JPH0246515A - 磁気記録用装置、システムとセンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈発明の技術分野〉 本発明は磁気記録に係り、特に垂直記録磁気媒体を読み
出す磁気抵抗センサおよびこのセンサを内蔵するシステ
ムに関するものである。

〈従来技術とその問題点〉 テープ、ストリップ、フロッピィ・ディスクおよびハー
ド・ディスクの形式の磁気媒体は情報記憶用に広く使用
されている。情報は、多数の磁区の各々に２つの対向す
る磁気回転の向きの一方を強制することによって記録さ
れる。長手記録の場合は対向する回転の向きは媒体の平
面と整列しているのに対し、垂直記録の場合は対向する
回転の向きは媒体の平面に垂直である。この結果として
、転移上の媒体表面における磁界は長手記録媒体の場合
は単極性そして垂直記録媒体の場合は双極性である。

長手記録は具現すべき形式がより容易であるので、はる
かに広（普及している。垂直記録はより高い記録密度を
本質的に可能ならしめるので、現在のところ激烈な研究
・開発の努力の対象になっている。しかしながら、現在
に至るまで、長手記録に関する読出し装置を最適化する
ことについてより多くのことが知られている。したがっ
て、長手記縁媒体に楚する読出しセンサは、垂直記録媒
体に対する読出しセンサに先んじる傾向にあった。

広く普及している誘導式書込みヘッドは、誘導的に媒体
を読み出すためにも働きうる素子を包含している。誘導
式読出しは、誘導式センサの非増幅信号出力がそのエネ
ルギーを読出されつつある媒体における磁束変化の変化
率のほかに磁束レベルから引き出している点で受動的で
ある。したがって、読出しセンサの感度はセンサから媒
体によって発生せしめられる磁束によって制限される。

このため、誘導式読出しセンサは、単位記録情報につい
てより少ない磁束しかもたらさない傾向を有する大部分
の高密度記憶媒体によって要求される感度をもたらすこ
とができな（なっている。

能動的読出しセンサが開発されていて、この場合感度は
検出電流の関数であって磁束の強さのみの関数ではない
。磁気抵抗素子を使用する上記のようなセンサは、誘導
式センサよりもさらに高い感度をもたらすことが可能で
あるので、確実に読み出されうる記憶密度の範囲を拡大
している。磁気抵抗センサは長手記録媒体および垂直記
録媒体の両者に対して、たとえば、Ｔａｋａｈａｓｈｉ
外に与えられた米国特許第４，６５４，７３９号に開示
されている。

基本的磁気抵抗センサは、縦軸および横軸を備えた磁気
物質のストライプを包含している。このスる。このスト
ライプの抵抗は、このストライプの磁化を回転させるよ
うにこのストライプに磁界を印加することによって変化
されうる。

磁界が存在しない場合は、ストライプの抵抗はその最大
値にあって磁束変化に応動して感度を変化させることが
ない。したがって、このセンサはストライプの磁化困難
軸すなわち横軸に沿って配向された磁界によって一般的
にバイアスされている。このバイアス磁界は、磁気抵抗
ストライプに平行に配列されている導体を通してのバイ
アス電流によって発生可能である。この磁気バイアスは
、前期磁化困難軸および磁化容易軸の両者に対して大略
４５°の正味磁化を生じることが好ましい。このように
バイアスされたストライプブの磁化の状態で、ストライ
プ抵抗は磁化困難軸に沿った磁束変化に対し最適の感度
、および直線性を以って変化し、前記第２の電流は したがって、記録情報は、この情報を含んでいる媒体が
ストライプに関して移動せしめられるにつれて磁気抵抗
ストライプにわたる電圧降下の変化を検出することによ
って読出し可能である。誘導式センサよりもすぐれてい
る磁気抵抗センサの利点は、磁気抵抗センサの感度がス
トライプを通る検出電流を増大させることによって増感
可能である点にある。しかしながら、単一のストライプ
を通して供給されうる電流には実際上の諸制限がある。

ストライプの抵抗は問題の変数であるので、これを減少
させることによって感度を向上させることは不可能であ
る。ストライプに供給される電く乱しうるちのであるし
、また読出しヘッドを損傷することさえある。

