JPH07101523B2 - 光磁気信号再生装置 - Google Patents
光磁気信号再生装置Info
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- JPH07101523B2 JPH07101523B2 JP61215089A JP21508986A JPH07101523B2 JP H07101523 B2 JPH07101523 B2 JP H07101523B2 JP 61215089 A JP61215089 A JP 61215089A JP 21508986 A JP21508986 A JP 21508986A JP H07101523 B2 JPH07101523 B2 JP H07101523B2
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- G11B11/10515—Reproducing
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光磁気記録媒体に記録された情報を磁気光学
装置を用いて読み出す光磁気信号再生装置に関するもの
である。
装置を用いて読み出す光磁気信号再生装置に関するもの
である。
〔従来の技術〕 光磁気信号再生装置は、レーザ光のスポット照射による
磁性膜の局所的温度上昇を利用して、磁気的に情報を記
録し、磁気光学効果により情報を再生するものであり、
消去・書き換えが可能な大容量メモリとして有望視され
ている。
磁性膜の局所的温度上昇を利用して、磁気的に情報を記
録し、磁気光学効果により情報を再生するものであり、
消去・書き換えが可能な大容量メモリとして有望視され
ている。
第5図に従来の一般的な光磁気信号再生装置の例を示
し、構成及び信号再生の原理の概略を説明する。第5図
において、1は半導体レーザ、2はコリメータレンズ、
3は偏光ビームスプリッタ、4は対物レンズ、5は光磁
気記録媒体、6は集光レンズ、7は検光子、8は光検出
器、10は位相子である。P偏光面を記号Pで示す方向と
し、半導体レーザ1の偏光方向をP偏光方向にとると、
1から出た光束はコリメータレンズ2によって平行光束
とされ、偏光ビームスプリッタ3に入射する。偏光ビー
ムスプリッタ3のP偏光成分の振幅透過率をtp、S偏光
成分の振幅反射率をrSとして、例えばtp 2≒70%、rS 2≒
100%とすればC/Nの良い信号が得られることが公知であ
る。偏光ビームスプリッタ3を透過した平行光束は、対
物レンズ4で光磁気記録媒体5上に微小なスポットとし
て結像される。
し、構成及び信号再生の原理の概略を説明する。第5図
において、1は半導体レーザ、2はコリメータレンズ、
3は偏光ビームスプリッタ、4は対物レンズ、5は光磁
気記録媒体、6は集光レンズ、7は検光子、8は光検出
器、10は位相子である。P偏光面を記号Pで示す方向と
し、半導体レーザ1の偏光方向をP偏光方向にとると、
1から出た光束はコリメータレンズ2によって平行光束
とされ、偏光ビームスプリッタ3に入射する。偏光ビー
ムスプリッタ3のP偏光成分の振幅透過率をtp、S偏光
成分の振幅反射率をrSとして、例えばtp 2≒70%、rS 2≒
100%とすればC/Nの良い信号が得られることが公知であ
る。偏光ビームスプリッタ3を透過した平行光束は、対
物レンズ4で光磁気記録媒体5上に微小なスポットとし
て結像される。
光磁気記録媒体5は、一般的に第6図に示す様な構成で
ある。第6図において、11及び17は透明基板、12及び14
は誘導体多層膜、13は磁性膜、15は金属反射膜、16は保
護膜である。
ある。第6図において、11及び17は透明基板、12及び14
は誘導体多層膜、13は磁性膜、15は金属反射膜、16は保
護膜である。
光束はLで示す方向から入射し、記録時のスポット照射
領域の磁化方向(磁区)に応じて、各々反対方向に偏光
面の回転を受け(カー効果)、さらに、12及び14の誘導
体多層膜、15の金属反射膜などによりカー回転角が増大
されて反射される。なお、透明基板11にはトラッキング
用の案内溝が設けられているのが一般的である。本図で
は省略してある。
