JPH0247698B2 - - Google Patents
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- JPH0247698B2 JPH0247698B2 JP58249426A JP24942683A JPH0247698B2 JP H0247698 B2 JPH0247698 B2 JP H0247698B2 JP 58249426 A JP58249426 A JP 58249426A JP 24942683 A JP24942683 A JP 24942683A JP H0247698 B2 JPH0247698 B2 JP H0247698B2
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はEPMA（電子線マイクロアナライザ又
はXMAとも称される）において、試料状態の線
分析又は２次元状態分布像（状態マツプ）を描く
方法に関する。
はXMAとも称される）において、試料状態の線
分析又は２次元状態分布像（状態マツプ）を描く
方法に関する。
（従来の技術）
EPMAは元来、元素分析手段であり、化合物
の存在を直接明らかにするものではない。すなわ
ち、例えば金属Feも、FeO、Fe3O4又はFe2O3の
Feも通常は同じに扱われる。しかし、EPMAで
検出される特性Ｘ線のスペクトルは、分析試料の
状態（主に化学結合状態）により変化する。そこ
で、この特性Ｘ線のスペクトル変化から状態分析
を行うこともかなり行なわれているが、そのスペ
クトル変化は一般に小さいため測定点個々に対し
てスペクトルの詳細を実測し、解析を行なう、所
謂点分析モードでの状態分析を行なつているのが
実情である。したがつて、ある化学結合状態のも
のだけ２次元分布像を得るようなことは、一般に
は行なわれていない。特殊な例として、硫化物と
硫酸化物の場合にはSLバンドスペクトルの波長
シフトが大きいため、硫化物と硫酸化物のそれぞ
れに固有のピークの波長に分光器を設定すること
により、それぞれの化合物の２次元分布像を得る
ことができる。また、CuOについてはCu2Oには
存在しないCuO固有のピークが存在するので、そ
のピークの波長に分光器を設定することにより
CuOの２次元分布像を得ることができる（例え
ば、日本分析学会第30年会（1981年）予稿集374
ページ参照）。
の存在を直接明らかにするものではない。すなわ
ち、例えば金属Feも、FeO、Fe3O4又はFe2O3の
Feも通常は同じに扱われる。しかし、EPMAで
検出される特性Ｘ線のスペクトルは、分析試料の
状態（主に化学結合状態）により変化する。そこ
で、この特性Ｘ線のスペクトル変化から状態分析
を行うこともかなり行なわれているが、そのスペ
クトル変化は一般に小さいため測定点個々に対し
てスペクトルの詳細を実測し、解析を行なう、所
謂点分析モードでの状態分析を行なつているのが
実情である。したがつて、ある化学結合状態のも
のだけ２次元分布像を得るようなことは、一般に
は行なわれていない。特殊な例として、硫化物と
硫酸化物の場合にはSLバンドスペクトルの波長
シフトが大きいため、硫化物と硫酸化物のそれぞ
れに固有のピークの波長に分光器を設定すること
により、それぞれの化合物の２次元分布像を得る
ことができる。また、CuOについてはCu2Oには
存在しないCuO固有のピークが存在するので、そ
のピークの波長に分光器を設定することにより
CuOの２次元分布像を得ることができる（例え
ば、日本分析学会第30年会（1981年）予稿集374
ページ参照）。
（発明が解決しようとする課題）
しかし、EPMAの通常の波長領域（１〜100
Å）でSLバンドのような現象が出現することは
稀である。また、CuCとCu2Oについても、CuO
の分布像は得られるが、Cu2Oに固有のピークが
存在しないのでCu2Oの分布像を得ることができ
ない。このように、特定の結合状態に固有のピー
クを見つけて、その固有のピーク波長に分光器を
設定して分布像を得る方法は、一般的に適用する
ことはできない。
Å）でSLバンドのような現象が出現することは
稀である。また、CuCとCu2Oについても、CuO
の分布像は得られるが、Cu2Oに固有のピークが
存在しないのでCu2Oの分布像を得ることができ
ない。このように、特定の結合状態に固有のピー
クを見つけて、その固有のピーク波長に分光器を
設定して分布像を得る方法は、一般的に適用する
ことはできない。
また、点分析モードでのスペクトル解析を自動
