JPH0246416A - 焦点検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の利用分野） 本発明は、対物レンズの焦点検出対象となる物体に対し
て投光する焦点検出用投光装置を用いないパッシブ方式
の焦点検出と、焦点検出用投光装置（従来の補助光装置
を含む）を用いるアクティブ方式の焦点検出とを、切り
換えて行う、カメラ用などの焦点検出装置に関するもの
である。

（発明の背景） 従来、カメラの焦点検出装置の一つのタイプとして、焦
点検出用の光学系によって撮影レンズの射出瞳を二つに
分割し、各瞳領域を通過した光束が形成する二つの被写
体像を光電変換素子列（例えばＣＣＤセンサ列）で受光
し、その出力から撮影レンズの焦点状態を検出する、と
いうような装置が知られている。

また、本願出願人らは第１０図のような焦点検出光学系
を先に出願している。第１０図において、焦点検出され
るべき撮影レンズ１と光軸を同じくして、フィールドレ
ンズ２が配置される。

フィールドレンズ２の近傍には、視野を制限する視野マ
スク３ａ、３ｂが配置されている。視野マスク３ａ、３
ｂを通過する光束はそれぞれ光学フィルタ４，５によっ
て波長制限される。光学フィルタ４は赤外光をカットす
る赤外カットフィルタで、その分光特性は第１２図に示
すような特性を示す。この赤外カットフィルタを挿入す
る目的は、撮影レンズｌの赤外収差が、焦点検出系に悪
影響を及ぼさないためである。また、光学フィルタ５は
後述の投光系の発光源の発光波長のみを透過するバンド
パスフィルタを形成している。

フィールドレンズ２の後方には、光軸に関して対称な位
置に、２個の２次結像レンズ６ａ　、　６ｂが配置され
る。更にその後方には、視野マスク３ａの像が結像され
た光電変換素子列７ａ、７ｂと、視野マスク３ｂの像が
結像された光電変換素子列８ａ、８ｂが配置される。

この従来例は第１１図に示すような焦点検出用投光系と
組み合わされて使用されるもので、焦点検出用投光系は
被写体に対してパターン投光している。第１１図におい
て、１０は発光ダイオードなどの投光光源で、投光光束
は照明用リレーレンズ１１を介して不規則なチャート形
状を有するパターン部材１２を照明する。照明されたパ
ターン部材１２のランダムチャートは投光レンズ１２に
依り被写体面に投影される。

第１３図は、被写体にコントラストが無く、第１１図の
焦点検出用投光系によりパターン投光した場合の光電変
換素子列７ａ、７ｂ及び光電変換素子列８ａ　、８ｂの
光電変換信号出力を示す。第１３図（ａ）は光電変換素
子列７ａ、７ｂの信号出力、第１３図（ｂ）は光電変換
素子列８ａ、８ｂの信号出力を、それぞれ示している。

光電変換素子列７ａ、７ｂ及び光電変換素子列８ａ、８
ｂの信号出力から像ずれ量ＰＲを検出する信号処理方法
は、特開昭５８−１４２３０６号公報、特開昭５９−１
０７３１３号公報、特開昭６０−１０１５１３号公報、
或いは特願昭６１−１６０８２４号等に開示されている
。光電変換素子列７ａ。

７ｂには可視光すべての波長が入射しているので、外光
のエネルギーと、投光光束の反射エネルギーが混合され
て、第１３図（ａ）のように投光パターンが圧縮されて
しまう。圧縮される程度は投光エネルギーの強度、被写
体距離、外光強度に左右される。

一方、投光光源１０に波長選択された光電変換素子列８
ａ、８ｂでは、第１３図（ｂ）のように投光パターンが
抽出されている。これは、投光パターンの反射光に対し
て、外光の割合が相対的に減少したため、信号のＳ／Ｎ
比が向上したためである。外光に対する信号のＳ／Ｎ比
が向上すれば、外光が明るい場合でも、より遠い距離ま
で焦点検出可能となる。

更に本願出願人らは投光光束と外光を弁別する他の方法
も先に提案している。即ち、投光光源を時間的に変調し
、投光光源の寄与により生ずる光電変換素子列の電気的
出力部分を外部環境光に依る部分に対し選択的に弁別す
る電気的手段を有し、弁別された投光光源による光学像
の光電変換出力を用いて撮影レンズのデフォーカス量を
検出する。

