JPH0247606Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0247606Y2 JPH0247606Y2 JP1981000014U JP1481U JPH0247606Y2 JP H0247606 Y2 JPH0247606 Y2 JP H0247606Y2 JP 1981000014 U JP1981000014 U JP 1981000014U JP 1481 U JP1481 U JP 1481U JP H0247606 Y2 JPH0247606 Y2 JP H0247606Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- flux density
- magnetic field
- shaped electrode
- magnetic flux
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、非可逆回路素子として動作する基板
状の分布定数型サーキユレータに関する。
状の分布定数型サーキユレータに関する。
この種の分布定数型サーキユレータは、マイク
ロ波機器等、特に1000MHz以上の周波帯での非可
逆回路素子として広く使用されている。
ロ波機器等、特に1000MHz以上の周波帯での非可
逆回路素子として広く使用されている。
第１図及び第２図は従来の分布定数型サーキユ
レータを示す。これらの図において、YIG（イツ
トリウム・アイアン・ガーネツト）等の酸化物磁
性体基板１の上面中心部付近には円板状電極２が
形成され、この円板状電極２より分岐導体３が放
射状に引出され、各分岐導体３の先端が端子とな
つている。また、基板１の裏面には全面に地導体
５が形成される。これらの電極２及び導体３，５
は例えば薄膜技術によつて形成される。前記円板
状電極２を含む基板１に垂直な直流磁界を印加す
る目的で、基板１の面積に比較して小さな永久磁
石７が、前記円板状電極２に略等しい位置でしか
も基板１を挾む如くあるいはどちらか一面に配置
される。
レータを示す。これらの図において、YIG（イツ
トリウム・アイアン・ガーネツト）等の酸化物磁
性体基板１の上面中心部付近には円板状電極２が
形成され、この円板状電極２より分岐導体３が放
射状に引出され、各分岐導体３の先端が端子とな
つている。また、基板１の裏面には全面に地導体
５が形成される。これらの電極２及び導体３，５
は例えば薄膜技術によつて形成される。前記円板
状電極２を含む基板１に垂直な直流磁界を印加す
る目的で、基板１の面積に比較して小さな永久磁
石７が、前記円板状電極２に略等しい位置でしか
も基板１を挾む如くあるいはどちらか一面に配置
される。
以上の構成の場合、酸化物磁性体基板１には、
垂直な直流磁界の印加される部分と、印加されな
い部分とが生ずる。基板１に適当なる直流磁界が
印加されない場合、第３図に示すように印加磁界
の零の点での損失が最少になる飽和磁束密度
（4πMs）領域が存在することを考慮しなければな
らない。すなわち、第３図の例では曲線Ｂの場合
が損失を少なくする意味では好ましい。一方、よ
り広帯域なサーキユレータを得るためには、一般
的に飽和磁束密度を大きくすることが重要である
が、前記低磁界損失を考慮したとき、従来の如き
基板１全体を同材質で一様に構成したのでは、大
きなな飽和磁束密度に設定できないため、比較的
狭帯域とならざるを得ない欠点を有していた。
垂直な直流磁界の印加される部分と、印加されな
い部分とが生ずる。基板１に適当なる直流磁界が
印加されない場合、第３図に示すように印加磁界
の零の点での損失が最少になる飽和磁束密度
（4πMs）領域が存在することを考慮しなければな
らない。すなわち、第３図の例では曲線Ｂの場合
が損失を少なくする意味では好ましい。一方、よ
り広帯域なサーキユレータを得るためには、一般
的に飽和磁束密度を大きくすることが重要である
が、前記低磁界損失を考慮したとき、従来の如き
基板１全体を同材質で一様に構成したのでは、大
きなな飽和磁束密度に設定できないため、比較的
狭帯域とならざるを得ない欠点を有していた。
また、第４図の如く円板状電極より分岐された
分岐部の長さをλ／４にすることにより広帯域化
を図ること等が提案されているが、周波数に逆比
例した分岐長となる為形状が大きくなり、通過損
失も増大する欠点を有している。
分岐部の長さをλ／４にすることにより広帯域化
を図ること等が提案されているが、周波数に逆比
例した分岐長となる為形状が大きくなり、通過損
失も増大する欠点を有している。
本考案は、上記の点に鑑み、酸化物磁性体基板
において円板状電極の位置する付近の飽和磁束密
度を大きく、その周辺の飽和磁束密度を低磁界損
失が少なくなる如く小さな値にした複合型酸化物
磁性体基板を用いるとともに、前記円板状電極に
切欠部を形成することにより、広帯域化及び低損
失化を図つた分布定数型サーキユレータを提供し
ようとするものである。
