JPH0247637Y2 - - Google Patents

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JPH0247637Y2
JPH0247637Y2 JP11845284U JP11845284U JPH0247637Y2 JP H0247637 Y2 JPH0247637 Y2 JP H0247637Y2 JP 11845284 U JP11845284 U JP 11845284U JP 11845284 U JP11845284 U JP 11845284U JP H0247637 Y2 JPH0247637 Y2 JP H0247637Y2
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output
inverter
circuit
external terminal
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JP11845284U
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Description

【考案の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 本考案は、外部端子に接続された時定数回路に
よつて発振を行う発振回路を内蔵する集積回路に
関する。
(ロ) 従来の技術 一般にマイクロコンピユータや時計用集積回路
等には、回路を動作させるための基本的なクロツ
ク信号を作成するための発振回路が内蔵されてい
る。この発振回路は外部端子を有しており、外部
端子に接続される時定数回路によつて所定の周波
数の発振を行う。一方、このような集積回路等で
は、製造時あるいは利用時に於いて、内部回路が
正しく動作するか否かをテストするための機能が
用意されている。特に、LSI等では、動作テスト
の時間が長くなるため、テスト信号を印加する専
用の外部端子を設け、テスト時間を短縮してい
る。このことは、本願出願人が昭和59年5月10日
に発行した「’84三洋半導体ハンドブツクマイク
ロコンピユータ/MOS集積回路編」の第44ペー
ジ及び第45ページに記載されている。
(ハ) 考案が解決しようとする問題点 このように、テスト機能のための専用の外部端
子を設けなければならないため、端子数が増し、
集積回路のパツケージの外形が大きくなる欠点が
あつた。
(ニ) 問題点を解決するための手段 本考案は上述した点に鑑みて為されたものであ
つて、発振回路用の外部端子と、外部端子に入力
が接続された第1のシユミツトインバータを含む
発振回路とを備えた集積回路に於いて、第1のシ
ユミツトインバータと異なるスレツシヨルド電圧
を有し、入力が外部端子に接続された第2のシユ
ミツトインバータと、第2のシユミツトインバー
タの出力を発振回路の遅延された出力で制御する
ゲート回路とを設けることにより、発振回路用の
外部端子をテスト信号入力用の端子と兼用するも
のである。
(ホ) 作用 上述の第1のシユミツトインバータのスレツシ
ヨルド電圧をVTH1及びVTL1としたとき、第2のシ
ユミツトインバータのスレツシヨルド電圧VTH2
びVTL2は、VTH1≧VTH2>VTL2>VTL1の範囲に設定
され、外部端子に時定数回路を接続したときは、
発振回路が動作し、発振回路の遅延されて出力さ
れる信号によつてゲート回路が第2のシユミツト
インバータの出力信号を遮断し、外部端子にVTL2
>VS>VTL1の範囲にある電圧VSと電源電圧VDD
の間で交番する信号を印加したときは、第1のシ
ユミツトインバータの出力が一定となつて発振回
路が動作せず、第2のシユミツトインバータの出
力信号はゲート回路からテスト信号として出力さ
れる。このようにして、発振回路用の外部端子を
用いてテスト信号を入力することが可能となるの
である。
(ヘ) 実施例 第1図は本考案の実施例を示す回路図である。
外部端子1は集積回路に設けられた複数の端子の
うちの一つであり、外部に時定数回路、即ち、コ
ンデンサ2と抵抗3の直列回路の接続点を破線の
如く接続することによつて集積回路内部の発振回
路4が時定数で決定される周波数で発振する。発
振回路4は入力が外部端子1に接続された第1の
シユミツトインバータ5と、第1のシユミツトイ
ンバータ5の出力を遅延して帰還するためのイン
バータ6,7,8と、インバータ8の出力がゲー
トに印加され、ソースが電源VDDに接続され、ド
レインが外部端子1及び第1のシユミツトインバ
ータ5の入力に接続されたPチヤンネルMOSト
ラジスタ9とから成り、インバータ7の出力が発
振出力OSC−OUTとして集積回路の内部に印加
される。また、外部端子1には、更に、第2のシ
ユミツトインバータ10の入力が接続され、第2
のシユミツトインバータ10の出力はゲート回路