単一素子磁気抵抗センサに関する電流制限は、平行磁気
抵抗ストライプを通して、同方向性電流を供給すること
によって長手記録媒体に対して成功している。各々のス
トライプに対する検出電流は他のストライプに対するバ
イアス電流として働くことができるので二重磁気抵抗セ
ンサを使用して多少の設計効率を達成することが可能で
あり、このことはバイアス電流のために別の導体の必要
性を省くものである。その上、各ストライプの出力電圧
は差動的に組み合わされ熱雑音などの外乱から成る共通
モードを除去することができる。

他の磁気抵抗センサの形態の開発も成功しているが、長
手記録媒体を読み出すために平行電流を使用する二重磁
気抵抗センサの利点は、このセンサを垂直記録媒体を読
み出すために使用することを示唆し、前記第２の電流は
しかしながら、垂直記録に使用される媒体と長手記録に
使用される媒体との間には、単一スドライブ磁気抵抗セ
ンサおよび二重ストライプ磁気抵抗センサのような、能
動式センサの使用を複雑にする著しい差異がある。

磁化困難な磁性物質すなわち比較的高保磁性の磁性物質
の層が、画形式における情報記憶媒体として使用される
。典型的な長手記録媒体は、磁化困難な磁性層内に垂直
配向の領域を書き込むため磁化容易な磁性下層すなわち
比較的低保磁性の磁性下層を使用している。この下層は
、能動式読出しセンサを通る電流によって誘起される磁
界を増幅することができる。これらの増幅された磁界は
十分に太き（なり、読出し処理時にデータの変更および
消去を行なうこともありうる。単一素子の磁気抵抗セン
サについて発生するこの問題は、二重センサを使用して
得られた大電流が印加された場合に悪化し、前記第２の
電流は 垂直記録媒体に電流帯同センサを使用するこの問題を取
り上げることなく、Ｖｏｅｇｅｌｉに与えられた米国特
許箱４，５８９，０４１号では二重磁気抵抗ストライプ
、および同方向性電流を備えた（この特許で“垂直゛°
記録媒体と呼ばれている）垂直記録媒体用の読出しセン
サを開示している。この開示されたセンサの場合は、ス
トライプが２個の端子間に電気的に並列に接続されてい
る。これらのストライプは、検出されるべき記憶データ
の密度に比してより小さな間隔で分離配列されている。

またこれらのストライプは、そのそれぞれの抵抗対磁界
曲線のそれぞれの屈曲点に近く反対方向に相互にバイア
スされている。これは、共通端子に継続されている定電
源からの電流によって達成されている。

前記Ｖｏｅｇｅｌｉのセンサは、垂直記録媒体用の能動
式読出しセンサに一般的に当てはまる読出し外乱に影響
される。Ｖｏｅｇｅｌ　ｉは、これらの外乱によって生
じる諸問題を取り上げることも解決するこれる電流をモ
ニタして電流が等しいことを確めることが困難である。

これらの電流が互いに異なると、異なる検出電流および
異なる強さのバイアス磁界に起因する異なる感度をもた
らしうる結果を招く。

電流の不等性が検出可能であると仮定しても、電流を平
衡させるための装置が全くない。

したがって、各々のストライプを最適感度および直線性
を以って作動させるためには、ストライプの抵抗は期待
読出し信号磁束の強さおよび作動温度の範囲にわたって
正確に整合することが必要である。このことは、センサ
の価格に加えセンサ製造時にセンサに対してきびしい工
程上の制約を課するものである。その上、装置の経年効
果に起因する電流不平衡に対して何らの用意もないもの
である。

このため、過去において、垂直記録媒体用の読出しセン
サは、比較的限られた感度を有する受動誘導センサおよ
び高い感度を有するが読出し動作時に記録情報を外乱し
かねない能動装置に限られていた。期待されているもの
は、垂直記録媒体において外乱を最小限化する能動読出
しセンサは、内蔵情報検索システムの操作上の柔軟性を
向上させるために、垂直記録媒体はもとより長手記録媒
体に対する読出しに適用可能であることが好ましい。