化することは困難ではないが、線分析や２次元分
布像のように測定点が数10〜数万にもなると、処
理時間とメモリ容量が莫大なものになり、事実上
不可能となる。
化することは困難ではないが、線分析や２次元分
布像のように測定点が数10〜数万にもなると、処
理時間とメモリ容量が莫大なものになり、事実上
不可能となる。
本発明は点分析モードで解析可能な程度に特性
Ｘ線スペクトルが変化している化学結合状態など
の状態の集合体に対し、特定の状態のもののみの
分布像を得る方法を提供することを目的とするも
のである。
Ｘ線スペクトルが変化している化学結合状態など
の状態の集合体に対し、特定の状態のもののみの
分布像を得る方法を提供することを目的とするも
のである。
（課題を解決するための手段）
本発明では、EPMA装置の分光器の検出波長
を２個の波長に予め設定しておき、分析試料の各
測定点からの特性Ｘ線を前記２個の設定波長で検
出し、これらの２個の設定波長での検出強度比が
所定範囲に入つた測定点のみを出力して状態マツ
プを得る。
を２個の波長に予め設定しておき、分析試料の各
測定点からの特性Ｘ線を前記２個の設定波長で検
出し、これらの２個の設定波長での検出強度比が
所定範囲に入つた測定点のみを出力して状態マツ
プを得る。
第１の発明では、予め設定しておく２個の波長
は、特定元素の特定結合状態を示す特性Ｘ線の１
つのピークのピーク波長とそのピークの中腹の波
長である。
は、特定元素の特定結合状態を示す特性Ｘ線の１
つのピークのピーク波長とそのピークの中腹の波
長である。
第２の発明では、予め設定しておく２個の波長
は、特定元素の特定結合状態を示す特性Ｘ線の２
個の関連ピークのそれぞれのピーク波長である。
は、特定元素の特定結合状態を示す特性Ｘ線の２
個の関連ピークのそれぞれのピーク波長である。
第３の発明では、予め設定しておく２個の波長
は、特定元素の特定結合状態を示す特性Ｘ線の１
個のピークのピーク波長の長波長側と短波長側の
そのピークの中腹の波長である。
は、特定元素の特定結合状態を示す特性Ｘ線の１
個のピークのピーク波長の長波長側と短波長側の
そのピークの中腹の波長である。
（作用）
第１図は化学結合状態などの状態の変化により
特性Ｘ線のスペクトルのピーク波長がシフトする
場合における本発明方法を示す。
特性Ｘ線のスペクトルのピーク波長がシフトする
場合における本発明方法を示す。
いま、ある元素の第１の状態でのスペクトルが
記号１で示されるように、ピーク波長がλ1、それ
から例えば半値幅の1/2程度ずれた波長がλ2であ
つたとする。波長λ1とλ2にそれぞれ設定された２
個の分光器によりこのスペクトルを検出して、そ
の検出強度がI1，I2であり、それらの間に I1≧αβ1I2 ……(1) なる関係があつたとする。
記号１で示されるように、ピーク波長がλ1、それ
から例えば半値幅の1/2程度ずれた波長がλ2であ
つたとする。波長λ1とλ2にそれぞれ設定された２
個の分光器によりこのスペクトルを検出して、そ
の検出強度がI1，I2であり、それらの間に I1≧αβ1I2 ……(1) なる関係があつたとする。
次に、この元素の第２の状態でのスペクトル
が、記号２で示されるように、第１の状態でのス
ペクトルに比べてピーク波長がシフトしたもので
あつたとすれば、波長λ1，λ2に設定された２個の
分光器でこの第２の状態の元素の特性Ｘ線を検出
すれば、その検出強度I1，I2は、 I1＜αβ1I2 ……(2) になる。
が、記号２で示されるように、第１の状態でのス
ペクトルに比べてピーク波長がシフトしたもので
あつたとすれば、波長λ1，λ2に設定された２個の
分光器でこの第２の状態の元素の特性Ｘ線を検出
すれば、その検出強度I1，I2は、 I1＜αβ1I2 ……(2) になる。
したがつて、予め設定された波長λ1，λ2でその
元素の特性Ｘ線を検出してその検出強度を比較
し、その検出強度比が第(1)式を満たす測定点だけ
を出力すれば第１の状態の線分析又は２次元分布
像が表示され、またその検出強度比が第(2)式を満
たす測定点だけを出力すれば第２の状態の線分析
又は２次元分布像が表示される。ここで、αは特
定波長λ1での強度I1測定用分光器と、特定波長λ2
での強度I2測定用分光器の性能を一致させるため
に導入されたフアクターであり、また、β1は波長
シフト量を示すフアクターである。
元素の特性Ｘ線を検出してその検出強度を比較
し、その検出強度比が第(1)式を満たす測定点だけ
を出力すれば第１の状態の線分析又は２次元分布
像が表示され、またその検出強度比が第(2)式を満