上記の先提案装置の電気的概略を第１４図に示す。第１
４図（ａ）は焦点検出用投光装置１４を示し、発振回路
１５は抵抗１６を介して出力を投光光源１７に与える。

第１４図（ｂ）は焦点検出装置１８の一部を示す。光電
変換素子列１９ａ。

１９ｂはそれぞれ複数個の光電変換素子１９ａ１〜１９
ａｎ、１９ｂｌ　〜１９ｂｌから成り、個々の光電変換
素子の光電変換出力は弁別直流化回路２０ａｌ・・・・
・・、２０ｂ、・・・・・・により外部環境光から弁別
され、直流化された後、シフトレジスタ２１によりクロ
ッキングされるスイッチ２２ａ、・・・・・・、２２ｂ
、・・・・・・を介して共通出力へス２３に出力される
。

各光電変換素子毎の弁別直流化をもう少し詳しく第１５
図により説明する。第１５図では光電変換素子１９ａｌ
についてのみ示されているが、他の光電変換素子につい
ても同様である。光電変換素子１９ａ１のアノード側は
定電圧Ｖｒｅｆを出力する定電圧源に共通配線され、カ
ソード側は電流電圧変換増幅器２４の反転入力端子に接
続される。電流電圧変換増幅器２４の電圧出力は直流成
分を除去するためのカップリングコンデンサ２５を介し
て非反転増幅器２６に入力され、増幅される。カップリ
ングコンデンサ２５と非反転増幅器２６の入力インピー
ダンスから決まる時定数が、投光光束の変調周波数では
十分利得があり、商用電源周波数では十分利得が低いよ
うなバイパスフィルタの時定数となる。２７は広域半波
整流回路で、増幅された投光光束成分の光学像の光電変
換出力を直流化する。２８は時定数を持つミラー積分回
路であり、半波整流出力を平滑化する。時定数回路２９
の時定数は、投光光束変調周波数の逆数より十分長く、
且つカメラ操作上不自由を感じない程度に短い時間に設
定される。投光光束による被写体像の直流化された光電
変換出力は、シフトレジスタ２１により制御されたスイ
ッチ２２ａ１を介して共通出力バス２３に出力される。

以上のような構成の弁別直流化回路により外部環境光の
寄与部分をカットされた光学像光電変換出力は、カメラ
本体のデータ用メモリ（ＲＡＭ）上に順次書き込まれる
。一連のデータサンプリング後、公知の演算方法により
焦点検出が行われる。

但し、投光エネルギーには限りがあるので、第１０図の
ようににパッシブ方式の光電変換素子列７ａ、７ｂとア
クティブ方式の光電変換素子列８ａ、８ｂを両方用意し
、二つの光電変換素子列のいずれかを選択し、焦点検出
を行う。

これらの選択の方法として第１６図に示した方法がある
。すなわち先ずパッシブ方式で焦点検出を行い、焦点検
出不能の場合アクティブ方式を行う方法である。このよ
うな場合、アクティブ方式はパッシブ方式に対して補助
的な役割しかなかった。２方式の使われ方を第１６図に
従って説明する。

まず＃ｌで焦点検出用投光装置を用いず、受動方式によ
る光電荷蓄積蓄積を行う。これは、なるべくエネルギー
的に有利な方式で焦点検出を行う方が良く、アクティブ
方式の焦点検出を補助的に使っているためである。パッ
シブ方式の光電荷蓄積が終了すると、＃２で光電変換素
子列出力をマイクロコンピュータのデータ用メモリ内に
取り込み、光電変換素子列上での像ずれ量を演算し、撮
影レンズの駆動量を求める。この時、同時に二つの像の
一致度、コントラストおよび像の輝度を計算する。次に
＃３でこの焦点検出結果が有効であるかどうかを、＃２
で計算した像の一致度、コントラストおよび像の輝度に
より判定する。ここで焦点検出結果が良いと判定された
場合、＃４で合焦判定し、その結果によりレンズ駆動（
＃５）、又は不図示である合焦表示やレリーズ動作を行
う。＃３において焦点検出結果が有効でない場合は、＃
６で焦点検出用投光装置を動作させ、アクティブ方式の
光電荷蓄積を行う。投光された光の反射により光電変換
素子列の蓄積が終了すると、＃７で焦点検出演算を行い
、＃８で有効性を判定する。ここで焦点検出結果が有効
でなければ、焦点検出不能であるので、その表示を行っ
たり、サーチを行ったりする。焦点検出結果が有効であ
れば、＃４で合焦判定をし、パッシブ方式の時と同様な
制御を行う。