〈発明の目的〉 従って本発明の目的は、高密度垂直記録媒体に使用でき
る。高感度で直線性の良好な磁気抵抗センサと、それを
使ったシステムを提供することである。

〈発明の概要〉 本発明は、センサを通して電流が対向して流れる、すな
わち、電流が方向的に対向している二重索子磁気抵抗読
出しセンサを提供することができる。媒体内で磁気転移
が起った時に、検出器が前記素子、すなわちストライプ
によって生じた電圧変化の差に対応する出力信号を提供
し、前記第２の電流はこの山号信号は、前記両ストライ
プの各々によって感知された励起磁界の差に関係してい
る。ストライプおよび検出器の配列によって、この検出
器は差動増幅器または加算増幅器を包含することができ
る。

長手記録媒体を読み出すためのモードは、相対電流方向
の切換えができれば可能となる。それは検出器の出力が
両ストライブ間の抵抗変化の瞬時の差を依然として反映
するように検出器の算術関数を変えることによってもた
らされる。

各ストライプを流れる電流は、モニタおよび調整が可能
である。本発明の一つの実施例の場合は、両ストライプ
を流れる電流はこれらを個別に共通値に調整することに
よって平衡化することができる。本発明の他の実施例の
場合は、両ストライプを流れる電流が単一の電流の単に
異なる部分であることによって等しくなるように、この
両ストライプは直列に配列されている。

各ストライプの抵抗は、前記Ｖｏｅｇｅｌｉのセンサー
の場合と異なり、最高の利用可能感度が得られるように
、内蔵センサの全体的感度に独自に寄与するようになっ
ている。また前記Ｖｏｅｇｅｌｉのセンサと異なり、各
ストライプが直列であることまたは各電流が独自に調整
可能であることのいずれかによって、電流を平衡化でき
ないという問題は全くない。その上、単一スドライブ磁
気抵抗センサ、および平行電流を有する前記Ｖｏｅｇｅ
ｌｉの二重ストライプ・センサの場合と異なり、垂直記
録媒体の磁化容易な磁性下層との各電流の干渉は対向電
流の作用によって大部分が除かれる。したがって、読出
し操作時の情報の乱れは最小化される。さらに、このセ
ンサは垂直記録情報および長手記録媒体の両者を読み出
す両モードのいずれにも切換え可能である。

〈好適実施例の説明〉 本発明によれば、読出しセンサ１１は、第１の磁気抵抗
素子（以下ストライプとも呼称する）１３、第２の磁気
抵抗素子１５、第１の電流源１７、第２の電流源１９、
および差動増幅器２１を包含している。

電流源１７はストライプ１３を通して電流Ｉ、を提供し
、また電流源１９はストライプ１５を通して電流■２を
提供している。ストライプ１３とストライプ１５とは、
平行になっている。ストライプ１３を流れる電流Ｉ。

の方向は、ストライプ１５を流れる電流■２の方向に対
向している。ここに専門用語が使用されているとおり、
“平行゛ベクトル・パラメータは“°同方向”または“
方向対向゛′のいずれかである。

電流１１は電流源１７から、経路２３に沿って、ノード
Ａに、ノードＡから経路２５に沿ってストライプ１３に
、ストライプ１３を通り、そしてストライプ１３から経
路２７に沿ってグラウンドに流れる。１１は一定である
ので、ノードＡにおける電圧は正でありかつその振幅は
ストライプ１３の瞬時抵抗に依存している。同様に、電
流Ｉ２は電流源１９から、経路３３に沿ってノードＢに
、ノードＢから経路３３に沿って磁気抵抗ストライプ１
５に、ストライプ１５を通り、そしてストライプ１５か
ら経路３７に沿ってグラウンドに流れる。ノードＢにお
ける電圧は正の可変電圧であり、その振幅はストライプ
１５の瞬時抵抗に依存している。