たす測定点だけを出力すれば第２の状態の線分析
又は２次元分布像が表示される。ここで、αは特
定波長λ1での強度I1測定用分光器と、特定波長λ2
での強度I2測定用分光器の性能を一致させるため
に導入されたフアクターであり、また、β1は波長
シフト量を示すフアクターである。
第２図はFeのLαとLβや、Mg，Al，Siなどの
Ｋサテライトα3とα4のような関連ピークの強度比
が化学結合状態などの状態により変化する場合に
おける本発明方法を示す。
Ｋサテライトα3とα4のような関連ピークの強度比
が化学結合状態などの状態により変化する場合に
おける本発明方法を示す。
２個の関連ピーク３，４のピーク波長λ3，λ4に
２個の分光器の検出波長を設定しておく。第１の
状態ではその設定波長λ3，λ4での特性Ｘ線の検出
強度I1，I2が I1≧αβ2I2 ……(3) の関連を満たし、第２の状態では I1＜αβ2I2 ……(4) の関連を満たすものとすれば、各測定点の特性Ｘ
線のスペクトルが(3)，(4)式のいずれに属するかを
判定することにより状態別の線分析又は２次元分
布像が得られる。ここで、β2は関連ピークの強度
比を示すフアクターである。
２個の分光器の検出波長を設定しておく。第１の
状態ではその設定波長λ3，λ4での特性Ｘ線の検出
強度I1，I2が I1≧αβ2I2 ……(3) の関連を満たし、第２の状態では I1＜αβ2I2 ……(4) の関連を満たすものとすれば、各測定点の特性Ｘ
線のスペクトルが(3)，(4)式のいずれに属するかを
判定することにより状態別の線分析又は２次元分
布像が得られる。ここで、β2は関連ピークの強度
比を示すフアクターである。
第３図は化学結合状態などの状態の変化により
特性Ｘ線のスペクトル波形の対称性が変化する場
合における本発明方法を示す。
特性Ｘ線のスペクトル波形の対称性が変化する場
合における本発明方法を示す。
この場合、分光器の設定波長はピーク波長を挟
んで長波長側と短波長側に例えば半値幅の1/2程
度ずれた波長λ5，λ6に設定しておく。そして、こ
れらの設定波長での特性Ｘ線の検出強度I1，I2の
関係が I1＞αβ3I2 ……(5) I1＝αβ3I2 ……(6) 又は I1＜αβI2 ……(7) のいずれに属するかを判定することにより、それ
ぞれのスペクトル波形が属する状態別の線分析又
は２次元分布像が得られる。
んで長波長側と短波長側に例えば半値幅の1/2程
度ずれた波長λ5，λ6に設定しておく。そして、こ
れらの設定波長での特性Ｘ線の検出強度I1，I2の
関係が I1＞αβ3I2 ……(5) I1＝αβ3I2 ……(6) 又は I1＜αβI2 ……(7) のいずれに属するかを判定することにより、それ
ぞれのスペクトル波形が属する状態別の線分析又
は２次元分布像が得られる。
第４図は化学結合状態などの状態の変化により
特性Ｘ線のスペクトルの半値幅が変化する場合に
おける本発明方法を示す。
特性Ｘ線のスペクトルの半値幅が変化する場合に
おける本発明方法を示す。
例えば、結合状態の変化によりスペクトル波形
が記号５，６で示されるように変化するものとす
れば、第１図に示されるように、分光器の設定波
長をピーク波長λ1と、それにより例えば半値幅の
１／２程度ずれた波長λ2に設定しておけばよい。ス
ペクトルの半値幅が変化すれば、それぞれの設定
波長での検出強度比も変化するので、第１図の場
合と同様にして状態別の線分析又は２次元分布像
が得られる。
が記号５，６で示されるように変化するものとす
れば、第１図に示されるように、分光器の設定波
長をピーク波長λ1と、それにより例えば半値幅の
１／２程度ずれた波長λ2に設定しておけばよい。ス
ペクトルの半値幅が変化すれば、それぞれの設定
波長での検出強度比も変化するので、第１図の場
合と同様にして状態別の線分析又は２次元分布像
が得られる。
（実施例）
第５図は本発明を実施する装置の一実施例を表
わす。
わす。
１０は分析試料で、電子銃１１から放射された
電子線１２は収束レンズ１３と対物レンズ１４に
より分析試料１０上の測定点を照射し、走査コイ
ル１５により分析試料１０上を走査させられる。
電子線１２が照射された分析試料１０からは特性
Ｘ線１６や二次電子などが放出される。
電子線１２は収束レンズ１３と対物レンズ１４に
より分析試料１０上の測定点を照射し、走査コイ
ル１５により分析試料１０上を走査させられる。
電子線１２が照射された分析試料１０からは特性
Ｘ線１６や二次電子などが放出される。
本実施例では、特性Ｘ線１６を検出するため
に、分光結晶１７と検出器１８を有する第１の波