領域の磁化方向(磁区)に応じて、各々反対方向に偏光
面の回転を受け(カー効果)、さらに、12及び14の誘導
体多層膜、15の金属反射膜などによりカー回転角が増大
されて反射される。なお、透明基板11にはトラッキング
用の案内溝が設けられているのが一般的である。本図で
は省略してある。
このような光磁気記録媒体5からの反射光は、第5図の
対物レンズ4で平行光束とされ、偏光ビームスプリッタ
3で反射されると、前述のrp 2(=1−tp 2)とrS 2の比
により見かけ上のカー回転角が増大する。この後、集光
レンズ6を経て、検光子7で所定の偏光成分に分離さ
れ、信号光として光検出器8に達する。
対物レンズ4で平行光束とされ、偏光ビームスプリッタ
3で反射されると、前述のrp 2(=1−tp 2)とrS 2の比
により見かけ上のカー回転角が増大する。この後、集光
レンズ6を経て、検光子7で所定の偏光成分に分離さ
れ、信号光として光検出器8に達する。
前記検光子に入射する反射光は、媒体上の磁区に応じて
第7図に示す±θKの偏光面の回転を受けている。従っ
て、検光子7の透過軸方位をS偏光方向よりαの角度に
設定すれば、光検出器8で検出される光量は、各々の振
幅の検光子透過軸への正射影成分の2乗となり、磁区に
応じて強度変調された信号として読み出される。光磁気
媒体のフレネル反射率をRとすれば信号光Iは I∝R2(sin2α+θKsin2α) (1) であらわされる。この式において、第2項が光磁気信号
である。
第7図に示す±θKの偏光面の回転を受けている。従っ
て、検光子7の透過軸方位をS偏光方向よりαの角度に
設定すれば、光検出器8で検出される光量は、各々の振
幅の検光子透過軸への正射影成分の2乗となり、磁区に
応じて強度変調された信号として読み出される。光磁気
媒体のフレネル反射率をRとすれば信号光Iは I∝R2(sin2α+θKsin2α) (1) であらわされる。この式において、第2項が光磁気信号
である。
ところが一般に、光磁気記録媒体から反射されるP偏光
とS偏光との間には位相差を生じ、厳密には第7図のよ
うな直線偏光とはならず、楕円偏光となる。そして、こ
の楕円率が大きい場合には再生信号のCN比(搬送波帯域
における信号雑音比)が低下する場合があった。そこ
で、例えば特開昭60−20342号公報等においては、第5
図に示すように位相子10を挿入し、上記位相差を減少さ
せる提案がなされていた。
とS偏光との間には位相差を生じ、厳密には第7図のよ
うな直線偏光とはならず、楕円偏光となる。そして、こ
の楕円率が大きい場合には再生信号のCN比(搬送波帯域
における信号雑音比)が低下する場合があった。そこ
で、例えば特開昭60−20342号公報等においては、第5
図に示すように位相子10を挿入し、上記位相差を減少さ
せる提案がなされていた。
一方、再生比のCN比を向上させる他の方法として、従
来、光磁気記録媒体からの反射光をハーフミラーで分割
し、分割された光束を各々透過軸方位の異なる検光子を
介して差動検出する方法が知られている。これにより信
号光I′は、 I′∝R2θKsin2α (2) となり、前述の(1)式の第1項が消え、CN比の大きな
信号が得られる。
来、光磁気記録媒体からの反射光をハーフミラーで分割
し、分割された光束を各々透過軸方位の異なる検光子を
介して差動検出する方法が知られている。これにより信
号光I′は、 I′∝R2θKsin2α (2) となり、前述の(1)式の第1項が消え、CN比の大きな
信号が得られる。
しかしながら、上記差動検出を行う装置に特開昭60−20
342号公報に記載の発明を適用し、位相子によってハー
フミラーに至るまでの位相差を補償したとしても、ハー
フミラーによって生ずる位相差によって、やはりCN比の
低下を招いてしまうという問題点があった。
342号公報に記載の発明を適用し、位相子によってハー
フミラーに至るまでの位相差を補償したとしても、ハー
フミラーによって生ずる位相差によって、やはりCN比の
低下を招いてしまうという問題点があった。
本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決し、光磁
気信号を差動検出する際に、検出光の位相差によるCN比