前述の先提案例に於いては、パッシブ方式とアクティブ
方式との二つの方式は、それぞれ焦点検出しやすい被写
体と苦手な被写体があるにもかかわらず、そして２方式
の選択は重要な問題であるにもかかわらず、これらに関
しては何ら考慮されておらず、パッシブ方式が主に用い
られ、アクティブ方式がその補助的な役割を果している
にすぎなかった。この方法だと、アクティブ方式の焦点
検出を行う時は、常にパッシブ方式の焦点検出を行った
後になるため、非常に応答が悪くなる。

また、ある程度光量があるにもかかわらず、被写体自身
のコントラストが非常に低い場合、光電変換素子列から
得られる光電変換出力が第１７図（ａ）のような場合ば
かりではなく、第１７図（ｂ）の場合があり得る。この
ような被写体はパッシブ方式の焦点検出にとって苦手で
あり、パッシブ方式の焦点検出の結果、焦点検出不能と
なってからアクティブ方式が選択されると、焦点検出動
作全体の応答が悪くなってしまうという欠点がある。

（発明の目的） 本発明の目的は、」−述した問題点を解決し、低輝度の
物体に対する時だけでなく、低コントラストの物体に対
する時でも、パッシブ方式とアクティブ方式の選択を応
答性良く行うことができる焦点検出装置を提供すること
である。

（発明の特徴） 上記目的を達成するために、本発明は、物体に対する焦
点検出用投光光束の非投射時の光電変換素子列の出力を
用いて焦点検出を行う第１の焦点検出モードでの、前記
光電変換素子列の光電変換出力の最大値を常時出力する
最大値検出手段と、前記第１の焦点検出モードでの、前
記光電変換素子列の光電変換出力の最小値を常時出力す
る最小値検出手段と、前記最大値及び最小値に応じて、
前記第１の焦点検出モードの途中から前記第２の焦点検
出モードに切り換えさせるように前記切換手段に指令す
る切換指令手段とを設け、以て、パッシブ方式の光電荷
蓄積中に、パッシブ方式かアクティブ方式かを選択する
と共に、最大値及び最小値を用いることにより、低輝度
のみならず、低コントラストを焦点検出モードの切換判
断材料に加味するようにしたことを特徴とする。

（発明の実施例） 第１図は本発明の一実施例の全体構成を焦点検出用投光
装置と共に示し、第２図は本発明の一実施例におけるパ
ッシブ方式の光電変換素子列の内部構成を示す。

第１図に於いて、３１は制御装置で、例えば内部に演算
ユニッ）ＣＰＵ、アナロタ／ディジタル変換器ＡＤ、デ
ータ用メモリＲＡＭ、プログラム用メモリＲＯＭ及び入
出力ポート等を持つｌチップマイクロコンピュータであ
る。プログラム用メモリＲＯＭにはＡＦ副制御プログラ
ム及びパラメータが格納されている。３２は焦点検出用
投光装置で、発光制御回路３３や発光ダイオードなどの
投光光源３４などを有する。発光制御回路３３は、制御
装置３１からの制御信号＾Ｃｔがハイレベルの間、投光
光源３４を変調発光させる。３５はセンサ装置で、第１
０図に示される光電変換素子列７ａ、７ｂ、８ａ、８ｂ
と同様の光電変換素子列３６ａ、３６ｂ、３７ａ、３７
ｂを有する。光電変換素子列３６ａ、３６ｂは、焦点検
出用投光装置３２からの投光光束が投射されない第１の
焦点検出モードの時に選択されて、その出力によりパッ
シブ方式の焦点検出を行わせるもの、光電変換素子列３
７ａ、３７ｂは、焦点検出用投光装置３２からの投光光
束が投射される第２の焦点検出モードの時に選択されて
、その出力によりアクティブ方式の焦点検出を行わせる
ものである。３８はセンサ駆動回路で、制御装置３１か
ら蓄積開始信号ＳＴＲ及び使用する光電変換素子列３６
ａ。