ノードＡは経路２９を経由して差動増幅器２１の′“十
”（非反転）入力にキャパシタＣＩを通してＡＣ結合さ
れ、またノードＢは経路３９を経由して差動増幅器２１
の“−゛　（反転）入力にキャパシタＣ２を通してＡＣ
結合されている。したがって、差動増幅器２１の出力は
ノードＡとノードＢとの間の電位差であり、これはつま
るところストライプ１３の両端の電圧降下とストライプ
１５の両端の電圧降下との差を表わしている。これは、
ストライプ１３とストライプ１５との抵抗の差に一致し
ている。

バイアス磁界が存在しない場合は、ストライプ１３はそ
の磁化容易軸に沿いかつストライプ１３を流れる電流■
１に平行な初期磁化Ｍ１を有している。これに相当して
、ストライプ１５はその磁化容易軸に沿いかつ電流Ｉ２
の方向に平行な初期磁化Ｍ２を有している。電流■１は
、Ｍ２に対して直交するストライプ１５におけるバイア
ス磁界Ｂ２を生じ、この結果Ｍ２およびＢ２の両者から
約４５°傾いた正味磁化Ｍ８□をもたらす。同様に、電
流Ｉ２はＭ２に対して直交するストライプ１３における
バイアス磁界Ｂ１を生じ、この結果ＭヨおよびＢ１の両
者から約４５°傾いた正味磁化り、をもたらす。電流Ｉ
、と１２とは対抗しているので、バイアス磁界Ｂ、と８
２とは同方向である。

ストライプ１３の瞬時磁化は、ＭＨＩに第１図に上向き
矢印で示されている瞬時信号磁界Ｓ１を加えたものであ
る。ストライプ１５の瞬時磁化は、ＭＮ２に第１図に下
向き矢印で示されている瞬時信号磁界Ｓ２を加えたもの
である。Ｓ、と３２とが対向している事実は、転移が検
出されつつあることを表わしている。

第２図は、ＭｌおよびＭ２に対して垂直にとられた磁界
の強さＨに対してプロットされた磁気抵抗素子の抵抗Ｒ
のグラフである。最大抵抗ＲＭＡＸは正味磁化がそれぞ
れのストライプの磁化容易軸に沿っているとき、すなわ
ち、旧またはＭ２に沿っているときに起こる。最小抵抗
ＲＭＩＮは、磁化がそれぞれのストライプの磁化困難軸
に沿って配向された状態で起こる。バイアス磁界Ｂ＋お
よびＢ２が両ストライプ１３．１４に印加されると、こ
れらのストライプは同一の正味抵抗Ｒ，によって特性づ
けされる。

信号磁界Ｓｌがバイアス磁界Ｂｌにベクトル的に加算さ
れて旧に対して直交する磁界Ｔ、を生じ、これはストラ
イプ１３に対する抵抗Ｒ１を生じる。同様に、Ｂ２が磁
界Ｔ２にベクトル的に加算され、これはストライプ１５
に対する抵抗Ｒ２を生じる。これら両抵抗間の関係は、
ＲＩ　　Ｒ２＝Ｒ−△Ｒで表わすことができる。差動増
幅器２１の出力ＺはＲ，−Ｒ２に比例し、対抗する磁界
Ｓ、およびＢ２を生じる媒体内の磁束転移の強さを表わ
している。

バイアス磁界および信号磁界が存在しない場合は、各ス
トライプに対する磁化はその初期磁化、すなわち旧また
はＭ２にあり、また抵抗は最大値ＲＭＡＸにある。第２
図を見ると、抵抗はバイアスが存在しない場合磁界によ
って敏感に変動しない。

バイアス磁界Ｂ１およびＢ２が印加されると、磁化は回
転し、かつストライプの抵抗はＲＢに変化し、このＲＢ
に関して抵抗が信号磁界Ｓ、およびＢ２によって最も敏
感に変動し、前記第２の電流は信号磁界が存在しない場
合は、ストライプ１３およびストライプ１５の抵抗はＲ
Ｒに等しくしたがって相互に等しい。したがって、差動
増幅器２１の出力は、信号磁界が存在しない場合はゼロ
である。第１図に示されているように配向されたＳｌお
よびＢ２の効果は第２図に示されているとおりであり、
対抗信号磁界Ｓ１およびＢ２はそれぞれのストライプ１
３および１５の抵抗に対向する効果を有し、前記第２の
電流はＳ、はストライプ１３の抵抗をΔＲだけ増加させ
、これに対しＢ２はストライプ１５の抵抗を△Ｒだけ減
少させる。