の低下を減少せしめた光磁気信号再生装置を提供するこ
とにある。
気信号を差動検出する際に、検出光の位相差によるCN比
の低下を減少せしめた光磁気信号再生装置を提供するこ
とにある。
本発明の上記目的は、透明基板上に少なくとも磁気記録
層を含む薄幕を形成して成る光磁気記録媒体に所定方向
に偏光した光束を照射する手段と、磁気光学効果によっ
て前記媒体に記録された情報に応じて偏光状態が変調さ
れた前記光束を透過光束及び反射光束に分割するハーフ
ミラーと、前記変調光束を前記ハーフミラーに導く偏光
ビームスプリッタと、前記透過光束及び反射光束をそれ
ぞれ透過させる互いに異なる透過軸方位を有する2つの
検光子と、前記検光子を透過した前記透過光束及び反射
光束をそれぞれ受光する2つの光検出器と、前記2つの
光検出器の出力を差分して前記情報を再生する回路とか
ら成る光磁気信号再生装置において、前記媒体、偏光ビ
ームスプリッタ及びハーフミラーが以下の条件、 δS+δM+δQ≒nπ δHM≒n′π 但し、δS、δM及びδQはそれぞれ前記透明基板、薄
膜及び偏光ビームスプリッタが前記変調光束の前記所定
方向の偏光成分とそれに垂直な方向の偏光成分との間に
生じさせる位相差、δHMは前記ハーフミラーが前記反射
光束の前記所定方向の偏光成分とそれに垂直な方向の偏
光成分との間に生じさせる位相差、n及びn′はそれぞ
れ整数、を満足するように構成することによって達成さ
れる。
層を含む薄幕を形成して成る光磁気記録媒体に所定方向
に偏光した光束を照射する手段と、磁気光学効果によっ
て前記媒体に記録された情報に応じて偏光状態が変調さ
れた前記光束を透過光束及び反射光束に分割するハーフ
ミラーと、前記変調光束を前記ハーフミラーに導く偏光
ビームスプリッタと、前記透過光束及び反射光束をそれ
ぞれ透過させる互いに異なる透過軸方位を有する2つの
検光子と、前記検光子を透過した前記透過光束及び反射
光束をそれぞれ受光する2つの光検出器と、前記2つの
光検出器の出力を差分して前記情報を再生する回路とか
ら成る光磁気信号再生装置において、前記媒体、偏光ビ
ームスプリッタ及びハーフミラーが以下の条件、 δS+δM+δQ≒nπ δHM≒n′π 但し、δS、δM及びδQはそれぞれ前記透明基板、薄
膜及び偏光ビームスプリッタが前記変調光束の前記所定
方向の偏光成分とそれに垂直な方向の偏光成分との間に
生じさせる位相差、δHMは前記ハーフミラーが前記反射
光束の前記所定方向の偏光成分とそれに垂直な方向の偏
光成分との間に生じさせる位相差、n及びn′はそれぞ
れ整数、を満足するように構成することによって達成さ
れる。
以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第1図は本発明に基づく光磁気信号再生装置の一実施例
を示す概略図である。図において、1は半導体レーザ、
2はコリメータレンズ、3は偏光ビームスプリッタ、4
は対物レンズ、5は光磁気記録媒体、6は集光レンズ、
71、72は夫々検光子、81、82は夫々検出器、9はハーフ
ミラーを示す。
を示す概略図である。図において、1は半導体レーザ、
2はコリメータレンズ、3は偏光ビームスプリッタ、4
は対物レンズ、5は光磁気記録媒体、6は集光レンズ、
71、72は夫々検光子、81、82は夫々検出器、9はハーフ
ミラーを示す。
検光子71及び72の透過軸方位は互いに90゜の角度をなす
ように設けられており、光検出器81及び82の出力は夫々
不図示の差動増幅器によって差分され、周知の差動検出
の原理により再生信号が得られる。ここで、ハーフミラ
ー9に達するまでに、P−S偏光間の位相差を与えるの
は、偏光ビームスプリッタ3(位相差δPBS)、光磁気
媒体5における磁性体、誘導体や金属などよりなる多層
膜(位相差δM)、同じく透明基板(位相差δS)であ
る。
ように設けられており、光検出器81及び82の出力は夫々
不図示の差動増幅器によって差分され、周知の差動検出
の原理により再生信号が得られる。ここで、ハーフミラ
ー9に達するまでに、P−S偏光間の位相差を与えるの
は、偏光ビームスプリッタ3(位相差δPBS)、光磁気
媒体5における磁性体、誘導体や金属などよりなる多層