長分散形分光器と、分光結晶１９と検出器２０を
有する第２の波長分散分光器とを備えている。両
分光器は同等な性能を有し、第１図〜第４図に示
されたような波長のＸ線を検出するように設定さ
れている。すなわち、一方の分光器の設定波長が
λ1であれば他方の分光器の設定波長はλ2、一方が
λ3であれば他方はλ4、又は一方がλ5であれば他方
はλ6という具合である。
に、分光結晶１７と検出器１８を有する第１の波
長分散形分光器と、分光結晶１９と検出器２０を
有する第２の波長分散分光器とを備えている。両
分光器は同等な性能を有し、第１図〜第４図に示
されたような波長のＸ線を検出するように設定さ
れている。すなわち、一方の分光器の設定波長が
λ1であれば他方の分光器の設定波長はλ2、一方が
λ3であれば他方はλ4、又は一方がλ5であれば他方
はλ6という具合である。
この場合、検出器１８，２０は比例計数管又は
位置検出形検出器など、いずれの形式のものでも
よい。また、両分光器は図のように互い接近して
設けられていることが好ましいが、互に離れた位
置に設けられていてもよい。
位置検出形検出器など、いずれの形式のものでも
よい。また、両分光器は図のように互い接近して
設けられていることが好ましいが、互に離れた位
置に設けられていてもよい。
この装置で、分析試料１０から放射された特性
Ｘ線１６は分光結晶１７及び１９により異なる波
長に分光されて検出器１８及び２０に同時に入射
し、同時に又は時系列的に検出される。
Ｘ線１６は分光結晶１７及び１９により異なる波
長に分光されて検出器１８及び２０に同時に入射
し、同時に又は時系列的に検出される。
両検出器１８，２０の検出強度がI1，I2である
とすると、例えば第６図のようにI2はα設定手段
２１及びβi（ｉ＝１，２又３）設定手段２２によ
りαβiI2と変形された後、比較手段２３によりI1
とαβiI2との比較が行なわれ、所定の状態を表わ
す値であるか否かが判定される。このようにし
て、測定点を走差しつつリアルタイムで判定結果
を表示して行けば特定状態の線分析又は２次元分
布像が表示される。
とすると、例えば第６図のようにI2はα設定手段
２１及びβi（ｉ＝１，２又３）設定手段２２によ
りαβiI2と変形された後、比較手段２３によりI1
とαβiI2との比較が行なわれ、所定の状態を表わ
す値であるか否かが判定される。このようにし
て、測定点を走差しつつリアルタイムで判定結果
を表示して行けば特定状態の線分析又は２次元分
布像が表示される。
検出器１８，２０からの出力信号は、第７図の
ようにI1及びαβiI2の形で測定点の位置情報とと
もに一旦、メモリ２４，２５に記憶した後、コン
ピユータ２６により比較を行なつて表示してもよ
く、または第８図のようにI1及びI2のままで測定
点の位置情報とともに一旦、メモリ２７及び２８
に記憶した後、コンピユータ２９で係数α，βiを
付加して比較を行い、表示するようにしてもよ
い。
ようにI1及びαβiI2の形で測定点の位置情報とと
もに一旦、メモリ２４，２５に記憶した後、コン
ピユータ２６により比較を行なつて表示してもよ
く、または第８図のようにI1及びI2のままで測定
点の位置情報とともに一旦、メモリ２７及び２８
に記憶した後、コンピユータ２９で係数α，βiを
付加して比較を行い、表示するようにしてもよ
い。
第９図は本発明を実施する装置の他の実施例を
表わす。
表わす。
本実施例では分光器が位置検出形検出器３０と
分光結晶３１とを有する波長分散形分光器１個で
あり、かつ位置検出形検出器３０における強度検
出は一方の設定波長（例えばλ1）に対応する位置
と、他方の設定波長（例えばλ2）に対応する位置
との２個所で行なわれるようになつている点で第
５図の実施例と相違している。
分光結晶３１とを有する波長分散形分光器１個で
あり、かつ位置検出形検出器３０における強度検
出は一方の設定波長（例えばλ1）に対応する位置
と、他方の設定波長（例えばλ2）に対応する位置
との２個所で行なわれるようになつている点で第
５図の実施例と相違している。
２個の独立した分光器で設定波長λ1とλ2での強
度測定を行なう場合は、おのおのが完全分光状態
に設定されるのに対して、位置検出形検出器を備
えた１個の分光器で波長λ1とλ2に相当する位置の
強度を同時に測定する場合は、分光条件が近似的
になるが、本発明のように接近した波長間の強度
を比較する目的に対しては事実上問題はない。
度測定を行なう場合は、おのおのが完全分光状態
に設定されるのに対して、位置検出形検出器を備
えた１個の分光器で波長λ1とλ2に相当する位置の
