JPH0246415A - 焦点検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の利用分野） 本発明は、対物レンズの焦点検出対象となる物体に対し
て投光する焦点検出用投光装置を用いないパッシブ方式
の焦点検出と、焦点検出用投光装置（従来の補助光装置
を含む）を用いるアクティブ方式の焦点検出とを、切り
換えて行う、カメラ用などの焦点検出装置に関するもの
である。

（発明の背景） 従来、カメラの焦点検出装置の一つのタイプとして、焦
点検出用の光学系によって撮影レンズの射出瞳を二つに
分割し、各瞳領域を通過した光束が形成する二つの被写
体像を光電変換素子列（例えばＣＣＤセンサ列）で受光
し、その出力から撮影レンズの焦点状態を検出する、と
いうような装置が知られている。

また、以上のような焦点検出光学系を複数持ち、被写体
の２次元的なパターンを抽出するように工夫し、光電変
換素子列と直交する方向にのみ被写体パターンが存在す
る場合、焦点検出不能に陥るという前出方式の欠点を回
避する発案も特開昭６２−９５５１１号公報等において
開示されている。

更に、被写体からの光だけで受動的に焦点検出を行う受
動方式の欠点である低照度ドの物体に対しても焦点検出
出来るように、低照度時に物体側に所定のパターンを投
影し、物体からの反射パターン像を検出して焦点検出を
行うようにした、焦点検出用投光手段と組み合わされて
使用される能動方式（アクティブ方式）の焦点検出装置
が例えば特開昭６２−３２４０９号公報に開示されてい
る。

能動方式の焦点検出能力を向上するため、本願出願人ら
は第９図のような焦点検出光学系を先に出願している。

第９図において、焦点検出されるべき撮影レンズ１と光
軸を同じくして、フィールドレンズ２が配置される。フ
ィールドレンズ２の近傍には、視野を制限する視野マス
ク３ａ、３ｂが配置されている。視野マスク３ａ、３ｂ
を通過する光束はそれぞれ光学フィルタ４，５によって
波長制限される。光学フィルタ４は赤外光をカットする
赤外カットフィルタで、その分光特性は第１１図に示す
ような特性を示す。この赤外カットフィルタを挿入する
目的は、撮影レンズ１の赤外収差が、焦点検出系に悪影
響を及ぼさないためである。また、光学フィルタ５は後
述の投光系の発光源の発光波長のみを透過するバンドパ
スフィルタを形成している。

フィールドレンズ２の後方には、光軸に関して対称な位
置に、２個の２次結像レンズ６ａ、６ｂが配置される。

更にその後方には、視野マスク３ａの像が結像された光
電変換素子列７ａ、７ｂと、視野マスク３ｂの像が結像
された光電変換素子列８ａ、８ｂが配置される。

この従来例は第１０図に示すような焦点検出用投光系と
組み合わされて使用されるもので、焦点検出用投光系は
被写体に対してパターン投光している。第１０図におい
て、１０は発光ダイオードなどの投光光源で、投光光束
は照明用リレーレンズ１１を介して不規則なチャート形
状を有するパターン部材１２を照明する。瞳分割方式の
焦点検出装置は、同期性パターンに対して誤動作しやす
いため、ランダムパターンが望ましい。照明されたパタ
ーン部材１２のランダムチャートは投光レンズ１２に依
り被写体面に投影される。パターン部材１２と被写体面
との結像関係は、あまり厳密には必要でない。なお投影
パターンは必ずしもチャート形状で表されていなくても
、例えば投光光源ｌＯの発光部の形状でパターンが規定
されてもよい。

ところで、この投光光源１０には、撮影レンズｌの赤外
収差を避け、また、目にまぶしくないように視感度の落
ちた領域の発光源を用いるのが望ましい。又、大きさ等
の実用上の問題から第１２図に示すような分光強度分布
を持つ発光ダイオードを用いるのが一般的である。

第１３図は、被写体にコントラストが無く、第１０図の
焦点検出用投光系によりパターン投光した場合の光電変
換素子列７ａ、７ｂ及び光電変換素子列８ａ　、８ｂの
光電変換信号出力を示す。第１３図（ａ）は光電変換素
子列７ａ、７ｂの信号出力、第１３図（ｂ）は光電変換
素子列８ａ、８ｂの信号出力を、それぞれ示している。