３６ｂ又は３７ａ、３７ｂを選択するための選択信号Ｐ
／′Ａを受は取り、選択された光電変換素子列の光電荷
蓄積を開始する。センサ駆動回路３８は、選択信号Ｐ／
Ｘ　、読み出し開始信号Ｓ）ｌ、駆動用クロック信号φ
、クリア信号ＣＬを用いてセンサ装置３５を制御する。

センサ装置３５は光電荷蓄積を制御するため、常に、蓄
積された電荷の最大値を示すピーク信号Ｖ　ｐｅａｋ及
び最小値を示すボトム信号Ｖ　ｂｏｔｔｏｍを出力し、
センサ駆動回路３８は蓄積時間や出力のゲインを制御す
る。蓄積が終了すると、センサ駆動回路３８は制御装置
３１に蓄積終了信号ＥＮＤを出力し、制御装置３１はセ
ンサ駆動回路３８からデータ信号ＩＩＴを入力する。

第２図はパッシブ方式の光電変換素子列３６ａ、３６ｂ
の内部構成を示すブロック図である。

３９はピーク検出回路で、企画素中最大のものをピーク
信号Ｖ　ｐｅａｋとしてピーク信号出力端子４０から出
力し、４１はボトム検出回路で、企画素中最小のものを
ボトム信号Ｖｂｏｔｔｏ履としてボトム信号出力端子４
２から出力する。４３ａ、４３ｂは受光部、４４は蓄積
容量を有し、信号処理を行う蓄積部で、受光部４３ａ、
４３ｂに光があたることにより光電変換された光電変換
信号を蓄積する。蓄積部４４にたまった電荷は、走査回
路４５によりスイッチングされ、データ信号出力端子４
６に順次出力される。

第３図はピーク信号Ｖ　ｐｅａｋ及びボトム信号Ｖｂ。

ｔｔｏｍと蓄積時間との関係を表わしたものである。

（ａ）、（ｂ）は光強度の最大値はほぼ同じで。

コントラストが異なるもので、それぞれ第１７図（ａ）
、（ｂ）の場合である。蓄積はピーク信号Ｖ　ｐｅａｋ
が所定電圧ｖ２に達するまで行なわれる。

蓄積を開始後、基準時間Ｔｏにおけるピーク信号Ｖ　ｐ
ｅａｋとボトム信号Ｖｂａｔｔｏ量の値により、そのま
まパッシブ方式で焦点検出を行うか、アクティブ方式に
移行するかが決定される。

光電変換された出力が第１７図（ａ）に示されるような
場合、蓄積時間と出力の関係は第３図（ａ）に示される
ように、基準時間ＴｏにおいてＶ　ｐｅａｋ□　−Ｖ　
ｂｏｔｔｏｍ□は十分大きい。この場合、被写体が明る
く、コントラストも大きい時なので、パッシブ方式の焦
点検出をそのまま続行する。

次に光電変換された出力が第１７図（ｂ）に示されるよ
うな場合、蓄積時間と出力の関係は第３図（ｂ）に示さ
れるように、基準時間Ｔ０においてＶ　ｐｅａｋ□　−
Ｖ　ｂｏｔｔｏｍ、）は十分な大きさがなく、ある程度
用るい被写体であるが、コントラストが小さい被写体像
であることを示している。このような時は、パッシブ方
式の焦点検出よりアクティブ方式の焦点検出を行ったほ
うが良いので、パッシブ方式の焦点検出を途中でやめ、
アクティブ方式の焦点検出を始める。

被写体が暗く、コントラストも低い場合、光電変換され
た出力は第４図（ａ）のようになり、蓄積時間と出力の
関係は第４図（ｂ）のようになる。基準時間時刻Ｔｏで
は、Ｖ　ｐｅａｋｏの値も、Ｖｐｅａｋ□　−Ｖ　ｂｏ
ｔｔｏｍ６の値も大きくないため、この時点で、アクテ
ィブ方式に移行する。

