JPH0247843B2 - Seramitsukubarisuta - Google Patents
SeramitsukubarisutaInfo
- Publication number
- JPH0247843B2 JPH0247843B2 JP56175999A JP17599981A JPH0247843B2 JP H0247843 B2 JPH0247843 B2 JP H0247843B2 JP 56175999 A JP56175999 A JP 56175999A JP 17599981 A JP17599981 A JP 17599981A JP H0247843 B2 JPH0247843 B2 JP H0247843B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat
- resistant insulating
- common electrode
- electrodes
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 8
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセラミツクバリスタに関するものであ
つて、その目的とするところは異常電圧又は過大
な侵入サージによつて破損されることのない自己
防御作用を備えたセラミツクバリスタを提供する
ことにある。
つて、その目的とするところは異常電圧又は過大
な侵入サージによつて破損されることのない自己
防御作用を備えたセラミツクバリスタを提供する
ことにある。
酸化亜鉛を主体とするセラミツクバリスタは、
酸化亜鉛にビスマス、アンチモン、コバルト、マ
ンガン等の金属酸化物を添加して混合成形し、
1000〜1300℃で焼結して形成され、すぐれた非直
線電圧抵抗特性を有するので各種電気回路のサー
ジ吸収器として広く用いられている。第１図は従
来のセラミツクバリスタを示している。１はセラ
ミツク基板で、その表面および裏面には、銀又は
銅、あるいはアルミニユーム等の導電性金属の焼
き付け、メツキあるいは溶射等によつて平面電極
２，２′を形成している。３，３′は平面電極２，
２′に半田付けされたリード線である。
酸化亜鉛にビスマス、アンチモン、コバルト、マ
ンガン等の金属酸化物を添加して混合成形し、
1000〜1300℃で焼結して形成され、すぐれた非直
線電圧抵抗特性を有するので各種電気回路のサー
ジ吸収器として広く用いられている。第１図は従
来のセラミツクバリスタを示している。１はセラ
ミツク基板で、その表面および裏面には、銀又は
銅、あるいはアルミニユーム等の導電性金属の焼
き付け、メツキあるいは溶射等によつて平面電極
２，２′を形成している。３，３′は平面電極２，
２′に半田付けされたリード線である。
ところで上記構造のセラミツクバリスタは、定
格最大値以上の異常電圧が印加されたとき、ある
いは耐量以上の過大サージが侵入したときは短
絡、破壊されるので、回路に遮断器又は電流ヒユ
ーズを接続してこれを異常電圧および過大サージ
から保護している。本発明はこの点にかんがみ、
セラミツクバリスタそれ自体に異常電圧および過
大サージに対する防御機能を付与することによ
り、遮断器、電流ヒユーズ等を省略し、配線基板
を簡素化することを意図するものである。
格最大値以上の異常電圧が印加されたとき、ある
いは耐量以上の過大サージが侵入したときは短
絡、破壊されるので、回路に遮断器又は電流ヒユ
ーズを接続してこれを異常電圧および過大サージ
から保護している。本発明はこの点にかんがみ、
セラミツクバリスタそれ自体に異常電圧および過
大サージに対する防御機能を付与することによ
り、遮断器、電流ヒユーズ等を省略し、配線基板
を簡素化することを意図するものである。
本発明の実施例を第２図、第３図および第４図
によつて説明する。第２図において、４は長方形
のセラミツク基板で、その表面および裏面の中央
部から片方によつた位置に、若干の巾をもつ耐熱
絶縁層５，５′が設けてある。この耐熱絶縁層５，
５′は耐熱ガラスあるいはアルミナなどの耐熱性
無機絶縁材料を焼付け、溶射などの方法によつて
数十μm程度の厚さに形成される。第３図におい
て６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄおよび６′ａ，６′ｂ，
６′ｃ，６′ｄは表面および裏面の中央部に設けた
分離された複数個の対向電極で、６ａと６′ａ，
６ｂと６′ｂ，６ｃと６′ｃ，６ｄと６′ｄとはセ
ラミツク基板４をはさんで相対向しており、前記
耐熱絶縁層５，５′の中央部側に設けてある。７
および７′は耐熱絶縁層５，５′の中央部側と反対
の側に設けた巾の狭い共通電極で、表面の共通電
