JPH0247844B2 - Seramitsukubarisuta - Google Patents
SeramitsukubarisutaInfo
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- JPH0247844B2 JPH0247844B2 JP56176000A JP17600081A JPH0247844B2 JP H0247844 B2 JPH0247844 B2 JP H0247844B2 JP 56176000 A JP56176000 A JP 56176000A JP 17600081 A JP17600081 A JP 17600081A JP H0247844 B2 JPH0247844 B2 JP H0247844B2
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- ceramic
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- ceramic substrate
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- Expired - Lifetime
Links
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセラミツクバリスタに関するものであ
つて、その目的とするところは異常電圧又は過大
な侵入サージによつて破損されることのない自己
防御作用を備えたセラミツクバリスタを提供する
ことにある。
つて、その目的とするところは異常電圧又は過大
な侵入サージによつて破損されることのない自己
防御作用を備えたセラミツクバリスタを提供する
ことにある。
酸化亜鉛を主体とするセラミツクバリスタは、
酸化亜鉛にビスマス、アンチモン、コバルト、マ
ンガン等の金属酸化物を添加して混合成形し、
1000〜1300℃で焼結して形成され、すぐれた非直
線電圧抵抗特性を有するので各種電気回路のサー
ジ吸収器として広く用いられている。第１図は従
来のセラミツクバリスタを示している。１はセラ
ミツク基板で、その表面および裏面には、銀又は
銅、あるいはアルミニユーム等の導電性金属の焼
き付け、メツキあるいは溶射等によつて平面電極
２，２′を形成している。３，３′は平面電極２，
２′に半田付けされたリード線である。
酸化亜鉛にビスマス、アンチモン、コバルト、マ
ンガン等の金属酸化物を添加して混合成形し、
1000〜1300℃で焼結して形成され、すぐれた非直
線電圧抵抗特性を有するので各種電気回路のサー
ジ吸収器として広く用いられている。第１図は従
来のセラミツクバリスタを示している。１はセラ
ミツク基板で、その表面および裏面には、銀又は
銅、あるいはアルミニユーム等の導電性金属の焼
き付け、メツキあるいは溶射等によつて平面電極
２，２′を形成している。３，３′は平面電極２，
２′に半田付けされたリード線である。
ところで上記構造のセラミツクバリスタは、定
格最大値以上の異常電圧が印加されたとき、ある
いは耐量以上の過大サージが侵入したときは短
絡、破壊されるので、回路に遮断器又は電流ヒユ
ーズを接続してこれを異常電圧および過大サージ
から保護している。本発明はこの点にかんがみ、
セラミツクバリスタそれ自体に異常電圧および過
大サージに対する防御機能を付与することによ
り、遮断器、電流ヒユーズ等を省略し、配線基板
を簡素化することを意図するものである。
格最大値以上の異常電圧が印加されたとき、ある
いは耐量以上の過大サージが侵入したときは短
絡、破壊されるので、回路に遮断器又は電流ヒユ
ーズを接続してこれを異常電圧および過大サージ
から保護している。本発明はこの点にかんがみ、
セラミツクバリスタそれ自体に異常電圧および過
大サージに対する防御機能を付与することによ
り、遮断器、電流ヒユーズ等を省略し、配線基板
を簡素化することを意図するものである。
本発明の実施例を第２図、第３図および第４図
によつて説明する。第２図において、４は長方形
のセラミツク基板で、その表面および裏面の中央
部には若干の巾をもつ耐熱絶縁層５，５′が設け
てある。この耐熱絶縁層５，５′は耐熱ガラスあ
るいはアルミナなどの耐熱性無機絶縁材料を焼付
け、溶射などの方法によつて数十μm程度の厚さ
に形成される。第３図において、６，６′は表面
および裏面の中央部に設けた前記耐熱絶縁層５，
５′の両側に分離して設けた平面電極で、巾の狭
い渡り電極７，７′によつて連通されている。平
面電極６，６′は銀又は銅あるいはアルミニユー
ムの焼付け、メツキ、溶射などの方法によつて形
成される。渡り電極７，７′は比較的融点の低い
アルミニユーム等の易溶性金属の溶射あるいは蒸
着によつて耐熱絶縁層５，５′の上に形成され、
その厚さは数ミクロンないし30μmである。８，