対向信号磁界Ｓ１およびＢ２によって表わされる転移は
、△Ｒの２倍の差に対応する出力に反映される。

転移から離れると、ＳＩおよびＢ２は同方向となりスト
ライプ１３およびストライプ１５が等しい抵抗変化を受
ける。たとえば、第１図の３２が３１と同方向になるべ
く反転されると、両ストライプの抵抗は等しく増大され
る。換言すると、Ｓｌ　＝Ｓ２は　Ｒ，＝＝ｌｌｚを意
味し、前記第２の電流はこの状態、およびＳｌと８２と
が等しくかつ同方向である状態において、差動増幅器２
１の出力Ｚはゼロになる。したがって、差動増幅器２１
は、信号磁界が存在しない場合および等しくかつ同方向
の信号磁界が存在する場合、ゼロ出力をもたらす。差動
増幅器２１は、ＳｌとＢ２とが対向している転移時に、
その出力の符号が転移の方向に対応する非ゼロ出力をも
たらす。したがって、差動増幅器２１の出力Ｚは、垂直
記録媒体内に転移として記憶されている情報の読出しで
ある。

長手記録媒体を読み出すためのある能力は、電流Ｉ２が
逆転されうるように経路４１に沿う形式（Ｆｏｒｍａ　
ｔ）信号Ｆに応動して電流源１９を切換え可能にするこ
とで備えられる。この形式信号Ｆは、経路４３に沿って
差動増幅器２１にも導かれている。形式信号Ｆは、差動
増幅器２１をその“′−”（反転）入力が反転されるよ
うに切り換える。このモードにおいて、差動増幅器２１
は加算増幅器として働く。この構成において、センサ１
１は長手記録媒体を読み出すことができる。

センサ１１が長手記録媒体用に前述のように構成された
場合、バイアス磁界Ｂ、は反転されかつ１旧はＨ８から
４５°下がるのではなり４５°上がる。信号磁界が存在
しない場合は、ノードＡにおける電圧はノードＢにおけ
る電圧の逆になる。増幅器２１の−”入力における信号
が反転されるので、増幅器２１からの出力はゼロになる
。例えば論理１が読み出されているときに、Ｓｌと８２
とが両者とも下降すると、ノードＡにおける電圧は正の
静止電圧を超過する正信号であり、またノードＢにおけ
る電圧は負の静止電圧を超過する正信号である。したが
って、差動増幅器２１の出力は高になる。論理０が読み
出されているときに起こるように、Ｓｌと３２とが両者
とも上昇すると、増幅器２１の出力は低になる。

この好適実施例においては、ストライプ１３とストライ
プ１５との間隔は固定されかつ垂直記録媒体用に最適化
されている。この間隔は、問題の垂直記録媒体を読み出
すために必要とされる分解能および出力に適応するよう
に選択されている。−船釣に、この間隔は、長手記録に
供される二重磁気抵抗読出しセンサに使用される間隔よ
りも大である。

センサ１１の場合は、ストライプ１３およびストライプ
１５を流れる両電流は、電流源１７および電流源１９を
モニタしかつ制御することによって平衡化することがで
きる。第３図の別の垂直記録センサ５１の場合は、スト
ライプ５３およびストライプ５５が単一電流源５７に直
列に接続されているので、両電流は本質的に相等しい。

検出器６１は、以下の説明のとおり、ストライプ５３お
よびストライプ５５の両端に発生せしめられる両電圧を
組み合わせる。

電流は、電流源５７から経路６３に沿ってノードＣに、
経路６５に沿ってストライプ５３に、ストライプ５３を
横切り、経路６７に沿ってノードＤに、経路６９に沿っ
てストライプ５５に、ストライプ５５を横切り、経路７
１に沿ってノードＥに、そして経路７３に沿ってグラウ
ンドに流れる。ストライプ５３およびストライプ５５を
流れる電流■１および■２は同方向性バイアス磁界Ｂ２
およびＢ、を誘起して初期磁化Ｍ２およびＭｌを正味磁
化ＭＮ□およびＭ　ＨＩにそれぞれバイアスし、前記第
２の電流は第１図の実施例の場合のように対向信号磁界
ＳＩおよびＳ２の効果が第２図に示されている。