11に印加される。ゲート回路11は、第2のシ
ユミツトインバータ10の出力を反転するインバ
ータ12と、インバータ12の出力Aが一方に印
加されたANDゲート13と、インバータ12の
出力Aと発振回路4のインバータ8の出力Bを入
力とするフリツプフロツプを形成するNANDゲ
ート14,15と、NANDゲート15の出力を
反転しANDゲート13に印加するインバータ1
6とから成り、ANDゲート13の出力がテスト
信号出力TEST−OUTとして集積回路の内部に
供給される。ここで、第1のシユミツトインバー
タ5のスレツシヨルド電圧のハイレベルとローレ
ベルをVTH1及びVTL1とすると、第2のシユミツト
インバータ10のスレツシヨルド電圧のハイレベ
ルとローレベルVTH2及びVTL2は、VTH1≧VTH2
VTL2>VTL1となるように設定される。
次に外部端子1にコンデンサ2及び抵抗3を接
続したときの動作を第2図を参照して説明する。
第1のシユミツトインバータ5のVTL1をVDD/2と し、第2のシユミツトインバータ10のVTL2
3VDD/4とし、VDD>VTH1>VTH2としたとき、外部 端子1の電位がVTH1より低いと第1のシユミツト
インバータ5の出力は電源電圧VDD、即ち“1”
となりインバータ7の出力、即ち、OSC−OUT
は“1”となり、インバータ8の出力Bは接地レ
ベル、即ち“0”となる。従つて、Pチヤンネル
MOSトランジスタ9はオンであり、コンデンサ
2に蓄積された電荷はMOSトランジスタ9を介
して放電され、外部端子1の電位は急激に上昇す
る。そして、VTH1になるとシユミツトインバータ
5は反転し出力は“0”となる。更に、インバー
タ6,7,8も続いて反転するが、各インバータ
6,7,8が動作する時間だけ順次遅延されるた
め、出力OSC−OUTが“0”となるタイミング
は外部端子1の電圧がVTH1になつたタイミングよ
り第1のシユミツトインバータ5及びインバータ
6,7の動作分だけ遅れ、また、インバータ8の
出力Bが“1”となるタイミングは更に遅れる。
インバータ8の出力Bが“1”となるとP−チヤ
ンネルMOSトランジスタ9はオフとなつて放電
路を遮断するが、タイミングが遅延されているた
め、外部端子1の電位は電源VDDにまで引き上げ
られた状態となる。そして、MOSトランジスタ
9がオフとなることによつて、コンデンサ2の充
電が開始され、外部端子1の電位は徐々に低下す
る。その後、シユミツトインバータ5のスレツシ
ヨルド電圧VTL1以下になると、シユミツトインバ
ータ5は反転し、その出力を“1”とする。従つ
て、発振出力OSC−OUTは遅延して“1”とな
り、インバータ8の出力は更に遅延して“0”と
なる。インバータ8の出力“0”によつてPチヤ
ンネルMOSトランジスタ9は、オンとなり、コ
ンデンサ2に充電された電荷が放電され、遅延に
よつてスレツシヨルド電圧VTL1よりわずか低い電
圧になつていた外部端子1の電位は急激に上昇す
る。
以上の動作を繰り返えすことにより、発振回路
4の発振が為され、第2図に示されるような発振
出力OSC−OUTが得られるのである。一方、第
2のシユミツトインバータ10は、外部端子1の
電位が上昇して、スレツシヨルド電圧VTH2となつ
たとき反転するため、ゲート回路11のインバー
タ12の出力Aは、第2のシユミツトインバータ
10及びインバータ12の動作時間分だけ遅れて
“1”となる。しかし、出力Aが“1”となるタ
イミングは、VTH1>VTH2であるためと、インバー
タ8の出力Bより縦続接続されたインバータの個
数が少ないためにより、インバータ8の出力Bが
“1”となるタイミングよりt1だけ早くなつてい
る。また、外部端子1の電位が低下してスレツシ
ヨルド電圧VTL2になると、第2のシユミツトイン
バータ10は反転し、インバータ12の出力Aは
“0”となる。一方、フリツプフロツプを形成す
るNANDゲート14,15に於いて、インバー
タ12の出力Aがインバータ8の出力Bよりt1
け早く“1”となることにより、NANDゲート
15の出力は“1”に保持され、インバータ16
の出力Cは“0”となる。そして、出力Bが
“1”となつている状態で出力Aが“0”となる
ことにより、フリツプフロツプは反転し、
NANDゲート15の出力は“0”となり、イン
バータ16の出力Cは“1”となる。ここで、出
力Aが“0”となつてから出力Cが“1”となる
までのタイミングの遅れt2は、NANDゲート1
4,15及びインバータ16の動作時間の遅れで
ある。更に、出力Aが“0”の状態で出力Bが
“0”となると、NANDゲート15の出力は
“1”となりインバータ16の出力Cはt2遅れで
“0”となる。従つて、インバータ12の出力A
とインバータ16の出力Cとが印加されたAND
ゲート13では、論理積が取れず、その出力
TEST−OUTは“0”のままとなつている。即