光電変換素子列７ａ、７ｂ及び光電変換素子列８ａ、８
ｂの信号出力から像ずれ量ＰＲを検出する信号処理方法
は、特開昭５８−１４２３０６号公報、特開昭５９−１
０７３１３号公報、特開昭６０−１０１５１３号公報、
或いは特願昭６１−１６０８２４号等に開示されている
。光電変換素子列７ａ。

７ｂには可視光すべての波長が入射しているので、外光
のエネルギーと、投光光束の反射エネルギーが混合され
て、第１３図（ａ）のように投光パターンが圧縮されて
しまう。圧縮される程度は投光エネルギーの強度、被写
体距離、外光強度に左右される。

一方、投光光源ｌＯに波長選択された光電変換素子列８
ａ、８ｂでは、第１３図（ｂ）のように投光パターンが
抽出されている。これは、投光パターンの反射光に対し
て、外光の割合が相対的に減少したため、信号のＳ／Ｎ
比が向上したためである。外光に対する信号のＳ／Ｎ比
が向上すれば、外光が明るい場合でも、より遠い距離ま
で焦点検出可能となる。

更に本願出願人らは投光光束と外光を弁別する他の方法
も先に提案している。即ち、投光光源を時間的に変調し
、投光光源の寄与により生ずる光電変換素子列の電気的
出力部分を外部環境光に依る部分に対し選択的に弁別す
る電気的手段を有し、弁別された投光光源による光学像
の光電変検出力を用いて撮影レンズのデフォーカス量を
検出する。

上記の先提案装置の電気的概略を第１４図に示す。焦点
検出用投光装置１４の発振回路１５は抵抗１６を介して
出力を投光光源１７に与える。発振回路１５の発振周波
数、即ち投光光源１７の投光光束の変調周波数に特に制
限はないが、あまり周波数が低いと、焦点検出装置の応
答性が低下し、更に、後述する交流増幅器に使用するキ
ャパシティが大きくなって、集積回路化に困難を生ずる
おそれがある。また、あまり周波数が高いと、線形増幅
器を構成することができなくなる。

第１４図において、焦点検出用投光装置１４以外の部分
は焦点検出装置１８を示す。光電変換素子列１９ａ、１
９ｂはそれぞれ複数個の光電変換素子１９ａ１〜１９ａ
ｙ１．１９ｂ１〜１９　ｂｙｌから成り、個々の光電変
換素子の光電変換出力は弁別直流化回路２０ａ、　〜２
０ａｎ、２０ｂ１〜２０ｂｎにより外部環境光から弁別
され、直流化された後、シフトレジスタ２１によりクロ
ッキングされるスイッチ２２ａ１〜２２ａｙ１．２２　
ｂｌ　〜２２ｂｎを介して共通出力バス２３に出力され
る。各光電変検出力は時系列的にマイクロコンピュータ
２４内のアナログ／ディジタル変換器ＡＤでサンプリン
グされ、データ用メモリＲＡＭに順次格納される。ＣＰ
Ｕは演算ユニット、ＲＯＭがプログラム用メモリ、Ｖｒ
ｅｆは定電圧である。

各光電変換素子毎の弁別直流化をもう少し詳しく第１５
図により説明する。第１５図では光電変換素子１９ａ□
についてのみ示されているが、他の光電変換素子につい
ても同様である。光電変換素子１９ａ□の７ノード側は
定電圧Ｖｒｅｆを出力する定電圧源に共通配線され、カ
ソード側は電流電圧変換増幅器２５の反転入力端子に接
続される。電流電圧変換増幅器２５の電圧出力は直流成
分を除去するためのカップリングコンデンサ２６を介し
て非反転増幅器２７に入力され、増幅される。一般に太
陽に照らされた昼間戸外の被写体の光学像は、時間的変
動がなく、直流成分であるから、カップリングコンデン
サ２６により除去される。また、人工的な照明下にある
被写体は、商用電源の周波数で変調を受けているが、極
めて低周波なので、同様に除去される。即ち、本装置で
はカップリングコンデンサ２６と非反転増幅器２７の入
力インピーダンスから決まる時定数が、投光光束の変調
周波数では十分利得があり、商用電源周波数では十分利
得が低いようなバイパスフィルタの時定数となる必要が
ある。２８は広域半波整流回路で、増幅された投光光束
成分の光学像の光電変検出力を直流化する。２９は時定
数を持つミラー積分回路であり、半波整流出力を平滑化
する。時定数回路３０の時定数は、投光光束変調周波数
の逆数より十分長く、且つカメラ操作上不自由を感じな
い程度に短い時間に設定される必要がある。投光光束に
よる被写体像の直流化された光電変検出力は、シフトレ
ジスタ２１により制御されたスイッチ２２ａ！を介して
共通出力バス２３に出力される。