において円板状電極の位置する付近の飽和磁束密
度を大きく、その周辺の飽和磁束密度を低磁界損
失が少なくなる如く小さな値にした複合型酸化物
磁性体基板を用いるとともに、前記円板状電極に
切欠部を形成することにより、広帯域化及び低損
失化を図つた分布定数型サーキユレータを提供し
ようとするものである。
以下、本考案に係る分布定数型サーキユレータ
の実施例を図面に従つて説明する。
の実施例を図面に従つて説明する。
第５図及び第６図において、複合型酸化物磁性
体基板１０は、円板状電極２が位置する中央部１
１の透磁率及び飽和磁束密度が大きく、その周辺
部１２の透磁率及び飽和磁束密度は第３図の曲線
Ｂの如く印加磁界が零乃至微弱なときの損失が最
少となる如く小さな値となつている。この複合型
酸化物磁性体基板１０はYIG等で中央部１１及び
周辺部１２共に一体に焼結するか、あるいは別々
に焼結した後接着等の技術で一体化する等の方法
で作成できる。そして、このような複合型酸化物
磁性体基板１０上に円板状電極２及び分岐導体３
が薄膜技術等で形成され、分岐導体３の先端が端
子４となつている。ここで、第７図のように、円
板状電極２には分岐導体引出し位置の略中間部に
円弧状切欠部２ｂが形成されている。なお、飽和
磁束密度を大きくした基板領域にほぼ等しい大き
さの永久磁石７で基板１０に垂直な直流磁界を印
加する。該永久磁石７は少なくとも基板片面に配
置されており、その他の構成は第１図及び第２図
の場合と同じである。
体基板１０は、円板状電極２が位置する中央部１
１の透磁率及び飽和磁束密度が大きく、その周辺
部１２の透磁率及び飽和磁束密度は第３図の曲線
Ｂの如く印加磁界が零乃至微弱なときの損失が最
少となる如く小さな値となつている。この複合型
酸化物磁性体基板１０はYIG等で中央部１１及び
周辺部１２共に一体に焼結するか、あるいは別々
に焼結した後接着等の技術で一体化する等の方法
で作成できる。そして、このような複合型酸化物
磁性体基板１０上に円板状電極２及び分岐導体３
が薄膜技術等で形成され、分岐導体３の先端が端
子４となつている。ここで、第７図のように、円
板状電極２には分岐導体引出し位置の略中間部に
円弧状切欠部２ｂが形成されている。なお、飽和
磁束密度を大きくした基板領域にほぼ等しい大き
さの永久磁石７で基板１０に垂直な直流磁界を印
加する。該永久磁石７は少なくとも基板片面に配
置されており、その他の構成は第１図及び第２図
の場合と同じである。
第８図は上記実施例の場合の周波数特性を従来
の場合と比較して示す。図中点線Ｐ，Ｑは従来の
場合で分岐長がλ／４より小さい場合の順方向損
失及び逆方向損失を夫々示し、実線Ｒ，Ｓは実施
例の場合の順方向損失及び逆方向損失を夫々示
す。この図から判るように、中心周波数0に対し
実施例のサーキユレータは広帯域にわたり損失を
小さくできることが判る。
の場合と比較して示す。図中点線Ｐ，Ｑは従来の
場合で分岐長がλ／４より小さい場合の順方向損
失及び逆方向損失を夫々示し、実線Ｒ，Ｓは実施
例の場合の順方向損失及び逆方向損失を夫々示
す。この図から判るように、中心周波数0に対し
実施例のサーキユレータは広帯域にわたり損失を
小さくできることが判る。
以上説明したように、上記実施例によれば、直
流磁界が印加される中央部１１の飽和磁束密度を
大きくした基板１０を用い、しかも中央部１１上
に配置される円板状電極２に切欠部２ｂを形成し
たことにより、広帯域化を図ることができ、さら
に基板１０の中央部１１を囲む周辺部１２を第３
図曲線Ｂの如く低磁界損失の少ない低い飽和磁束
密度としたので、損失の低減を図ることができ
る。従つて広帯域、低損失でしかも小型のサーキ
ユレータを実現できる。また、切欠部２ｂの深さ
を調整することにより帯域幅を適宜変えることが
できる。
流磁界が印加される中央部１１の飽和磁束密度を
大きくした基板１０を用い、しかも中央部１１上
に配置される円板状電極２に切欠部２ｂを形成し
たことにより、広帯域化を図ることができ、さら
に基板１０の中央部１１を囲む周辺部１２を第３
図曲線Ｂの如く低磁界損失の少ない低い飽和磁束
密度としたので、損失の低減を図ることができ
る。従つて広帯域、低損失でしかも小型のサーキ
ユレータを実現できる。また、切欠部２ｂの深さ
を調整することにより帯域幅を適宜変えることが
できる。
第９図は本考案の他の実施例を示す。この図に
おいて、複合型酸化物磁性体基板１０上には、ス
リツト状切欠部２ｃを有する円板状電極２が設け
られる。このようなスリツト状切欠部２ｃの場合
にも切欠部の深さを選定することにより前述の実
施例と同様の効果を上げることができる。
おいて、複合型酸化物磁性体基板１０上には、ス
リツト状切欠部２ｃを有する円板状電極２が設け
られる。このようなスリツト状切欠部２ｃの場合
にも切欠部の深さを選定することにより前述の実
施例と同様の効果を上げることができる。
叙上のように、本考案によれば、円板状電極が
位置しかつ直流磁界が印加される中央部の飽和磁