膜(位相差δM)、同じく透明基板(位相差δS)であ
る。
半導体レーザ1から光磁気記録媒体5に照射されたP偏
光光束は、上記の位相差δMを与えられ第2図のような
楕円偏光となって反射される。ここで、光磁気記録媒体
5における振幅反射率のフレネル成分をrR(P偏光方
向)、カー成分をrK(S偏光方向)、カー回転角を
θK、カー楕円率をχKとすると、 なる関係がある。rK、rRを振幅と位相にわけて表示すれ
ば、位相を各々A、Bとして、 とあらわされるので、δM=A−Bと定義すれば、 となる。よって第2図中のパラメータは以下の関係式で
結ばれる。
光光束は、上記の位相差δMを与えられ第2図のような
楕円偏光となって反射される。ここで、光磁気記録媒体
5における振幅反射率のフレネル成分をrR(P偏光方
向)、カー成分をrK(S偏光方向)、カー回転角を
θK、カー楕円率をχKとすると、 なる関係がある。rK、rRを振幅と位相にわけて表示すれ
ば、位相を各々A、Bとして、 とあらわされるので、δM=A−Bと定義すれば、 となる。よって第2図中のパラメータは以下の関係式で
結ばれる。
(6)式により(1)、(2)式における光磁気信号光
のレベルは、 I∝R2θKsin2αcosδM =I0cosδM (7) となる。但しR=|rR|2、I0=I(δM=0)である。
(7)式より、もし位相差δM=60゜の場合、光磁気信
号光レベルは1/2に、δM=90゜の場合は検出不能とな
ることがわかる。
のレベルは、 I∝R2θKsin2αcosδM =I0cosδM (7) となる。但しR=|rR|2、I0=I(δM=0)である。
(7)式より、もし位相差δM=60゜の場合、光磁気信
号光レベルは1/2に、δM=90゜の場合は検出不能とな
ることがわかる。
また、光磁気信号レベルをスペクトラムアナライザ等を
用いてCN比で観測する場合、キャリアレベルをCとすれ
ば、 C∝10logI2 =20log(I0cosδ) (8) なる関係があるので、位相差とキャリアレベルの関係は
第3図に示す様になる。例えば、δM=60゜では、6dB
キャリアレベルが低下する。
用いてCN比で観測する場合、キャリアレベルをCとすれ
ば、 C∝10logI2 =20log(I0cosδ) (8) なる関係があるので、位相差とキャリアレベルの関係は
第3図に示す様になる。例えば、δM=60゜では、6dB
キャリアレベルが低下する。
従って、本実施例においては、上記位相差δMを、前述
の基板によって与えられる位相差δS及び偏光ビームス
プリッタ3によって与えられる位相差δPBSによって位
相補償するように構成されている。即ち δM+δS+δPBS≒nπ (9) (n=0,±1,±2,…) となる。ここで偏光ビームスプリッタを含め、位相差を
与えるn個の光学素子が存在すれば光学系全体で与えら
れる位相差δQは、 で与えられる。従って、上記(9)式は一般的には、 δM+δS+δQ≒nπ (11) (n=0,±1,±2,…) と表わされる。更に、これら位相差の許容量を、キャリ
アレベルCの低下に換算して1dB程度とすると、 となる。多くの実験結果より、位相差が(12)式に示す
範囲内であれば、実用上ほとんど問題とならない。
の基板によって与えられる位相差δS及び偏光ビームス
プリッタ3によって与えられる位相差δPBSによって位
相補償するように構成されている。即ち δM+δS+δPBS≒nπ (9) (n=0,±1,±2,…) となる。ここで偏光ビームスプリッタを含め、位相差を
与えるn個の光学素子が存在すれば光学系全体で与えら
れる位相差δQは、 で与えられる。従って、上記(9)式は一般的には、 δM+δS+δQ≒nπ (11) (n=0,±1,±2,…) と表わされる。更に、これら位相差の許容量を、キャリ
アレベルCの低下に換算して1dB程度とすると、 となる。多くの実験結果より、位相差が(12)式に示す
範囲内であれば、実用上ほとんど問題とならない。
本実施例では、更に差動検出を行なう為の光分割手段た
るハーフミラー9が反射光束に与える位相差δHMを、 δHM≒n′π (13) (n′=0,±1,±2,…) としている。これは、一般にハーフミラーでは反射光側
にのみ位相差δHMを生じる(透過光側ではδHM≒0)為
