエピタキシャル成長できる。又
、発光素子及び受光素子等の光デバイスや電子デバイス
もＧａＡｓ基板上に作製することができる為、本発明の
光導波路はこれらのデバイスを集積化した光集積回路或
いは光電子集積回路等に容易に応用することができる。
又基板としてＧａＡｓ以外にもＩｎＰ等のＩＩＩ −Ｖ
族生導体基板も用いることができる。又導波路層及びク
ラッド層の材料として表１に示した様なＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体を用いることもてきる。又本発明の光導波路
においてはＺｎ５ｅの導波路層は５１０２膜に完全に覆
われて保護されている為、外界の影響を受けることなく
長期間安定な動作が得られ信頼性が高い。導波路層の保
護膜としてＳｉＯ３以外にもＳｉ ３Ｎ４又はＡＩ□０
３等の他の誘電体薄膜を用いることができる。
族生導体基板も用いることができる。又導波路層及びク
ラッド層の材料として表１に示した様なＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体を用いることもてきる。又本発明の光導波路
においてはＺｎ５ｅの導波路層は５１０２膜に完全に覆
われて保護されている為、外界の影響を受けることなく
長期間安定な動作が得られ信頼性が高い。導波路層の保
護膜としてＳｉＯ３以外にもＳｉ ３Ｎ４又はＡＩ□０
３等の他の誘電体薄膜を用いることができる。
以下に本発明の光導波路の製造方法を第４図（ａ）〜（
ｄ）を用いて説明する。初めに、ＧａＡｓ基板上に熱Ｃ
ＶＤ法等によりマスク５の８１０２を堆積する。この状
態が第４図（ａ）である。次にフォトリングラフィ技術
によりＳｉＯ３のバターニングを行う。この場合導波路
層を形成する部分のＳ ｉ Ｏ２をエツチングにより除
去する。この状態が第４図（ｂ）である。パターニング
された５１０２をマスクとして選択エピタキシャル成長
によりクラッド層のＺｎＳ及び導波路層のＺｎ５ｅを同
一の成長炉内で連続して形成する。この時マスクのＳｉ
Ｏ３上には堆積物がなく第４図（Ｃ）の様な状態となる
。ＺｎＳ及びＺｎ５ｅの選択エピタキシャル成長は以下
の様な方法で行うことができる。原料としてＺｎ及びＳ
及びＳｅの有機化合物を用い、成長圧力が１００ Ｔｏ
ｒｒ以下、成長温度が４００℃以上７００℃以下、ＶＩ
族原料とＩＩ族原料の供給モル比がθ以下の条件の下で
減圧ＭＯＣＶＤ法或いはＭＯＭＢＥ法により行う。クラ
ッド層のＺｎＳ及び導波路層のＺｎ５ｅを形成した後、
沸酸系のエッチャントにより５１０２を除去し導波路層
であるＺｎ５ｅの全面を覆う様にＳｉＯ□膜を形成し第
４図（ｄ）の様に光導波路が完成する。上記の例ではマ
スクとしてＳｉＯ３を用いた例について示したが、８１
３Ｎ４等の他の誘電体薄膜或いはＷ等も同様に用いるこ
とができる。又、ＣｄＳ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳｅ等の選択
エピタキシャル成長する場合、Ｃｄ、Ｓ、Ｚｎ、Ｔｅ、
Ｓｅのそれぞれの有機化合物を原料として用いる。又導
波路層を保護膜と６のマスフの材質が同一の場合、マス
クを除去する工程を省くことも可能である。
ｄ）を用いて説明する。初めに、ＧａＡｓ基板上に熱Ｃ
ＶＤ法等によりマスク５の８１０２を堆積する。この状
態が第４図（ａ）である。次にフォトリングラフィ技術
によりＳｉＯ３のバターニングを行う。この場合導波路
層を形成する部分のＳ ｉ Ｏ２をエツチングにより除
去する。この状態が第４図（ｂ）である。パターニング
された５１０２をマスクとして選択エピタキシャル成長
によりクラッド層のＺｎＳ及び導波路層のＺｎ５ｅを同
一の成長炉内で連続して形成する。この時マスクのＳｉ
Ｏ３上には堆積物がなく第４図（Ｃ）の様な状態となる
。ＺｎＳ及びＺｎ５ｅの選択エピタキシャル成長は以下
の様な方法で行うことができる。原料としてＺｎ及びＳ
及びＳｅの有機化合物を用い、成長圧力が１００ Ｔｏ
ｒｒ以下、成長温度が４００℃以上７００℃以下、ＶＩ
族原料とＩＩ族原料の供給モル比がθ以下の条件の下で
減圧ＭＯＣＶＤ法或いはＭＯＭＢＥ法により行う。クラ
ッド層のＺｎＳ及び導波路層のＺｎ５ｅを形成した後、
沸酸系のエッチャントにより５１０２を除去し導波路層
であるＺｎ５ｅの全面を覆う様にＳｉＯ□膜を形成し第
４図（ｄ）の様に光導波路が完成する。上記の例ではマ
スクとしてＳｉＯ３を用いた例について示したが、８１
３Ｎ４等の他の誘電体薄膜或いはＷ等も同様に用いるこ
とができる。又、ＣｄＳ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳｅ等の選択
エピタキシャル成長する場合、Ｃｄ、Ｓ、Ｚｎ、Ｔｅ、
Ｓｅのそれぞれの有機化合物を原料として用いる。又導
波路層を保護膜と６のマスフの材質が同一の場合、マス
クを除去する工程を省くことも可能である。
［発明の効果］
以上述べた様に本発明のＩＩ −ＶＩ族化合物半導体の
光導波路は下記の効果を有する。
光導波路は下記の効果を有する。
１）本発明の光導波路の構造において光の閉し込めを有
効に行うことができる。
効に行うことができる。
１ｉ）ｉ）により光学的な非線形効果を有効に使うこと
が可能になる。
が可能になる。
１１１）可視の光に対して低損失である。
ｉｖ）発光素子及び受光素子を構成するＩｌｌ −Ｖ族
化合物半導体と同し結晶構造を有する為、これ等の光デ
バイスと同一基板上に本発明の光導波路を容易に作製す
ることが可能である。これは、本発明の光導波路が光集
積回路或いは光電子集積回路等の構成要素として適して
いることを意味する。
化合物半導体と同し結晶構造を有する為、これ等の光デ
バイスと同一基板上に本発明の光導波路を容易に作製す
ることが可能である。これは、本発明の光導波路が光集
積回路或いは光電子集積回路等の構成要素として適して
いることを意味する。
■）導波路層が外界から保護されている為、経時変化が
小さく信頼性が高い。
小さく信頼性が高い。
又、本発明の先導波路の製造方法は以下の様な効果を有
する。
する。
ｖｉ）上記の構造の光導波路をセルファラインプロセス
で容易に作製することができる。
で容易に作製することができる。