ち、発振回路4が発振している状態では、発振回
路4のインバータ8の出力Bによつて出力TEST
−OUTの出力が禁止されるのである。
次に、テスト信号を集積回路に印加する動作を
第3図を参照して説明する。テスト信号は、外部
端子1に時定数回路、即ち、コンデンサ2及び抵
抗3を接続しないで印加するのであるが、その信
号のレベルは、第1のシユミツトインバータ5の
スレツシヨルド電圧VTH1(VDD/2)と第2のシユミ ツトインバータ10のスレツシヨルド電圧をVTH2
(3VDD/4)の範囲にある電圧VSと電源VDDとの間で 交番するレベルとなる。そこで、テスト信号が電
源VDDレベルのときには、第1のシユミツトイン
バータ5及び第2のシユミツトインバータ10の
出力は共に“0”となり、発振回路4の発振出力
は“0”、インバータ8の出力Bは“1”となり、
更に、ゲート回路11のインバータ12の出力A
は“1”、出力Cは“1”となる。またテスト信
号が電圧VSとなつたときには、第1のシユミツ
トインバータ5のスレツシヨルド電圧VTL1まで低
下しないため、第1のシユミツトインバータ5の
出力は“0”のままであり、発振出力OSC−
OUT及びインバータ8の出力Bは変化しない。
一方、第2のシユミツトインバータ10では、入
力がスレツシヨルド電圧VTL2より低いため、第2
のシユミツトインバータ10の出力は“1”とな
り、インバータ12の出力Aは“0”となる。即
ち、テスト信号が外部端子1に印加されたときに
は、出力Bが常に“1”となり、出力Aがテスト
信号と同相のパルスとなるため、NANDゲート
14,15で形成されるフリツプフロツプの状態
は変化せず、インバータ16の出力Cは常に
“1”となつている。従つて、ANDゲート13の
出力TEST−OUTからは、テスト信号と同相の
パルスとなる出力Aが出力され、集積回路内部に
供給される。
(ト) 考案の効果 上述の如く本考案によれば、発振回路用の外部
端子を用いてテスト信号を入力することが可能と
なるため、テスト用の端子を専用に設ける必要が
なくなり、端子数が減少し全体のパツケージが小
さくできる利点を有している。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の実施例を示す回路図、第2図
及び第3図は第1図に示された実施例の動作を示
す波形図である。 1…外部端子、2…コンデンサ、3…抵抗、4
…発振回路、5…第1のシユミツトインバータ、
6,7,8…インバータ、9…Pチヤンネル
MOSトランジスタ、10…第2のシユミツトイ
ンバータ、11…ゲート回路、12,16…イン
バータ、13…ANDゲート、14,15…
NANDゲート。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 時定数回路が外部接続される発振回路用外部端
    子と、該外部端子に入力が接続された第1のシユ
    ミツトインバータを含む発振回路とを備えた集積
    回路に於いて、前記第1のシユミツトインバータ
    のスレツシヨルド電圧をVTH1及びVTL1としたと
    き、 VTH1≧VTH2>VTL2>VTL1 となるように設定されたスレツシヨルド電圧VTH2
    及びVTL2を有する第2のシユミツトインバータ
    と、該第2のシユミツトインバータの出力を前記
    発振回路の遅延された出力で制御するゲート回路
    とを備え、前記外部端子に外部からVTL2>VS
    VTL1の範囲の電圧VSと電源VDDとの間で交番する
    信号を印加したとき、前記発振回路の出力が停止
    され、前記第2のシユミツトインバータの出力が
    前記ゲート回路からテスト信号として出力される
    ことを特徴とする集積回路。
JP11845284U 1984-07-31 1984-07-31 集積回路 Granted JPS6135436U (ja)

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JP11845284U JPS6135436U (ja) 1984-07-31 1984-07-31 集積回路

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JP11845284U JPS6135436U (ja) 1984-07-31 1984-07-31 集積回路

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Publication Number Publication Date
JPS6135436U JPS6135436U (ja) 1986-03-04
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