極７と裏面の共通電極７′はその位置を互い違い
に設けてある。８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄおよび
８′ａ，８′ｂ，８′ｃ，８′ｄは複数個の対向電極
６，６′と共通電極７，７′とを連通する渡り電極
である。対向電極６，６′は銀又は銅あるいはア
ルミニユームの焼付け、メツキ、溶射などの方法
によつて形成される。渡り電極８，８′は比較的
融点の低いアルミニユーム等の易溶性金属の溶射
あるいは蒸着によつて耐熱絶縁層５，５′の上に
形成され、その厚さは数ミクロンないしは30μm
である。９，９′は表面および裏面の共通電極７，
７′に半田付けされたリード線である。リード線
９，９′の半田付けされたセラミツク基板４の表
面はエポキシ樹脂などによつてコーテイングされ
る。第４図は本発明の他の実施例である。この実
施例は耐熱絶縁層および渡り電極を含む上記の電
極構造をセラミツク基板４の表面にのみ設け、裏
面には第１図の平面電極２′と同様な裏面電極１
０を設け、これにリード線９′が半田付けしてあ
る。
によつて説明する。第２図において、４は長方形
のセラミツク基板で、その表面および裏面の中央
部から片方によつた位置に、若干の巾をもつ耐熱
絶縁層５，５′が設けてある。この耐熱絶縁層５，
５′は耐熱ガラスあるいはアルミナなどの耐熱性
無機絶縁材料を焼付け、溶射などの方法によつて
数十μm程度の厚さに形成される。第３図におい
て６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄおよび６′ａ，６′ｂ，
６′ｃ，６′ｄは表面および裏面の中央部に設けた
分離された複数個の対向電極で、６ａと６′ａ，
６ｂと６′ｂ，６ｃと６′ｃ，６ｄと６′ｄとはセ
ラミツク基板４をはさんで相対向しており、前記
耐熱絶縁層５，５′の中央部側に設けてある。７
および７′は耐熱絶縁層５，５′の中央部側と反対
の側に設けた巾の狭い共通電極で、表面の共通電
極７と裏面の共通電極７′はその位置を互い違い
に設けてある。８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄおよび
８′ａ，８′ｂ，８′ｃ，８′ｄは複数個の対向電極
６，６′と共通電極７，７′とを連通する渡り電極
である。対向電極６，６′は銀又は銅あるいはア
ルミニユームの焼付け、メツキ、溶射などの方法
によつて形成される。渡り電極８，８′は比較的
融点の低いアルミニユーム等の易溶性金属の溶射
あるいは蒸着によつて耐熱絶縁層５，５′の上に
形成され、その厚さは数ミクロンないしは30μm
である。９，９′は表面および裏面の共通電極７，
７′に半田付けされたリード線である。リード線
９，９′の半田付けされたセラミツク基板４の表
面はエポキシ樹脂などによつてコーテイングされ
る。第４図は本発明の他の実施例である。この実
施例は耐熱絶縁層および渡り電極を含む上記の電
極構造をセラミツク基板４の表面にのみ設け、裏
面には第１図の平面電極２′と同様な裏面電極１
０を設け、これにリード線９′が半田付けしてあ
る。
次に本発明のセラミツクバリスタの作用を説明
する。いま、過大サージの侵入によつて第３図イ
および第５図に示すようにセラミツク基板４に短
絡ａが発生したとする。このときの短絡電流はリ
ード線９から渡り電極８ｃ，８′ｃを通過してリ
ード線９′に流れるから易溶性金属よりなる渡り
電極８ｃ，８′ｃのどちらか一方又は双方が通過
電流によつて溶断される。すなわち、渡り電極
８，８′は電流ヒユーズとして作用するからその
材料、厚み、巾、長さは遮断電流によつて設定さ
れる。第１図の従来のセラミツクバリスタにおい
ては、短絡が発生すると短絡電流によつてセラミ
ツク基板に低抵抗の貫通孔を生じ、この貫通孔を
通過する過大電流のシユール熱によつてセラミツ
ク基板が焼損するが、本発明は渡り電極の溶断に
よつてこれを未然に防止するばかりでなく、短絡
が発生した後も、残余の約75％がセラミツクバリ
スタとしての作用を保持している。
する。いま、過大サージの侵入によつて第３図イ
および第５図に示すようにセラミツク基板４に短
絡ａが発生したとする。このときの短絡電流はリ
ード線９から渡り電極８ｃ，８′ｃを通過してリ
ード線９′に流れるから易溶性金属よりなる渡り
電極８ｃ，８′ｃのどちらか一方又は双方が通過
電流によつて溶断される。すなわち、渡り電極
８，８′は電流ヒユーズとして作用するからその
材料、厚み、巾、長さは遮断電流によつて設定さ
れる。第１図の従来のセラミツクバリスタにおい
ては、短絡が発生すると短絡電流によつてセラミ
ツク基板に低抵抗の貫通孔を生じ、この貫通孔を
通過する過大電流のシユール熱によつてセラミツ
