JPH0247833A - シリコンウエハ等の加工方法 - Google Patents
シリコンウエハ等の加工方法Info
- Publication number
- JPH0247833A JPH0247833A JP63199298A JP19929888A JPH0247833A JP H0247833 A JPH0247833 A JP H0247833A JP 63199298 A JP63199298 A JP 63199298A JP 19929888 A JP19929888 A JP 19929888A JP H0247833 A JPH0247833 A JP H0247833A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- processing
- activated
- heating
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H10P72/7402—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H10P72/7416—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明はシリコンウェハの如き薄板物品を加工する際の
加工方法に関するものである。
加工方法に関するものである。
〈従来技術及びその課題〉
半導体チップの製造に用いられるシリコンウェハ等の薄
板物品のバックグラインド時に、表面ノ保護用として感
圧接着タイプの粘着フィルムが用いられているが、感圧
接着剤による表面汚染や異物の付着があり、溶剤にて洗
浄しているのが実情である。
板物品のバックグラインド時に、表面ノ保護用として感
圧接着タイプの粘着フィルムが用いられているが、感圧
接着剤による表面汚染や異物の付着があり、溶剤にて洗
浄しているのが実情である。
しかして、近年溶剤を使用することによる環境汚染の問
題があり、その改善が要望されている。
題があり、その改善が要望されている。
〈課題を解決するための手段〉
本発明はシリコンウェハの表面汚染や異物の付着がなく
、しかもパックグラインド時に該ウェハに強固に接着し
て水の浸入やフィルムの剥がれによる精度不良や破損が
起生しない方法として、少なくとも表面部が常温で弱又
は微接着性で且つ加熱により活性化しうる加工用フィル
ムを加熱手段によりウェハ表面に貼り合せることにより
解決できることを見い出し、本発明に至ったものである
。
、しかもパックグラインド時に該ウェハに強固に接着し
て水の浸入やフィルムの剥がれによる精度不良や破損が
起生しない方法として、少なくとも表面部が常温で弱又
は微接着性で且つ加熱により活性化しうる加工用フィル
ムを加熱手段によりウェハ表面に貼り合せることにより
解決できることを見い出し、本発明に至ったものである
。
即ち本発明は、シリコンウェハ等の表面に、少なくとも
表面部が常温で弱又は微接着性で且つ加熱により活性化
しうる加工用フィルムを貼り合せると共に、前記フィル
ムを全面又は部分的に加熱して前記ウェハ等とフィルム
とを接着せしめ、加工後前記ライｌレムを剥離すること
を特徴とする加工方法を提供するものである。
表面部が常温で弱又は微接着性で且つ加熱により活性化
しうる加工用フィルムを貼り合せると共に、前記フィル
ムを全面又は部分的に加熱して前記ウェハ等とフィルム
とを接着せしめ、加工後前記ライｌレムを剥離すること
を特徴とする加工方法を提供するものである。
本発明の実施に当って用いられる加工用フィルムとして
は、室温（２５℃）で１〜８０９／１０′Ｕの弱又は微
接着性を有し、加熱により活性化しうる表面部を持つも
のであれば特に制限されないが、より好ましくは、室温
で弱又は微接着性で、加熱により活性化して強接着性（
３００〜２０００ Ｆ／１００）となり、さらに外的要
因を付与することにより低接着性とをりつる表面部を持
つものである。
は、室温（２５℃）で１〜８０９／１０′Ｕの弱又は微
接着性を有し、加熱により活性化しうる表面部を持つも
のであれば特に制限されないが、より好ましくは、室温
で弱又は微接着性で、加熱により活性化して強接着性（
３００〜２０００ Ｆ／１００）となり、さらに外的要
因を付与することにより低接着性とをりつる表面部を持
つものである。
加工用フィルムは、例えばフィルム組成物が酢酸ビニル
の含有量が２０重景％以上のエチレン−酢酸ビニル共重
合体の如く、フィルム単体で前記要件を備えている熱可
塑性材料である場合は一層で構成することもできるが、
常温で非接着性で許容しうる温度では活性化しないプラ
スチックフィルム、箔等を支持体層とし、この表面に前
記要件を具備する活性化する層を設けた二層或いはそれ
以上の層構成としても良いものである。
の含有量が２０重景％以上のエチレン−酢酸ビニル共重
合体の如く、フィルム単体で前記要件を備えている熱可