以上のような構成の弁別直流化回路により外部環境光の
寄与部分をカットされた光学像光電変検出力は、演算二
二ッ）ＣＰＵによりデータ用メモリＲＡＭ上に順次書き
込まれる。一連のデータサンプリング後、公知の演算方
法により撮影レンズの異なる瞳領域を通過した結像光束
による２像の相対的変位量（いわゆる像ずれ量）が演算
され、デフォーカス量に変換される。変換された値が合
焦判定基準内であれば、合焦と判定され、基準外であれ
ば、演算されたデフォーカス情報に基づき撮影レンズが
駆動される。

受動方式と能動方式の焦点検出がある場合、そのどちら
で焦点検出を行うかを、例えば、パッシブ方式の焦点検
出の他に、外光と投光パターンを分別する手段を持たな
いアクティブ方式の焦点検出の２方式を持つ焦点検出装
置で説明する。従来、このような場合、アクティブ方式
はパッシブ方式に対して補助的な役割しかなかった。２
方式の使われ方を第１６図のフローチャートに従って説
明する。

まず＃ｌで焦点検出用投光装置を用いず、受動方式によ
る光電荷蓄積を行う。これは、なるべくエネルギー的に
有利な方式で焦点検出を行う方が良く、アクティブ方式
の焦点検出を補助的に使っているためである。パッシブ
方式の光電荷蓄積が終了すると、＃２で光電変換素子列
出力をマイクロコンピュータのデータ用メモリ内に取り
込み、光電変換素子列上での像ずれ量を演算し、撮影レ
ンズの駆動量を求める。この時、同時に二つの像の一致
度、コントラストおよび像の輝度を計算する。次に＃３
でこの焦点検出結果が有効であるかどうかを、＃２で計
算した像の一致度、コントラストおよび像の輝度により
判定する。ここで焦点検出結果が良いと判定された場合
、＃４で合焦判定し、その結果によりレンズ駆動（＃５
）、又は不図示である合焦表示やレリーズ動作を行う。

＃３において焦点検出結果が有効でない場合は、＃６で
焦点検出用投光装置を動作させ、アクティブ方式の光電
荷蓄積を行う。投光された光の反射により光電変換素子
列の蓄積が終了すると、＃７で焦点検出演算を行い、＃
８で有効性を判定する。ここで焦点検出結果が有効でな
ければ、焦点検出不能であるので、その表示を行ったり
サーチを行ったりする。焦点検出結果が有効であれば、
＃４で合焦判定をし、パッシブ方式の時と同様な制御を
行う。

前述の先提案例に於いては、パッシブ方式とアクティブ
方式との二つの方式は、それぞれ焦点検出しやすい被写
体と苦手な被写体があるにもかかわらず、そして２方式
の選択は重要な問題であるにもかかわらず、これらに関
しては何ら考慮されておらず、パッシブ方式が主に用い
られ、アクティブ方式がその補助的な役割を果している
にすぎなかった。特に、投光光束と外光の分別手段がな
いアクティブ方式では、アクティブ方式が明らかに有利
な被写体状況においても、パッシブ方式の光電変換出力
による結果が焦点検出不能であることが判定されるまで
、アクティブ方式の焦点検出を行わないため、アクティ
ブ方式が選択された時はシステムの応答性が悪いという
欠点があった。さらに、投光光束と外光の分別手段を持
つアクティブ方式の場合、このような補助的な使用方法
では、アクティブ方式が有利な被写体でもパッシブ方式
で焦点検出してしまう場合が多くなり、精度的に不利に
なるため、何らかの方法でアクティブ方式とパッシブ方
式の選択の必要があった。