Ｚが出力かつ八１、Ａ２および八３が検出器６１に対す
る入力であるとしたとき、検出器６１によって提供され
る算術関数がＺ−（Ａ２−八１）−（ＡＩ−Ａ３）とし
て表わしうるとすると、ＶｃがノードＣにおける電圧、
ＶｄがノードＤにおける電圧、そしてＶｅがノードＥに
おける電圧であるとすると、Ｚ−（ＶｃＶｄ）　−（Ｖ
ｄ−Ｖｅ）である。この算術関数は、第３の差動増幅器
に入力を提供する２つの差動増幅器を使用して実現可能
である。入力へ１は抵抗器８１を通してノードＤに電気
的に接続され、入力Ａ２は抵抗器８２を通してノードＣ
に電気的に接続され、そして入力Ａ３は抵抗器８３を通
してノードＥに電気的に接続されている。これらの抵抗
器は、ノードＣ１限大インピーダンスを付与するように
選択されている。ノードＥはグラウンド電位にあるので
、検出器６１の出力はＺ＝Ｖｃ−２Ｖａとさらに簡単に
表わすことができる。この出力は、垂直記録媒体の読出
しに適している。

第３図の実施例は、本発明に基づく第３の垂直記録セン
サを提供するように容易に変更可能である。この実施例
の場合は、ノードＥは電流源５７に対向する電流源に接
続されまたノードＤはグラウンドに接続されている。検
出器は、出力Ｚ＝６２＋Ａ３を提供する加算増幅器とし
て構成されている。

第１図の実施例の場合のように、両型流源の一方を反転
させかつ差動増幅器として再構成する手段を含めると、
このセンサを垂直記録媒体はもとより長手記録媒体を読
み出すように適応化しうる。

前記において、本発明の実施例の１三を説明したが、異
なるストライプ数、異なるセンサ素子形状、間隔、電流
、検出器および電流源も実施可能である。

〈発明の効果〉 以上詳述したように、本発明の実施により、磁気抵抗素
子の電流を正確に調整できるので、感度の向上が達成さ
れる。

また、磁気抵抗素子と検出回路に生ずる外乱信号は、差
動検出により除去することもできる。さらに、磁気抵抗
素子に印加される電流が方向を変えることにより、垂直
記録磁性媒体にも長手記録磁性媒体に適用できる磁気セ
ンサが得られる。

従って本発明は、実用に供して有用である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明を用いた磁性媒体読み出し用センサの
概略図である。 第２図は第１図のセンサの反対極性信号磁界に対する応
答を示すグラフである。 第３図は本発明を用いた磁性媒体読み出し用センサのも
う一つの実施例の概略図である。 １１：続出しセンサ、 １３．１５．５３．５５：磁気抵抗素子１７．１９．５
７：電流源 ２１：差動増幅器 ＩＩ、Ｉ２：電流 ５１：記録センサ ６１：検出器

