JPH0247017B2 - Jikikogakuhetsudo - Google Patents
JikikogakuhetsudoInfo
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- JPH0247017B2 JPH0247017B2 JP16449282A JP16449282A JPH0247017B2 JP H0247017 B2 JPH0247017 B2 JP H0247017B2 JP 16449282 A JP16449282 A JP 16449282A JP 16449282 A JP16449282 A JP 16449282A JP H0247017 B2 JPH0247017 B2 JP H0247017B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- photodetector
- optical
- magneto
- reflected
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10532—Heads
Description
【発明の詳細な説明】
＜技術分野＞
本発明は磁性膜を記憶媒体としレーザ光等の光
ビームを記憶媒体に照射することにより情報の記
録・再生・消去を行う光記憶装置に関するもので
あり、特にその光学装置に関する。
ビームを記憶媒体に照射することにより情報の記
録・再生・消去を行う光記憶装置に関するもので
あり、特にその光学装置に関する。
＜従来技術＞
近年、光記憶装置は高密度化、大容量化、及び
高速アクセス化が可能なメモリ装置として広く研
究されている。このうち記憶媒体に微細なピツト
列を形成し、該ピツト部における光ビームの回折
現象を利用して光再生する装置、あるいは記憶媒
体に屈折率の異なる領域をビツト状に形成し、そ
の反射率あるいは透過率の変化を利用して光再生
する装置について一部実用化が計られている。し
かしながら上記装置は再生専用あるいは情報の追
加記録が可能であるという機能をもつに留まつて
おり、メモリ装置の一大特徴たるべき消去機能を
もたないという問題を残している。
高速アクセス化が可能なメモリ装置として広く研
究されている。このうち記憶媒体に微細なピツト
列を形成し、該ピツト部における光ビームの回折
現象を利用して光再生する装置、あるいは記憶媒
体に屈折率の異なる領域をビツト状に形成し、そ
の反射率あるいは透過率の変化を利用して光再生
する装置について一部実用化が計られている。し
かしながら上記装置は再生専用あるいは情報の追
加記録が可能であるという機能をもつに留まつて
おり、メモリ装置の一大特徴たるべき消去機能を
もたないという問題を残している。
ところで光記憶装置のうち磁性体を記憶媒体と
する光磁気記憶装置は記録・再生・消去の３機能
を持ち有用な光記憶装置となりうるものである。
しかしながらこの光磁気記憶装置は再生光学系が
他の光記憶装置に比べて複雑なこと、及び光再生
信号の品質が悪いなどの問題点がありその実用化
が遅れている。
する光磁気記憶装置は記録・再生・消去の３機能
を持ち有用な光記憶装置となりうるものである。
しかしながらこの光磁気記憶装置は再生光学系が
他の光記憶装置に比べて複雑なこと、及び光再生
信号の品質が悪いなどの問題点がありその実用化
が遅れている。
＜目的＞
本発明は上記の様な現状に鑑み光磁気記憶装置
の再生光学系の簡略化と光再生信号の信頼性の向
上を目的とする。
の再生光学系の簡略化と光再生信号の信頼性の向
上を目的とする。
＜実施例＞
以下本発明に係わる磁気光学ヘツドの実施例を
図面をもとに説明する。
図面をもとに説明する。
第１図は本発明に係る一実施例を示す構成図で
ある。１はGdTbFe、GdDyFe、GdTbDyFe、
TbFe等の非晶質磁性薄膜を基板上にスパツタリ
ングによつて被覆してなる記憶デイスクであり、
上記磁性薄膜をトレース誤差情報を得るための図
示しない凹凸状のガイドトラツクの上に形成され
ている。２は所定の強度のレーザ光を射出できる
レーザ装置、３は偏光子、４は前記記憶デイスク
１からの反射情報光を検出系側に導くとともに、