例えばパッシブ方式の苦手な暗い被写体を焦点検出した
とすると、第１６図において＃１での蓄積時間は長く制
御される。このため＃３で焦点検出結果が悪いと判定さ
れ、＃６のアクティブ方式の蓄積になるまで、時間がか
かり、応答性が悪くなってしまう。また、アクティブ方
式と比べて、パッシブ方式の苦手な被写体でも、＃３で
焦点検出結果が有効と判定され、アクティブ方式で焦点
検出した場合より精度の悪い焦点検出を行ってしまう場
合がある。

（発明の目的） 本発明の目的は、上述した問題点を解決し、パッシブ方
式とアクティブ方式の選択を応答性良く行うことができ
、精度的にも有利な焦点検出装置を提供することである
。

（発明の特徴） 上記目的を達成するために、本発明は、物体に対する焦
点検出用投光光束の非投射時の光電変換素子列の出力を
用いて焦点検出を行う第１の焦点検出モードでの、前記
光電変換素子列の光電荷蓄積状態を監視する蓄積監視手
段と、該蓄積監視手段の監視出力に応じて、前記第１の
焦点検出モードの途中から、物体に対する焦点検出用投
光光束の投射時の前記光電変換素子列の出力を用いて焦
点検出を行う第２の焦点検出モードに切り換えさせるよ
うに切換手段に指令する切換指令手段とを設け、以て、
パッシブ方式の光電荷蓄積中に、パッシブ方式かアクテ
ィブ方式かを選択すると共に、アクティブ方式が望まし
い光電荷蓄積状態の時には、常にアクティブ方式を選択
するようにしたことを特徴とする。

（発明の実施例） 第１図は本発明の一実施例の全体構成を焦点検出用投光
装置と共に示し、第２図は本発明の一実施例におけるパ
ッシブ方式の光電変換素子列の内部構成を示す。

第１図に於いて、３１は制御装置で、例えば内部に演算
ユニットＣＰＵ、アナロタ／ディジタル変換器ＡＤ、デ
ータ用メモリＲＡＭ、プログラム用メモリＲＯＭ及び入
出力ボート等を持つｌチップマイクロコンピュータであ
る。プログラム用メモリＲＯＭにはＡＦ副制御プログラ
ム及びパラメータが格納されている。３２は焦点検出用
投光装置で、発光制御回路３３や発光ダイオードなどの
投光光源３４などを有する。発光制御回路３３は、制御
装置３１からの制御信号Ａｃｔがハイレベルの間、投光
光源３４を変調発光させる。３５はセンサ装置で、第９
図に示される光電変換素子列７ａ、７ｂ、８ａ、８ｂと
同様の光電変換素子列３６ａ、３６ｂ、３７ａ、３７ｂ
を有する。光電変換素子列３６ａ、３６ｂは、焦点検出
用投光装置３２からの投光光束が投射されない第１の焦
点検出モードの時に選択されて、その出力によりパッシ
ブ方式の焦点検出を行わせるもの、光電変換素子列３７
ａ、３７ｂは、焦点検出用投光装置３２からの投光光束
が投射される第２の焦点検出モードの時に選択されて、
その出力によりアクティブ方式の焦点検出を行わせるも
のである。３８はセンサ駆動回路で、制御装置３１から
蓄積開始信号ＳＴＲ及び使用する光電変換素子列３６ａ
。

３６ｂ又は３７ａ、３７ｂを選択するための選択信号Ｐ
／Ｘを受は取り、選択された光電変換素子列の光電荷蓄
積を開始する。センサ駆動回路３８は１選択信号ｐ／Ｘ
　、読み出し開始信号ＳＨ１駆動用クロック信号φ、ク
リア信号ＣＬを用いてセンサ装置５ 置３５を制御する。センサ装置３５は光電荷蓄積を制御
するための信号としてピーク信号Ｖ　ｐｅａｋ（蓄積さ
れた電荷の最大値）を常に出力し、センサ駆動回路３８
は蓄積時間や出力のゲインを制御する。蓄積が終了する
と、センサ駆動回路３８は制御装置３１に蓄積終了信号
ＥＮ［ｌを出力し、制御装置３１はセンサ駆動回路３８
からデータ信号ＤＴを入力する。