８′は表面および裏面の共通電極７，７′の中心部
に半田付けされたリード線である。リード線８，
８′を半田付けしたセラミツク基板４は、その表
面をエポキシ樹脂などによつてコーテイングされ
る。第４図は本発明の他の実施例である。この実
施例は耐熱絶縁層および渡り電極を含む上記の構
造をセラミツク基板の表面にのみ設け、裏面には
第１図の平面電極２′と同様な裏面電極９を設け、
これにリード線８′が半田付けしてある。
によつて説明する。第２図において、４は長方形
のセラミツク基板で、その表面および裏面の中央
部には若干の巾をもつ耐熱絶縁層５，５′が設け
てある。この耐熱絶縁層５，５′は耐熱ガラスあ
るいはアルミナなどの耐熱性無機絶縁材料を焼付
け、溶射などの方法によつて数十μm程度の厚さ
に形成される。第３図において、６，６′は表面
および裏面の中央部に設けた前記耐熱絶縁層５，
５′の両側に分離して設けた平面電極で、巾の狭
い渡り電極７，７′によつて連通されている。平
面電極６，６′は銀又は銅あるいはアルミニユー
ムの焼付け、メツキ、溶射などの方法によつて形
成される。渡り電極７，７′は比較的融点の低い
アルミニユーム等の易溶性金属の溶射あるいは蒸
着によつて耐熱絶縁層５，５′の上に形成され、
その厚さは数ミクロンないし30μmである。８，
８′は表面および裏面の共通電極７，７′の中心部
に半田付けされたリード線である。リード線８，
８′を半田付けしたセラミツク基板４は、その表
面をエポキシ樹脂などによつてコーテイングされ
る。第４図は本発明の他の実施例である。この実
施例は耐熱絶縁層および渡り電極を含む上記の構
造をセラミツク基板の表面にのみ設け、裏面には
第１図の平面電極２′と同様な裏面電極９を設け、
これにリード線８′が半田付けしてある。
次に本発明のセラミツクバリスタの作用を説明
する。いま、過大サージの侵入によつて第５図に
示すようにセラミツク基板４に短絡ａが発生した
とする。このときの短絡電流はリード線８から渡
り電極７，７′を通過してリード線８′に流れるか
ら易溶性金属よりなる渡り電極７，７′は通過電
流によつて溶断される。溶断の個所はｂ又はb′若
しくはその双方である。短絡の場所がａと反対側
のa′の場合は、溶断の個所はｃ又はc′若しくはそ
の双方である。第４図の実施例の場合は、溶断の
個所はｂ又はｃのみとなる。すなわち、渡り電極
７，７′は電流ヒユーズとして作用するからその
材料、厚み、巾、長さは遮断電流によつて設定さ
れる。第１図の従来のセラミツクバリスタにおい
ては、短絡が発生すると短絡電流によつてセラミ
ツク基板に低抵抗の貫通孔を生じ、この貫通孔を
通過する過大電流のジユール熱によつてセラミツ
ク基板が焼損するが、本発明は渡り電極の溶断に
よつてこれを未然に防止するばかりでなく、短絡
が発生した後も、残りの半分がセラミツクバリス
タとしての作用を保持している。
する。いま、過大サージの侵入によつて第５図に
示すようにセラミツク基板４に短絡ａが発生した
とする。このときの短絡電流はリード線８から渡
り電極７，７′を通過してリード線８′に流れるか
ら易溶性金属よりなる渡り電極７，７′は通過電
流によつて溶断される。溶断の個所はｂ又はb′若
しくはその双方である。短絡の場所がａと反対側
のa′の場合は、溶断の個所はｃ又はc′若しくはそ
の双方である。第４図の実施例の場合は、溶断の
個所はｂ又はｃのみとなる。すなわち、渡り電極
７，７′は電流ヒユーズとして作用するからその
材料、厚み、巾、長さは遮断電流によつて設定さ
れる。第１図の従来のセラミツクバリスタにおい
ては、短絡が発生すると短絡電流によつてセラミ
ツク基板に低抵抗の貫通孔を生じ、この貫通孔を
通過する過大電流のジユール熱によつてセラミツ
ク基板が焼損するが、本発明は渡り電極の溶断に
よつてこれを未然に防止するばかりでなく、短絡
が発生した後も、残りの半分がセラミツクバリス
タとしての作用を保持している。
以上述べたように本発明のセラミツクバリスタ
は、セラミツク基板４の表面および裏面の中央部
に若干の巾をもつ耐熱絶縁層を設け、この耐熱絶
縁層の両側に分離された平面電極を前記セラミツ
ク基板４の表面および裏面に左右対称に形成し、
前記２分された平面電極を前記耐熱絶縁層の上に
形成した巾の狭い易溶性金属よりなる渡り電極よ
つて連通させ、この渡り電極の中心にリード線を
半田付けした構造を有するので、定格最大値以上
の異常電圧が印加されたとき、あるいは耐量以上
の過大サージが侵入したときには渡り電極が溶断
してセラミツクバリスタの破壊焼損を未然に防止
する。したがつて、セラミツクバリスタを保護す
るための遮断器又は電流ヒユーズの必要がないか
ら配線基板が簡素化され、冒頭で述べた本発明の
目的を達成する作用効果を有する。
は、セラミツク基板４の表面および裏面の中央部
に若干の巾をもつ耐熱絶縁層を設け、この耐熱絶