前記記憶媒体の磁化状態に応じて生じる磁気光学
回転角を増大させる機能をもつハーフプリズムで
あり、一例としてRp＝0.3、Tp＝0.7、Rs＝0.99、
Ts＝0.01の偏光特性をもつ場合には磁気光学回
転角を約1.6倍に増大させうるものである。５は
磁性薄膜上に微小スポツトを結ばせる対物レン
ズ、６は反射情報光を後述する光検出器上に集光
させるスポツトレンズ、７は反射情報光を直角方
向に２分するハーフプリズム（ビームスプリツ
タ）であり、Ｓ波・Ｐ波の透過率及び反射率が
１：１に近く、Ｐ波及びＳ波の位相ズレが小さい
という光学特性をもつ。このハーフプリズム７と
してはプリズム斜面にAgをコートしたものが適
用できる。８，９は反射情報光の回転角変位を所
定の方向に変化することのできる1/2波長板（８
は第１の1/2波長板、９は第２の1/2波長板）であ
る。
ある。１はGdTbFe、GdDyFe、GdTbDyFe、
TbFe等の非晶質磁性薄膜を基板上にスパツタリ
ングによつて被覆してなる記憶デイスクであり、
上記磁性薄膜をトレース誤差情報を得るための図
示しない凹凸状のガイドトラツクの上に形成され
ている。２は所定の強度のレーザ光を射出できる
レーザ装置、３は偏光子、４は前記記憶デイスク
１からの反射情報光を検出系側に導くとともに、
前記記憶媒体の磁化状態に応じて生じる磁気光学
回転角を増大させる機能をもつハーフプリズムで
あり、一例としてRp＝0.3、Tp＝0.7、Rs＝0.99、
Ts＝0.01の偏光特性をもつ場合には磁気光学回
転角を約1.6倍に増大させうるものである。５は
磁性薄膜上に微小スポツトを結ばせる対物レン
ズ、６は反射情報光を後述する光検出器上に集光
させるスポツトレンズ、７は反射情報光を直角方
向に２分するハーフプリズム（ビームスプリツ
タ）であり、Ｓ波・Ｐ波の透過率及び反射率が
１：１に近く、Ｐ波及びＳ波の位相ズレが小さい
という光学特性をもつ。このハーフプリズム７と
してはプリズム斜面にAgをコートしたものが適
用できる。８，９は反射情報光の回転角変位を所
定の方向に変化することのできる1/2波長板（８
は第１の1/2波長板、９は第２の1/2波長板）であ
る。
該1/2波長板の作用を第２図を用いて説明する。
第２図はハーフプリズム７を通過した後の反射情
報光の偏光状態をベクトルで示したものである。
但し記憶デイスク１に入射するレーザ光の偏光状
態はＰの方向とする。第２図においてM+、M-は
記憶デイスク１における磁化情報に対応した反射
情報光の偏光状態を示す。但し、同図のM+、M-
は光の記憶デイスク１で反射された光が磁気光学
効果を増大させる機能をもつハーフプリズム４で
磁気光学回転角が増大された結果の光である。こ
の反射情報光M+、M-はハーフプリズム７（この
ハーフプリズム７は前述したようにＳ波・Ｐ波の
透過率及び透過率が１：１に近く、Ｐ波・Ｓ波の
位相ズレが小さい。よつて磁気光学回転角を増大
させる機能はなく単に光を２分するだけである。）
によりほぼ２分されて後1/2波長板８，９に入射
する。該1/2波長板８，９の構造はその光学軸に
平行に切断され、所定の厚さに仕上げられた水晶
板あるいは雲母板であり、互いに直交する偏波面
をもつ偏光の位相を相対的に最大180゜ズラすこと
ができる。従つて、入射偏光の方位だけを変化さ
せることが可能である。
第２図はハーフプリズム７を通過した後の反射情
報光の偏光状態をベクトルで示したものである。
但し記憶デイスク１に入射するレーザ光の偏光状
態はＰの方向とする。第２図においてM+、M-は
記憶デイスク１における磁化情報に対応した反射
情報光の偏光状態を示す。但し、同図のM+、M-
は光の記憶デイスク１で反射された光が磁気光学
効果を増大させる機能をもつハーフプリズム４で
磁気光学回転角が増大された結果の光である。こ
の反射情報光M+、M-はハーフプリズム７（この
ハーフプリズム７は前述したようにＳ波・Ｐ波の
透過率及び透過率が１：１に近く、Ｐ波・Ｓ波の
位相ズレが小さい。よつて磁気光学回転角を増大
させる機能はなく単に光を２分するだけである。）
によりほぼ２分されて後1/2波長板８，９に入射
する。該1/2波長板８，９の構造はその光学軸に