塑性材料である場合は一層で構成することもできるが、
常温で非接着性で許容しうる温度では活性化しないプラ
スチックフィルム、箔等を支持体層とし、この表面に前
記要件を具備する活性化する層を設けた二層或いはそれ
以上の層構成としても良いものである。
かかる活性化膿としては、前述の如きエチレン−酢酸ビ
ニル共重合体のほか、他のエチレン系共重合体、ポリア
ミド樹脂などの熱接着性樹脂と粘着付与剤等との混合物
、アルキル基のＣ数が３〜１２個である（メタ）アクリ
ル酸エステルの群から選ばれるガフス転移温度（Ｔｇ）
が−１５℃以下のアクリル系七ツマー９０〜５０ｆｉ量
部、メタクリル酸メチル、アクリロニトリルの如きＴｇ
が５０℃以上のビニ〃第七ツマ−１０〜５０重量部及び
官能性上ツマー１〜１０重量部からなるベースポリマー
１００重量部に、０．５〜５重量部の公知の光重合開始
剤及び５〜２０重量部の公知の多官能モノマーを夫々添
加してなる紫外線照射による接着強度低下型粘着剤、或
いはゴム類又はアルキル基のＣ数が３〜１２個の（メタ
）アクリル酸エステｌしと官能性モノマーとの共重合物
などのゴム状弾性を有する接着剤組成物１００重及部に
、１５〜１００重量部のレゾール型フェノール樹脂の如
き官能基を有する樹脂を添加してなる加熱低下型粘着剤
などが挙げられる。
ニル共重合体のほか、他のエチレン系共重合体、ポリア
ミド樹脂などの熱接着性樹脂と粘着付与剤等との混合物
、アルキル基のＣ数が３〜１２個である（メタ）アクリ
ル酸エステルの群から選ばれるガフス転移温度（Ｔｇ）
が−１５℃以下のアクリル系七ツマー９０〜５０ｆｉ量
部、メタクリル酸メチル、アクリロニトリルの如きＴｇ
が５０℃以上のビニ〃第七ツマ−１０〜５０重量部及び
官能性上ツマー１〜１０重量部からなるベースポリマー
１００重量部に、０．５〜５重量部の公知の光重合開始
剤及び５〜２０重量部の公知の多官能モノマーを夫々添
加してなる紫外線照射による接着強度低下型粘着剤、或
いはゴム類又はアルキル基のＣ数が３〜１２個の（メタ
）アクリル酸エステｌしと官能性モノマーとの共重合物
などのゴム状弾性を有する接着剤組成物１００重及部に
、１５〜１００重量部のレゾール型フェノール樹脂の如
き官能基を有する樹脂を添加してなる加熱低下型粘着剤
などが挙げられる。
このように構成されてなる加工用フィルムを用いてなる
加工は、シリコンウェハ等の表面に、その保有する弱又
は微接着性を用いて貼り付けることによってフィルムの
位置ずれを防止し、次に全面又は部分的に加熱してウェ
ハ等とフィルムとを接着せしめ、この状態でウェハ等の
裏面を研摩機で研摩し、次いで加熱するか或いは紫外線
を照射してウェハ等の表面とフィルムとの接着界面の接
着強度を低下させ、前記フィルムを剥離することによっ
て終了する。
加工は、シリコンウェハ等の表面に、その保有する弱又
は微接着性を用いて貼り付けることによってフィルムの
位置ずれを防止し、次に全面又は部分的に加熱してウェ
ハ等とフィルムとを接着せしめ、この状態でウェハ等の
裏面を研摩機で研摩し、次いで加熱するか或いは紫外線
を照射してウェハ等の表面とフィルムとの接着界面の接
着強度を低下させ、前記フィルムを剥離することによっ
て終了する。
しかして、加工用フィルムとしてシリコンウェハ等より
大なる形状のものを用い、これをウェハ等に貼り付は後
、ウェハ等の外形に沿ってフィルムを切断する際の切断
刃として加熱されたものを用いると、切断と同時にフィ
ルムの表面部が外形に沿って活性化されてウェハ等の端
面へ接着でき、しかも内部は弱又は微接着状態で接着し
ているから、ウェハ等とフィルムとの強接着部分は端部
のみとなり、従って研摩後のフィルムの剥離はウェハ等
の強度が充分な場合このまま剥離でき、強度が弱い場合
は外的要因を付与することにより簡単に剥離できる。
大なる形状のものを用い、これをウェハ等に貼り付は後
、ウェハ等の外形に沿ってフィルムを切断する際の切断
刃として加熱されたものを用いると、切断と同時にフィ
ルムの表面部が外形に沿って活性化されてウェハ等の端
面へ接着でき、しかも内部は弱又は微接着状態で接着し
ているから、ウェハ等とフィルムとの強接着部分は端部
のみとなり、従って研摩後のフィルムの剥離はウェハ等
の強度が充分な場合このまま剥離でき、強度が弱い場合
は外的要因を付与することにより簡単に剥離できる。
〈効果〉
本発明の加工方法は、以上の如く、弱又は微接着性の加
工面フィルムを全面又は部分的に加熱接着して研摩後に
、加熱又は紫外線照射にて接着強度を低下させるか或い
はそのまま端部から簡単に剥離できるので、ウェハ等の
薄葉物品の破損がないという特徴を有する。
工面フィルムを全面又は部分的に加熱接着して研摩後に
、加熱又は紫外線照射にて接着強度を低下させるか或い
はそのまま端部から簡単に剥離できるので、ウェハ等の
薄葉物品の破損がないという特徴を有する。
〈実施例〉
以下本発明の実施例を示す。
実施例
厚さ１００ＩＲｎのポリエチレン層と、厚さ５０μｍの