第２図はパッシブ方式の光電変換素子列３６ａ、３６ｂ
の内部構成を示すブロック図である。

３９ａ、３９ｂはピーク検出回路で、企画素中最大のも
のをピーク信号Ｖ　ｐｅａｋとしてピーク信号出力端子
４０から出力する。４１ａ、４１ｂは受光部、４２は蓄
積容量を有し、信号処理を行う蓄積部で、受光部４１ａ
、４１ｂに光があたることにより光電変換された光電変
換信号を蓄積する。蓄積部４２にたまった電荷は、走査
回路４３によりスイッチングされ、データ信号出力端子
４４に順次出力される。

第３図はピーク信号Ｖ　ｐｅａｋと蓄積時間との関係を
表したものである。ｌｌ−Ｉ３は光強度の違いを示した
ピーク値曲線で、電荷が所定電圧■２に達するまで蓄積
が行われる。

蓄積開始後の基準時間Ｔｏの時のピーク信号Ｖｐｅａｋ
の値により、制御装置３１の動作は次のようになる。

Ｉ）　　　１１の場合、基準時間Ｔｏの時にはすでにそ
れ以前の時間ｔ、で蓄積が終了している。このため従来
例と同様に焦点検出演算を行う。

ＩＩ）　　　Ｉ２の場合、基準時間Ｔｏの時にｖ２〉■
ｐｅａｋ＞　Ｖ　ａｃｔ　　（切換閾値）である。この
時も従来例と同様に所定電圧Ｖ２まで蓄積を行って焦点
検出演算をする。

■）　　Ｉ３の場合、基準時間Ｔｏのピーク信号Ｖｐｅ
ａｋは切換閾値Ｖａｃｔまで達していない。本実施例で
改善されるのはこのような場合で、パッシブ方式で苦手
な暗い被写体の時にこうなる。従来ではこのような被写
体を長時間蓄積し、焦点検出演算を行った後にアクティ
ブ方式に移行をするが、本実施例ではこの時点でアクテ
ィブ方式への移行を行う。

第４図は本実施例のシーケーンスフローチャートで、制
御装置３１の動作を示す。＃１０で光電変換素子列３６
ａ、３８ｂを選択して、パッシブ方式の光電荷蓄積を行
わせる。ここで光電変換素子列３６ａ、３６ｂのピーク
信号Ｖ　ｐｅａｋを監視しつつ、蓄積を行わせ、必要で
あれば蓄積終了前にアクティブ方式の焦点検出にジャン
プすることが特徴である。それ以外のステップ＃２〜＃
８は、第１６図で説明したものと同じである。

＃ｌＯの部分を第５図（ａ）にそって詳細に説明する。

＃１０１ではハイレベルの選択信号Ｐ／７１を出力し、
パッシブ方式の光電変換素子列３６ａ、３６ｂを選択す
る。＃１０２でセンサ駆動回路３８に蓄積開始信号ＳＴ
Ｒを出力し、センサ駆動回路３８はセンサ装置１１３５
に蓄積を開始させる。

＃１０３では割込みの許可を行う。すなわちセンサ駆動
回路３８から蓄積終了信号ＥＮＤを受は取ると、通常の
動作を中断し、＃１０７からのプログラムを実行する。

例えば■！の場合、基準時間Ｔｏの経過を待つ間に蓄積
が終了し、データ読み出しく＃　１０８）や焦点検出演
算（＃２）を行う。

＃１０４は待機ルーチンで、蓄積開始からあらかじめ設
定された基準時間ＴＯまで待ち状態となる。＃１０５で
ピーク信号Ｖ　ｐｅａｋをセンサ装置３５から読み込み
、＃１０６でピーク信号Ｖ　ｐｅａｋとあらかじめ設定
された切換閾値Ｖａｃｔと比較する。Ｖ　ｐｅａｋ＜　
Ｖ　ａｃｔの時は＃１０１７’蓄積終了割込みの禁止を
行い、＃６で焦点検出用投光装置３２による投光及びア
クティブ方式蓄積を実行する。Ｖ　ｐｅａｋ≧Ｖ　ａｃ
ｔの時は、蓄積終了まで待って、終了後、蓄積終了割込
みの禁止（＃　１０７）をし、データを読み出す（＃　
１０８）。