平行に切断され、所定の厚さに仕上げられた水晶
板あるいは雲母板であり、互いに直交する偏波面
をもつ偏光の位相を相対的に最大180゜ズラすこと
ができる。従つて、入射偏光の方位だけを変化さ
せることが可能である。
今、反射情報光M+、M-に対して1/2波長板８，
９の位相の遅れる軸の方位をそれぞれ第２図Ａ，
Ｂのように設定すると、1/2波長板８，９を通過
してくる偏光は同図のM+A、M-A、M+B、M-Bの
様に表わされる。即ち、1/2波長板８では遅延軸
の方位がＡに設定されており、Ａ方位と（Ｓ）軸
のなす角の２倍だけM+、M-が反時計回りに変化
し、M+A、M-Aのベクトルとなる。又、1/2波長
板９では遅延軸の方位がＢに設定されており、Ｂ
方位と（Ｓ）軸のなす角の２倍だけM+、M-が時
計回りに変化し、M+B、M-Bのベクトルになる。
この第２図から明らかなように1/2波長板を介す
ることで通過した光ビームの記憶媒体の磁化情報
に対応した偏光情報の差が強調される。尚、前記
１／２波長板８，９の遅延軸の方位Ａ，Ｂは入射偏
光の方位に対して通常一方が（ｎ／４π−π／８）、他 方が（ｎ／４π＋π／８）の値に設定にする。ここで、 ｎは０、１、２、…の整数である。これによつて
Ａ方位とＢ方位の互いのなす角を45゜に設定して
いる。
９の位相の遅れる軸の方位をそれぞれ第２図Ａ，
Ｂのように設定すると、1/2波長板８，９を通過
してくる偏光は同図のM+A、M-A、M+B、M-Bの
様に表わされる。即ち、1/2波長板８では遅延軸
の方位がＡに設定されており、Ａ方位と（Ｓ）軸
のなす角の２倍だけM+、M-が反時計回りに変化
し、M+A、M-Aのベクトルとなる。又、1/2波長
板９では遅延軸の方位がＢに設定されており、Ｂ
方位と（Ｓ）軸のなす角の２倍だけM+、M-が時
計回りに変化し、M+B、M-Bのベクトルになる。
この第２図から明らかなように1/2波長板を介す
ることで通過した光ビームの記憶媒体の磁化情報
に対応した偏光情報の差が強調される。尚、前記
１／２波長板８，９の遅延軸の方位Ａ，Ｂは入射偏
光の方位に対して通常一方が（ｎ／４π−π／８）、他 方が（ｎ／４π＋π／８）の値に設定にする。ここで、 ｎは０、１、２、…の整数である。これによつて
Ａ方位とＢ方位の互いのなす角を45゜に設定して
いる。
以上の設定により互いに直交する偏波面をもつ
光を２分する偏光ビームスプリツタ１０，１１
（１０は第１の偏光ビームスプリツタ、１１は第
２の偏光ビームスプリツタ）のそれぞれの偏光軸
を同図のＳ，Ｐ（Ｓの偏光方向の光は反射し、Ｐ
の偏光方向の光は透過する。）とすると該偏光ビ
ームスプリツタを経た光は、記憶デイスク１の磁
化状態に応じて強度変調されたものとなる。従つ
て該偏光ビームスプリツタの各々の反射側に設置
された光検出器１２，１３（１２は第１の光検出
器、１３は第２の光検出器）には互いに逆位相の
光が得られる。図示しない差動増巾器に上記光検
出器１２，１３の出力信号を入力することにより
偏波面の変化する情報（記録情報）のみを得るこ
とができる。
光を２分する偏光ビームスプリツタ１０，１１
（１０は第１の偏光ビームスプリツタ、１１は第
２の偏光ビームスプリツタ）のそれぞれの偏光軸
を同図のＳ，Ｐ（Ｓの偏光方向の光は反射し、Ｐ
の偏光方向の光は透過する。）とすると該偏光ビ
ームスプリツタを経た光は、記憶デイスク１の磁
化状態に応じて強度変調されたものとなる。従つ
て該偏光ビームスプリツタの各々の反射側に設置
された光検出器１２，１３（１２は第１の光検出
器、１３は第２の光検出器）には互いに逆位相の
光が得られる。図示しない差動増巾器に上記光検
出器１２，１３の出力信号を入力することにより
偏波面の変化する情報（記録情報）のみを得るこ
とができる。
一方、前記偏光ビームスプリツタ１０，１１の
透過側に配した光検出器１４，１５（第３の光検
出器）のうち一方は前記記憶デイスク１と対物レ
ンズ５との相対距離の変化を検出する即ちフオー
カスサーボ用の光検出器（この光検出器として
は、例えば４分割検出器を用い、反射光の光軸中
心に対して、その光検出器の分割中心を一方の分
割線の方向に微少距離ずらすことで容易にフオー
カスサーボ用の信号を得ることができる。この構