ｖｉｉｌ導波路層のエツチング工程が不要である為エツ
チングによって必然的に起る表面の荒れを防ぐことがで
き散乱損失の小さい先導波路を作製することができる。
チングによって必然的に起る表面の荒れを防ぐことがで
き散乱損失の小さい先導波路を作製することができる。
第１図は本発明の実施例におけるＩＩ −ＶＩ族化合物
半導体の光導波路の概略断面図。 第２図は本発明の実施例におけるＩＩ −ＶＩ族化合物
半導体の先導波路の製造工程を示す概略断面図。 第３図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施例における第１
図の構造の光導波路の製造工程を示す概略断面図。 第４図（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施例における第２図
の構造の光導波路の製造工程を示す概略断面図。 第５図は従来技術のＩＩ −ＶＩ族化合物半導体装置導
波路の概略図。 ・ＧａＡｓ基板 ・ＺｎＳクラッド層 ・Ｚｎ５ｅ導波路層 ・ＳｉＯ□膜 ・Ｓ ｉ ０２マスク ・ＧａＡｓ基板 ・ＺｎＳクラッド層 ・Ｚｎ５ｅ−ＺｎＳ超格子導波路層 ・Ｓ ｉ ０２ 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上 柳 雅 誉（他１名）（ｄ） （ト） （ｔ）
半導体の光導波路の概略断面図。 第２図は本発明の実施例におけるＩＩ −ＶＩ族化合物
半導体の先導波路の製造工程を示す概略断面図。 第３図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施例における第１
図の構造の光導波路の製造工程を示す概略断面図。 第４図（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施例における第２図
の構造の光導波路の製造工程を示す概略断面図。 第５図は従来技術のＩＩ −ＶＩ族化合物半導体装置導
波路の概略図。 ・ＧａＡｓ基板 ・ＺｎＳクラッド層 ・Ｚｎ５ｅ導波路層 ・ＳｉＯ□膜 ・Ｓ ｉ ０２マスク ・ＧａＡｓ基板 ・ＺｎＳクラッド層 ・Ｚｎ５ｅ−ＺｎＳ超格子導波路層 ・Ｓ ｉ ０２ 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上 柳 雅 誉（他１名）（ｄ） （ト） （ｔ）
Claims (3)
- （１）基板上にII−VI族化合物半導体より成るクラッド
層と該クラッド層よりも大きな屈折率を有するII−VI族
化合物半導体より成る導波路を層積層した構造を有し、
かつ少なくとも導波路層がリッジ型であり、かつ導波路
層は誘電体薄膜により完全に覆われていることを特徴と
する光導波路。 - （２）基板上にクラッド層を形成する工程と、該クラッ
ド層上にマスクを形成する工程と、該マスクを用いて導
波路層をクラッド層上の一部に選択的に形成する工程と
、マスクを除去する工程と、該導波路層の全面に誘電体
薄膜を形成する工程を含むことを特徴とする光導波路の
製造方法。 - （３）基板上にマスクを形成する工程と、該マスクを用
いてクラッド層と導波路層を基板上の一部に選択的に形
成する工程と、マスクを除去する工程と、該導波層の全
面に誘電体薄膜を形成する工程を含むことを特徴とする
第２項記載の光導波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19650088A JPH0246406A (ja) | 1988-08-06 | 1988-08-06 | 光導波路及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19650088A JPH0246406A (ja) | 1988-08-06 | 1988-08-06 | 光導波路及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0246406A true JPH0246406A (ja) | 1990-02-15 |
Family
ID=16358789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19650088A Pending JPH0246406A (ja) | 1988-08-06 | 1988-08-06 | 光導波路及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0246406A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5446751A (en) * | 1990-05-01 | 1995-08-29 | British Telecommunications Public Limited Company | Optoelectronic device |
| WO2011127840A1 (en) * | 2010-04-15 | 2011-10-20 | Shanghai Silight Technology Co., Ltd | Method for fabricating waveguides using epitaxial growth |
-
1988
- 1988-08-06 JP JP19650088A patent/JPH0246406A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5446751A (en) * | 1990-05-01 | 1995-08-29 | British Telecommunications Public Limited Company | Optoelectronic device |
| WO2011127840A1 (en) * | 2010-04-15 | 2011-10-20 | Shanghai Silight Technology Co., Ltd | Method for fabricating waveguides using epitaxial growth |
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