強度を同時に測定する場合は、分光条件が近似的
になるが、本発明のように接近した波長間の強度
を比較する目的に対しては事実上問題はない。
その結果、本実施例では第１０図に示されるよ
うに、１個の位置検出形検出器３０の２個所から
同時に又は時系列に相互に異なる設定波長での検
出信号I1，I2が得られる。この２個の検出信号I1，
I2を同図のようにリアルタイムで処理し、あるい
は第７図又は第８図に示されたように一旦、メモ
リ２４，２５又は２７，２８に記憶した後に処理
することにより、特定状態の線分析又は２次元分
布線を表示することができる。
うに、１個の位置検出形検出器３０の２個所から
同時に又は時系列に相互に異なる設定波長での検
出信号I1，I2が得られる。この２個の検出信号I1，
I2を同図のようにリアルタイムで処理し、あるい
は第７図又は第８図に示されたように一旦、メモ
リ２４，２５又は２７，２８に記憶した後に処理
することにより、特定状態の線分析又は２次元分
布線を表示することができる。
（発明の効果）
以上のように、本発明によれば、EPMA装置
の分光器の検出波長を特定元素の特定結合状態を
示す特性Ｘ線の１個のピークのピーク波長とその
ピークの中腹の特性Ｘ線、２個の関連ピークのそ
れぞれのピーク波長、又は１個のピークのピーク
波長の長波長側と短波長側のそのピークの中腹の
波長に予め特定しておき、分析試料の各測定点か
らの特性Ｘ線を前記２個の設定波長で検出し、そ
れらの２個の設定波長での検出強度比が所定範囲
に入つた測定点のみを出力して状態マツプを得る
ようにしたので、線分析モードで解析可能な程度
に相互にスペクトルが変化している化学結合状態
などの状態であれば、個別に表示することがで
き、測定試料の化合物分布など、各状態の線分析
又は２次元分布像などのマツプを作成することが
できる。これは、単に元素の分析を示すに留まつ
ていたEMPAの能力を大きく高め、状態分析と
いう材料解析にとつて非常に重要な情報を供給す
ることを可能にする。
の分光器の検出波長を特定元素の特定結合状態を
示す特性Ｘ線の１個のピークのピーク波長とその
ピークの中腹の特性Ｘ線、２個の関連ピークのそ
れぞれのピーク波長、又は１個のピークのピーク
波長の長波長側と短波長側のそのピークの中腹の
波長に予め特定しておき、分析試料の各測定点か
らの特性Ｘ線を前記２個の設定波長で検出し、そ
れらの２個の設定波長での検出強度比が所定範囲
に入つた測定点のみを出力して状態マツプを得る
ようにしたので、線分析モードで解析可能な程度
に相互にスペクトルが変化している化学結合状態
などの状態であれば、個別に表示することがで
き、測定試料の化合物分布など、各状態の線分析
又は２次元分布像などのマツプを作成することが
できる。これは、単に元素の分析を示すに留まつ
ていたEMPAの能力を大きく高め、状態分析と
いう材料解析にとつて非常に重要な情報を供給す
ることを可能にする。
また、本発明では、分光器の走査をせず、検出
する波長を予め設定したため、測定データを記憶
するメモリの容量が小さいものですみ、処理回路
も簡単なものですむ。
する波長を予め設定したため、測定データを記憶
するメモリの容量が小さいものですみ、処理回路
も簡単なものですむ。
第１図から第４図は本発明方法を説明するため
の特性Ｘ線スペクトルを示す図、第５図は本発明
を実施する装置の一実施例を示す概略図、第６図
ないし第８図は同実施例の検出信号の処理系統を
示すブロツク図、第９図は本発明を実施する装置
の他の実施例を示す概略図、第１０図は同実施例
の検出信号の処理系統の一例を示すブロツク図で
ある。 １〜６……特性Ｘ線ピーク、１６……特性Ｘ
線、１７，１９，３１……分光結晶、１８，２０
……検出器、２３……比較手段、２６，２９……
コンピユータ、３０……位置検出形検出器、λ1〜
λ6……設定波長、I1，I2……検出強度。
の特性Ｘ線スペクトルを示す図、第５図は本発明
を実施する装置の一実施例を示す概略図、第６図
ないし第８図は同実施例の検出信号の処理系統を
示すブロツク図、第９図は本発明を実施する装置
の他の実施例を示す概略図、第１０図は同実施例
の検出信号の処理系統の一例を示すブロツク図で
ある。 １〜６……特性Ｘ線ピーク、１６……特性Ｘ
線、１７，１９，３１……分光結晶、１８，２０
……検出器、２３……比較手段、２６，２９……
コンピユータ、３０……位置検出形検出器、λ1〜
λ6……設定波長、I1，I2……検出強度。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ EPMA装置の分光器の検出波長を特定元素