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、つぎの（イ）〜（ニ）を含む装置。 （イ）第一の磁化を有する第一の磁気抵抗素子。 （ロ）前記第一の磁化と平行な第２の磁化を有する前記
   第１の磁気抵抗素子と離隔した第２の磁気抵抗素子。 （ハ）前記第１の磁気抵抗素子に第１の電流を、前記第
   ２の磁気抵抗素子に第２の電流を供給する電流源手段。 前記第１の電流と前記第２の電流は平行で互いに逆方向
   である。 前記第１の電流は前記第２の磁気抵抗素子上で前記第２
   の磁化と直交する第１のバイアス磁界を発生し、 前記第２の電流は前記第１の磁気抵抗素子上で前記第１
   の磁化と直交する第２のバイアス磁界を発生する。前記
   第１、第２のバイアス磁界は互いに平行で同一向きであ
   る。 （ニ）前記第１、第２の磁気抵抗素子に結合されて、該
   第１、第２の磁気抵抗素子の抵抗の差動変化を検出する
   検出手段。 ２、前記第１、第２の磁気抵抗素子が電気的に直列に接
   続されている請求項１記載の装置。 ３、前記第１、第２の電流の相対方向を反転するための
   反転装置を含む請求項１記載の装置。 ４、前記第１、第２の電流の向きを同一にしたとき前記
   検出手段が前記第１、第２の磁気抵抗素子のそれぞれの
   抵抗変化の和を検出するように前記検出手段を切り換え
   る切換え手段を有する請求項３記載の装置。 ５、つぎの（イ）〜（ハ）を含むシステム。 （イ）第１、第２の磁気抵抗素子と、電流源手段と、検
   出手段とを含む読出しヘッド。 前記第１の磁気抵抗素子は第１の磁化を有し、該第１の
   磁気抵抗素子と離隔した前記第２の磁気抵抗素子は前記
   第１の磁化と平行な第２の磁化を有する。 前記電流源手段は前記第１の磁気抵抗素子に第１の電流
   を印加し、該第１の電流により前記第２の磁気抵抗素子
   上で前記第２の磁化に直交する第１のバイアス磁界を発
   生する。 また、前記電流源手段は前記第２の磁気抵抗素子に前記
   第１の電流と逆向きの第２の電流を印加し、該第２の電
   流により前記第１の磁気抵抗素子上で前記第１の磁化に
   直交し、前記第１のバイアス磁界と平行で同一方向の第
   ２のバイアス磁界を発生する。 前記検出手段は前記第１、第２の磁気抵抗素子の抵抗の
   差動変化に応答する出力を発生する。 （ロ）磁化転移として記憶された情報を有する垂直記録
   媒体。 （ハ）前記垂直記録媒体を前記読出しヘッドのそばで移
   動させ前記磁化転移が前記第１、第２の磁気抵抗素子の
   抵抗変化を与えるようにする駆動手段。 ６、前記垂直記録媒体が誘起する磁界が、前記第１、第
   ２の磁気抵抗素子上で前記第１、第２の磁化に直交する
   ようにした請求項５記載のシステム。 ７、少くとも前記第１、第２の電流の一方の向きを反転
   するための反転装置を備えた請求項５記載のシステム。 ８、前記検出手段に切り換え手段を設けて、前記第１、
   第２の電流の向きが相互に同一でも逆でも前記第１、第
   ２の磁気抵抗素子の抵抗の差動変化に応答した出力を発
   生するようにした請求項７記載のシステム。 ９、前記第１、第２の磁気抵抗素子を直列接続し、前記
   第１、第２の電流を同じ大きさとした請求項５記載のシ
   ステム。 １０、つぎの（イ）〜（ニ）を有する垂直記録媒体の読
   出しに用いるセンサ。 （イ）第１の位置における磁界に応答する、第１の磁化
   を有する第１の磁気抵抗素子。 （ロ）第２の位置における磁界に応答する、前記第１の
   磁化と平行な第２の磁化を有する、前記第１の磁気抵抗
   素子から平行離隔した第２の磁気抵抗素子。 （ハ）前記第１の磁気抵抗素子に第１の電流を、前記第
   ２の磁気抵抗素子に前記第１の電流と平行で反対向きの
   第２の電流を供給する電流源手段。 前記第１の電流は前記第２の磁気抵抗素子上で前記第２
   の磁化と直交する第１のバイアス磁界を与え、前記第２
   の電流は、前記第１の磁気抵抗素子上で前記第１の磁化
   と直交し、前記第１のバイアス電流と平行で同一向きの
   第２のバイアス磁界を与える。 （ニ）前記第１、第２の磁気抵抗素子のそれぞれに接続
   されて、該第１、第２の磁気抵抗素子の抵抗の差動変化
   を検出する検出手段。 これによって垂直記録媒体上の空間的磁化転移が該検出
   手段の出力として表われる。