JPH0247464Y2 - - Google Patents
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- JPH0247464Y2 JPH0247464Y2 JP19283584U JP19283584U JPH0247464Y2 JP H0247464 Y2 JPH0247464 Y2 JP H0247464Y2 JP 19283584 U JP19283584 U JP 19283584U JP 19283584 U JP19283584 U JP 19283584U JP H0247464 Y2 JPH0247464 Y2 JP H0247464Y2
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- transistor
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- photoelectric conversion
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 9
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
（技術分野）
この考案は、光量を測定する方式に関するもの
である。[Detailed description of the invention] (Technical field) This invention relates to a method for measuring the amount of light.
（従来技術とその問題点）
従来、光量を測定する場合、第２図に示したよ
うな回路を使う。(Prior art and its problems) Conventionally, when measuring the amount of light, a circuit as shown in Figure 2 is used.
図に於いて、１はCdS等の光導電型の光電変換素
子であつて、光を照射することによつて抵抗値が
変化するものである。この抵抗値Ｒは入射光量Ｌ
に大略逆比例して変化する。即ちＲ∝L-1であ
る。従つて、照射光量の変化を例えば１ルツクス
から10万ルツクス（屋外晴天時相当）までの５桁
とすると、抵抗値はやはり約５桁の変化を示す。
２は直流電源であり、３は電流計である。電流計
３は上記１ルツクスから10万ルツクスの光量変化
に対して、５桁の変化を表示する必要があるが、
１レンジでこれを表示することは無理である。従
つてレンジ切換えを行う必要が生じる。In the figure, numeral 1 is a photoconductive type photoelectric conversion element such as CdS, and its resistance value changes by irradiation with light. This resistance value R is the amount of incident light L
It changes roughly in inverse proportion to. That is, R∝L -1 . Therefore, if the change in the amount of irradiation light is, for example, a five-digit change from 1 lux to 100,000 lux (equivalent to outdoor weather on a clear day), the resistance value also shows a change of about five orders of magnitude.
2 is a DC power supply, and 3 is an ammeter. Ammeter 3 needs to display a 5-digit change in light intensity from 1 lux to 100,000 lux.
It is impossible to display this in one range. Therefore, it becomes necessary to change the range.
（目的）
この考案はこれ等の欠点を除去するために考案
されたものであつて、１レンジのみで１ルツクス
から10万ルツクス以上までの光量の読み取りを可
としたものである。(Purpose) This device was devised to eliminate these drawbacks, and makes it possible to read light intensity from 1 lux to more than 100,000 lux with only one range.
（実施例）
以下この考案の一実施例を第１図により説明す
る。１はCdS等の光導電型の光電変換素子、２は
直流電源、Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３はトランジスタ、Ｒ
１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７は回路
を構成する抵抗、４は電圧計である。(Example) An example of this invention will be described below with reference to FIG. 1 is a photoconductive type photoelectric conversion element such as CdS, 2 is a DC power supply, Q1, Q2, Q3 are transistors, R
1, R2, R3, R4, R5, R6, and R7 are resistors forming the circuit, and 4 is a voltmeter.
以下この動作について説明する。トランジスタ
Ｑ２とＱ３は差動増幅器を構成しており、光電変
換素子１とトランジスタＱ１のコレクタとの接点
ａの電圧Vsはｂ点の基準電圧Vrefに固定される。
更に詳しく述べるならば抵抗Ｒ４とトランジスタ
Ｑ３のコレクタとの接点Ｃの電圧がトランジスタ
Ｑ１のベースにフイードバツクされてａ点の電圧
Vsを基準電圧Vrefに固定される。ところでａ点
の電圧Vsを基準電圧Vrefに固定した場合、光電
変換素子１に印加される電圧は一定となる。一方
入射光量Ｌに光電変換素子１の抵抗値は逆比例す
るので電流値Ｉは入射光量Ｌに比例する。以上を
式で表わすと次のようになる。 This operation will be explained below. The transistors Q2 and Q3 constitute a differential amplifier, and the voltage Vs at the contact point a between the photoelectric conversion element 1 and the collector of the transistor Q1 is fixed to the reference voltage Vref at the point b.
To explain in more detail, the voltage at the contact point C between the resistor R4 and the collector of the transistor Q3 is fed back to the base of the transistor Q1, resulting in the voltage at point a.
Vs is fixed to the reference voltage Vref. By the way, when the voltage V s at point a is fixed to the reference voltage Vref, the voltage applied to the photoelectric conversion element 1 becomes constant. On the other hand, since the resistance value of the photoelectric conversion element 1 is inversely proportional to the amount L of incident light, the current value I is proportional to the amount L of incident light. The above can be expressed as the following formula.