束密度を大きく、その周辺部の飽和磁束密度を印
加磁界が零乃至微弱なときの損失が最少となるよ
うにした複合型酸化物磁性体基板を用いるととも
に、円板状電極に略円弧状又はスリツト状切欠部
を形成することにより、広帯域で低損失の分布定
数型サーキユレータを得ることができる。
位置しかつ直流磁界が印加される中央部の飽和磁
束密度を大きく、その周辺部の飽和磁束密度を印
加磁界が零乃至微弱なときの損失が最少となるよ
うにした複合型酸化物磁性体基板を用いるととも
に、円板状電極に略円弧状又はスリツト状切欠部
を形成することにより、広帯域で低損失の分布定
数型サーキユレータを得ることができる。
第１図は従来の分布定数型サーキユレータを示
す分解斜視図、第２図は同側断面図、第３図はそ
の場合の印加磁界の強さと損失との関係を示すグ
ラフ、第４図は従来の分布定数型サーキユレータ
の他の例を示す斜視図、第５図は本考案に係る分
布定数型サーキユレータの実施例を示す分解斜視
図、第６図は同側断面図、第７図は円板状電極部
分を示す平面図、第８図は実施例の周波数特性を
従来の場合と比較して示すグラフ、第９図は本考
案の他の実施例における円板状電極部分を示す平
面図である。 ２……円板状電極、２ｂ……円弧切欠部、２ｃ
……スリツト状切欠部、３……分岐導体、４……
端子、５……地導体、７……永久磁石、１０……
複合型酸化物磁性体基板、１１……中央部、１２
……周辺部。
す分解斜視図、第２図は同側断面図、第３図はそ
の場合の印加磁界の強さと損失との関係を示すグ
ラフ、第４図は従来の分布定数型サーキユレータ
の他の例を示す斜視図、第５図は本考案に係る分
布定数型サーキユレータの実施例を示す分解斜視
図、第６図は同側断面図、第７図は円板状電極部
分を示す平面図、第８図は実施例の周波数特性を
従来の場合と比較して示すグラフ、第９図は本考
案の他の実施例における円板状電極部分を示す平
面図である。 ２……円板状電極、２ｂ……円弧切欠部、２ｃ
……スリツト状切欠部、３……分岐導体、４……
端子、５……地導体、７……永久磁石、１０……
複合型酸化物磁性体基板、１１……中央部、１２
……周辺部。
Claims (1)
- 酸化物磁性体基板の片面に円板状電極を設け、
これより略放射状に分岐導体を引出し、他方の面
に導体を全面に設け、前記酸化物磁性体基板に略
垂直な方向に磁界を印加した分布定数型サーキユ
レータにおいて、前記円板状電極の位置する中央
部１１の飽和磁束密度を大きくしかつ該中央部を
囲む周辺部１２を印加磁界が零乃至微弱のときに
低損失となる飽和磁束密度にした複合型酸化物磁
性体基板を用い、前記円板状電極の前記分岐導体
引出し位置の略中間部に切欠部を形成するととも
に、前記飽和磁束密度を大きくした基板領域にほ
ぼ等しい大きさの永久磁石で前記磁界を印加する
ことを特徴とする分布定数型サーキユレータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981000014U JPH0247606Y2 (ja) | 1981-01-05 | 1981-01-05 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981000014U JPH0247606Y2 (ja) | 1981-01-05 | 1981-01-05 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57113506U JPS57113506U (ja) | 1982-07-14 |
| JPH0247606Y2 true JPH0247606Y2 (ja) | 1990-12-14 |
Family
ID=29798605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1981000014U Expired JPH0247606Y2 (ja) | 1981-01-05 | 1981-01-05 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0247606Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS562801B2 (ja) * | 1973-03-13 | 1981-01-21 | ||
| JPS538543A (en) * | 1976-07-13 | 1978-01-26 | Fujitsu Ltd | Substrate for circulator |
-
1981
- 1981-01-05 JP JP1981000014U patent/JPH0247606Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57113506U (ja) | 1982-07-14 |
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