エチレン−酢酸ビニル共重合体層（酢酸ビニル含有［４
５重量部）との二層からなる加工用フィルムを用意する
。
エチレン−酢酸ビニル共重合体層（酢酸ビニル含有［４
５重量部）との二層からなる加工用フィルムを用意する
。
このフィルムを表面の凹凸差が５０μｍのシリコンリコ
ンウエハ（６インチ）の表面に貼り合せると共に、ウェ
ハの外形に沿って加熱刃（１３０℃）で切断してローラ
で加圧し、ウェハ端部とフィルム端部とを接着した。
ンウエハ（６インチ）の表面に貼り合せると共に、ウェ
ハの外形に沿って加熱刃（１３０℃）で切断してローラ
で加圧し、ウェハ端部とフィルム端部とを接着した。
この状態で裏面を研摩機で研摩したが、研摩中のフィル
ムの剥離は全く見られず、＠摩終了後は簡単に剥離する
ことができ、破損もみられなかった。
ムの剥離は全く見られず、＠摩終了後は簡単に剥離する
ことができ、破損もみられなかった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）シリコンウェハ等の表面に、少なくとも表面部が常
温で弱又は微接着性で且つ加熱により活性化しうる加工
用フィルムを貼り合せると共に、前記フィルムを全面又
は部分的に加熱して前記ウェハ等とフィルムとを接着せ
しめ、加工後前記フィルムを剥離することを特徴とする
シリコンウェハ等の加工方法。 ２）加工用フィルムが熱可塑性材料で構成されている請
求項１のシリコンウェハ等の加工方法。 ３）加工用フィルムが加熱により活性化する層と活性化
しない層とを含むものである請求項１のシリコンウェハ
等の加工方法。 ４）少なくとも表面部が常温で弱又は微接着性で且つ加
熱により活性化しうる請求項１に用いられる加工用フィ
ルム。 ５）加工後の加工用フィルムの剥離を外的要因付与後に
行うものである請求項１のシリコンウェハ等の加工方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63199298A JPH0247833A (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | シリコンウエハ等の加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63199298A JPH0247833A (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | シリコンウエハ等の加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0247833A true JPH0247833A (ja) | 1990-02-16 |
Family
ID=16405476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63199298A Pending JPH0247833A (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | シリコンウエハ等の加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0247833A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6235387B1 (en) | 1998-03-30 | 2001-05-22 | 3M Innovative Properties Company | Semiconductor wafer processing tapes |
| JP2010027686A (ja) * | 2008-07-15 | 2010-02-04 | Lintec Corp | 表面保護用シートおよび半導体ウエハの研削方法 |
-
1988
- 1988-08-09 JP JP63199298A patent/JPH0247833A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6235387B1 (en) | 1998-03-30 | 2001-05-22 | 3M Innovative Properties Company | Semiconductor wafer processing tapes |
| US6478918B2 (en) | 1998-03-30 | 2002-11-12 | 3M Innovative Properties Company | Semiconductor wafer processing tapes |
| JP2010027686A (ja) * | 2008-07-15 | 2010-02-04 | Lintec Corp | 表面保護用シートおよび半導体ウエハの研削方法 |
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