次に＃６のアクティブ方式蓄積を第５図（ｂ）で詳しく
説明する。＃６０１でアクティブ方式の光電変換素子列
３７ａ、３７ｂを用いることをセンサ駆動回路３８に選
択信号Ｐ／′Ａを使って通信する。＃６０２で制御信号
Ａｃｔを焦点検出用投光装置３２の発光制御回路３３に
送る。発光制御回路３３は制御信号Ａｃｔが通信されて
いる間、投光光源３４を一定の変調により発光させる。

＃６０３で光電変換素子列３７ａ、３７ｂの蓄積を開始
させ、＃６０４で割込みの許可を行い、蓄積終了まで待
つ。蓄積が終了すると、割込みを禁止しく＃６０５）、
発光を停止する（ａ　ｓ　ｏ　ｓ）。そしてデータを読
み込んで（＃６０７）、＃７へ移行して焦点検出演算を
行う。

第６図はステップ＃ｌＯにおけるパッシブ方式蓄積の別
のフローを示す。

＃１０１〜１０３は第５図（ａ）と同様であるので、説
明を省略する。＃１１０で蓄積開始から第７図に示され
る第１基準時間Ｔｏ１まで待つ。これは蓄積開始から一
定の時間光量と時間に直線性のない部分があり、この間
での誤判定を防ぐためである。＃１１１で、第１基準時
間Ｔｏ１におけるピーク信号Ｖ　ｐｅａｋの値Ｖｐｋ！
を取り込む。次に＃１１２で一定時間△Ｔだけ待つ。光
量が強い場合（工１）ではこの間に蓄積が終了する。＃
１１３で第２基準時間Ｔｏ２におけるピーク信−号Ｖ　
ｐｅａｋの値Ｖ　ｐｋ２を取り込み、その変化量△Ｖ　
＝　Ｖ　ｐｋ２Ｖｐｋ、を計算する（＃　１１４）。こ
の値が一定値Ｖｓより小さい場合、＃１０９にジャンプ
し、蓄積終了割込みを禁止し、＃６へ移行してアクティ
ブ方式蓄積を行う。＃１１５で変化量ΔＶが一定値Ｖｓ
より大きい場合は、蓄積終了を待ち、終了後、＃１０７
で蓄積終了割込みの禁止を行い、以下第５図（ａ）の場
合と同様に制御する。

第６図のフローでは、第７図図示の基準時間”Ｉ’０．
　、　Ｔ０２を第３図図示の基準時間Ｔｏより小さく設
定することにより、第５図（ａ）のフローに比べてより
早い時点でアクティブ方式に移行できる。

第８図は、各画素のピーク信号Ｖ　ｐｅａｋを常時得ら
れないタイプの光電変換素子列を用いた実施例を示す。

４５ａ、４５ｂが受光部で、例えば複数のフォトダイオ
ードから成る。受光部４５ａ、４５ｂで光電変換された
電荷は蓄積電極４６にためられる。この電荷は、シフト
ゲート４７を通して転送部となるアナログシフトレジス
タ４８へ移送される。アナログシフトレジスタ４８から
順次電荷は転送され、データ信号出力端子４４からデー
タ信号ＤＴが得られる。４９ａ、４９ｂは蓄積電極４６
の蓄積を制御するために別に設けられた蓄積監視センサ
で、受光部４５ａ、４５ｂに入る光の平均値に比例した
平均値信号■ａｖｅを平均値信号出力端子５０から出力
する。平均値信号Ｖ　ａｖｅを前述のピーク信号Ｖ　ｐ
ｅａｋと同様に扱ってパッシブ方式とアクティブ方式を
選択することができる。

さらに、第６図のフローのような制御方法も可能である
ことは言うまでもない。

図示実施例では、パッシブ用とアクティブ用にそれぞれ
別な光電変換素子列を用い、アクティブ用の光電変換素
子列には外光除去手段が設けられたものについて説明を
行ったが、必ずしもこれらが別々にある必要はなく、非
投光時と投光時で同じ光電変換素子列に蓄積を行わせる
場合において、従来の補助光使用判定を本発明の手法に
よって行うことが可能であることは言うまでもない。

（発明と実施例の対応） 制御装置３１が本発明の信号処理手段に、＃６（第４図
）の動作を行う制御装置３１の機能が切換手段に、ピー
ク検出回路３９ａ、３９ｂ或いは蓄積監視センサ４９ａ
、４９ｂが蓄積監視手段に、＃１０６　（第５図）或い
は＄１１４〜１１５（第６図）の動作を行う制御装置３
１の機能が切換指令手段に、それぞれ相当する。