成については先に出願した特願昭56−173975に明
記される。この構成とは異なる他の周知なフオー
カスサーボ用信号を得るための光学系を配置して
も無論構わない。）であり、他方は前記記憶デイ
スク１に設けられたガイドトラツクとレーザ光ス
ポツトの相対的な位置ズレを検出する即ちトラツ
クサーボ用の光検出器（この光検出器としては、
例えばトラツク方向に分割線を有する２分割検出
器を用いることで周知のプツシユプル法により容
易にトラツクサーボ用の信号を得ることができ
る。）である。該光検出器１４，１５によつて得
た誤差信号は図示しない増巾回路および位相補償
回路を経て図示しない駆動機構にフイードバツク
されて、フオーカス方向、トラツク方向に対物レ
ンズ５、もしくは光学ヘツド全体を駆動制御し
て、レーザ光スポツトを所定の位置に結ばせる様
に構成されている。
透過側に配した光検出器１４，１５（第３の光検
出器）のうち一方は前記記憶デイスク１と対物レ
ンズ５との相対距離の変化を検出する即ちフオー
カスサーボ用の光検出器（この光検出器として
は、例えば４分割検出器を用い、反射光の光軸中
心に対して、その光検出器の分割中心を一方の分
割線の方向に微少距離ずらすことで容易にフオー
カスサーボ用の信号を得ることができる。この構
成については先に出願した特願昭56−173975に明
記される。この構成とは異なる他の周知なフオー
カスサーボ用信号を得るための光学系を配置して
も無論構わない。）であり、他方は前記記憶デイ
スク１に設けられたガイドトラツクとレーザ光ス
ポツトの相対的な位置ズレを検出する即ちトラツ
クサーボ用の光検出器（この光検出器としては、
例えばトラツク方向に分割線を有する２分割検出
器を用いることで周知のプツシユプル法により容
易にトラツクサーボ用の信号を得ることができ
る。）である。該光検出器１４，１５によつて得
た誤差信号は図示しない増巾回路および位相補償
回路を経て図示しない駆動機構にフイードバツク
されて、フオーカス方向、トラツク方向に対物レ
ンズ５、もしくは光学ヘツド全体を駆動制御し
て、レーザ光スポツトを所定の位置に結ばせる様
に構成されている。
尚、前記光検出器１４，１５はフオーカス用、
トラツク用に必らずしも分離されなくとも、一個
の光検出器により両方の制御信号を得る様に構成
しても良く、例えば一方の光検出器よりフオーカ
ス及びトラツク誤差信号を得、他方の光検出器よ
り記憶デイスク１と光学ヘツドの傾斜を検出し、
制御信号にフイードバツクする様にすることもで
きる。
トラツク用に必らずしも分離されなくとも、一個
の光検出器により両方の制御信号を得る様に構成
しても良く、例えば一方の光検出器よりフオーカ
ス及びトラツク誤差信号を得、他方の光検出器よ
り記憶デイスク１と光学ヘツドの傾斜を検出し、
制御信号にフイードバツクする様にすることもで
きる。
或いは前述した偏光ビームスプリツタ１０，１
１の透過側に配した光検出器１４，１５にて得ら
れた信号から記録情報信号を得、偏光ビームスプ
リツタ１０，１１の反射側に配した光検出器１
２，１３にて得られた信号からフオーカスサーボ
用信号或いはトラツクサーボ用信号等の制御信号
を得るようにした構成としてもよい。
１の透過側に配した光検出器１４，１５にて得ら
れた信号から記録情報信号を得、偏光ビームスプ
リツタ１０，１１の反射側に配した光検出器１
２，１３にて得られた信号からフオーカスサーボ
用信号或いはトラツクサーボ用信号等の制御信号
を得るようにした構成としてもよい。
＜効果＞
以上詳細に説明した本発明によれば、反射情報
光の中で従来では検出後に廃棄されていたものを
積極的に制御信号用光として利用することが可能
であり、この事によつて光学系を簡略化できるも
のである。又反射情報光の偏光方位の設定に1/2
波長板を用いる事によつて、任意の偏光方位の反
射情報光が得られ、この事によつて差動光学系を
構成する光ヘツドとして極めて優れたものを得
る。
光の中で従来では検出後に廃棄されていたものを
積極的に制御信号用光として利用することが可能
であり、この事によつて光学系を簡略化できるも
のである。又反射情報光の偏光方位の設定に1/2
波長板を用いる事によつて、任意の偏光方位の反