第５図は本実施例のシーケーンスフローチャートで、制
御装置３１の動作を示す。＃ｌＯで光電変換素子列３６
ａ、３６ｂを選択して、パッシブ方式の光電荷蓄積を行
わせる。ここで光電変換素子列３６ａ、３６ｂのピーク
信号Ｖｐｅａｋ及びボトム信号Ｖ　ｂｏｔｔｏｍを常に
取り込みつつ、蓄積を行わせ、必要であれば蓄積終了前
にアクティブ方式の焦点検出にジャンプすることが特徴
である。それ以外のステップ＃２〜＃８は、第１６図で
説明したものと同じである。

＃ｌＯの部分を第６図（ａ）にそって詳細に説明する。

＃１０１ではハイレベルの選択信号Ｐ／Ａを出力し、パ
ッシブ方式の光電変換素子列３６ａ、３６ｂを選択する
。＃１０２でセンサ駆動回路３８に蓄積開始信号ＳＴＲ
を出力し、センナ駆動回路３８はセンサ装置３５に蓄積
を開始させる。

＃１０３では蓄積終了割込みの許可を行う。すなわちセ
ンサ駆動回路３８から蓄積終了信号ＥＮＤを受は取ると
、通常の動作を中断し、＃１０９からのプログラムを実
行するように設定する。

＃１０４は待機ルーチンで、蓄積開始からあらかじめ設
定された基準時ＭＴｏまで待ち状態となる。これは蓄積
開始直後、光電変換素子列３６ａ、３６ｂに入射する光
量と電荷の関係に直線性がなく、ピーク信号Ｖ　ｐｅａ
ｋとボトム信号Ｖ　ｂｏｔｔｏｊ＊の差がはっきり出な
いことで、誤判定するのを防ぐためである。＃１０５で
ピーク信号Ｖｐｅａｋをセンサ装置３５から読み込み、
データ用メモリＲＡＭに格納する。次に＃１０６でボト
ム信号Ｖｂｏｔｔａｍを読み込み、＃１０７でピーク信
号Ｖ　ｐｅａｋとボトム信号Ｖ　ｂｏｔｔｏｍの差Ｖｄ
を計算する。＃１０８でこの差Ｖ　ｄ　＝　Ｖ　ｐｅａ
ｋ　−Ｖ　ｂｏｔｔｏｍをあらかじめ定められた切換閾
値Ｖａｃｔと比較し、Ｖｄ＜Ｖａｃｔの時は＃１１１で
蓄積終了割込みの禁止を行い、＃６へ移行して、焦点検
出用投光装置３２による投光及びアクティブ方式蓄積を
実行する。Ｖｄ≧Ｖａｃｔの時は、蓄積終了まで待って
、終了後、蓄積終了割込みの禁止（ｅ　ｌｏ　９）をし
、データを読み出す（＃　１１０）。

次に＃６のアクティブ方式蓄積を第６図（ｂ）で詳しく
説明する。＃６０１でアクティブ方式の光電変換素子列
３７ａ、３７ｂを用いることをセンサ駆動回路３８に選
択信号Ｐ／ｉを使って通信する。＃６０２で制御信号Ａ
ｃｔを焦点検出用投光装置３２の発光制御回路３３に送
る。発光制御回路３３は制御信号Ａｃｔが通信されてい
る間、投光光源３４を一定の変調により発光させる。井
６０３で光電変換素子列３７ａ、３７ｂの蓄積を開始さ
せ、＃６０４で割込みの許可を行い、蓄積終了まで待つ
。蓄積が終了すると、割込みを禁止しく＃６０５）、発
光を停止する（＃　６０６）。そしてデータを読み込ん
で（＃６０７）、＃７へ移行して焦点検出演算を行う。

第７図は本発明の他の実施例におけるパッシブ方式の光
電変換素子列のブロック図である。３９はピーク検出回
路で、企画素中最大のものをピーク信号Ｖ　ｐｅａｋと
して出力し、４１はボトム検出回路で、企画素中最小の
ものをボトム信号Ｖ　ｂｏｔｔｏｍとして出力する。そ
れぞれの出力は、差動増幅回路４７のそれぞれ非反転入
力端子及び反転入力端子に入力される。差動増幅回路４
７からは、ＶｐｅａｋとＶ　ｂｏｔｔｏｍの差ｖ　ｐ−
ｂが差動出力端子４８を介して出力される。その他の部
分である、受光部４３ａ、４３ｂ、蓄積部４４及び走査
回路４５は、第２図図示のものと同じである。