ク基板が焼損するが、本発明は渡り電極の溶断に
よつてこれを未然に防止するばかりでなく、短絡
が発生した後も、残余の約75％がセラミツクバリ
スタとしての作用を保持している。
以上述べたように本発明のセラミツクバリスタ
は、セラミツク基板４の表面および裏面に、その
中央部から片方によつた位置に耐熱絶縁層５，
５′を互い違いの位置に設け、この耐熱絶縁層５，
５′の中央部側に分離された複数個の対向電極６，
６′を前記セラミツク基板４の表面および裏面に
相対向するように形成し、前記耐熱絶縁層５，
５′の中央部側と反対の側には巾の狭い共通電極
７，７′を前記セラミツク基板４の表面および裏
面に互い違いに形成し、複数個の前記対向電極
６，６′と前記共通電極７，７′とを前記耐熱絶縁
層５，５′の上に形成した巾の狭い易溶性金属よ
りなる渡り電極８，８′によつて連通させ、表面
および裏面の共通電極７，７′にはそれぞれリー
ド線９，９′を半田付けした構造を有するので、
定格最大以上の異常電圧が印加されたとき、ある
いは耐量以上の過大サージが侵入したときには渡
り電極８，８′が溶断してセラミツクバリスタの
破壊焼損を未然に防止する。したがつて、セラミ
ツクバリスタを保護するための遮断器又は電流ヒ
ユーズの必要がないから配線基板が簡素化され、
冒頭で述べた本発明の目的を達成する作用効果を
有する。
は、セラミツク基板４の表面および裏面に、その
中央部から片方によつた位置に耐熱絶縁層５，
５′を互い違いの位置に設け、この耐熱絶縁層５，
５′の中央部側に分離された複数個の対向電極６，
６′を前記セラミツク基板４の表面および裏面に
相対向するように形成し、前記耐熱絶縁層５，
５′の中央部側と反対の側には巾の狭い共通電極
７，７′を前記セラミツク基板４の表面および裏
面に互い違いに形成し、複数個の前記対向電極
６，６′と前記共通電極７，７′とを前記耐熱絶縁
層５，５′の上に形成した巾の狭い易溶性金属よ
りなる渡り電極８，８′によつて連通させ、表面
および裏面の共通電極７，７′にはそれぞれリー
ド線９，９′を半田付けした構造を有するので、
定格最大以上の異常電圧が印加されたとき、ある
いは耐量以上の過大サージが侵入したときには渡
り電極８，８′が溶断してセラミツクバリスタの
破壊焼損を未然に防止する。したがつて、セラミ
ツクバリスタを保護するための遮断器又は電流ヒ
ユーズの必要がないから配線基板が簡素化され、
冒頭で述べた本発明の目的を達成する作用効果を
有する。
第１図：従来のセラミツクバリスタを示す図
で、イは平面図、ロは側面図、第２図：本発明の
セラミツク基板の実施例を示す図で、イは平面
図、ロは側面図、第３図：本発明のセラミツクバ
リスタの実施例を示す図で、イは平面図、ロは側
面図、第４図：本発明のセラミツクバリスタの他
の実施例の側面図、第５図：本発明のセラミツク
バリスタの作用説明図。 記号、４……セラミツク基板、５，５′……耐
熱絶縁層、６，６′……対向電極、７，７′……共
通電極、８，８′……渡り電極、９，９′…リード
線、１０……裏面電極。
で、イは平面図、ロは側面図、第２図：本発明の
セラミツク基板の実施例を示す図で、イは平面
図、ロは側面図、第３図：本発明のセラミツクバ
リスタの実施例を示す図で、イは平面図、ロは側
面図、第４図：本発明のセラミツクバリスタの他
の実施例の側面図、第５図：本発明のセラミツク
バリスタの作用説明図。 記号、４……セラミツク基板、５，５′……耐
熱絶縁層、６，６′……対向電極、７，７′……共
通電極、８，８′……渡り電極、９，９′…リード
線、１０……裏面電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ セラミツク基板の表面および裏面に、その中
央部から片方によつた位置に若干の幅をもつ耐熱
絶縁層を互い違いの位置に設け、この耐熱絶縁層
の中央部側に分離された複数個の対向電極を前記
セラミツク基板の表面および裏面に相対向するよ
うに形成し、前記耐熱絶縁層の中央部側と反対の
側には幅の狭い共通電極を前記セラミツク基板の
表面および裏面に互い違いに形成し、前記複数個
の対向電極と前記共通電極とを前記耐熱絶縁層の
上に設けた幅の狭い易溶性金属よりなる複数個の
渡り電極によつて連通させ、表面および裏面の前
記共通電極にはそれぞれリード線を半田付けした
ことを特徴としたセラミツクバリスタ。 ２ セラミツク基板の表面に、その中央部から片
方によつた位置に、若干の幅をもつ耐熱絶縁層を
設け、この耐熱絶縁層の中央部側に分離された複
数個の対向電極を前記セラミツク基板の表面に、
裏面に設けられた１つの平面電極に相対向するよ
うに形成し、前記耐熱絶縁層の中央部側と反対の
側には幅の狭い共通電極を前記セラミツク基板の