射情報光が得られ、この事によつて差動光学系を
構成する光ヘツドとして極めて優れたものを得
る。
第１図は本発明に係る磁気光学ヘツドの一実施
例の構成図、第２図はその反射情報光の偏光状態
を示すベクトル図である。 図中、１：記憶デイスク、２：レーザ装置、
３：偏光子、４：ハーフプリズム、５：対物レン
ズ、６：スポツトレンズ、７：ハーフプリズム、
８，９：1/2波長板、１０，１１：偏光ビームス
プリツタ、１２，１３，１４，１５：光検出器。
例の構成図、第２図はその反射情報光の偏光状態
を示すベクトル図である。 図中、１：記憶デイスク、２：レーザ装置、
３：偏光子、４：ハーフプリズム、５：対物レン
ズ、６：スポツトレンズ、７：ハーフプリズム、
８，９：1/2波長板、１０，１１：偏光ビームス
プリツタ、１２，１３，１４，１５：光検出器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 磁性薄膜を記憶媒体とし、該記憶媒体へのレ
ーザ光の照射により、情報の記録・再生・消去を
行う光磁気記憶装置の磁気光学ヘツドにおいて、 前記記憶媒体からの反射光ビームを２分するビ
ームスプリツタと、 該ビームスプリツタによつて分離された各光ビ
ームの光軸上に配置された第１及び第２の1/2波
長板とを備え、 該第１及び第２の1/2波長板の遅延軸の方位角
を、通過した光ビームの記憶媒体の磁化情報に対
応した偏光状態の差が強調されるように互いに異
ならせ、 該1/2波長板を通過した光の光軸上に互いに直
交する偏光面を有する第１及び第２の偏光ビーム
スプリツタと、 該第１及び第２の偏光ビームスプリツタによつ
て反射（若しくは透過）された光をそれぞれ検出
する第１及び第２の光検出器と、 前記２つの偏光ビームスプリツタによつて透過
（若しくは反射）された光を検出する少なくとも
１つの第３の光検出器と、 前記第１及び第２の光検出器の出力を差動する
ことにより記録情報を得る回路手段と、 前記第３の光検出器の出力からサーボ用の信号
を得る回路手段と、 を備えたことを特徴とする磁気光学ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16449282A JPH0247017B2 (ja) | 1982-09-20 | 1982-09-20 | Jikikogakuhetsudo |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16449282A JPH0247017B2 (ja) | 1982-09-20 | 1982-09-20 | Jikikogakuhetsudo |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5954054A JPS5954054A (ja) | 1984-03-28 |
| JPH0247017B2 true JPH0247017B2 (ja) | 1990-10-18 |
Family
ID=15794181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16449282A Expired - Lifetime JPH0247017B2 (ja) | 1982-09-20 | 1982-09-20 | Jikikogakuhetsudo |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0247017B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07101523B2 (ja) * | 1986-09-12 | 1995-11-01 | キヤノン株式会社 | 光磁気信号再生装置 |
-
1982
- 1982-09-20 JP JP16449282A patent/JPH0247017B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5954054A (ja) | 1984-03-28 |
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