である。即ち、上記(13)式を満足するようなハーフミ
ラーを用いることによって、差動検出における位相差の
影響を除去し、CN比の高い光磁気信号の再生が可能とな
るものである。
るハーフミラー9が反射光束に与える位相差δHMを、 δHM≒n′π (13) (n′=0,±1,±2,…) としている。これは、一般にハーフミラーでは反射光側
にのみ位相差δHMを生じる(透過光側ではδHM≒0)為
である。即ち、上記(13)式を満足するようなハーフミ
ラーを用いることによって、差動検出における位相差の
影響を除去し、CN比の高い光磁気信号の再生が可能とな
るものである。
以下に、更に具体的な実施例を示す。
ポリカーボネート基板上に記録層としてGdTbFeCo4元素
非晶質磁性膜を設け、第6図に示す様な構成の光磁気記
録媒体を構成した。ここで、カー回転角θK≒0.7゜、
媒体による位相差δM≒+130゜であった。ポリカーボ
ネート基板は第4図(B)の平面図のように中心からの
距離をrとしたときに、複屈折によって再生光に与える
位相差が第4図(A)に示すような分布を有していた。
即ち、基板による位相差δSの平均値は+20゜程度であ
り、+10゜〜+40゜にわたって分布していた。偏光ビー
ムスプリッタ3は、P偏光透過率、tp 2≒70%S偏光反
射率rS 2≒98%の偏光特性で反射光の位相差δPBS≒+30
゜であり、光磁気媒体の多層膜および透明基板によって
生ずる位相差δM、δSを相殺するように設計した。
非晶質磁性膜を設け、第6図に示す様な構成の光磁気記
録媒体を構成した。ここで、カー回転角θK≒0.7゜、
媒体による位相差δM≒+130゜であった。ポリカーボ
ネート基板は第4図(B)の平面図のように中心からの
距離をrとしたときに、複屈折によって再生光に与える
位相差が第4図(A)に示すような分布を有していた。
即ち、基板による位相差δSの平均値は+20゜程度であ
り、+10゜〜+40゜にわたって分布していた。偏光ビー
ムスプリッタ3は、P偏光透過率、tp 2≒70%S偏光反
射率rS 2≒98%の偏光特性で反射光の位相差δPBS≒+30
゜であり、光磁気媒体の多層膜および透明基板によって
生ずる位相差δM、δSを相殺するように設計した。
これにより、ハーフミラーに至るまでの位相差δ′は、 となった。
ハーフミラー9は、P偏光透過率tp 2≒50%、S偏光透
過率tS 2≒50%の偏光特性で、反射光の位相差δHM≒180
゜であり、光磁気信号レベルをほとんど低下させない設
計とした。即ち、システム全体が差動検出される各々の
検出光に与える位相差δは、 となり、差動検出を行なっても位相差は(12)式で与え
られる範囲に抑えられた。本例における位相差による光
磁気信号レベルの低下は、キャリアレベル換算で0.5dB
程度で、実用上全く問題がなく、光磁気信号を高いCN比
で再生することが出来た。
過率tS 2≒50%の偏光特性で、反射光の位相差δHM≒180
゜であり、光磁気信号レベルをほとんど低下させない設
計とした。即ち、システム全体が差動検出される各々の
検出光に与える位相差δは、 となり、差動検出を行なっても位相差は(12)式で与え
られる範囲に抑えられた。本例における位相差による光
磁気信号レベルの低下は、キャリアレベル換算で0.5dB
程度で、実用上全く問題がなく、光磁気信号を高いCN比
で再生することが出来た。
本発明は、以上の実施例に限らず、種々の応用が可能で
ある。例えば、実施例では媒体の反射光を検出したが、
本発明は、フアラデー効果を利用し、光磁気記録媒体の
透過光から信号を再生する装置にも適用が可能である。
ある。例えば、実施例では媒体の反射光を検出したが、
本発明は、フアラデー効果を利用し、光磁気記録媒体の
透過光から信号を再生する装置にも適用が可能である。
以上説明したように本発明は、差動検出を行う光磁気信
号再生装置において、媒体とハーフミラーに至る光学系
が検出光に与える位相差及びハーフミラーがその反射光
束に与える位相差を共にπの整数倍とすることによっ
て、光磁気信号を高いCN比で再生することができるとい
う効果を奏するものである。
号再生装置において、媒体とハーフミラーに至る光学系