第８図は差動出力Ｖｐ−ｂと蓄積時間の関係を表したも
のである。ａ、ｂは最大値出力（Ｖ　ｐｅａｋ）が同じ
で、コントラストが異なる場合で、それぞれ第１７図（
ａ）、（ｂ）の場合に相当する。ａでは最小値出力（Ｖ
　ｂｏｔｔｏｍ）が小さく、差動出力ｖ　ｐ−ｂが大き
くなる。ｂでは最小値が大きいため、差動出力Ｖｐ−ｂ
が小さくなってしまう。さらに、第４図（ａ）の被写体
の場合は、最大値出力（Ｖ　ｐｅａｋ）も最小値出力（
Ｖ　ｂｏｔｔｏｍ）も小さいため、差動出力ｖ　ｐ−ｂ
は第８図のＣのように小さくなってしまう。

このようにパッシブ方式が苦手な低コントラストや低輝
度の被写体は、差動出力ｖ　ｐ−ｂが小さくなることを
利用してアクティブ方式へ移行するかを判定する。これ
を第９図のフローチャートに従って説明する。第９図は
第６図（ａ）に相当する部分のみを示し、その他の部分
は第５図及び第６図（ｂ）　　と同じである。

第９図の＃１０１〜１０４の部分は、第６図（ａ）と同
様である。（＃　１０１パッシブ方式蓄積を出力、＃１
０２蓄積開始、＃１０３蓄積終了割込みの許可、＃１０
４安定待ち）　安定待ちが終ると、＃１２０で差動出力
Ｖｐ−ｂを入力する。

第７図では、差動増幅回路４７により差動出力■ｐ−ｂ
が直接入力できるため、ソフトで２回データを取り込む
のに較べ、ピーク信号Ｖ　ｐｅａｋとボトム信号Ｖｂｏ
ｔｔｏ層とのタイムラグがないという利点がある。＃１
２１で、差動出力Ｖｐ−ｂと切換閾値Ｖａｃｔとを比較
し、Ｖ　ｐ−ｂ　＜　Ｖ　ａｃｔの時、アクティブ方式
に移行し、Ｖｐ−ｂ≧Ｖａｃｔの時、パッシブ方式のま
ま蓄積を行い、蓄積終了を待ち、パッシブ方式で焦点検
出を行う。

（発明と実施例の対応） 制御装置３１が本発明の信号処理手段に、＃６（第５図
）の動作を行う制御装置３１の機能が切換手段に、ピー
ク検出回路３９が最大値検出手段に、ボトム検出回路４
１が最小値検出手段に、＃１０７〜１０８（第６図）或
いは＃１２１　（第９図）の動作を行う制御装置３１の
機能が切換指令手段に、それぞれ相当する。

（変形例） 図示実施例では、ピーク信号Ｖ　ｐｅａｋとボトム信号
Ｖ　ｂｏｔｔｏｍの差に応じて、パッシブ方式からアク
ティブ方式に移行させるようにしたが、差とピーク信号
Ｖ　ｐｅａｋの値の両方に応じて移行させるようにして
もよい。例えば、差が小さく、且つピーク信号の値が成
る値以下の場合のみ、アクティブ方式に移行させるよう
にしてもよい。

また、図示実施例では、パッシブ用とアクティブ用にそ
れぞれ別な光電変換素子列を用い、アクティブ用の光電
変換素子列には外光除去手段が設けられたものについて
説明を行ったが、必ずしもこれらが別々にある必要はな
く、非投光時と投光時で同じ光電変換素子列に蓄積を行
わせる場合において、従来の補助光使用判定を本発明の
手法によって行うことが可能であることは言うまでもな
い。