縁層の両側に分離された平面電極を前記セラミツ
ク基板４の表面および裏面に左右対称に形成し、
前記２分された平面電極を前記耐熱絶縁層の上に
形成した巾の狭い易溶性金属よりなる渡り電極よ
つて連通させ、この渡り電極の中心にリード線を
半田付けした構造を有するので、定格最大値以上
の異常電圧が印加されたとき、あるいは耐量以上
の過大サージが侵入したときには渡り電極が溶断
してセラミツクバリスタの破壊焼損を未然に防止
する。したがつて、セラミツクバリスタを保護す
るための遮断器又は電流ヒユーズの必要がないか
ら配線基板が簡素化され、冒頭で述べた本発明の
目的を達成する作用効果を有する。
第１図：従来のセラミツクバリスタを示す図
で、イは平面図、ロは側面図、第２図：本発明の
セラミツク基板の実施例を示す図で、イは平面
図、ロは側面図、第３図：本発明のセラミツクバ
リスタの実施例を示す図で、イは平面図、ロは側
面図、第４図：本発明のセラミツクバリスタの他
の実施例の側面図、第５図：本発明のセラミツク
バリスタの作用説明図。 記号、４……セラミツク基板、５，５′……耐
熱絶縁層、６，６′……平面電極、７，７′……渡
り電極、８，８′……リード線、９……裏面電極。
で、イは平面図、ロは側面図、第２図：本発明の
セラミツク基板の実施例を示す図で、イは平面
図、ロは側面図、第３図：本発明のセラミツクバ
リスタの実施例を示す図で、イは平面図、ロは側
面図、第４図：本発明のセラミツクバリスタの他
の実施例の側面図、第５図：本発明のセラミツク
バリスタの作用説明図。 記号、４……セラミツク基板、５，５′……耐
熱絶縁層、６，６′……平面電極、７，７′……渡
り電極、８，８′……リード線、９……裏面電極。
Claims (1)
- １ セラミツク基板の表面および裏面の少なくと
も一方の面の中央部に若干の幅をもつ耐熱絶縁層
を設け、この耐熱絶縁層の両側に分離された平面
電極を前記セラミツク基板面に左右対称に形成
し、前記２分された平面電極を前記耐熱絶縁層の
上に設けた幅の狭い易溶性金属よりなる渡り電極
によつて連通させ、この渡り電極の中心部に、リ
ード線を半田付けしたことを特徴とするセラミツ
クバリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56176000A JPH0247844B2 (ja) | 1981-11-02 | 1981-11-02 | Seramitsukubarisuta |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56176000A JPH0247844B2 (ja) | 1981-11-02 | 1981-11-02 | Seramitsukubarisuta |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5877203A JPS5877203A (ja) | 1983-05-10 |
| JPH0247844B2 true JPH0247844B2 (ja) | 1990-10-23 |
Family
ID=16005951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56176000A Expired - Lifetime JPH0247844B2 (ja) | 1981-11-02 | 1981-11-02 | Seramitsukubarisuta |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0247844B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0523638U (ja) * | 1991-08-13 | 1993-03-26 | アルプス電気株式会社 | ダブルスーパーヘテロダイン方式チユーナ |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105304243A (zh) * | 2015-11-12 | 2016-02-03 | 郑品章 | 压敏电阻 |
-
1981
- 1981-11-02 JP JP56176000A patent/JPH0247844B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0523638U (ja) * | 1991-08-13 | 1993-03-26 | アルプス電気株式会社 | ダブルスーパーヘテロダイン方式チユーナ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5877203A (ja) | 1983-05-10 |
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