が検出光に与える位相差及びハーフミラーがその反射光
束に与える位相差を共にπの整数倍とすることによっ
て、光磁気信号を高いCN比で再生することができるとい
う効果を奏するものである。
第1図は本発明の光磁気信号再生装置の一実施例を示す
概略構成図、第2図は媒体の反射光の偏光状態を示す
図、第3図は位相差とキャリアレベルとの関係を示す
図、第4図(A)、(B)は夫々媒体基板による位相差
の分布を示す図、第5図は従来の光磁気信号再生装置の
構成を示す概略図、第6図は一般的な光磁気記録媒体の
構成を示す略断面図、第7図は光磁気信号の再生原理を
説明する図である。 1……半導体レーザー、 2……コリメータレンズ、 3……偏光ビームスプリッタ、 4……対物レンズ、 5……光磁気記録媒体、 6……集光レンズ、 71、72……検光子、 81、82……光検出器、 9……ハーフミラー、
概略構成図、第2図は媒体の反射光の偏光状態を示す
図、第3図は位相差とキャリアレベルとの関係を示す
図、第4図(A)、(B)は夫々媒体基板による位相差
の分布を示す図、第5図は従来の光磁気信号再生装置の
構成を示す概略図、第6図は一般的な光磁気記録媒体の
構成を示す略断面図、第7図は光磁気信号の再生原理を
説明する図である。 1……半導体レーザー、 2……コリメータレンズ、 3……偏光ビームスプリッタ、 4……対物レンズ、 5……光磁気記録媒体、 6……集光レンズ、 71、72……検光子、 81、82……光検出器、 9……ハーフミラー、
Claims (1)
- 【請求項1】透明基板上に少なくとも磁気記録層を含む
薄膜を形成して成る光磁気記録媒体に所定方向に偏光し
た光束を照射する手段と、磁気光学効果によって前記媒
体に記録された情報に応じて偏光状態が変調された前記
光束を透過光束及び反射光束に分割するハーフミラー
と、前記変調光束を前記ハーフミラーに導く偏光ビーム
スプリッタと、前記透過光束及び反射光束をそれぞれ透
過させる互いに異なる透過軸方位を有する2つの検光子
と、前記検光子を透過した前記透過光束及び反射光束を
それぞれ受光する2つの光検出器と、前記2つの光検出
器の出力を差分して前記情報を再生する回路とから成る
光磁気信号再生装置において、前記媒体、偏光ビームス
プリッタ及びハーフミラーが以下の条件、 δS+δM+δQ≒nπ δHM≒n′π 但し、δS、δM及びδQはそれぞれ前記透明基板、薄
膜及び偏光ビームスプリッタが前記変調光束の前記所定
方向の偏光成分とそれに垂直な方向の偏光成分との間に
生じさせる位相差、δHMは前記ハーフミラーが前記反射
光束の前記所定方向の偏光成分とそれに垂直な方向の偏
光成分との間に生じさせる位相差、n及びn′はそれぞ
れ整数、を満足するように構成されたことを特徴とする
光磁気信号再生装置。
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| JP61215089A JPH07101523B2 (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | 光磁気信号再生装置 |
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| JP61215089A JPH07101523B2 (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | 光磁気信号再生装置 |
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-
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- 1987-09-08 DE DE8787307939T patent/DE3783296T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-09-08 US US07/094,300 patent/US4953124A/en not_active Expired - Lifetime
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