の特定結合状態を示す特性Ｘ線の１個のピークの
ピーク波長とそのピークの中腹の波長に予め設定
しておき、分析試料の各測定点からの特性Ｘ線を
前記２個の設定波長で検出し、これらの２個の設
定波長での検出強度比が所定範囲に入つた測定点
のみを出力する状態マツプ方法。 ２ EPMA装置の分光器の検出波長を特定元素
の特定結合状態を示す特性Ｘ線の２個の関連ピー
クのそれぞれのピーク波長に予め設定しておき、
分析試料の各測定点からの特性Ｘ線を前記２個の
設定波長で検出し、これらの２個の設定波長での
検出強度比が所定範囲に入つた測定点のみを出力
する状態マツプ方法。 ３ EPMA装置の分光器の検出波長を特定元素
の特定結合状態を示す特性Ｘ線の１個のピークの
ピーク波長の長波長側と短波長側のそのピークの
中腹の波長に予め設定しておき、分析試料の各測
定点からの特性Ｘ線を前記２個の設定波長で検出
し、これらの２個の設定波長での検出強度比が所
定範囲に入つた測定点のみを出力する状態マツプ
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58249426A JPS60135850A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | 状態マツプ方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58249426A JPS60135850A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | 状態マツプ方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60135850A JPS60135850A (ja) | 1985-07-19 |
| JPH0247698B2 true JPH0247698B2 (ja) | 1990-10-22 |
Family
ID=17192792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58249426A Granted JPS60135850A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | 状態マツプ方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60135850A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2536019B2 (ja) * | 1988-02-17 | 1996-09-18 | 株式会社島津製作所 | Ｘ線マイクロアナライザによる分析方法 |
| US6787773B1 (en) * | 2000-06-07 | 2004-09-07 | Kla-Tencor Corporation | Film thickness measurement using electron-beam induced x-ray microanalysis |
| JP7342629B2 (ja) * | 2019-11-06 | 2023-09-12 | 株式会社島津製作所 | 試料成分推定方法、試料成分推定装置、試料成分推定プログラム、学習方法および学習プログラム |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57142551A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-03 | Nippon Steel Corp | Determination of foreign matter in metal |
| JPS5814039A (ja) * | 1981-07-17 | 1983-01-26 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 電子ビ−ムマクロアナライザ装置 |
-
1983
- 1983-12-26 JP JP58249426A patent/JPS60135850A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60135850A (ja) | 1985-07-19 |
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