Ｉ＝ｋ・Ｌ（ｋ：定数） ……(1)
ところでトランジスタは一般に次式で表わせる性
質をもつている。 I=k・L (k: constant) ...(1) By the way, transistors generally have properties that can be expressed by the following equation.
Ｉ＝ｌ・em・VB ……(2)
（ｌ，ｍ：定数、VB：トランジスタのエミツ
タのトランジスタに対するベース電位）
(1)，(2)式をまとめると、
VB＝AlogL（Ａ：定数） ……(3)
となる。 I=l・e m・V B ……(2) (l, m: constant, V B : base potential of the emitter of the transistor with respect to the transistor) To summarize equations (1) and (2), V B = AlogL ( A: constant) ...(3).
したがつて、入射光量Ｌの対数値に比例してト
ランジスタＱ１のベース電位VBが変化すること
がわかる。回路から明らかなように電圧計４は、
実質的にトランジスタＱ１のエミツタに対するベ
ース電位を検出しているため、その値は入射光量
の対数値に比例したものとなる。故に電圧計４の
値より光量を知ることができる。 Therefore, it can be seen that the base potential V B of the transistor Q1 changes in proportion to the logarithmic value of the amount of incident light L. As is clear from the circuit, voltmeter 4 is
Since the base potential with respect to the emitter of the transistor Q1 is essentially detected, its value is proportional to the logarithm of the amount of incident light. Therefore, the amount of light can be known from the value of the voltmeter 4.
以上述べたように、ａ点の電圧Vsの固定によ
つて、電圧計４の指示値を自動的に対数圧縮して
いる故にダイナミツクレンジが広い。実測では抵
抗値500MΩから50Ωまでの抵抗変化、即ち0.1ル
ツクスから100万ルツクス相当の光量変化（７桁）
を電圧計４の１レンジで読みとることができるこ
とがわかつている。 As described above, by fixing the voltage Vs at point a, the indicated value of the voltmeter 4 is automatically logarithmically compressed, so the dynamic range is wide. In actual measurements, the resistance changes from 500MΩ to 50Ω, that is, the light intensity changes from 0.1 Lux to 1 million Lux (7 digits).
It is known that the voltage can be read in one range of voltmeter 4.
（効果）
この考案によつて光量の大幅変化時もレンジを
切換えることなく測量できることがわかる。これ
によつて光に関する種々の自動調整装置の製作が
容易になつた。(Effects) It can be seen that with this invention, measurements can be taken without changing the range even when the amount of light changes significantly. This has facilitated the production of various automatic adjustment devices for light.
第２図は従来の光量測定回路例、第１図はこの
考案装置の一実施例の回路図である。
１：光電変換素子、４：光電検出用電圧計、
Q1，Q2，Q3：トランジスタ。
FIG. 2 is an example of a conventional light amount measuring circuit, and FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of this invented device. 1: Photoelectric conversion element, 4: Photoelectric detection voltmeter,
Q1 , Q2 , Q3 : Transistors.
Claims (1)
のコレクタを接続し、該光電変換素子の他端と上
記トランジスタのエミツタとの間に直流電圧を印
加し、該トランジスタのベースにそのコレクタ電
圧が一定になるように制御する回路を付加し、上
記トランジスタのベース電圧を上記光電変換素子
の抵抗値，即ち入射光量として指示する手段を設
けたことを特徴とする光量測定回路。 One end of a photoconductive type photoelectric conversion element and the collector of a transistor are connected, and a DC voltage is applied between the other end of the photoelectric conversion element and the emitter of the transistor, so that the collector voltage is constant at the base of the transistor. 1. A light amount measuring circuit, further comprising a circuit for controlling the amount of light, and means for indicating the base voltage of the transistor as the resistance value of the photoelectric conversion element, that is, the amount of incident light.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19283584U JPH0247464Y2 (en) | 1984-12-21 | 1984-12-21 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19283584U JPH0247464Y2 (en) | 1984-12-21 | 1984-12-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61108938U JPS61108938U (en) | 1986-07-10 |
| JPH0247464Y2 true JPH0247464Y2 (en) | 1990-12-13 |
Family
ID=30750245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19283584U Expired JPH0247464Y2 (en) | 1984-12-21 | 1984-12-21 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0247464Y2 (en) |
-
1984
- 1984-12-21 JP JP19283584U patent/JPH0247464Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61108938U (en) | 1986-07-10 |
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