（発明の効果） 以上説明したように、本発明によれば、物体に対する焦
点検出用投光光束の非投射時の光電変換素子列の出力を
用い′て焦点検出を行う第１の焦点検出モードでの、前
記光電変換素子列の光電荷蓄積状態を監視する蓄積監視
手段と、該蓄積監視手段の監視出力に応じて、前記第１
の焦点検出モードの途中から、物体に対する焦点検出用
投光光束の投射時の前記光電変換素子列の出力を用いて
焦点検出を行う第２の焦点検出モードに切り換えさせる
ように切換手段に指令する切換指令手段とを設け、以て
、パッシブ方式の光電荷蓄積中に、パッシブ方式かアク
ティブ方式かを選択すると共に、アクティブ方式が望ま
しい光電荷蓄積状態の時には、常にアクティブ方式を選
択するようにしたから、パッシブ方式とアクティブ方式
の選択を応答性良く行うことができ゛、精度的にも有利
にすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を焦点検出用投光装置と共に
示すブロック図、第２図は本発明の一実施例におけるパ
ッシブ方式の光電変換素子列の内部構成を示すブロック
図、第３図は本発明の一実施例に係る光電変換素子列の
蓄積時間とピーク信号の関係を示す特性図、第４図及び
第５図は本発明の一実施例に係る制御装置の動作を示す
フローチャート、第６図は制御装置の動作の他の例を示
すフローチャート、第７図は光電変換素子列の蓄積時間
とピーク信号の他の関係を示す特性図、第８図は本発明
の他の実施例におけるパッシブ方式の光電変換素子列の
内部構成を示すブロック図、第９図は先順に係る焦点検
出装置の光学系を示す斜視図、第１０図は従来の補助光
装置を示す斜視図、第１１図は赤外カットフィルタと可
視カットフィルタの分光透過率を示す図、第１２図は発
光ダイオードの分光強度分布を示す図、第１３図は像信
号を示す図、第１４図は先提案例の焦点検出装置及び焦
点検出用投光装置を示す回路図、第１５図は第１４図図
示装置の弁別直流化回路の例を示す回路図、第１６図は
従来のパッシブ方式とアクティブ方式の切換を示すフロ
ーチャートである。 １・・・・・・撮影レンズ、２・・・・・・フィールド
レンズ、４．５・・・・・・光学フィルタ、６ａ、６ｂ
・・・・・・２次結像レンズ、７ａ、７ｂ、８ａ、８ｂ
・・・・・・光電変換素子列、３１・・・・・・制御装
置、３２・・・・・・焦点検出用投光装置、３５・・・
・・・センサ装置、３６ａ、３６ｂ、３７ａ、３７ｂ・
・・・・・光電変換素子列、３９ａ　、　３９　ｂ　・
・・−・・ピーク検出回路、４１ａ、４１ｂ・・・・・
・受光部、４２・・・・・・蓄積部、４５ａ　、４５　
ｂ・・・・・・受光部、４６・・・・・・蓄積電極、４
９ａ、４９ｂ・・・・・・蓄積監視センサ。 相対強度 波長（ 第１３図 （ａ） （ｂ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）対物レンズを通過した、該対物レンズの焦点検出
   対象となる物体からの光束を受光する複数の蓄積型の光
   電変換素子列と、該光電変換素子列の出力を用いて前記
   対物レンズの焦点状態を検出する信号処理手段と、前記
   物体に対する焦点検出用投光光束の非投射時の前記光電
   変換素子列の出力を用いて焦点検出を行う第１の焦点検
   出モードと、前記物体に対する焦点検出用投光光束の投
   射時の前記光電変換素子列の出力を用いて焦点検出を行
   う第２の焦点検出モードとを切り換える切換手段とを備
   えた焦点検出装置において、前記第１の焦点検出モード
   での、前記光電変換素子列の光電荷蓄積状態を監視する
   蓄積監視手段と、該蓄積監視手段の監視出力に応じて、
   前記第１の焦点検出モードの途中から前記第２の焦点検
   出モードに切り換えさせるように前記切換手段に指令す
   る切換指令手段とを設けたことを特徴とする焦点検出装
   置。