表面に裏面の前記平面電極に対向せぬよう形成
し、前記複数個の対向電極と、前記共通電極とを
前記耐熱絶縁層の上に設けられた幅の狭い易溶性
金属よりなる複数個の渡り電極によつて連通さ
せ、表面の前記共通電極および裏面の前記平面電
極に、それぞれリード線を半田付けしたことを特
徴としたセラミツクバリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56175999A JPH0247843B2 (ja) | 1981-11-02 | 1981-11-02 | Seramitsukubarisuta |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56175999A JPH0247843B2 (ja) | 1981-11-02 | 1981-11-02 | Seramitsukubarisuta |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5877202A JPS5877202A (ja) | 1983-05-10 |
| JPH0247843B2 true JPH0247843B2 (ja) | 1990-10-23 |
Family
ID=16005932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56175999A Expired - Lifetime JPH0247843B2 (ja) | 1981-11-02 | 1981-11-02 | Seramitsukubarisuta |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0247843B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62168604U (ja) * | 1986-04-14 | 1987-10-26 |
-
1981
- 1981-11-02 JP JP56175999A patent/JPH0247843B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5877202A (ja) | 1983-05-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3073003U (ja) | 表面実装型電気装置 | |
| US6566995B2 (en) | Protective element | |
| US4494104A (en) | Thermal Fuse | |
| US6344633B1 (en) | Stacked protective device lacking an insulating layer between the heating element and the low-melting element | |
| JP2009032696A (ja) | 一体化されたサーミスタ及び金属素子装置並びに方法 | |
| KR20050088326A (ko) | 보호 소자 | |
| CN103943291B (zh) | 一种具有过流保护功能的静电抑制器及其制作方法 | |
| TW202115979A (zh) | 保護元件 | |
| JP3768621B2 (ja) | 保護素子の使用方法 | |
| JPH0243321B2 (ja) | ||
| JPH0247843B2 (ja) | Seramitsukubarisuta | |
| JPS589566B2 (ja) | タソウカトデンアツヨクアツソウチ | |
| JPH0247844B2 (ja) | Seramitsukubarisuta | |
| JPH0247842B2 (ja) | Seramitsukubarisuta | |
| CN203871099U (zh) | 一种具有过流保护功能的静电抑制器 | |
| JPS63185002A (ja) | 基板型抵抗・温度ヒユ−ズ合成体 | |
| JPH114535A (ja) | 保護用回路及び複合型保護用デバイス | |
| JPS60173802A (ja) | 電圧非直線抵抗磁器 | |
| JPH0318321B2 (ja) | ||
| JPS61204903A (ja) | サ−ジ吸収器 | |
| JPH0139064Y2 (ja) | ||
| JPH0436530Y2 (ja) | ||
| JPS588123B2 (ja) | セラミックバリスタの製造方法 | |
| JPH0139063Y2 (ja) | ||
| JPH04365304A (ja) | ヒューズ付チップ抵抗器 |