（発明の効果） 以上説明したように、本発明によれば、物体に対する焦
点検出用投光光束の非投射時の光電変換素子列の出力を
用いて焦点検出を行う第１の焦点検出モードでの、前記
光電変換素子列の光電変換出力の最大値を常時出力する
最大値検出手段と、前記第１の焦点検出モードでの、前
記光電変換素子列の光電変換出力の最小値を常時出力す
る最小値検出手段と、前記最大値及び最小値に応じて、
前記第１の焦点検出モードの途中から前記第２の焦点検
出モードに切り換えさせるように前記切換手段に指令す
る切換指令手段とを設け、以て、パッシブ方式の光電荷
蓄積中に、パー、シブ方式かアクティブ方式かを選択す
ると共に、最大値及び最小値を用いることにより、低輝
度のみならず、低コントラストを焦点検出モードの切換
判断材料に加味するようにしたから、低輝度の物体に対
する時だけでなく、低コントラストの物体に対する時で
も、パッシブ方式とアクティブ方式の選択を応答性良く
行うことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を焦点検出用投光装置と共に
示すブロック図、第２図は本発明の一実施例におけるパ
ッシブ方式の光電変換素子列の内部構成を示すブロック
図、第３図は本発明の一実施例に係る光電変換素子列の
蓄積時間とピーク信号及びボトム信号の関係を示す特性
図、第４図（ａ）は低輝度、低コントラストの場合の光
電変換出力を示す図、第４図（ｂ）は同じ場合の蓄積時
間とピーク信号及びボトム信号の関係を示す特性図、第
５図及び第６図は本発明の一実施例に係る制御装置の動
作を示すフローチャート、第７図は本発明の他の実施例
におけるパッシブ方式の光電変換素子列の内部構成を示
すブロック図、第８図は本発明の他の実施例に係る光電
変換素子列の蓄積時間と差動出力を示す特性図、第９図
は本発明の他の実施例に係る制御装置の動作を示すフロ
ーチャート、第１θ図は先願に係る焦点検出装置の光学
系を示す斜視図、第１１図は従来の補助光装置を示す斜
視図、第１２図は赤外カットフィルタと可視カットフィ
ルタの分光透過率を示す図、第１３図は像信号を示す図
、第１４図は先提案例の焦点検出装置の一部及び焦点検
出用投光装置を示す回路図、第１５図は第１４図図示装
置の弁別直流化回路の例を示す回路図、第１６図は従来
のパッシブ方式とアクティブ方式の切換を示すフローチ
ャート、第１７図はコントラストによる光電変換出力の
変化を示す図である。 ｌ・・・・・・撮影レンズ、２・・・・・・フィールド
レンズ、４．５・・・・・・光学フィルタ、６ａ、６ｂ
・・・・・・２次結像レンズ、７ａ、７ｂ、８ａ、８ｂ
・・・・・・光電変換素子列、３１・・・・・・制御装
置、３２・・・・・・焦点検出用投光装置、３５・・・
・・・センサ装置、３６ａ、３６ｂ、３７ａ、３７ｂ・
・・・・・光電変換素子列、３９・・・・・・ピーク検
出回路、４１・・・・・・ボトム検出回路、４３ａ、４
３ｂ・・・・・・受光部、４４・・・・・・蓄積部、４
７・・・・・・差動増幅回路。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）対物レンズを通過した、該対物レンズの焦点検出
   対象となる物体からの光束を受光する複数の蓄積型の光
   電変換素子列と、該光電変換素子列の出力を用いて前記
   対物レンズの焦点状態を検出する信号処理手段と、前記
   物体に対する焦点検出用投光光束の非投射時の前記光電
   変換素子列の出力を用いて焦点検出を行う第１の焦点検
   出モードと、前記物体に対する焦点検出用投光光束の投
   射時の前記光電変換素子列の出力を用いて焦点検出を行
   う第２の焦点検出モードとを切り換える切換手段とを備
   えた焦点検出装置において、前記第１の焦点検出モード
   での、前記光電変換素子列の光電変換出力の最大値を常
   時出力する最大値検出手段と、前記第１の焦点検出モー
   ドでの、前記光電変換素子列の光電変換出力の最小値を
   常時出力する最小値検出手段と、前記最大値及び最小値
   に応じて、前記第１の焦点検出モードの途中から前記第
   ２の焦点検出モードに切り換えさせるように前記切換手
   段に指令する切換指令手段とを設けたことを特徴とする
   焦点検出装置。